JP2012153770A - 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012153770A JP2012153770A JP2011012576A JP2011012576A JP2012153770A JP 2012153770 A JP2012153770 A JP 2012153770A JP 2011012576 A JP2011012576 A JP 2011012576A JP 2011012576 A JP2011012576 A JP 2011012576A JP 2012153770 A JP2012153770 A JP 2012153770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- resin composition
- resin
- metal base
- base circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
金属ベース回路基板と絶縁層との密着性、およびヒートサイクル性に優れ、かつ十分な絶縁抵抗を有する樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】
(A)DSC法で測定したガラス転移温度が120℃以上で、重量平均分子量が4.0×104以下のフェノキシ樹脂、(B)無機充填剤、及び(C)シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、(C)シランカップリング剤が樹脂組成物全体の2〜10重量%であることを特徴とする樹脂組成物。
【選択図】 なし
Description
これらの電力制御装置は、その耐圧や電流容量に応じて各種機器に応用されている。特に、近年の環境問題、省エネルギー化推進の観点から、各種電気機械へのこれら電力制御装置の使用が年々拡大している。
特に車載用電力制御装置について、その小型化、省スペ−ス化と共に電力制御装置をエンジンル−ム内に設置することが要望されている。エンジンル−ム内は温度が高く、温度変化が大きいなど過酷な環境であり、また、放熱面積の大きな基板が必要とされる。このような用途に対して、より一層放熱性に優れる金属ベース回路基板が注目されている。
これまで、アクリルゴムを用いることにより、低弾性率化を図った樹脂組成物を絶縁層に用いることが開示されている(例えば、特許文献1、2)。
しかし、アクリルゴムを用いた場合は、ヒートサイクル試験において十分な性能が得られない問題があった。
しかし、シリコーン樹脂を用いた場合、金属板との密着性に劣るため、金属ベース板との密着力が低下し、金属板と絶縁樹脂との間に吸湿等により、絶縁破壊電圧値が低下する問題があった。
[1] (A)DSC法で測定したガラス転移温度が120℃以上で、重量平均分子量が4.0×104以下のフェノキシ樹脂、(B)無機充填剤、及び(C)シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、(C)シランカップリング剤が樹脂組成物全体の2〜10重量%であることを特徴とする樹脂組成物。
[2] 前記(A)フェノキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の10〜40重量%である[1]に記載の樹脂組成物
[3] 金属ベース回路基板上に[1]または[2]に記載の樹脂組成物からなる絶縁層を金属箔に積層してなる樹脂シート。
[4]前記[3]に記載の樹脂シートを金属ベース回路基板上に積層してなる積層板。
[5]金属ベース回路基板上に[1]乃至[4]のいずれか一に記載の樹脂組成物からなる絶縁層を介して導体回路が形成されてなる金属ベース回路基板。
[6]前記[5]に記載の金属ベース回路基板上に回路部品が搭載されていることを特徴とするインバータ装置。
[7]前記[6]に記載の金属ベース回路基板上に回路部品が搭載されていることを特徴とするパワー半導体装置。
本発明の樹脂組成物は(A)DSC法で測定したガラス転移温度が120℃以上で、重量平均分子量が4.0×104以下のフェノキシ樹脂、(B)無機充填剤、及び(C)シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、(C)シランカップリング剤が樹脂組成物全体の2〜10重量%である樹脂組成物である。これにより、金属ベース回路基板と絶縁層との密着性、及びヒートサイクル性に優れ、十分な絶縁抵抗を有する。また本発明の樹脂組成物は、良好な絶縁破壊電圧値を示す。
(A)フェノキシ樹脂は、DSC法で測定したガラス転移温度が120℃以上で、重量平均分子量が4.0×104以下であれば、構造は特に限定されないが、例えば、分子量が、4.0×104以下の樹脂でフェノキシ樹脂であって、ビスフェノールS骨格を有するもの、アントラセン骨格を有するもの、フルオレン骨格を有するもの、ジシクロペンタジエン骨格を有するもの、ノルボルネン骨格を有するもの、ナフタレン骨格を有するもの、ビフェニル骨格を有するもの、アダマンタン骨格を有するもの等が挙げられる。これらの中でも、分子内にアントラセン骨格、フルオレン骨格、ビフェニル骨格などの剛直な構造を有することが好ましい。これらの剛直な構造により分子運動が妨げられるため、得られる樹脂組成物の硬化物は、高いガラス転移温度を有するようになる。
なお、ここで、DSC法によるガラス転移温度とは、JIS K7121−1987に準拠した測定により求められるガラス転移温度である。
なお樹脂組成物全体とは、例えば、溶剤等を用いたワニスの場合は、溶剤を除く固形を意味し、液状エポキシ、カップリング剤等の液状成分は、樹脂組成物に含まれる。
樹脂組成物より形成される絶縁層に、結晶性シリカまたは非晶性シリカが含まれる場合、絶縁信頼性に優れる金属ベース回路基板を得ることができる。
特に、結晶性シリカまたは非晶性シリカを用いた金属ベース回路基板は、プレッシャークッカテスト等の水蒸気雰囲気下で絶縁性が高く、金属、アルミ線、アルミ板等の腐食が少ない点で好適である。
さらに、 溶融粘度調整やチクトロピック性の付与の目的においては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
これは、フェノキシ樹脂、及び無機充填剤との組み合わせによる相乗効果によるものと推察される。
前述した樹脂組成物を用いた樹脂シートは、樹脂組成物からなる絶縁層を金属箔上に形成することにより得られる。
まず、絶縁層を形成するため本発明の樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。
前記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。
その結果、基板に半導体素子、抵抗部品等を表面実装した場合、歪が大きくなり、十分な熱衝撃信頼性を得ることができなくなる場合がある。250μmを超えると、表面実装した部分の歪量が少なく、良好な熱衝撃信頼性を得ることができるが、熱抵抗が増大するため、十分な放熱性を得ることができない。
これらの中でも、金属箔をエッチングにより導体回路として用いることができる点で銅が好ましい。
また、低熱膨張の観点から、鉄−ニッケル合金が好ましい。
また、前記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。
本発明の金属ベース回路基板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、金属板の片面又は両面に前記樹脂シートの樹脂面が接するように積層し、プレス等を用い加圧・加熱硬化させて樹脂層を形成することにより金属ベース回路基板を得ることができる。
金属ベース回路基板は、金属箔をエッチングすることにより、回路形成し、用いることができる。
多層にする場合は、前記金属ベース回路基板に回路形成後、さらに樹脂シートを積層し、前記同様エッチングすることにより回路形成することにより多層の金属ベース回路基板を得ることができる。
なお、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子、や電子部品が実装できるよう接続用電極部を露出させても良い。
前記同様エッチングし、回路形成して用いることもできる。
ここでインバータ装置とは直流電力から交流電力を電気的に生成する( 逆変換する機能を持つものである。
またパワー半導体装置とは、通常の半導体素子に比べて高耐圧化、大電流化、高速・高周波化されている特徴を有し、一般的にはパワーデバイスと呼ばれ、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーM O S F E T 、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ( IG B T) 、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ( G T O ) 、トライアックなどが挙げられる。
(1) 下記式(1)で表わされるフェノキシ樹脂(三菱化学製、YX6954、DSC法で測定したガラス転移温度130℃、重量平均分子量39000)
(4)ジシアンジアミド(デグサ製)
(5)フェノールノボラック樹脂(DIC製、TD−2010、水酸基当量105)
(6)2−フェニルイミダゾール(四国化成製、2PZ)
(7)γ−グリシドキシプロピルトリトメキシシラン(信越シリコーン製、KBM−403)
(8)アルミナ(電気化学工業製、AS−50)
(9)窒化ホウ素(電気化学工業製、SPG−3)
(10)臭素化ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(新日鐵化学製、YPB−40、DSC法で測定したガラス転移温度110℃、重量平均分子量35000)
(11)下記式(3)で表わされるフェノキシ樹脂(特公平07−59620実施例6で合成、DSC法で測定したガラス転移温度122℃、重量平均分子量196000)
(13)シリコーン樹脂(II)(モメンティブパフォーマンズ製XE14−A0425(B)、ポリアルキル水素シロキサン)
フェノキシ樹脂(三菱化学製、YX6954、DSC法で測定したガラス転移温度130℃、重量平均分子量39000)16.8重量%、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC製、850S、エポキシ当量190)19.7重量%、2−フェニルイミダゾール(四国化成製2PZ)0.5重量部、シランカップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン製KBM−403)3.0重量部、アルミナ(電気化学工業製、AS−50)60.0重量部をシクロヘキサノンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70重量%のワニスを得た。
金属箔として、厚さ70μmの銅箔(古河サーキットホイル製、GTSMP)を用い、銅箔の粗化面に樹脂ワニスをコンマコーターにて塗布し、100℃で3分、150℃で3分加熱乾燥し、樹脂厚100μmの樹脂付き銅箔を得た。
前記で得られた樹脂シートと金属板として2mm厚のアルミニウム板を張り合わせ、真空プレスで、プレス圧30kg/cm2で80℃30分、200℃90分の条件下で、プレスし金属ベース回路基板を得た。
(4)インバータ装置の作製
前記金属ベース回路基板に。回路形成するため、回路以外の不要な部分をエッチングにより除去し、回路を形成後、所定の部分に試験用の回路部品を搭載し、半田接合を行うことにより、インバータ装置を得た。
表1、及び表2に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスを調製し、樹脂シート、金属ベース回路基板、およびインバータ装置を作製した。
また、各実施例および比較例により得られた金属ベース回路基板について、次の各評価を行った。評価結果を表1、及び表2に示す。
上述の各評価について、評価方法を以下に示す。
前記実施例、及び比較例で得られた金属ベース回路基板から100mm×20mmの試験片を作製し、23℃における金属ベース回路基板と樹脂層とのピール強度を測定した。
尚、ピール強度測定は、JIS C 6481に準拠して行った。
得られた金属ベース回路基板を50mm×50mmにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を1/4だけ残した試料を作製し、JIS C 6481に準拠して評価した。評価は、前処理をしない場合と、前処理をしない場合と、121℃、100%、(PCT処理)を4時間行った後の場合において、288℃の半田槽に30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。
評価基準:異常なし
:膨れあり(全体的にフクレの箇所がある)
前記金属ベース回路基板を100mm×100mmにグラインダーソーでカットした後、端縁部から約30mmの位置から外側部分の銅箔をエッチングにより除去し、試料を作成した。耐電圧試験器(MODEL7473、EXTECH Electronics社製)を用いて、銅箔と金属板に電極を接触せしめて、両電極に1kV/秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。金属ベース回路基板の樹脂部が破壊した電圧を、絶縁破壊電圧とした。
得られた金属ベース回路基板の密度を水中置換法により測定し、また、比熱をDSC(示差走査熱量測定)により測定し、さらに、レーザーフラッシュ法により熱拡散率を測定した。
そして、熱伝導率を以下の式から算出した。
熱伝導率(W/m・K)=密度(kg/m3)×比熱(kJ/kg・K)×熱拡散率(m2/S)×1000
前記で得られたインバータ装置を用い、−40℃7分〜+125℃7分を1サイクルとして10000回のヒートサイクル試験を行った後、顕微鏡で半田部分のクラックの有無を観察した。半田部分のクラックの発生が10%以上あるものは不良とし、半田クラックの発生が10%未満のものを良好と判定した。
評価基準:良好
:不良(クラック発生率10%以上)
比較例1では絶縁破壊電圧値が低下した。
これは、比較例1のフェノキシ樹脂はDSC法で測定したガラス転移温度が120℃未満であったため、−40℃7分〜+125℃7分を1サイクルとしたヒートサイクル試験でフェノキシ樹脂が、ガラス状態とゴム状態の変化を繰り返したことにより、基板にストレスが生じたためと考えられる。
比較例2では絶縁破壊電圧値が低下した。
これは、比較例2のフェノキシ樹脂は重量平均分子量が40000を超えるために樹脂の流動性が悪化し、絶縁層中に微小なボイドが発生したことによって、絶縁破壊電圧値が低下したものと推察される。
比較例3及び比較例4では、半田耐熱性が悪化した。
これは、比較例3は、γ−グリシドキシプロピルトリトメキシシランの量が少ないため、また比較例4は、γ−グリシドキシプロピルトリトメキシシランの量が多すぎるためと推察される。
比較例5は、無機充填剤を用いなかったため、熱伝導率が十分小さくならなかった。
比較例6は、シリコーン樹脂を用いたものである。金属板と樹脂間に吸湿を起こし、半田耐熱性が低下した。また密着性が悪化した。
一方、実施例1〜6で得られた本発明の樹脂組成物、樹脂シート箔を用いた金属ベース回路基板は、ピール強度が高く、半田耐熱性に優れ、十分な絶縁破壊電圧値、並びに高い熱伝導率を有した。また、インバータ装置を用いた、ヒートサイクル試験においても良好な結果であった。
従って、本発明で特定した樹脂組成物を用いることにより、性能の優れた金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置を得られることが分かった。
Claims (7)
- (A)DSC法で測定したガラス転移温度が120℃以上で、重量平均分子量が4.0×104以下のフェノキシ樹脂、(B)無機充填剤、及び(C)シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、(C)シランカップリング剤が樹脂組成物全体の2〜10重量%であることを特徴とする樹脂組成物。
- 前記(A)フェノキシ樹の含有量は、樹脂組成物全体の10〜40重量%である請求項1に記載の樹脂組成物
- 金属ベース回路基板上に請求項1または2に記載の樹脂組成物からなる絶縁層を金属箔に積層してなる樹脂シート。
- 前記請求項3に記載の樹脂シートを金属ベース回路基板上に積層してなる積層板。
- 金属ベース回路基板上に請求項1乃至4のいずれか一項に記載の樹脂組成物からなる絶縁層を介して導体回路が形成されてなる金属ベース回路基板。
- 前記請求項5に記載の金属ベース回路基板上に回路部品が搭載されていることを特徴とするインバータ装置。
- 前記請求項6に記載の金属ベース回路基板上に回路部品が搭載されていることを特徴とするパワー半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011012576A JP2012153770A (ja) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011012576A JP2012153770A (ja) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012153770A true JP2012153770A (ja) | 2012-08-16 |
Family
ID=46835851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011012576A Pending JP2012153770A (ja) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012153770A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015163054A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304346A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-11-16 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウムベース回路基板 |
JP2009024126A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nitto Denko Corp | ポリマー組成物、熱伝導性シート、金属箔付高熱伝導接着シート、金属板付高熱伝導接着シート、金属ベース回路基板ならびにパワーモジュール |
JP2010138280A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | プライマー組成物、電気絶縁用注型品およびその製造方法 |
JP2010157380A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
-
2011
- 2011-01-25 JP JP2011012576A patent/JP2012153770A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304346A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-11-16 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウムベース回路基板 |
JP2009024126A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nitto Denko Corp | ポリマー組成物、熱伝導性シート、金属箔付高熱伝導接着シート、金属板付高熱伝導接着シート、金属ベース回路基板ならびにパワーモジュール |
JP2010138280A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | プライマー組成物、電気絶縁用注型品およびその製造方法 |
JP2010157380A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015163054A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5738274B2 (ja) | 耐熱用接着剤 | |
JP6477483B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、樹脂層付きキャリア材料、金属ベース回路基板および電子装置 | |
JP5870934B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
WO2015163054A1 (ja) | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 | |
JP2017025186A (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、回路基板用積層体、回路基板および半導体装置 | |
JP5545983B2 (ja) | 基板の製造方法及び回路基板の製造方法 | |
JPWO2015056555A1 (ja) | 金属基板、金属ベース回路基板、電子装置および金属ベース回路基板の製造方法 | |
JP2017028128A (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール | |
JP5821355B2 (ja) | 金属ベース回路基板、積層板、インバータ装置及びパワー半導体装置 | |
JP2012131899A (ja) | 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 | |
JP5516190B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂付き金属箔、及び金属ベース基板 | |
JPWO2020137339A1 (ja) | 樹脂組成物および金属ベース銅張積層板 | |
JP5821845B2 (ja) | 金属ベース基板を構成する樹脂層の形成に用いる樹脂組成物、金属ベース基板、及び金属ベース基板の製造方法 | |
JP2012153770A (ja) | 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置 | |
US10720375B2 (en) | Substrate for power module, circuit board for power module, and power module | |
JP5429054B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂付き金属箔、及び金属ベース基板 | |
JP4706468B2 (ja) | 樹脂組成物、プリプレグならびにそれを用いた積層板およびプリント配線板 | |
WO2023002789A1 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、パワーモジュール用基板、プリント配線基板および放熱シート | |
JP2017152610A (ja) | 回路基板及び電子部品搭載基板 | |
WO2022176448A1 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP2017028130A (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール用回路基板およびパワーモジュール | |
JP6579886B2 (ja) | プリント配線基板、および半導体装置 | |
EP4166593A1 (en) | Heat-conductive sheet and semiconductor module including said heat-conductive sheet | |
JP2011094147A (ja) | 低弾性接着剤並びにこの接着剤を用いた積層物、接着剤付き放熱板、接着剤付き金属箔 | |
KR20240017803A (ko) | 수지 시트, 적층체, 및 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150421 |