JP2012148960A - シリカガラスルツボの製造方法 - Google Patents
シリカガラスルツボの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012148960A JP2012148960A JP2011271759A JP2011271759A JP2012148960A JP 2012148960 A JP2012148960 A JP 2012148960A JP 2011271759 A JP2011271759 A JP 2011271759A JP 2011271759 A JP2011271759 A JP 2011271759A JP 2012148960 A JP2012148960 A JP 2012148960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- silica powder
- silica glass
- silica
- melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 302
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 27
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 81
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 81
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 20
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 52
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 44
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 21
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010314 arc-melting process Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0044—Furnaces, ovens, kilns
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/047—Mobile mounting; Scanning arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に成形し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、シリカ粉層の内表面に設定した複数の測定点の温度を測定し、各測定点にて熔融の初期に現れる最初の温度の極大点Tpを検知する。
【選択図】図9
Description
その際に使用されるシリカガラスルツボは、多数の気泡を含む外層と透明な内層とからなる二層構造になっており、通常、モールドを回転させながらシリカ粉層をアーク熔融によって熔融する成形法により製造される(例えば、特許文献1参照)。シリカガラスルツボにおいて、単結晶引き上げ時にシリコン融液と接する内表面の特性は、シリコン単結晶の特性を左右し、最終的なシリコンウェーハの収率にも影響を及ぼすことが知られている。そのため、内層を合成シリカガラスとし、外層を天然シリカガラスからなる構成として、シリコン単結晶の特性のバラツキを抑える対策を採ることがある。
すなわち、引き上げ長時間化に起因して、ルツボ内表面のシリコン融液接触時間も長時間化し、ルツボ内表面がシリコン融液と反応して、ルツボ内表面の表面位置あるいは表面から浅い層に結晶化が起こり、褐色のクリストバライトがリング状に現れることがある(以下、リング状のクリストバライトのことを「ブラウンリング」という。)。このブラウンリング内はクリストバライト層がないかまたはあっても薄い層であるが、操業時間の経過とともにブラウンリングはその面積を拡大し、互いに融合しながら成長を続け、遂にはその中心部が浸食され、不規則なガラス溶出面となる。
このガラス溶出面が出現すると、シリコン単結晶に転位が起こり易くなり、単結晶引上げの歩留まり(収率)に支障をきたすことがある。特に、φ300mm以上の大口径のウェーハを製造するシリコン単結晶を成長させるにはCZ法の操業を、100時間を超えて行う必要があり、前記ガラス溶出面が出現しやすくなる。
非晶質である合成粉からなる合成シリカガラスは、不純物の含有量が極めて少なく、ブラウンリングの発生を少なくできる利点がある。しかしながら、内層が合成シリカガラスからなるルツボは、天然シリカガラスからなるルツボと比較してポリシリコンを熔融した際、その融液表面が振動し易い欠点もあった。この振動は特に種付けからショルダー形成時、単結晶ボディ部前半の初期の引上げ工程に多く見られた。そのため、種付け作業に時間を要したり、結晶が乱れ、溶かし直し、いわゆるメルトバックを引き起こしたりして生産性を低下させることがあった。
しかしながら、シリカガラスルツボの製造においては、熔融部分の温度が2000℃を超えることもある。このような高い温度を操業中に正確に測定する技術は確立されていない。また、アーク火炎の近傍で加熱熔融された被熔融物の表面温度を測定するという過酷な条件における温度測定技術は知られていなかった。さらに、シリカガラスでは、一般の材料のようにガラス転移がはっきり観測されないため、温度管理が難しい。
そのため、シリカガラスルツボ製造において、熔融温度の温度を把握することが困難であり、制御が困難であった。
図1は、本実施形態のシリカガラスルツボで使用されるシリカガラスルツボ製造装置の一部を示す模式正面図である。本実施形態のシリカガラスルツボ製造装置1は、回転部(図示せず)によって回転可能とされシリカガラスルツボの外形を規定するモールド10を有する。
支持部21においては、炭素電極13が角度設定軸22周りに回動可能に支持され、角度設定軸22の回転角度を制御する回転部を有している。
炭素電極13の電極間距離Dを調節するには、炭素電極13の角度を制御するとともに、水平移動部により支持部21の水平位置を制御する。また、上下移動部によって支持部21の高さ位置を制御して電極先端部13aのシリカ粉層11上端位置(モールド開口上端位置)に対する高さ位置Hを制御することが可能となる。
なお、図1においては、左端の炭素電極13のみに支持部21等を示しているが、他の電極も同様の構成によって支持されており、各炭素電極13の高さも個別に制御可能とすることができる。
また、測定対象であるシリカガラスの表面温度を測定するために、波長範囲が4.8μm以上であれば、シリカガラスの透過率が0となり、その表面を容易に測定できる。
なお、一般的に製造されているケイ酸塩ガラスは2.5μm前後の赤外線までであれば高い透明性を示すが、それ以上の波長になると、Si−O結合の振動による光吸収のために透過率が急激に減少し、ほとんど透過しなくなる。Si−O結合をもたないガラスはケイ酸塩ガラス比べるとよく赤外線を透過するが、安定性、化学的耐久性に劣り、実用的でない。より長波長の赤外線に対して高い透明性を示すガラスで、実用的・高い透過率を持つガラスとしては、フッ化物ガラスが挙げられる。フッ化物ガラスは安定性、化学的耐久性に優れ、紫外から赤外における広い波長域で高い透明性をもっている。そのため、上記BaF2またはCaF2からなるフィルタF1を用いれば、精度の高い測定が可能である。
前記観測線Lが炭素電極13からルツボ半径を超えて離間していると、ルツボ口径に対して設定距離が大きくなり所定の測定点Mの温度の測定が困難になる。また、測定点Mからの放射量が低減して放射温度計Camの出力が不足し、温度測定が不正確になる傾向にある。なお、ルツボ口径としては、例えば22インチ(55.88cm)、28インチ(71.12cm)、32インチ(81.28cm)または40インチ(101.6cm)であってもよく、それらいずれか2つの値の範囲内の口径であっても良い。
シリカ粉としては、内層に合成シリカ粉を使用し、外層に天然シリカ粉を使用することが好ましい。
ゾル−ゲル法による合成シリカ粉は上述のように熔融前には50〜100ppm程度のシラノールを含有している。これを真空熔融すると、シラノールの脱離が起こり、得られるシリカガラスのシラノールは5〜30ppm程度にまで減少する。ただし、シラノール量は熔融温度、昇温温度等の熔融条件によって異なる。
合成シリカガラスでは、光透過率を測定すると、波長200nm程度までの紫外線の透過率が高く、紫外線光学用途に用いられている四塩化ケイ素を原料とした合成シリカガラスに近い特性である。
合成シリカガラスでは、波長245nmの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定してみても、後述する天然シリカガラスのような蛍光ピークは見られない。
天然シリカガラスでは、波長245nmの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定すると、280nmと390nmに蛍光ピークが観測される。これらの蛍光ピークは、ガラス中の酸素結合欠陥に起因するものである。
アーク熔融(S703)を行う工程は、電力供給開始(S801)、電極位置調整(S802)、モールド内部の温度測定(S803)、極大値は既に観察されたかどうかの判断(S808)、加熱継続(S809)、モールド内部の温度が基準温度に対して所定の範囲内かどうかの判断(S804)、アーク熔融部分の温度制御(S805)、アーク熔融終了時刻かどうかの判断(S806)、および電力供給終了(S807)を行う工程を有する。電力供給開始(S801)においては、図示しない電力供給部から、上述したように設定される電力量として炭素電極13に電力供給を開始する。この状態では、アーク放電は発生しない。
上記電力は、各炭素電極13における電力密度が40、100、500、1000、1500、または1,700kVA/cm2となるか、それらいずれか2つの値の範囲内になるように電力供給部により供給電力を制御しても良い。
また、電極位置設定部20により、角度θ1を維持した状態で、シリカ粉層11の熔融に必要な熱源としての条件を満たすように、電極高さ位置Hなど、モールド−電極の相対位置状態を調整する。モールドと電極を離間させる際には、電極位置設定部20によって電極の位置をモールドから遠ざけても良く、制御系によってモールドの位置を電極から遠ざけても良い。モールドと電極を接近させる際には、電極位置設定部20によって電極の位置をモールドに近づけても良く、制御系によってモールドの位置を電極に近づけても良い。
また、測定点は2箇所以上の複数であれば、6箇所に限らない。温度測定部(放射温度計)は1台でなく、2台以上具備して、複数の測定点の温度を同時に測定してもよい。また、測定点は任意であり、目的に応じて適宜設定すればよい。
また、別の実施形態では、前記極大点が検知されない場合でも熔融条件を調整しない。この場合、所定の熔融時間に温度の極大点が現れなかった場合には、例えば、そのシリカガラスルツボの製造を中止して、製品から除外する。
次いで、この測定点P4での極大点が観測された時の温度が2100℃または1700℃のサンプルについて、測定点P1〜P3、P5〜P6でも所定の熔融時間(測定点P1〜P3、P5のいずれについても5〜10秒の範囲内、P6については60秒以下)の範囲内で上記極大点が検知されるようにシリカ粉層11の熔融条件を調整した。
そして、下記の条件で温度制御を行いながらさらにアーク熔融を行うことでシリカガラスルツボを製造した(それぞれ実施例1、実施例2)。ここで、下記条件に記載の基準温度とは、極大点が観測された時の温度のことである。なお、温度制御は、高さ位置Hの微調整、および供給電力の微調整により行った。またこのときのアーク熔融中の温度は、放射温度計を用いて、波長4.8〜5.2μmの放射エネルギーを検出することによって測定した。
基準温度:2100℃
温度制御条件:t0〜t1においては、基準温度に対する温度比率が90〜110%(約1900℃〜約2300℃)になるように制御。t2〜t3においては、基準温度に対する温度比率が110〜129%(約2300℃〜約2700℃)になるように制御。
基準温度:1700℃
温度制御条件:t0〜t1においては、基準温度に対する温度比率が89〜112%(約1500℃〜約1900℃)になるように制御。t2〜t3においては、基準温度に対する温度比率が112〜135%(約1900℃〜約2300℃)になるように制御。
この極大点は、本実施例において初めて見いだされたものであり、この極大点を温度制御の基準とする方法は、従来の制御方法とは一線を画した画期的な結果である。なお、この極大点が観測される原因は定かではないが、シリカ粉がシリカガラスに変わるときに生じた現象と考えられる。
10...モールド
11...シリカ粉層
12...減圧通路
13...炭素電極
13a...電極先端部
13L...軸線
20...電極位置設定手段部
21...支持部
22...角度設定軸
Cam...放射温度計
SS...隔壁
F1...フィルタ
Claims (6)
- シリカガラスルツボを製造する方法であって、
シリカ粉をルツボ成形用のモールド内部に供給してシリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、
前記アーク熔融工程では、シリカ粉層の内表面に設定した互いに異なる高さに位置する複数の測定点の温度を前記モールドを回転させながら測定し、各測定点にて熔融の初期に現れる最初の温度の極大点を検知するように前記アーク放電を制御することを特徴とするシリカガラスルツボの製造方法。 - 測定点ごとに所定の熔融時間の範囲内で前記極大点が検知されるようにシリカ粉層の熔融条件を調整することを特徴とする請求項1に記載のシリカガラスルツボの製造方法。
- シリカ粉層の温度測定では、放射温度計により波長4.8〜5.2μmの放射エネルギーを検出して温度を測定することを特徴とする請求項1または2に記載のシリカガラスルツボの製造方法。
- 前記放射温度計及び前記測定点は、前記放射温度計及び前記測定点を結ぶ直線が前記モールドの回転軸から100mm以上離間して設けられていることを特徴とする請求項3に記載のシリカガラスの製造方法。
- 前記放射温度計は、前記複数本の炭素電極の移動に追随して測定点を変動させることを特徴とする請求項3又は4に記載のシリカガラスの製造方法。
- 前記放射温度計は、複数設けられており、互いに異なる高さに位置する複数の測定点の温度を測定することを特徴とする請求項3又は4に記載のシリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011271759A JP5749147B2 (ja) | 2010-12-31 | 2011-12-12 | シリカガラスルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010294632 | 2010-12-31 | ||
JP2010294632 | 2010-12-31 | ||
JP2011271759A JP5749147B2 (ja) | 2010-12-31 | 2011-12-12 | シリカガラスルツボの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012148960A true JP2012148960A (ja) | 2012-08-09 |
JP5749147B2 JP5749147B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=45478136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011271759A Active JP5749147B2 (ja) | 2010-12-31 | 2011-12-12 | シリカガラスルツボの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8689584B2 (ja) |
EP (1) | EP2471753B1 (ja) |
JP (1) | JP5749147B2 (ja) |
KR (1) | KR101403333B1 (ja) |
CN (1) | CN102531346B (ja) |
TW (1) | TWI438158B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5781303B2 (ja) * | 2010-12-31 | 2015-09-16 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ製造方法およびシリカガラスルツボ製造装置 |
US9221709B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-12-29 | Raytheon Company | Apparatus for producing a vitreous inner layer on a fused silica body, and method of operating same |
JP7157932B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-10-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの製造装置および製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005320241A (ja) * | 2003-05-01 | 2005-11-17 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4043780A (en) * | 1976-06-02 | 1977-08-23 | Ppg Industries, Inc. | Glass sheet temperature monitoring system |
US4144758A (en) * | 1977-09-12 | 1979-03-20 | Jones & Laughlin Steel Corporation | Radiation measurement of a product temperature in a furnace |
JP2933404B2 (ja) | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
JP2811290B2 (ja) | 1995-04-04 | 1998-10-15 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
JP3647688B2 (ja) | 1999-09-21 | 2005-05-18 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラスルツボ製造装置および製造方法 |
JP2002154890A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-28 | Kusuwa Kuorutsu:Kk | 半導体シリコン単結晶引上げ用ルツボおよび製造方法 |
JP2002154894A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-28 | Kusuwa Kuorutsu:Kk | 液面振動の少ない半導体シリコン引上げ用ルツボ |
JP3926167B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2007-06-06 | 東芝セラミックス株式会社 | アーク溶融装置 |
JP5398074B2 (ja) * | 2007-07-28 | 2014-01-29 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置 |
EP2226300B1 (en) | 2007-11-30 | 2016-11-09 | Japan Super Quartz Corporation | Method for manufacturing quartz glass crucible |
ATE526293T1 (de) * | 2008-07-04 | 2011-10-15 | Japan Super Quartz Corp | Verfahren zur herstellung eines quarzglastiegels |
EP2385025B1 (en) * | 2009-12-15 | 2014-04-09 | Japan Super Quartz Corporation | Method for calculating temperature distribution in crucible |
-
2011
- 2011-12-12 JP JP2011271759A patent/JP5749147B2/ja active Active
- 2011-12-27 CN CN201110444720.3A patent/CN102531346B/zh active Active
- 2011-12-27 US US13/337,888 patent/US8689584B2/en active Active
- 2011-12-28 KR KR1020110144116A patent/KR101403333B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-28 TW TW100149382A patent/TWI438158B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-12-29 EP EP11196037.3A patent/EP2471753B1/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005320241A (ja) * | 2003-05-01 | 2005-11-17 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120167625A1 (en) | 2012-07-05 |
KR101403333B1 (ko) | 2014-06-03 |
EP2471753A2 (en) | 2012-07-04 |
KR20120078621A (ko) | 2012-07-10 |
TWI438158B (zh) | 2014-05-21 |
JP5749147B2 (ja) | 2015-07-15 |
EP2471753B1 (en) | 2014-08-06 |
CN102531346A (zh) | 2012-07-04 |
TW201226338A (en) | 2012-07-01 |
CN102531346B (zh) | 2014-09-10 |
US8689584B2 (en) | 2014-04-08 |
EP2471753A3 (en) | 2012-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5777880B2 (ja) | シリカガラスルツボの製造方法 | |
TWI435961B (zh) | 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 | |
US9758901B2 (en) | Vitreous silica crucible for pulling of silicon single crystal and method for manufacturing the same | |
US9181121B2 (en) | Method for manufacturing vitreous silica crucible | |
JP5855293B2 (ja) | シリカガラスルツボの製造方法 | |
JP5749147B2 (ja) | シリカガラスルツボの製造方法 | |
JP6301441B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ用のシリカガラスルツボの製造方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131213 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20131213 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20141024 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20141024 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5749147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |