JP2012133240A - 光電気複合基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光信号伝達用コアパターン、レジスト用コアパターン、配線パターン、パターニングされた下部クラッド層、及び上部クラッド層を有する光電気複合基板であって、下部クラッド層のパターン形状の開口部に、配線パターン及びレジスト用コアパターンが埋め込まれ、かつ、配線パターンが、積層方向に直交する任意の一方向においてレジスト用コアパターンに挟持されていることを特徴とする光電気複合基板及びその製造方法。
【選択図】図1
Description
また、特許文献2には、光導波路のコア部と光素子の位置決めの基準点として用いるマーカーとを同一のマスクを用いて形成する方法が開示されている。しかしながらこの方法では、基板に形成された位置合わせマーカーが、その後の種々のプロセスにより熱履歴などに起因する位置ずれを起こすことがあった。
すなわち、本発明は、
1.光信号伝達用コアパターン、レジスト用コアパターン、配線パターン、パターニングされた下部クラッド層、及び上部クラッド層を有する光電気複合基板であって、下部クラッド層のパターン形状の開口部に、配線パターン及びレジスト用コアパターンが埋め込まれ、かつ、配線パターンが、積層方向に直交する任意の一方向においてレジスト用コアパターンに挟持されていることを特徴とする光電気複合基板、
2.レジスト用コアパターンが、光信号伝達用コアパターンと同一の材料からなる上記1に記載の光電気複合基板、
3.配線パターンがレジスト用コアパターンに接している上記1又は2に記載の光電気複合基板、
4.(A)支持体上に下部クラッド層を形成し、パターニングする工程と、(B)下部クラッド層上に光信号伝達用コアパターンを形成するとともに、下部クラッド層のパターン形状の開口部の内側に、より幅の狭い開口部を有するレジスト用コアパターンを形成する工程と、(C)レジスト用コアパターンの開口部に配線パターンを形成する工程と、(D)光信号伝達用コアパターンを覆うように上部クラッド層を形成する工程と、(E)支持体を除去して配線パターンを露出させる工程とを有する上記1〜3のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法、
5.前記支持体が、基材上に第1金属箔を有するものであり、前記工程(C)において、レジスト用コアパターンのパターン形状をレジストとして第1金属箔上にパターンめっきを行い配線パターンを形成する上記4に記載の光電気複合基板の製造方法、及び
6.前記支持体が、基材と第1金属箔との間にさらに第2金属箔を有し、前記工程(E)が、(E−1)第1金属箔と第2金属箔との界面で剥離して、第2金属箔及び基材を除去する工程と、(E−2)第1金属箔を除去する工程とを有する上記4又は5に記載の光電気複合基板の製造方法、
を提供するものである。
ここで、下部クラッド層2のパターン形状の開口部に、配線パターン5及びレジスト用コアパターン4が埋め込まれているとは、例えば、配線パターン5及びレジスト用コアパターン4のそれぞれの少なくとも一部が、下部クラッド層2のパターン形状の開口部の内側に形成されている状態を示す。
また、配線パターン5がレジスト用コアパターン4に挟持されているとは、例えば、本発明の光電気複合基板の下部クラッド層2側に露出している配線パターン5の少なくとも一部を縁取るようにレジスト用コアパターン4が形成されている状態を示し、より好ましくは、下部クラッド層2の開口部に埋め込まれた配線パターン5が、下部クラッド層2と同一の階層において、レジスト用コアパターン4の少なくとも一部によって挟持されている状態を示す。
工程(A)では、支持体1上に下部クラッド層2を形成し、パターニングする。
(支持体)
支持体1としては、工程(E)において除去しやすいものが好ましい。また、支持体1として基材1c上に第1金属箔1aを有するものを用いると、工程(C)においてレジスト用コアパターン4をレジストとしてパターンめっきを行うことで、レジスト用コアパターン4に挟持された配線パターン5を形成することができるため好ましい。さらに、基材1cと第1金属箔1aとの間に、第2金属箔1bとを有するものを用いると、工程(E)において第1金属箔1aと、第2金属箔1bとの界面で剥離して、第2金属箔1b及び基材1cを容易に除去することができるためさらに好ましい。
第1金属箔1aは、工程(C)においてレジスト用コアパターン4をレジストとしてパターンめっきを行う際に電流を供給するシード層として機能するものであればよく、特に材質や厚みは問われないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては1〜18μmが好ましい。さらに、工程(E)において配線パターン5を露出させる際にはエッチング等で除去されるため、1〜5μmの極薄金属箔が好ましい。
また、基材1cとの界面、あるいは、必要に応じて設けられる第2金属箔1bとの界面には、界面での剥離強度を安定化するための剥離層を設けることが好ましく、剥離層としては、絶縁樹脂と積層する際の加熱・加圧を複数回行っても剥離強度が安定しているものが好ましい。このような剥離層としては、特開2003−181970号公報に開示された金属酸化物層や有機剤層を形成したものや、特開2003−094553号公報に開示されたCu−Ni−Mo合金からなるものが挙げられる。
基材1cとしては、工程(A)〜工程(D)において各層の積層に耐え得る十分な強度を有するものであれば特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。
基板1cとして柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、後述のクラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムを基板として用いることもできる。
第2金属箔1bは、第1金属箔1aとの界面で物理的に剥離可能なものであれば、特に材質や厚みは問わないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては1〜35μmが好ましい。
下部クラッド層2の形成方法は、特に限定されず公知の方法によれば良く、例えば、支持体1上にクラッド層形成用樹脂を塗布したり、クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートすることで形成することができる。塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂をスピンコート法等の常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、前記樹脂を溶媒に溶解して、キャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物としては、(メタ)アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノール等が挙げられるが、これらの中で、透明性と耐熱性の観点から、(メタ)アクリレートが好ましい。
(メタ)アクリレートとしては、1官能性のもの、2官能性のもの、3官能性以上の多官能性のもののいずれをも用いることができる。なお、ここで(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味するものである。
分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能脂環式グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル等の2官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等の2官能脂環式グリシジルエステル、N,N−ジグリシジルアニリン等の2官能又は多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート等の2官能脂環式エポキシ樹脂、2官能複素環式エポキシ樹脂、多官能複素環式エポキシ樹脂、2官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの(B)光重合性化合物は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
これらの(C)光重合開始剤は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分が5質量%以上であり、(B)成分が95質量%以下であると、樹脂組成物を容易にフィルム化することができる。一方、(A)成分が80質量%以下あり、(B)成分が20質量%以上であると、(A)ベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、パターン形成性が向上し、かつ光硬化反応が十分に進行する。以上の観点から、この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分10〜85質量%、(B)成分90〜15質量%がより好ましく、(A)成分20〜70質量%、(B)成分80〜30質量%がさらに好ましい。
(C)光重合開始剤の配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、0.1〜10質量部とすることが好ましい。この配合量が0.1質量部以上であると、光感度が十分であり、一方10質量部以下であると、露光時に感光性樹脂組成物の表層での吸収が増大することがなく、内部の光硬化が十分となる。さらに、後述するコア層として使用する際には、重合開始剤自身の光吸収の影響により光伝搬損失が増大することもなく好適である。以上の観点から、(C)光重合開始剤の配合量は、0.2〜5質量部とすることがより好ましい。
また、このほかに必要に応じて、クラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。また、該添加剤に発光性があれば、発光性のクラッド層を得ることもできる。
可撓性を有する素材の材料としては、特に限定されないが、柔軟性、強靭性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどが好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、5〜250μmであることが好ましい。5μm以上であると強靭性が得易いという利点があり、250μm以下であると十分な柔軟性が得られる。
ここで用いる溶媒としては、前記樹脂を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は30〜80質量%程度であることが好ましい。
下部クラッド層2のパターニング方法は、通常、下部クラッド層2をパターン露光し、次いで未硬化部分を現像除去することによって行われる。
露光方法は特に限定されるものはなく、露光部分がパターンとして残るネガ型や、未露光部分がパターンとして残るポジ型のどちらでも良く、使用するクラッド層形成用樹脂の性質によって決めて良い。
工程(B)では、下部クラッド層2上に光信号伝達用コアパターン3を形成するとともに、下部クラッド層2のパターン形状の開口部の内側に、より幅の狭い開口部を有するレジスト用コアパターン4を形成する。
ここで、光信号伝達用コアパターン3とレジスト用コアパターン4とは、同一のフォトマスクを用いて形成されるため、これらを別々のフォトマスクを用いて形成した従来のものと異なり、フォトマスクの位置合わせに起因する位置ずれを有しない。また、光信号伝達用コアパターン3とレジスト用コアパターン4とは、通常、同一の材料を用いて形成される。
光信号伝達用コアパターン3及びレジスト用コアパターン4の形成方法は特に限定されず公知の方法によれば良く、例えば、下部クラッド層2上に、この層より屈折率の高いコア層を形成した後、上述のパターニング方法と同様にして形成することができる。
光信号伝達用コアパターン3と接する下部クラッド層2は、光信号伝達用コアパターン3との密着性の観点から、光信号伝達用コアパターン3積層側の表面において段差がなく平坦であることが好ましい。また、クラッド層形成用樹脂フィルムを用いることにより、下部クラッド層2の表面平坦性を確保することができる。
コア層形成用樹脂としては、コア層がクラッド層より高屈折率であるように設計され、活性光線によりコア層を形成し得る樹脂組成物を用いることができ、且つ下部クラッドからの発光波長によって硬化する感光性樹脂組成物、又は下部クラッドからの発光波長によって重合を開始させる光重合開始剤を含むコア層形成用樹脂が好適である。具体的には、前記クラッド層形成用樹脂で用いたのと同様の樹脂を用いることが好ましい。
塗布による場合には、方法は限定されず、前述のように樹脂を常法により塗布すれば良い。
コア層形成用樹脂フィルムは、前記樹脂組成物を溶媒に溶解してキャリアフィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。ここで用いる溶媒としては、該樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は、通常30〜80質量%であることが好ましい。
キャリアフィルムの厚さは、5〜50μmであることが好ましい。5μm以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすいという利点があり、50μm以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、キャリアフィルムの厚さは10〜40μmの範囲であることがより好ましく、15〜30μmであることが特に好ましい。
工程(C)では、レジスト用コアパターン4の開口部に配線パターン5を形成する。
配線パターン5の形成方法としては、上述のように、支持体1として基材1c上に第1金属箔1aを有するものを用いて、レジスト用コアパターン4をレジストとしてパターンめっきを行う方法が好ましく用いられる。パターンめっきとしては、硫酸銅を用いた電気めっきが好ましく用いられる。このようにして形成した配線パターン5は、レジスト用コアパターン4に接するものとなる。
上述のように、光信号伝達用コアパターン3とレジスト用コアパターン4とは、同一のフォトマスクを用いて形成されるため、フォトマスクの位置合わせに起因する位置ずれを有しないが、配線パターン5もまた、工程(C)においてレジスト用コアパターン4の開口部に形成されるため、光信号伝達用コアパターン3との位置合わせが良好なものとなる。
工程(A)〜工程(C)によって、比較的幅の広い開口部を有する下部クラッド2と、比較的幅の狭い開口部を有するレジスト用コアパターン4と、レジスト用コアパターン4の開口部に埋め込まれる配線パターンが形成されるため、この結果得られる本発明の光電気複合基板においては、レジスト用コアパターン4が、積層方向に直交する任意の一方向において配線パターン5と下部クラッド層2のパターン形状によって挟持される。
工程(D)では、光信号伝達用コアパターン3を覆うように上部クラッド層6を形成する。
上部クラッド層6の形成方法は特に限定されず、例えば、パターニング前の下部クラッド層2と同様の方法で形成すれば良い。
工程(E)では、支持体1を除去して配線パターン5を露出させる。
支持体1が、第1金属箔1a、第2金属箔1b及び基材1cをこの順に有し、工程(E)が、下記工程(E−1)及び工程(E−2)を有すると、効率よく配線パターン5を露出させることができ、また、配線パターン5が抜け落ちるなどの問題が生じ難いため好ましい。
工程(E−1)では、第1金属箔1aと第2金属箔1bとの界面で剥離して、第2金属箔1b及び基材1cを除去する。
第1金属箔1aと第2金属箔1bとの界面の剥離強度を調整して、この界面で物理的に剥離することで、剥離作業を容易に行うことができる。
工程(E−2)では、第1金属箔1aを除去する。
第1金属箔1aを除去する方法としては、エッチングが好ましく用いられる。第1金属箔1aを除去することで配線パターン5が露出し、ここに各種部品を実装することが可能となる。
実施例1
[支持体の作製]
第1銅箔(厚さ:3μm)、第2銅箔(厚さ:9μm)及び基材(FR−4、日立化成工業株式会社製、商品名:MCL−E−679F(b)、厚さ:0.6mm)をこの順に積層した支持体を準備した。第1銅箔の表面には、平均粗さ(Ra)0.08〜0.6μmの凹凸を予め設け、さらに第2銅箔と物理的な剥離が可能になるように、Cu−Ni−Mo合金からなる剥離層を形成した。
基材と第1銅箔及び第2銅箔とは、2枚の金属箔を基材に重ねて、熱プレスにより加熱・加圧して積層一体化し、支持体1を得た。
(a)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)48質量部、(b)光重合性化合物として、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート(商品名:KRM−2110、分子量:252、旭電化工業株式会社製)50質量部、(c)光重合開始剤として、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩(商品名:SP−170、旭電化工業株式会社製)2質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を広口のポリ瓶に秤量し、メカニカルスターラ、シャフト及びプロペラを用いて、温度25℃、回転数400rpmの条件で、6時間撹拌し、クラッド層形成用樹脂ワニスAを調合した。その後、孔径2μmのポリフロンフィルタ(商品名:PF020、アドバンテック東洋株式会社製)を用いて、温度25℃、圧力0.4MPaの条件で加圧濾過し、さらに真空ポンプ及びベルジャーを用いて減圧度50mmHgの条件で15分間減圧脱泡した。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスAを、ポリアミドフィルム(東レ(株)製、商品名「ミクトロン」、厚さ12μm)のコロナ処理面に塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、80℃、10分、その後100℃、10分で溶剤乾燥させクラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで、任意に調整可能であり、ここでは硬化後の膜厚が70μmとなるように調節した。これにより、上部クラッド層6形成用樹脂フィルムを得た。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスAを、離型ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」という)フィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)上に塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、80℃、10分、その後100℃、10分で溶剤乾燥させ下部クラッド層2形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで、任意に調整可能であり、ここでは硬化後の膜厚が15μmとなるように調節した。これにより下部クラッド層2形成用樹脂フィルムを得た。
(a)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)26質量部、(b)光重合性化合物として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(商品名:A−BPEF、新中村化学工業株式会社製)36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート(商品名:EA−1020、新中村化学工業株式会社製)36質量部、(c)光重合開始剤として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド(商品名:イルガキュア819、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、及び1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン(商品名:イルガキュア2959、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上記と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスBを調合した。その後、上記と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスBを、PETフィルム(商品名:コスモシャインA1517、東洋紡績株式会社製、厚さ:16μm)の非処理面上に、上記と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型PETフィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。ここでは硬化後の膜厚が50μmとなるよう、塗工機のギャップを調整した。
上記で得た下部クラッド層2形成用樹脂フィルムの樹脂面を、上記で得た支持体1の第1銅箔上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に、幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、下部クラッド層2形成用樹脂フィルム側から紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)にて紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2で照射し、次いで80℃で12分間露光後加熱を行った。その後、下部クラッド層2形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(シクロヘキサノン)を用いて、下部クラッド層2のパターン形状を現像した。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥した。
パターン形状を有する下部クラッド層2上にコア層形成用樹脂フィルムの樹脂面をロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に、幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、コア層形成用樹脂フィルム側から紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)にて紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2照射し、次いで80℃で12分間露光後加熱を行った。その後、コア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N−ジメチルアセトアミド=7/3、質量比)を用いて、光信号伝達用コアパターン3と、下部クラッド層2のパターン形状の開口部の内側に、より幅の狭い開口部を有するレジスト用コアパターン4を現像した。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥した。
第1銅箔上に残ったレジスト用コアパターン4をレジストとし、電気銅めっきを用いて、パターン形状の開口部に厚さ15μmの配線パターン5を形成した。
上部クラッド層6形成用樹脂フィルムの樹脂面を、光信号伝達用コアパターン3及びレジスト用コアパターン4上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に上記紫外線露光機にて紫外線(波長365nm)を3.0J/cm2照射して上部クラッド層6を全面露光して光硬化し、次いで、160℃で1時間加熱処理することによって、上部クラッド層6を硬化させた。その後、上部クラッド層6形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるポリアミドフィルムを剥離した。
支持体1を第1銅箔と第2銅箔との界面で物理的に剥離し、第2銅箔及び基材を除去した。
第1銅箔をエッチングにより除去し、光電気複合基板を作製した。
得られた光導波路のコアパターンと電気配線パターンの位置ズレ量を測定したところ0.2μmであった。
実施例1において、ドライフィルムレジスト(商品名:フォテック、日立化成工業株式会社製)を用いて実施例1と同パターンの電気配線を形成した後に、該ドライフィルムレジストを剥離し、上記で得た30μmの下部クラッド層形成用フィルムの樹脂面を、配線パターン上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。その後、実施例1と同様にコアパターン及び上部クラッド層を形成した。
得られた光導波路のコアパターンと電気配線パターンの位置ズレ量を測定したところ7.8μmであった。
1a 第1金属箔
1b 第2金属箔
1c 基材
2 下部クラッド層
3 光信号伝達用コアパターン
4 レジスト用コアパターン
5 配線パターン
6 上部クラッド層
10 光電気複合基板
Claims (6)
- 光信号伝達用コアパターン、レジスト用コアパターン、配線パターン、パターニングされた下部クラッド層、及び上部クラッド層を有する光電気複合基板であって、下部クラッド層のパターン形状の開口部に、配線パターン及びレジスト用コアパターンが埋め込まれ、かつ、配線パターンが、積層方向に直交する任意の一方向においてレジスト用コアパターンに挟持されていることを特徴とする光電気複合基板。
- レジスト用コアパターンが、光信号伝達用コアパターンと同一の材料からなる請求項1に記載の光電気複合基板。
- 配線パターンがレジスト用コアパターンに接している請求項1又は2に記載の光電気複合基板。
- (A)支持体上に下部クラッド層を形成し、パターニングする工程と、(B)下部クラッド層上に光信号伝達用コアパターンを形成するとともに、下部クラッド層のパターン形状の開口部の内側に、より幅の狭い開口部を有するレジスト用コアパターンを形成する工程と、(C)レジスト用コアパターンの開口部に配線パターンを形成する工程と、(D)光信号伝達用コアパターンを覆うように上部クラッド層を形成する工程と、(E)支持体を除去して配線パターンを露出させる工程とを有する請求項1〜3のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法。
- 前記支持体が、基材上に第1金属箔を有するものであり、前記工程(C)において、レジスト用コアパターンのパターン形状をレジストとして第1金属箔上にパターンめっきを行い配線パターンを形成する請求項4に記載の光電気複合基板の製造方法。
- 前記支持体が、基材と第1金属箔との間にさらに第2金属箔を有し、前記工程(E)が、(E−1)第1金属箔と第2金属箔との界面で剥離して、第2金属箔及び基材を除去する工程と、(E−2)第1金属箔を除去する工程とを有する請求項4又は5に記載の光電気複合基板の製造方法。
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