JP2012149332A - 硬質皮膜被覆金型及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、X線回折強度比TC(110)が1.3以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。
【選択図】図1
Description
また本発明は新規で高性能な前記硬質皮膜金型を製造する方法に関する。
しかし、本発明者によるトレース実験(後述の比較例9)によると、本発明に係るAlCr酸窒化物層(硬質層)の成膜は困難であった。
また本発明の目的は、前記硬質皮膜金型の製造方法を提供することにある。
前記下層は、金属元素としてAlとCrを必須とする酸窒化物からなり、酸素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて減少する傾斜組成を有し、その平均組成が一般式:(AlsCrt)a(NvOw)b(ただし、s及びtはAlとCrの原子比率を表す数字であり、v及びwはNとOの原子比率を表す数字であり、a及びbはAlCrとNOの原子比率を表わす数字であり、下記条件:
s=0.1〜0.6、
s+t=1、
v=0.1〜0.8、
v+w=1、
a=0.35〜0.6、及び
a+b=1を満たす。)により表され、
前記上層は、一般式:(AlxCry)cOd(ただし、x及びyはAl及びCrの原子比率を表わす数字であり、c及びdはAlCrとOの原子比率を表わす数字であり、x=0.1〜0.6、x+y=1、c=1.86〜2.14、及びd=2.79〜3.21の条件を満たす。)により表される組成、及びα型結晶構造を有し、等価X線回折強度比TC(110)が1.3以上の酸化物からなり、
前記下層の結晶格子縞と前記上層の結晶格子縞とが両者の界面において少なくとも部分的に連続していることを特徴とする。
かかる特徴を有する本発明の硬質皮膜被覆金型は従来のものに比べて高性能である。
(A)基体
本発明の硬質皮膜被覆金型の基体用材料として、超硬合金、立方晶窒化ホウ素(CBN)、高速度鋼、金型鋼、サーメット又はセラミックス等が好適であり,特に超硬合金が好適である。
(1)平均組成
物理蒸着法により基体上に形成する下層は、金属元素としてAl及びCrを必須とする酸窒化物の硬質皮膜である。下層の平均組成は、一般式:(AlsCrt)a(NvOw)b(ただし、s及びtはAlとCrの原子比率を表わす数字であり、v及びwはNとOの原子比率を表わす数字であり、a及びbはAlCrとNOの原子比率を表わす数字であり、それぞれ、
s=0.1〜0.6、
s+t=1、
v=0.1〜0.8、
v+w=1、
a=0.35〜0.6、
及びa+b=1の条件を満たす。)により表わされる。
平均組成として、下層の厚さ方向中央における組成を用いることができる。この組成により下層は(111)面に配向したfcc構造を有し、上層との密着性が高い。
下層と上層とは残留応力が異なり、また基体と下層との間で大きな応力差があると層間剥離が生じるおそれがある。これに対し、下層が、酸素濃度が基体側から上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が基体側から上層側にかけて減少する傾斜組成を有することにより、残留応力の急激な変化を抑制し、層間剥離を抑制できることが分った。
基体及び上層との高い密着性とともに高い耐衝撃性を有するために、下層の膜厚(Tl)は0.1〜4μmが好ましく、0.2〜3.5μmがより好ましく、0.3〜3μmが最も好ましく、0.4〜2.5μmが特に好ましい。
(1)組成
物理蒸着法により下層上に形成する上層は、金属元素としてAl及びCrを必須とする酸化物の硬質皮膜である。上層の組成は、一般式:(AlxCry)cOd(ただし、x及びyはAl及びCrの原子比率を表わす数字であり、c及びdはAlCrとOの原子比率を表わす数字であり、x=0.1〜0.6、x+y=1、c=1.86〜2.14、及びd=2.79〜3.21の条件を満たす。)により表される。Alの原子比率xとCrの原子比率yの合計(x+y)は1である。xは0.1〜0.6であり、好ましくは0.15〜0.6であり、より好ましくは0.2〜0.6である。yは0.9〜0.4であり、好ましくは0.85〜0.4であり、より好ましくは0.8〜0.4である。0.1〜0.6のxにより上層はα型結晶構造を有する。xが0.1未満であるとCrが過多になり、上層の硬さ及び機械的強度が低く下層との密着性に劣るだけでなく、Cr2O3が過多になるため耐熱性も劣る。xが0.6を超えると低融点のAlが過多になり、成膜時に正常にイオン化されない原子数が増すので、未反応の金属や異常に反応した生成物がドロップレットとして上層中又は表面に存在し、層密度が低下し、密着性及び耐チッピング性が悪化する。
硬質皮膜被覆金型の刃先は800℃以上の切削熱に曝されるので、酸化物上層は優れた耐熱性を有する必要がある。ところが、酸化物上層がγ型、κ型又はδ型等のα型以外の結晶形態の場合、高温でα型に変態するとともに実用に耐えない収縮が発生する。また物理蒸着法により形成された硬質皮膜中には圧縮応力が残留するので、結晶形態の変態による収縮の影響が大きい。そのため、酸化物上層は下層から剥離したり、チッピングしたりする。これに対して、本発明の硬質皮膜被覆金型は、α型結晶構造を有する平滑表面の上層を有し、優れた耐溶着性及び耐欠損性を有するとともに下層との密着性に優れている。
TC(110)=[I(110)/I0(110)]/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
TC(104)=[I(104)/I0(104)]/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
TC(110)=[I(110)/I0(110)]/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
(ただし(hkl)は(012)、(104)、(110)、(110)、(113)、(202)、(024)及び(116)である。)
上層の特性を効果的に発揮するために、上層の膜厚(Tu)は0.2〜8μmが好ましく、0.2〜5μmがより好ましく、0.3〜3μmが最も好ましく、0.3〜2μmが特に好ましい。高性能化のために、上層と下層との膜厚比(Tu/Tm)は1以上が好ましく、1〜100がより好ましく、2〜50が最も好ましく、3〜10が特に好ましい。膜厚比(Tu/Tm)が1未満又は100超であると、下層と上層との密着力は低い。
上層の表面粗さ(Ra)は、曲率半径5μmのダイヤモンド製触針を使用し、表面粗さ測定器(商品名:サーフコーダSE−30D、小坂研究所株式会社製)により、上層表面の任意の5本の線分(長さ5mm)に沿って表面粗さ(Ra)を測定し、平均することにより求める。
上層表面におけるドロップレットの占有面積率は、加速電圧15kV及び倍率3,000倍の条件で撮った上層表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真において、50μm×50μmの大きさの任意の5つの視野を画像処理し、ドロップレット(SEM写真上では輝度の高い粒状物)の表面占有面積率を求め、平均することにより求める。
下層と上層との界面を含む領域を透過型電子顕微鏡(TEM)により倍率200万倍もしくは400万倍で100nm×100nmの大きさの任意の10視野を観察し、得られた代表的な界面の模式図を図5に示す。図5から明らかなように、本発明の金型における下層と上層との界面領域の少なくとも一部で、下層の結晶格子縞と上層の結晶格子縞とが連続しており、エピタキシャル成長が認められた。
本発明者らの検討によれば、図5の界面のうちの10%以上、好ましくは30%以上、特に好ましくは50%以上がエピタキシャル成長した部分である場合に、本発明の有利な効果を奏することが分った。
物理蒸着法の成膜装置として、アークイオンプレーティング(AIP)装置、フィルター方式アークイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置等が好適である。図1は本発明に使用し得るAIP装置1の一例を示す。このAIP装置1は、反応ガス供給パイプ16を具備する減圧容器30内に、回転自在の基体ホルダー11と、下層形成用のソース(ターゲット)12,13及びそのシャッター22,23と、上層形成用のソース(ターゲット)14,15及びそれらのシャッター24,25とを具備し、かつ減圧容器30外に基体にバイアス電圧を印加するためのバイアス電源17を具備する。なお上層の金属成分が下層と同じ場合にはソース14,15及びそれらのシャッター24,25を省略しても良い。
(A)下層の形成
基体のクリーニング後、ソース12,13のシャッター22,23を開く。下層の成膜温度は550〜700℃が好ましく、570〜680℃がより好ましく、585〜650℃が最も好ましい。成膜温度が550℃未満では下層の残留応力が高くなり密着性が低下する。また成膜温度が700℃を超えると残留応力が大きく低下し、皮膜の硬度及び機械的強度が低下する。特に後述する実施例1に示す通り、下層の成膜温度と上層の成膜温度とが同じ場合には下層の成膜工程から上層への成膜工程を温度調整を要することなく連続して行えるので、実用性に富む。
下層の成膜雰囲気に窒素ガス及び酸素ガスの混合ガス(反応ガス)を用いる。混合ガスはArガスを含有しても良い。この場合、Arガスの割合は混合ガスの70体積%以下が好ましく、50体積%以下がより好ましい。成膜雰囲気の圧力は0.3〜7Paであり、0.3〜4Paが好ましく、0.3〜3Paがより好ましく、0.5〜2Paが最も好ましい。成膜雰囲気圧力が上記範囲外であると、下層の形成が困難になる。
下層に、酸素濃度が下層側から上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が下層側から上層側にかけて減少する傾斜組成を与えるために、下層の成膜時に供給する酸素ガスの流量を徐々に増大させるとともに、窒素ガスの流量を徐々に減少させる。図2は下層成膜用の酸素ガス及び窒素ガスの流量変化の一例を示す。点T1は下層の成膜開始時点を示し、点T2は下層の成膜終了時点を示す。
下層の成膜時に基体に印加するバイアス電圧は−150V〜−10Vが好ましい。−150V未満では残留応力が大きすぎ、−10V超では下層に下層が付かない。基体に入射するイオンのエネルギーを、例えば−50V〜−20Vとし、基体に入射するイオンエネルギーを低くすると、平滑な下層が得られる。パルスバイアス電圧を使用する場合、下層の密着性を大きくするため周波数は10〜80kHzが好ましい。パルスバイアス電圧は、バイアス電圧が正負に振幅するバイポーラパルスが好ましい。正バイアス値は5〜10Vの間で十分である。
下層は低融点のAlを含むので、急激な蒸発や異常なイオン化によりドロップレットが生成されやすい。これを抑制するために、放電電流である成膜アーク電流(アーク蒸発源に印加する電流)を100〜150Aと低い範囲に保つのが好ましく、100〜140Aとするのがより好ましい。アーク電流が100A未満では安定した放電が維持されず、150A超では急激なAlの蒸発のために平滑な下層が得られない。
下層の形成後に上層形成用ソース15,16のシャッター25,26を開き、上層を形成する。上層の金属成分が下層のものと同じ場合には、下層用ソース14をそのまま用いても良い
上層の成膜温度は590〜700℃が好ましく、590〜680℃がより好ましく、595〜650℃が更に好ましい。成膜温度が590℃未満又は700℃超ではTC(110)を1.3以上にするのが困難である
上層成膜用の反応ガスとして酸素ガスを用いる。ドロップレットが基体に到達するのを防ぐために、成膜雰囲気中の酸素分圧は0.5〜5Paである必要があり、1〜3Paが好ましい。酸素分圧が0.5Pa未満又は5Pa超であると、1.3以上のTC(110)が得られない。成膜雰囲気がArガスを含有する場合、Arガスの含有量は成膜雰囲気の50体積%以下が好ましく、30体積%以下がより好ましい。後述する表18に示すように、成膜雰囲気の10〜40体積%をArガスで置換すると、ドロップレットの抑制効果が十分に得られる。
上層成膜時の酸素ガス流量は一般に100〜600sccmである必要がある。酸素ガス流量が100sccm未満では上層を十分に形成できず、また600sccmを超えると上層が緻密化せず、また下層からのエピタキシャル成長も得られない。上層成膜時の酸素ガス流量は好ましくは200〜500sccmであり、より好ましくは150〜450sccmであり、最も好ましくは200〜400sccmである。図2において上層の成膜開始時点Gと上層の成膜終了時点Hとの時間は80分間であるが、限定的でない。酸化を十分に行うために、及び工業生産性の観点から上層の成膜時間は20〜150分間が好ましく、40〜100分間がより好ましい。
上層成膜時に基体に印加するバイアス電圧は−35V〜−10Vが好ましく、−30V〜−10Vがより好ましい。この範囲のバイアス電圧により上層の生成が促進され、α型酸化物層の結晶配向は(110)優位となり、TC(110)が高くなる。またパルスバイアス電圧を使用する場合、バイアス電圧を正負に振幅させたバイポーラパルスが好ましい。正バイアスは5〜10Vの間とするのが好ましい。パルスバイアスの周波数は10〜80kHzが好ましい。
上層は低融点のAlを含むので、Alの急激な蒸発や異常なイオン化によりドロップレットが生成されやすい。これを抑制するために、放電電流である成膜アーク電流(アーク蒸発源に印加する電流)を100〜150Aと低い範囲に保つのが好ましく、100〜140Aとするのがより好ましい。アーク電流が100A未満では成膜が不可能となる。また150A超では急激なAlの蒸発が促進されるため、平滑な上層を成膜できない。アーク電流値を前記特定範囲に設定することにより、平滑でドロップレットの少ない、優先的に(110)面に配向した[TC(110)が1.3以上]のAlCr酸化物結晶粒による耐溶着性及び耐欠損性に優れた上層が得られる。
上層の結晶粒の脱落を減少させ、密着性を更に高めるために、上層をブラシ、バフ又はブラスト等により平滑にしても良い。また上層の上に、周期律表IVa、Va、VIa族、Al及びSiからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属元素と、C、N、B及びOから選択される少なくとも一種の非金属元素とを必須とする硬質保護膜を形成しても良い。
(1)下層の形成
6質量%のCo及び94質量%のWC及び不可避的不純物からなる切削金型用超硬合金製基体(CNMG120408)及び物性測定用の超硬合金製基体(SNGA120408及びSNMN120408)を図1に示す基本構造を有する大型AIP装置1内のホルダー12にセットした。真空排気と同時にヒーターで基体を加熱し、AlCrターゲット(Al:50原子%、Cr:50原子%)を使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルスバイアス周波数:20kHz及びAlCrターゲットに印加する電流:120Aの条件で、図2に示すように窒素ガスの流量を30分間で700sccmから200sccmまで徐々に(実質的に直線的に)下げ、また酸素ガスの流量を30分間で0sccmから500sccmまで徐々に(実質的に直線的に)上げ、(Al0.48Cr0.52)0.45(N0.44O0.56)0.55(原子比率)の平均組成を有する厚さ0.5μmの硬質酸窒化物下層を形成した。下層の成膜開始時点T1から成膜終了時点T2までの雰囲気圧力は3Paに制御した。
下層の形成から連続して上層用のAlCrターゲット(Al:25原子%、Cr:75原子%)を使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルス周波数:20kHz及び前記AlCrターゲットに印加する電流:120A、酸素ガスの流量:300sccm、Arガスの流量:100sccmの条件に80分間保持することにより、(Al0.26Cr0.74)2O3(原子比率)の基本組成を有する厚さ1.5μmの硬質酸化物上層を形成した。上層成膜時の酸素ガスの分圧は2.0Paであった。
得られた硬質皮膜被覆金型の上層の結晶構造を同定するため、理学電気(株)製のX線回折装置(RU−200BH)を用いて下記の条件でX線回折測定を行った。
X線源:CuKα1線(波長λ:0.15405nm)
管電圧:120kV
管電流:40mA
X線入射角:5°
X線入射スリット:0.4mm
2θ:20〜60°。
TC(110)=[I(110)/I0(110)/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
TC(104)=[I(104)/I0(104)]/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
TC(110)=[I(110)/I0(110)]/Σ[I(hkl)/8I0(hkl)]
(ただし、(hkl)は(012)、(104)、(110)、(110)、(113)、(202)、(024)及び(116)であり、I0(hkl)はα型酸化クロムの標準X線回折強度である。)
電子プローブマイクロ分析装置(EPMA、日本電子株式会社製JXA−8500F)を用いて、加速電圧10kV、照射電流1.0uA及びプローブ径0.01μmの条件で、下層の厚さ方向中央部の組成を測定し、平均組成とした。下層の厚さが1μm以上の場合はプローブ径を0.5×2μmとした。下層の平均組成は、21.9原子%のAl、23.4原子%のCr、23.8原子%のN、及び30.9原子%のOであった。また上層の組成は、10.2原子%のAl、29.6原子%のCr及び60.2原子%のOであった。X線回折の結果、上層はα型の結晶構造を有することが分った。
電子ビーム径が0.1nmの電子エネルギー損失分光器(EELS、Gatan社製のENFINA1000)を用いて、下層と下層との界面及び下層と上層との界面を含む厚さ方向領域における酸素及び窒素の濃度分布を測定した。測定結果を図4に示す。図4において、縦軸のスケールは、酸素濃度と窒素濃度との合計を100原子%としている。横軸は基体と下層の界面(0μm)からの厚さを表す。図中、▲は窒素濃度を示し、○は酸素濃度を示す。酸素濃度は下層側から上層側まで実質的に直線的に増加しており、窒素濃度は下層側から上層側まで実質的に直線的に減少していた。酸素濃度及び窒素濃度の平均濃度は、測定値のプロットから最小二乗法により求めた平均勾配を四捨五入して表す。
下層と上層との界面を含む領域を透過型電子顕微鏡(TEM)により倍率400万倍で観察した結果、下層と上層との界面領域の少なくとも一部(100nm×100nmの大きさの任意の10視野における界面領域のうちの30%)について下層の結晶格子縞と上層の結晶格子縞とが連続しており、エピタキシャル成長が認められた。
曲率半径5μmのダイヤモンド製触針を使用し、表面粗さ測定器(商品名:サーフコーダSE−30D、小坂研究所株式会社製)により、上層表面の任意の5本の線分(長さ5mm)に沿って表面粗さ(Ra)を測定し、平均した。
図6は加速電圧15kVで撮った上層表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。このSEM写真の50μm×50μmの任意の領域を画像処理し、ドロップレット(SEM写真上では輝度の高い粒状物)の表面占有面積率を求めた。この計算を5枚のSEM写真(視野)について行い、得られた表面占有面積率を平均して、実施例1の硬質皮膜被覆金型の上層におけるドロップレットの表面占有面積率(%)とした。
図7は、図6と同様にして撮影した後述する比較例6のSEM写真である。
図15に、金型寿命の測定に用いた、本発明の硬質皮膜被覆金型の概略図を示す。図15において、打ち抜き加工用パンチ8は、上記超硬合金製の基体上に実施例1等の皮膜を被覆したものである。2はパンチ8を搭載した打ち抜き加工部材である。3は打ち抜き加工部材2を上下V方向に所定速度で高精度に移動可能にするために設けた一対のガイド3,3である。5は上型であり、中央に中空部5a(穴径0.15mm)を有し、この中空部5aをパンチ8の先端部8aが挿通可能に構成されている。6は下型であり、中央に中空部6a(穴径0.15mm)を有し、この中空部6aをパンチ8の先端部8aが挿通可能に構成されている。上型5と下型6との間に打ち抜き抜き加工に供するステンレス鋼製薄板2(SUS304製、板厚0.2mm)を挟み込んで固定した状態で、パンチ8により打ち抜き加工を行う。打ち抜き加工の1ショット毎に薄板2は図15の紙面垂直方向に所定長さが移動し、再び固定された状態で打ち抜き加工が行われる。このようにして打ち抜き加工が連続して行われ、パンチ8が折損又は変形して打ち抜き加工ができなくなったショット数までをカウントし、「打ち抜きパンチ寿命」とした。なお、薄板2の打ち抜き加工位置は、打ち抜いた部分の加工ひずみが、次に打ち抜き加工する部分に影響しないように離れた位置を選択するため、薄板2は図15の紙面垂直方向に連続して形成されたものを使用した。
上層におけるAl及びCrの含有量の影響を調べるために、上層の成膜にAlCrターゲット(Al:40原子%、Cr:60原子%)を使用した以外実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
上層におけるAl及びCrの含有量の影響を調べるために、上層の成膜にAlCrターゲット(Al:60原子%、Cr:40原子%)を使用した以外実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
実施例1と同様にして下層まで形成した後、実施例1と同じAlCrターゲットを使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルスバイアスの周波数:20kHz、及びAlCrターゲットに印加する電流:120Aの条件で、酸素ガスを225sccm及びArガスを75sccm流し、酸素ガスの分圧1.5Paとして、(Al0.25Cr0.75)2O3(原子比率)の基本組成を有する上層を1.5μmの厚さに形成した
実施例1と同様にして下層まで形成した後、実施例1と同じAlCrターゲットを使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルスバイアスの周波数:20kHz、及びAlCrターゲットに印加する電流:120Aの条件で、酸素ガスを120sccm及びArガスを40sccm流し、酸素ガスの分圧1.0Paとして、(Al0.24C0.76)2O3(原子比率)の基本組成を有する上層を15μmの厚さに形成した。
下層におけるN及びOの含有量の影響を調べるために、図8に示すように窒素ガス及び酸素ガスの流量を変化させた以外は実施例1と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製した。図8から明らかなように、6.7sccm/分の酸素ガス流量勾配を得るために、酸素ガス流量を下層成膜開始時点Eで0sccmとし、下層成膜終了時点Fで200sccmとし、また−6.7sccm/分の窒素ガス流量勾配を得るために、窒素ガス流量を下層成膜開始時点Bで700sccmとし、下層成膜終了時点Cで500sccmとした。下層成膜の雰囲気圧力は3Paであった。
下層におけるN及びOの含有量の影響を調べるために、酸素ガス流量を下層成膜開始時点Eで0sccmとし、下層成膜終了時点Fで650sccmとし、また窒素ガス流量を下層成膜開始時点Bで700sccmとし、下層成膜終了時点Cで10sccmとした以外は、実施例6と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製した。下層成膜の雰囲気圧力は3Paであった。
下層におけるAl及びCrの含有量の影響を調べるために、下層の成膜に用いるAlCrターゲットの組成を実施例8ではAl10Cr90(原子比率)に、実施例9ではAl60Cr40(原子比率)に変えた以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製し、実施例1と同じ測定を行った。
実施例1と同様にして基体上に形成した下層に、実施例1と同じAlCrターゲットを使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルスバイアスの周波数:20kHz、及びAlCrターゲットに印加する電流:120Aの条件で、30分間Arガスを一定量(800sccm)流すとともに、窒素ガスの流量を下層成膜開始時の700sccmから30分間で200sccmまで徐々に下げ、酸素ガスの流量を下層成膜開始時の0sccmから30分間で500sccmまで徐々に上げ、7Paの雰囲気圧力で(Al0.53Cr0.47)0.35(N0.43O0.57)0.65(原子比率)で表される組成を有する下層を0.5μmの厚さに形成した。その後、実施例1と同様にして(Al0.25Cr0.75)2O3(原子比率)の基本組成を有する上層を1.5μmの厚さに形成した。
実施例1と同様にして基体上に形成した下層に、実施例1と同じAlCrターゲットを使用し、成膜温度:600℃、バイアス電圧:−20V、パルスバイアスの周波数:20kHz、及びAlCrターゲットに印加する電流:120Aの条件で、窒素ガスの流量を下層成膜開始時の400sccmから30分間で100sccmまで徐々に下げ、酸素ガスの流量を下層成膜開始時の0sccmから30分間で200sccmまで徐々に上げ、2.0Paの雰囲気圧力で(Al0.50Cr0.50)0.60(N0.47O0.53)0.40(原子比率)で表される組成を有する下層を0.5μmの厚さに形成した。その後、実施例1と同様にして(Al0.25Cr0.75)2O3(原子比率)の基本組成を有する上層を1.5μmの厚さに形成した。
酸素ガス流量及び窒素ガス流量の供給パターンを図9に示すように変更した以外は実施例1と同様にして、下層を形成した。窒素ガス流量は、成膜開始時点B2では1000sccm、点C1では500sccmであり、点B2及び点C1間の窒素ガス流量の平均勾配は−8.3sccm/分であった。点C1から点C2の間では窒素ガス流量を一定(500sccm)にした。酸素ガス流量は、成膜開始時点Eでは0sccm、成膜終了時点Fでは500sccmであり、平均勾配は4.2sccm/分であった。さらに点Fで酸素ガス流量を500sccmから300sccmに低下させた。下層成膜の雰囲気圧力は4Paであった。図10は、実施例1と同様にEELSにより測定した酸素及び窒素の濃度分布を示す。図9の時点T2(点C2及び点Fに対応する)以前では酸素ガス流量は窒素ガス流量より少ないにも拘わらず、図10に示すように下層のほぼ中間より上の領域で酸素濃度が窒素濃度より高いことが分る。得られた下層の上に、実施例1と同様にして(Al0.25Cr0.75)2O3(原子比率)の基本組成を有する上層を1.8μmの厚さに形成した。
AlCrターゲット(Al:4原子%、Cr:96原子%)を使用して、一般式:(AlsCrt)a(NvOw)bにおいてs=0.04及びt=0.96である下層を形成した以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
AlCrターゲット(Al:70原子%、Cr:30原子%)を使用して、一般式:(AlsCrt)a(NvOw)bにおいてs=0.70及びt=0.30である下層を形成した以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
下層の成膜工程においてArガス流量を一定(1000sccm)にするとともに、雰囲気圧力を8Paとした以外は実施例10と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
窒素ガスの流量を下層成膜開始時の200sccmから30分間で50sccmまで徐々に下げ、酸素ガスの流量を下層成膜開始時の0sccmから30分間で100sccmまで徐々に上げ、下層成膜の雰囲気圧力を1.0Paにした以外は実施例11と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
下層の成膜工程において窒素ガスの流量を一定(0sccm)とし、酸素ガスの流量を成膜開始時点の0sccmから30分間で700sccmまで徐々に(実質的に直線的に)増加させた以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
下層の成膜工程において酸素ガスの流量を一定(0sccm)とし、窒素ガスの流量を成膜開始時点の900sccmから30分間で700sccmまで徐々に(実質的に直線的に)減少させた以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。
図1に示す基本構造を有する小型AIP装置1を用いて、図11に示すように下層の成膜工程において酸素ガス及び窒素ガスの流量をそれぞれ一定(500sccm)にし、圧力を4Paにした以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製し、実施例1と同じ測定を行った。EELS法により下層と下層との界面及び下層と上層との界面を含む領域の厚さ方向の酸素及び窒素の濃度分布を測定した。結果を図12に示す。図12から明らかなように、下層における酸素濃度は下層側から上層側まで実質的に同じであった。これから、比較例7の下層の成膜条件では、酸素濃度及び窒素濃度の傾斜は形成されないことが分る。
特表2010−506049号のトレース実験として、下層の成膜工程において酸素ガス及び窒素ガスの流量をそれぞれ一定(1000sccm)にし、圧力を8Paにした以外は比較例7と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。この金型に対して実施例1と同じ測定を行った結果、下層における酸素濃度及び窒素濃度の傾斜は観察されなかった。
図1に示す基本構造を有する小型AIP装置1を用いて、特表2010−506049号の段落61に記載された下層成膜条件(窒素ガス及び酸素ガスの供給パターン)のトレース実験として、図13に示すように窒素ガス流量を一定(100sccm)にし、酸素ガス流量を成膜開始時点の50sccmから1000sccmまでほぼ直線的に増加させ、成膜雰囲気圧力を10分間で4Paまで増加させた以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製した。この金型に対して実施例1と同じ測定を行った結果、窒素ガス流量が過小のために窒化がほとんど起こらず、下層における酸素濃度及び窒素濃度の傾斜は観察されなかった。
実施例1と同じ基体上に、化学蒸着法によりTi(CN)下層、Ti(NO)下層及びα型Al2O3層を形成することにより、硬質皮膜被覆金型を作製し、実施例1と同じ測定を行った。
下層と上層との界面を含む領域を透過型電子顕微鏡(TEM)により倍率200万倍もしくは400万倍で観察した結果を図5の模式図に示す。図5から明らかなように、下層と上層との界面領域の少なくとも一部で、下層の結晶格子縞と上層の結晶格子縞とが連続しており、エピタキシャル成長が認められた。このTEM観察の代表的な5視野における前記界面に沿う所定長さのうちの少なくとも20%に相当する領域で、下層の結晶格子縞と上層の結晶格子縞とが連続しているのが観察された。
各実施例及び各比較例の下層及び上層の成膜方法、種類及び厚さ、並びにO及びNの連続的変化(Oの連続的増加及びNの連続的減少)の有無を表5に示し、下層の組成を表6に示し、下層の成膜条件及び傾斜組成を表7に示し、上層の成膜条件及び組成を表8に示し、上層の厚さ、結晶構造、等価X線回折強度比TC(110)、TC(104)、TC(006)、表面粗さRa及びドロップレットの表面占有面積率、並びに金型寿命を表9に示す。
上層の成膜温度を表10に示すように変更した以外は実施例1と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果を成膜温度とともに表10に示す.
上層成膜時のバイアス電圧を表11に示すように変更した以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果をバイアス電圧とともに表11に示す。
上層成膜時の酸素ガスの分圧を表12に示すように変更した以外は実施例1と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果を雰囲気圧力とともに表12に示す。
上層成膜用の酸素ガスの流量を表13に示すように変更した以外は実施例1と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果を酸素ガスの流量とともに表13に示す。表13から明らかなように、酸素ガスの流量が100〜500sccmの範囲で1.3以上のTC(110)及び長い金型寿命が得られた。特に酸素ガスの流量が200〜400sccmの範囲で金型寿命が長かったので、その原因を調べるために実施例1と同様にして上層の表面粗さを測定した。その結果、酸素ガスの流量が200sccm、300sccm及び400sccmの実施例1、23及び24では、上層の平均表面粗さRaは0.079μm及び0.082μmであり、酸素ガスの流量が500sccmの実施例25では、上層の平均表面粗さRaは0.145μmであった。上層の表面粗さの主な原因はドロップレットであるので、酸素ガスの流量が150〜450sccmの範囲、特に200〜400sccmの範囲でドロップレットの生成が少ないことが分った。
下層又は上層の成膜時間を変化させることにより下層の厚さ及び上層の厚さを変更した以外は実施例1と同様にして硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。結果を表14に示す。
上層成膜時のアーク電流を表15に示すように変更した以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果をアーク電流とともに表15に示す。表15より、上層成膜時のアーク電流が100〜150Aの場合に高性能であることが分る。
表16に示すように、上層の成膜雰囲気を酸素ガスとArガスで構成した場合(実施例33及び34)、及び上層の成膜雰囲気を酸素ガスのみで構成した場合(実施例32)について、それぞれ、酸素ガスに対するArガスの置換比率以外は実施例1と同様にして、硬質皮膜被覆金型を作製し、上層の結晶構造及びTC(110)、並びに金型寿命を測定した。測定結果をArガスの置換比率とともに表16に示す。
表16より、上層成膜雰囲気中の酸素ガスのうちの10〜40体積%をArガスで置換した実施例33及び34の場合はドロップレットの生成が顕著に抑制されることが分る。また、上層成膜雰囲気を酸素ガスのみ(ただし、不可避的不純物は許容される。)で構成した実施例32の場合も比較例に比べてドロップレットの生成が少ないことが分る。
実用性は上記実施例よりもやや低いと考えられるが、本発明には、基体と下層との間に、物理蒸着法により形成した別の硬質層を介在させることも好ましい。この別の硬質層を介在させることにより、本発明の硬質皮膜被覆金型を更に長寿命にすることができる。この別の介在層は、例えば周期律表のIVa、Va及びVIa族の元素、Al及びSiからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属元素と、N、C及びBからなる群から選ばれた少なくとも一種の非金属元素とからなる硬質皮膜である。非金属元素としては、Nが必須であるのが好ましい。下層組成の具体例としては、TiAlN、TiAlNbN、TiSiN、TiAlCrN、TiAlWN、AlCrSiN、CrSiBN、TiAlCN、TiSiCN又はAlCrSiCN等が挙げられる。下層との密着性を良好にするために、Al又はCrを含有するのが好ましい。これらの下層はfcc構造を有し、(111)面に配向している。下層の膜厚は0.5〜10μmが好ましく、0.5〜6μmがより好ましく、1〜5μmが最も好ましい。
2 打ち抜き加工用部材
3 ガイドピン
5 上型
5a 上型の中空部
6 下型
6a 下型の中空部
10 金型
Claims (8)
- 基体上に硬質の下層、下層及び上層を物理蒸着法により形成した硬質皮膜被覆金型であって、
前記下層は、周期律表のIVa、Va及びVIa族の元素、Al及びSiからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属元素と、N、C及びBからなる群から選ばれた少なくとも一種の非金属元素とを含有し、
前記上層は、一般式:(AlxCry)cOd(ただし、x及びyはAl及びCrの原子比率を表わす数字であり、c及びdはAlCとOの原子比率を表わす数字であり、x=0.1〜0.6、x+y=1、c=1.86〜2.14、及びd=2.79〜3.21の条件を満たす。)により表される組成、及びα型結晶構造を有し、等価X線回折強度比TC(110)が1.3以上の酸化物からなり、
前記下層は、金属元素としてAlとCrを必須とする酸窒化物からなり、酸素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて減少する傾斜組成を有し、その平均組成が一般式:(AlsCrt)a(NvOw)b(ただし、s及びtはAlとCrの原子比率を表わす数字であり、v及びwはNとOの原子比率を表わす数字であり、a及びbはAlCとNOの原子比率を表わす数字であり、下記条件:
s=0.1〜0.6、
s+t=1、
v=0.1〜0.8、
v+w=1、
a=0.35〜0.6、
及びa+b=1を満たす。)により表され、
前記下層の結晶格子縞と前記上層の結晶格子縞とが両者の界面において少なくとも部分的に連続していることを特徴とする硬質皮膜被覆金型 - 請求項1に記載の硬質皮膜被覆金型において、前記上層は等価X線回折強度比TC(110)が等価X線回折強度比TC(104)より大きいとともに、表面粗さRaが0.2μm以下であり、ドロップレットの表面占有面積率が20%以下であることを特徴とする硬質皮膜被覆金型。
- 請求項1又は2に記載の硬質皮膜被覆金型において、前記下層の厚さ(Tl)が0.1〜4μmであり、前記上層の厚さ(Tu)が0.2〜8μmであり、Tl≦Tuの関係を満たすことを特徴とする硬質皮膜被覆金型。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の硬質皮膜被覆金型において、前記下層の前記傾斜組成における酸素濃度の前記下層側から前記上層側にかけての平均勾配が10〜600原子%/μmであることを特徴とする硬質皮膜被覆金型。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の硬質皮膜被覆金型において、前記下層の前記傾斜組成における窒素濃度の前記下層側から前記上層側にかけての平均勾配が−650〜−10原子%/μmであることを特徴とする硬質皮膜被覆金型。
- 基体上に物理蒸着法により形成した硬質の上層、下層及び上層を有する硬質皮膜被覆金型の製造方法であって、
前記下層は、周期律表のIVa、Va及びVIa族の元素、Al及びSiからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属元素と、N、C及びBからなる群から選ばれた少なくとも一種の非金属元素とを含有し、
前記上層は、一般式:(AlxCry)cOd(ただし、x及びyはAl及びCrの原子比率を表わす数字であり、c及びdはAlCとOの原子比率を表わす数字であり、x=0.1〜0.6、x+y=1、c=1.86〜2.14、及びd=2.79〜3.21の条件を満たす。)により表される組成、及びα型結晶構造を有し、等価X線回折強度比TC(110)が1.3以上の酸化物からなり、
前記下層は、金属元素としてAlとCrを必須とする酸窒化物からなり、酸素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が前記下層側から前記上層側にかけて減少する傾斜組成を有し、その平均組成が一般式:(AlsCrt)a(NvOw)b(ただし、s及びtはAlとCrの原子比率を表わす数字であり、v及びwはNとOの原子比率を表わす数字であり、a及びbはAlCとNOの原子比率を表わす数字であり、s=0.1〜0.6、s+t=1、v=0.1〜0.8、v+w=1、a=0.35〜0.6、及びa+b=1の条件を満たす。)により表される硬質皮膜被覆金型を製造する方法であって、
(1)前記下層の成膜開始から終了までの間、反応ガスとして供給する酸素ガスの流量を600sccm以下まで増大させるとともに、窒素ガスの流量を減少させ、その際、成膜開始時点における窒素ガス流量を400sccm以上とし、窒素ガス流量が酸素ガス流量より50sccm以上多い時間を1分以上とし、かつ成膜雰囲気の圧力を0.3〜7Paとし、
(2)前記上層の成膜温度を590〜700℃にするとともに、前記上層の成膜中の酸素ガスの流量を100〜600sccmにして成膜雰囲気中の酸素分圧を0.5〜5Paに制御し、及び前記上層の基体に印加するバイアス電圧を−35V〜−10Vにすることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の硬質皮膜被覆金型の製造方法において、前記上層成膜中の酸素ガスの流量を200〜500sccmに制御することを特徴とする方法。
- 請求項6又は7に記載の硬質皮膜被覆金型の製造方法において、前記下層の成膜終了時に前記上層用の酸素ガス流量に達していることを特徴とする方法。
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