JP2012133153A - 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012133153A
JP2012133153A JP2010285418A JP2010285418A JP2012133153A JP 2012133153 A JP2012133153 A JP 2012133153A JP 2010285418 A JP2010285418 A JP 2010285418A JP 2010285418 A JP2010285418 A JP 2010285418A JP 2012133153 A JP2012133153 A JP 2012133153A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
resin composition
photosensitive resin
compound
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010285418A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5644476B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Onishi
啓之 大西
Yuki Masuda
有希 増田
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2010285418A priority Critical patent/JP5644476B2/ja
Publication of JP2012133153A publication Critical patent/JP2012133153A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5644476B2 publication Critical patent/JP5644476B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

【課題】感度、露光後放置安定性に優れ、寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物、それを用いた絶縁膜や保護膜としての硬化膜、およびそれを用いた半導体装置の提供。
【解決手段】(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、(c)特定のアリルフェニルエーテル化合物および(d)溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いられる感光性樹脂組成物、それを用いた絶縁膜や保護膜としての硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
従来、電子機器の半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜等には、耐熱性や機械特性等に優れたポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂が広く使用されている。中でも、耐湿性能が高くアルカリ水溶液で現像が可能であるポリベンゾオキサゾール前駆体と感光剤であるキノンジアジド化合物から構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている。ところが、近年はウエハーの大口径化に伴い、単位時間当たりの処理能力を向上させるため、露光に対する感度の向上が強く要求されているが、これらの樹脂組成物は水銀灯のi線(波長365nm)の透過率が低く、低感度であるという課題があった。
高感度化の手法として、ポリアミド酸エステルおよび/またはポリアミド酸ポリマーにフェノール性水酸基含有熱架橋性化合物を添加したもの(特許文献1参照)、ポリアミド酸エステルに溶解阻害剤としてヨードニウム塩を添加したもの(特許文献2、3参照)、ポリアミドに溶解阻害剤としてヨードニウム塩を添加したもの(特許文献4参照)、ポリアミド酸エステルに光酸発生剤、ビニルオキシ基含有化合物を添加したもの(特許文献5参照)、酸解離性基を有したポリアミド酸エステルに光酸発生剤を添加したもの(特許文献6参照)が開発されており、これらは露光直後に現像すると希望通りの感度が得られるが、露光後数時間〜数日放置した後現像すると著しく感度が低下する問題があった。
また、感光剤のキノンジアジド化合物の感光基として1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル(4−エステル)を用いた場合、対応する1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル(5−エステル)に比べて、i線(波長365nm)露光で高い感度が得られることが知られている。これは、水銀灯のg、h、i線に感度を有する5−エステル体が露光によってカルボン酸を発生させるのに対し、i線にのみ感度を有する4−エステル体はカルボン酸と強酸であるスルホン酸を発生させることで、より高いアルカリ溶解性を示すためとされている(非特許文献1)。しかし、感光剤として4−エステル体を用いると、5−エステル体よりも露光後放置による感度の低下が著しくなるという問題があった。
このような露光後放置による感度低下が起こる原因には、例えば、光により発生した酸が露光部から未露光部へと拡散するためであったり、雰囲気中に存在する含窒素化合物などの塩基物質によって発生した酸が失活するためといったことが考えられる。光酸発生剤を用いた化学増幅型レジストにおける露光後放置による感度低下は、主にこれらの原因による。これを抑制する方法として、露光部で発生した酸を失活させることなくトラップできるような添加物を加える手法が用いられている(例えば、特許文献6、7、8、9)。化学増幅型レジスト以外にも層間絶縁膜用途のポリシルセスキアザン系ポジ型耐熱性感光性組成物で、露光後放置の影響を抑制するために、同様の手法が用いられている(特許文献10)。
しかし、これらの方法は露光後の放置時間が数時間以内でのみ効果的であり、露光後数日経た後での現像性は著しく低下している。また、これらの方法を実際のキノンジアジド化合物とポリアミド樹脂等の感光性樹脂前駆体組成物の系に適用しても、露光後放置による感度低下に改善はほとんど見られない。また、これらの組成物にアリル基またはビニル基を2つ以上持つ化合物を添加したもの(例えば、特許文献11、12、13)が開発されており、そこから得られる硬化物には高い耐薬品性が付与されるメリットがある一方で、時間の経過と共に一部の架橋反応が進むため、現像後のウエハー面内のパターンの寸法制御性が失われる結果となり、実用に耐えがたいという問題があった。
特開2002−328472号公報(請求項1) 特開2001−42527号公報(請求項10〜12) 特開2003−140340号公報(請求項2、14) 特開2002−169283号公報(請求項6、7) 特開2002−122993号公報(請求項1) 特開2002−284875号公報(請求項15、19) 特開1993−232706号公報(請求項1〜3) 特開1993−249662号公報(請求項3) 特開1995−146558号公報(請求項1、2、4) 特開1995−120929号公報(請求項5) 特開2008−58756号公報(請求項1) 特開2008−520660号公報(請求項3) 特開2003−295431号公報(請求項1)
J.J.Grunwald,C.Gal,and S.Eidelman,Proc.SPIE,1262,444(1990).
本発明は、上記問題点を鑑み、感度と露光後放置安定性に優れ、寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物、それを用いた絶縁膜や保護膜としての硬化膜、およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の感光性樹脂組成物は下記の構成からなる。すなわち、(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、(c)下記一般式(1)のいずれかで表される化合物および(d)溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物である。
Figure 2012133153
本発明の感光性樹脂組成物は感度と露光後放置安定性に優れ、さらに寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物、絶縁膜や保護膜としての硬化膜、およびそれを用いた半導体装置を得ることができる。
本発明に係る感光性樹脂組成物は、(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、(c)上記一般式(1)のいずれかで表される化合物および(d)溶剤を含有することを特徴とする。
また、本発明の絶縁膜や保護膜としての硬化膜は、上記に記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の感光性樹脂組成物の硬化膜で構成されていることを特徴とする。
まず、感光性樹脂組成物について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物に用いられる(a)成分は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂を含み、(a)成分を2種以上含有してもよいし、これらの2種以上の繰り返し単位を有する共重合体を含有してもよい。これらの中でもポリベンゾオキサゾール前駆体またはポリイミドとポリベンゾオキサゾールの共重合体であることが好ましい。
本発明に好ましく用いられるポリイミドとしては、テトラカルボン酸や対応するテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドなどと、ジアミンや対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンを反応させることにより得ることができ、テトラカルボン酸残基とジアミン残基を有する。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させて得られるポリイミド前駆体の1つであるポリアミド酸を、加熱処理により脱水閉環することにより得ることができる。この加熱処理時、m−キシレンなどの水と共沸する溶媒を加えることもできる。あるいは、カルボン酸無水物やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤やトリエチルアミン等の塩基などを閉環触媒として加えて、化学熱処理により脱水閉環することにより得ることもできる。または、弱酸性のカルボン酸化合物を加えて100℃以下の低温で加熱処理により脱水閉環することにより得ることもできる。
本発明に好ましく用いられるポリベンゾオキサゾールとしては、ビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸や対応するジカルボン酸クロリド、ジカルボン酸活性エステルなどを反応させて得ることができ、ジカルボン酸残基とビスアミノフェノール残基を有する。例えば、ビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸を反応させて得られるポリベンゾオキサゾール前駆体の1つであるポリヒドロキシアミドを、加熱処理により脱水閉環することにより得ることができる。あるいは、無水リン酸、塩基、カルボジイミド化合物などを加えて、化学処理により脱水閉環することにより得ることができる。
本発明に好ましく用いられるポリイミド前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド、ポリイソイミドなどを挙げることができる。例えば、ポリアミド酸は、テトラカルボン酸、対応するテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドなどとジアミン、対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンを反応させて得ることができる。ポリイミドは、例えば、上記の方法で得たポリアミド酸を、加熱あるいは酸や塩基などの化学処理で脱水閉環することで得ることができる。
本発明に好ましく用いられるポリベンゾオキサゾール前駆体としては、ポリヒドロキシアミドを挙げることができる。例えば、ポリヒドロキシアミドは、ビスアミノフェノールとジカルボン酸、対応するジカルボン酸クロリド、ジカルボン酸活性エステルなどを反応させて得ることができる。ポリベンゾオキサゾールは、例えば、上記の方法で得たポリヒドロキシアミドを、加熱あるいは無水リン酸、塩基、カルボジイミド化合物などの化学処理で脱水閉環することで得ることができる。
本発明に好ましく用いられるポリアミドイミド前駆体は、例えば、トリカルボン酸、対応するトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸無水物ハライドなどとジアミンやジイソシアネートを反応させて得ることができる。ポリアミドイミドは、例えば、上記の方法で得た前駆体を、加熱あるいは酸や塩基などの化学処理で脱水閉環することにより得ることができる。
本発明に好ましく用いられるポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミドの共重合体としては、ブロック共重合、ランダム共重合、交互共重合、グラフト共重合のいずれかまたはそれらの組み合わせであっても良い。例えば、ポリヒドロキシアミドにテトラカルボン酸、対応するテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドなどを反応させてブロック共重合体を得ることができる。さらに、加熱あるいは酸や塩基などの化学処理で脱水閉環することもできる。
本発明に用いられる(a)成分は、一般式(2)〜(5)のいずれかで表される構造単位を有することが好ましく、(5)で表される構造単位を有することがより好ましい。これらの構造単位を有する2種以上の樹脂を含有してもよいし、2種以上の構造単位を共重合してもよい。本発明における(a)成分の樹脂は、一般式(2)〜(5)で表される構造単位を分子中に3〜1000含むものが好ましく、20〜200含むものがより好ましい。
Figure 2012133153
一般式(2)〜(5)中、RおよびRは4価の有機基、R、RおよびRは2価の有機基、Rは3価の有機基、Rは2〜4価の有機基、Rは2〜12価の有機基を表す。R〜Rはいずれも芳香族環および/または脂肪族環を有するものが好ましい。Rは水素原子または炭素数1〜20の1価の炭化水素基を表す。pは0〜2の整数、qは0〜10の整数を表す。
一般式(2)〜(5)中、Rはテトラカルボン酸誘導体残基、Rはジカルボン酸誘導体残基、Rはトリカルボン酸誘導体残基、Rはジ−、トリ−またはテトラ−カルボン酸誘導体残基を表す。R、R、R、R(COORを構成する酸成分としては、ジカルボン酸の例として、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸など、トリカルボン酸の例として、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸、テトラカルボン酸の例として、ピロメリット酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸や、ブタンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸などを挙げることができる。これらのうち、一般式(5)においては、トリカルボン酸、テトラカルボン酸のそれぞれ1つまたは2つのカルボキシル基がCOOR基に相当する。これらの酸成分は、そのまま、あるいは酸無水物、活性エステルなどとして使用できる。また、これら2種以上の酸成分を組み合わせて用いてもよい。
一般式(2)〜(5)中、R、R、RおよびRはジアミン誘導体残基を表す。R、R、R、R(OH)を構成するジアミン成分の例としては、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ)ビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)フルオレンなどのヒドロキシル基含有ジアミン、3−スルホン酸−4,4’−ジアミノジフェニルエーテルなどのスルホン酸含有ジアミン、ジメルカプトフェニレンジアミンなどのチオール基含有ジアミン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数1〜10のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどの脂環式ジアミンなどを挙げることができる。これらのジアミンは、そのまま、あるいは対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして使用できる。また、これら2種以上のジアミン成分を組み合わせて用いてもよい。耐熱性が要求される用途では、芳香族ジアミンをジアミン全体の50モル%以上使用することが好ましい。
一般式(2)〜(5)のR〜Rは、その骨格中にフェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基などを含むことができる。フェノール性水酸基、スルホン酸基またはチオール基を適度に有する樹脂を用いることで、適度なアルカリ可溶性を有するポジ型感光性樹脂組成物となる。
また、(a)成分の構造単位中にフッ素原子を有することが好ましい。フッ素原子により、アルカリ現像の際に膜の表面に撥水性が付与され、表面からのしみこみなどを抑えることができる。(a)成分中のフッ素原子含有量は、界面のしみこみ防止効果を充分得るために10重量%以上が好ましく、また、アルカリ水溶液に対する溶解性の点から20重量%以下が好ましい。
また、耐熱性を低下させない範囲で、R、RまたはRにシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよく、基板との接着性を向上させることができる。具体的には、ジアミン成分として、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p−アミノフェニル)オクタメチルペンタシロキサンなどを1〜10モル%共重合したものなどが挙げられる。
また、樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、(a)成分の樹脂は主鎖末端をモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などの末端封止剤で封止することが好ましい。末端封止剤として用いられるモノアミンの導入割合は、全アミン成分に対して、好ましくは0.1モル%以上、特に好ましくは5モル%以上であり、好ましくは60モル%以下、特に好ましくは50モル%以下である。末端封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物の導入割合は、ジアミン成分に対して、好ましくは0.1モル%以上、特に好ましくは5モル%以上であり、好ましくは100モル%以下、特に好ましくは90モル%以下である。複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。
モノアミンとしては、アニリン、2−エチニルアニリン、3−エチニルアニリン、4−エチニルアニリン、5−アミノ−8−ヒドロキシキノリン、1−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−4−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−カルボキシ−7−アミノナフタレン、1−カルボキシ−6−アミノナフタレン、1−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−カルボキシ−7−アミノナフタレン、2−カルボキシ−6−アミノナフタレン、2−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、4−アミノサリチル酸、5−アミノサリチル酸、6−アミノサリチル酸、2−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−アミノフェノール、2−アミノチオフェノール、3−アミノチオフェノール、4−アミノチオフェノールなどが好ましい。これらを2種以上用いてもよい。
酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3−ヒドロキシフタル酸無水物などの酸無水物、3−カルボキシフェノール、4−カルボキシフェノール、3−カルボキシチオフェノール、4−カルボキシチオフェノール、1−ヒドロキシ−7−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−カルボキシナフタレン、1−ヒドロキシ−5−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−7−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−6−カルボキシナフタレン、1−メルカプト−5−カルボキシナフタレン、3−カルボキシベンゼンスルホン酸、4−カルボキシベンゼンスルホン酸などのモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、1,5−ジカルボキシナフタレン、1,6−ジカルボキシナフタレン、1,7−ジカルボキシナフタレン、2,6−ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の一方のカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とN−ヒドロキシベンゾトリアゾールやN−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物などが好ましい。これらを2種以上用いてもよい。
一般式(2)〜(4)のいずれかで表される構造単位を有する樹脂において、構造単位の繰り返し数は3以上200以下が好ましい。また、一般式(5)で表される構造単位を有する樹脂において、構造単位の繰り返し数は10以上1000以下が好ましい。この範囲であれば、厚膜を容易に形成することができる。
本発明に用いられる(a)成分は、一般式(2)〜(5)のいずれかで表される構造単位のみからなるものであってもよいし、他の構造単位との共重合体あるいは混合体であってもよい。その際、一般式(2)〜(5)のいずれかで表される構造単位を樹脂全体の10重量%以上含有することが好ましく、30重量%以上がより好ましい。これらの中でも低温焼成時の耐熱性や保存安定性の点から、一般式(2)の構造単位を20〜200含むことが好ましく、30〜150含むことがより好ましい。共重合あるいは混合に用いられる構造単位の種類および量は、最終加熱処理によって得られる薄膜の機械特性を損なわない範囲で選択することが好ましい。このような主鎖骨格としては例えば、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾールなどが挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(b)キノンジアジド化合物を含有する。
前記キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および/またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。これらポリヒドロキシ化合物、ポリアミノ化合物、ポリヒドロキシポリアミノ化合物の全ての官能基がキノンジアジドで置換されていなくても良いが、平均して官能基全体の40モル%以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。このようなキノンジアジド化合物を用いることで、一般的な紫外線である水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)に感光するポジ型の感光性樹脂組成物を得ることができる。
ポリヒドロキシ化合物は、Bis−Z、BisP−EZ、TekP−4HBPA、TrisP−HAP、TrisP−PA、TrisP−SA、TrisOCR−PA、BisOCHP−Z、BisP−MZ、BisP−PZ、BisP−IPZ、BisOCP−IPZ、BisP−CP、BisRS−2P、BisRS−3P、BisP−OCHP、メチレントリス−FR−CR、BisRS−26X、DML−MBPC、DML−MBOC、DML−OCHP、DML−PCHP、DML−PC、DML−PTBP、DML−34X、DML−EP,DML−POP、ジメチロール−BisOC−P、DML−PFP、DML−PSBP、DML−MTrisPC、TriML−P、TriML−35XL、TML−BP、TML−HQ、TML−pp−BPF、TML−BPA、TMOM−BP、HML−TPPHBA、HML−TPHAP(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、BIR−OC、BIP−PC、BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−PCHP、BIP−BIOC−F、4PC、BIR−BIPC−F、TEP−BIP−A、46DMOC、46DMOEP、TM−BIP−A(以上、商品名、旭有機材工業(株)製)、2,6−ジメトキシメチル−4−t−ブチルフェノール、2,6−ジメトキシメチル−p−クレゾール、2,6−ジアセトキシメチル−p−クレゾール、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールA、ビスフェノールE、メチレンビスフェノール、BisP−AP(商品名、本州化学工業(株)製)、ノボラック樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。
ポリアミノ化合物は、1,4−フェニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド等が挙げられるが、これらに限定されない。
また、ポリヒドロキシポリアミノ化合物は、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジヒドロキシベンジジン等が挙げられるが、これらに限定されない。
本発明においてキノンジアジドは5−ナフトキノンジアジドスルホニル基、4−ナフトキノンジアジドスルホニル基のいずれも好ましく用いられる。4−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のi線領域に吸収を持っており、i線露光に適している。5−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のg線領域まで吸収が伸びており、g線露光に適している。本発明においては、露光する波長によって4−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物、5−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を選択することが好ましい。また、同一分子中に4−ナフトキノンジアジドスルホニル基、5−ナフトキノンジアジドスルホニル基を併用した、ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を得ることもできるし、4−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と5−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を混合して使用することもできる。
これらの中でも(b)キノンジアジド化合物がフェノール化合物および4−ナフトキノンジアジドスルホニル基とのエステルを含むことがより好ましい。これによりi線露光で高い感度を得る事ができる。
(b)キノンジアジド化合物の含有量は、(a)成分の樹脂100重量部に対して、1〜50重量部が好ましく、10〜40重量部がより好ましい。キノンジアジド化合物の含有量をこの範囲とすることにより、より高感度化を図ることができる。さらに増感剤などを必要に応じて添加してもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、(c)下記一般式(1)のいずれかで表される化合物を含有する。これにより、感光性樹脂組成物の感度と露光後放置安定性を向上させ、さらに寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物とすることができる。また(c)成分は2種類以上併用してもよい。これらの化合物により感度と露光後放置安定性を向上させ、さらに寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物とすることができる理由は明らかではないが、下記一般式(1)のいずれかで表される化合物の粘性や溶解性などが影響していると予想される。
Figure 2012133153
前記(c)成分の含有量の合計は(a)成分の樹脂100重量部に対して、0.5〜30重量部が好ましく、1〜20重量部がより好ましい。前記(c)成分の含有量の合計をこの範囲とすることにより、より高感度化を図ることができ、露光後放置安定性が向上し、さらに寸法制御性に優れた感光性樹脂組成物が得られる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(d)溶剤を含有する。これによりワニスの状態にすることができ、塗布性を向上させることができる。
前記(d)溶剤は、γ−ブチロラクトンなどの極性の非プロトン性溶媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、ジアセトンアルコールなどのケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、ぎ酸n−ペンチル、酢酸i−ペンチル、プロピオン酸n−ブチル、酪酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸i−プロピル、酪酸n−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸n−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸エチル等の他のエステル類トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、などの溶剤を単独、または混合して使用することができる。これらの中でもγ−ブチロラクトンは他の成分を良好に溶解させ平坦性の良い塗膜を形成させることができるため好ましい。
前記(d)溶剤の使用量は、特に限定されないが、(a)成分の樹脂100重量部に対して、50〜2000重量部が好ましく、特に100〜1500重量部が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、硬化膜を容易に得る目的でアルコキシメチル基またはメチロール基を少なくとも2つ有する化合物を含有してもよい。これらの基を2つ以上有することで、樹脂および同種分子と縮合反応して架橋構造体とすることができる。
このような化合物の好ましい例としては、例えば、DML−PC、DML−PEP、DML−OC、DML−OEP、DML−34X、DML−PTBP、DML−PCHP、DML−OCHP、DML−PFP、DML−PSBP、DML−POP、DML−MBOC、DML−MBPC、DML−MTrisPC、DML−BisOC−Z、DML−BisOCHP−Z、DML−BPC、DML−BisOC−P、DMOM−PC、DMOM−PTBP、DMOM−MBPC、TriML−P、TriML−35XL、TML−HQ、TML−BP、TML−pp−BPF、TML−BPE、TML−BPA、TML−BPAF、TML−BPAP、TMOM−BP、TMOM−BPE、TMOM−BPA、TMOM−BPAF、TMOM−BPAP、HML−TPPHBA、HML−TPHAP、HMOM−TPPHBA、HMOM−TPHAP(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、NIKALAC(登録商標) MX−290、NIKALAC MX−280、NIKALAC MX−270、NIKALAC MX−279、NIKALAC MW−100LM、NIKALAC MX−750LM(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。
アルコキシメチル基またはメチロール基を少なくとも2つ有する化合物の含有量は、(a)成分の樹脂100重量部に対して、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、さらに好ましくは10重量部以上であり、好ましくは300重量部以下、より好ましくは200重量部以下である。
また、必要に応じて、キュア後の収縮残膜率を小さくしない範囲でフェノール性水酸基を有する化合物を含有してもよい。これにより、現像時間を調整し、スカムを改善することができる。これらの化合物としては、例えば、Bis−Z、BisP−EZ、TekP−4HBPA、TrisP−HAP、TrisP−PA、BisOCHP−Z、BisP−MZ、BisP−PZ、BisP−IPZ、BisOCP−IPZ、BisP−CP、BisRS−2P、BisRS−3P、BisP−OCHP、メチレントリス−FR−CR、BisRS−26X(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、BIP−PC、BIR−PC、BIR−PTBP、BIR−BIPC−F(以上、商品名、旭有機材工業(株)製)、ノボラック樹脂等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。
フェノール性水酸基を有する化合物の含有量は、(a)成分の樹脂100重量部に対して、好ましくは1〜100重量部である。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて基板との濡れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ−テル類を含有してもよい。
また、本発明の樹脂組成物は無機粒子を含んでもよい。好ましい具体例としては酸化珪素、酸化チタン、チタン酸バリウム、アルミナ、タルクなどが挙げられるがこれらに限定されない。これら無機粒子の一次粒子径は100nm以下、より好ましくは60nm以下が好ましい。
また、基板との接着性を高めるために、保存安定性を損なわない範囲で本発明の樹脂組成物にシリコン成分として、トリメトキシアミノプロピルシラン、トリメトキシエポキシシラン、トリメトキシビニルシラン、トリメトキシチオールプロピルシランなどのシランカップリング剤を含有してもよい。好ましい含有量は、(a)成分の樹脂100重量部に対して0.01〜5重量部である。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説明する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物を基板に塗布する。基板としてはシリコンウェハー、セラミックス類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定されない。塗布方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、スリット塗布、ロールコーティングなどの方法、またはこれらを組み合わせた方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1〜150μmになるように塗布される。
シリコンウェハーなどの基板とポジ型感光性樹脂組成物との接着性を高めるために、基板を前述のシランカップリング剤で前処理することもできる。例えば、シランカップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に0.5〜20重量%溶解させた溶液を、スピンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などにより表面処理をする。場合によっては、その後50℃〜300℃までの熱処理を行い、基板とシランカップリング剤との反応を進行させる。
次にポジ型感光性樹脂組成物を塗布した基板を乾燥して、ポジ型感光性樹脂組成物被膜を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃〜150℃の範囲で1分間〜数時間行うことが好ましい。
次に、このポジ型感光性樹脂組成物被膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明ではキノンジアジドの感光波長である200〜500nmの波長のものが好ましい。
耐熱性樹脂のパターンを形成するには、露光後、現像液を用いて露光部を除去する。現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加してもよい。現像方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
次に、現像によって形成したパターンを蒸留水にてリンス処理をすることが好ましい。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを蒸留水に加えてリンス処理をしてもよい。
次に加熱処理を行い、イミド環、オキサゾール環を形成し、または熱架橋反応を進行させ、耐熱性および耐薬品性を向上させる。この加熱処理は温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら5分間〜5時間実施する。一例としては、130℃、200℃で各30分ずつ熱処理する。あるいは室温より400℃まで2時間かけて直線的に昇温するなどの方法が挙げられる。本発明においての加熱処理条件としては150℃から400℃が好ましく、200℃以上350℃以下がより好ましい。
次に、本発明の絶縁膜や保護膜としての硬化膜について説明する。感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている硬化膜は、半導体のパッシベーション膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁膜などの用途に好適に用いられる。
次に、本発明の感光性樹脂組成物を基板上に形成し加熱して得られた硬化膜層を有することを特徴とする半導体装置について説明する。本発明の感光性樹脂組成物を使用して得られた硬化物である硬化膜を形成してなる、パッシベーション膜、パッシベーション膜上に前記感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる表面保護膜、半導体素子の回路上に形成してなる層間絶縁膜等を挙げることができる。
また、前記感光性樹脂組成物からなる硬化膜は、露光後放置安定性に優れ、さらに寸法制御性に優れているので半導体装置の歩留まりを向上することができる。
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法について説明する。評価には、あらかじめ1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過した感光性樹脂組成物(以下ワニス)を用いた。
(1)感度評価
塗布現像装置Mark−7(東京エレクトロン(株)製)を用いて、シリコンウェハー上にワニスをスピンコート法で塗布を行い、120℃で3分間ホットプレートにて加熱を行った後、露光機i線ステッパーNSR−2005i9C(ニコン社製)を用いて露光した。露光後、前記Mark−7の現像装置を用いて、2.38重量%のテトラメチルアンモニウム水溶液(以下TMAH、多摩化学工業(株)製)を用いてパドル法にてパドル時間40秒の現像を2回繰り返した後、蒸留水でリンス後、振り切り乾燥し、パターンを得た。パターンをFDP顕微鏡MX61(オリンパス(株)社製)を用いて倍率20倍で観察し、マスクサイズが5μmのパターンが開口するのに最低必要露光量を求め、これを感度とし、250mJ/cmのものを優(◎)、251mJ/cm〜500mJ/cmのものを良(○)、500mJ/cm以上のものを不可(×)とした。
(2)露光後放置安定性の評価
前記塗布現像装置Mark−7を用いて、シリコンウェハー上にワニスをスピンコート法で塗布を行い、120℃で3分間ホットプレートにて加熱を行った後、前記露光機i線ステッパーNSR−2005i9Cを用いて露光した。その後、シリコンウエハーを室温23度、湿度45%に保たれたイエロールーム中に100時間放置した後、前記Mark−7の現像装置を用いて、2.38重量%のTMAH水溶液を用いてパドル法にてパドル時間40秒の現像を2回繰り返した後、蒸留水でリンス後、振り切り乾燥し、パターンを得た。パターンを(1)と同様に光学顕微鏡で観察し、マスクサイズが5μm のパターンが開口するのに最低必要露光量を求め、これを(1)で求めた感度と比較し、変化率の全体値が15%を超えるものを不安定(×)、10%を超え15%以下のものを安定(○)10%以下のものをより安定(◎)とした。
(3)寸法制御性の評価
前記塗布現像装置Mark−7を用いて、シリコンウェハー上にワニスをスピンコート法で塗布を行い、120℃で3分間ホットプレートにて加熱を行った後、前記露光機i線ステッパーNSR−2005i9Cを用いて1枚のシリコンウエハーに86箇所に同じパターンを同じ露光量で露光した。その後、前記Mark−7の現像装置を用いて、2.38重量%のTMAH水溶液を用いてパドル法にてパドル時間40秒の現像を2回繰り返した後、蒸留水でリンス後、振り切り乾燥し、パターンを得た。パターンを(1)と同様に光学顕微鏡で観察し、マスクサイズが5μm のパターン寸法を86箇所測定し、得られたパターンの最大寸法と最小寸法の差を求め、1μm以下のものを優(◎)、1μmを超え、3μm以下のものを良(○)、3μmを超えるものを不可(×)とした。
合成例1 ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(以降BAHFと呼ぶ)18.3g(0.05モル)をアセトン100mL、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。ここに4−ニトロベンゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン100mLに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、50℃で真空乾燥した。
固体30gを300mLのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセロソルブ250mLに分散させ、5%パラジウム−炭素を2g加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行なった。約2時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式(6)で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。
Figure 2012133153
合成例2 アルカリ可溶性樹脂(A−1)の合成
乾燥窒素気流下、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(マナック(株)製、以降ODPAと呼ぶ)6.20g(0.02モル)をN−メチルピロリドン(以降NMPと呼ぶ)100gに溶解させた。ここに合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物9.07g(0.015モル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.25g(0.001モル)をNMP25gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で2時間反応させた。次に末端封止剤として4−アミノフェノール0.87g(0.008モル)をNMP5gとともに加え、50℃で2時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール7.15g(0.06モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水1Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で20時間乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂であるポリイミド前駆体とポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体(A−1)を得た。
合成例3 アルカリ可溶性樹脂(A−2)の合成
乾燥窒素気流下、BAHF18.3g(0.05モル)をNMP50g、グリシジルメチルエーテル26.4g(0.3モル)に溶解させ、溶液の温度を−15℃まで冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド(日本農薬(株)製)7.4g(0.025モル)、イソフタル酸クロリド(東京化成(株)製)5.1g(0.025モル)をγ−ブチロラクトン(GBL)25gに溶解させた溶液を内部の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、−15℃で6時間撹拌を続けた。反応終了後、メタノールを10重量%含んだ水3Lに溶液を投入して白色の沈殿を集めた。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂であるポリベンゾオキサゾール前駆体(A−2)を得た。
合成例4 アルカリ可溶性樹脂(A−3)の合成
乾燥窒素気流下、合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン51.3g(0.085モル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA、信越化学(株)製)1.24g(0.005モル)、3−アミノフェノール(東京化成(株)製)2.18g(0.02モル)をNMP200gに溶解した。ここにODPA31.0g(0.1モル)を加え、40℃で2時間撹拌した。その後、ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(三菱レーヨン(株)製、DFA)7.14g(0.06モル)をNMP5gで希釈した溶液を10分間かけて滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂であるポリイミド前駆体(A−3)を得た。
合成例5 キノンジアジド化合物(B−1)の合成
乾燥窒素気流下、TrisP−PA(商品名、本州化学工業(株)製)21.22g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.86g(0.10モル)、4−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド13.43g(0.05モル)を1,4−ジオキサン50gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン15.18gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物(B−1)を得た。
合成例6 キノンジアジド化合物(B−2)の合成
乾燥窒素気流下、TrisP−PA(商品名、本州化学工業(株)製)21.22g(0.05モル)と4−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.86g(0.10モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン12.65gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物(B−2)を得た。
合成例7 キノンジアジド化合物(B−3)の合成
乾燥窒素気流下、TrisP−PA(商品名、本州化学工業(株)製)21.22g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.86g(0.10モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン12.65gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物(B−3)を得た。
実施例1
前記合成例2で得られたアルカリ可溶性樹脂(A−1)5gに、キノンジアジド化合物(B−1)を1.0g、下記式(C−1)構造を有する化合物0.2gを(D)溶剤としてγ−ブチロラクトン10gに溶解した後、1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過してワニスを作製し、上記の方法で評価を行なった。
Figure 2012133153
実施例2
実施例1において用いられた(C−1)の代わりに、下記式(C−2)を0.9g用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
Figure 2012133153
実施例3
実施例1において用いられた(C−1)の代わりに、下記式(C−3)を0.1g用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
Figure 2012133153
実施例4
実施例1において用いられた(A−1)の代わりに、合成例3で得られた(A−2)を用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
実施例5
実施例1において用いられた(A−1)の代わりに、合成例4で得られた(A−3)を用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
実施例6
実施例1において用いられた(B−1)の代わりに、合成例6で得られた(B−2)を1.8g用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
実施例7
実施例1において用いられた(B−1)の代わりに、合成例7で得られた(B−3)を0.6g用いた以外は実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
実施例8
実施例1において用いられた(C−1)を1.5gにした以外は、実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
比較例1
前記合成例2で得られた樹脂(A−1)5gに、キノンジアジド化合物(B−1)1.0gを(D)溶剤としてγ−ブチロラクトン10gに溶解した後、1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過し、(C−1)を含まないワニスを作成し、同様の評価を行った。
比較例2
実施例1において用いられた(C−1)を下記式(7)で表される安息香酸アリルにした以外は、実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
Figure 2012133153
比較例3
実施例1において用いられた(C−1)を下記式(8)で表されるトリメリット酸トリアリルにした以外は、実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
Figure 2012133153
比較例4
実施例1において用いられた(C−1)を下記式(9)で表されるピロメリット酸テトラアリルにした以外は、実施例1と同様にワニスを作成し、同様の評価を行った。
Figure 2012133153
上記の評価ワニスの組成を表1に、評価結果を表2に示す。
Figure 2012133153
Figure 2012133153

Claims (8)

  1. (a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、(c)下記一般式(1)のいずれかで表される化合物および(d)溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
    Figure 2012133153
  2. 前記(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体またはポリイミドとポリベンゾオキサゾールの共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 前記(c)一般式(1)のいずれかで表される化合物の含有量の合計が、前記(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体であるアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、0.5〜30重量部であることを特徴とする請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記(b)キノンジアジド化合物が、フェノール化合物の4−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  5. 前記(d)溶剤がγ-ブチロラクトンを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
  7. 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後に加熱して硬化膜層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に形成し加熱して得られた硬化膜層を有することを特徴とする半導体装置。
JP2010285418A 2010-12-22 2010-12-22 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置 Active JP5644476B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010285418A JP5644476B2 (ja) 2010-12-22 2010-12-22 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010285418A JP5644476B2 (ja) 2010-12-22 2010-12-22 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012133153A true JP2012133153A (ja) 2012-07-12
JP5644476B2 JP5644476B2 (ja) 2014-12-24

Family

ID=46648825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010285418A Active JP5644476B2 (ja) 2010-12-22 2010-12-22 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5644476B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015129092A1 (ja) * 2014-02-28 2015-09-03 Jsr株式会社 表示又は照明装置、および絶縁膜の形成方法
KR20180132599A (ko) * 2016-03-31 2018-12-12 가부시키가이샤 아데카 감광성 조성물 및 신규 화합물

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008123053A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Toray Industries, Inc. ポジ型感光性樹脂組成物
WO2009145158A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
US20100099043A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Cheil Industries Inc. Positive Photosensitive Resin Composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008123053A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Toray Industries, Inc. ポジ型感光性樹脂組成物
WO2009145158A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
US20100099043A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Cheil Industries Inc. Positive Photosensitive Resin Composition
JP2010097220A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Cheil Industries Inc ポジティブ型感光性樹脂組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015129092A1 (ja) * 2014-02-28 2015-09-03 Jsr株式会社 表示又は照明装置、および絶縁膜の形成方法
KR101852050B1 (ko) * 2014-02-28 2018-04-25 제이에스알 가부시끼가이샤 유기 el 장치 및 절연막의 형성 방법
KR20180132599A (ko) * 2016-03-31 2018-12-12 가부시키가이샤 아데카 감광성 조성물 및 신규 화합물
KR102316645B1 (ko) 2016-03-31 2021-10-25 가부시키가이샤 아데카 감광성 조성물 및 신규 화합물

Also Published As

Publication number Publication date
JP5644476B2 (ja) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5640413B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP7263925B2 (ja) 樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、層間絶縁膜または半導体保護膜、薄膜トランジスタ、および液晶表示装置または有機el表示装置
JP6048257B2 (ja) 耐熱性樹脂及びその前駆体組成物
JP6252174B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜を含む半導体装置の製造方法
JP5831092B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP5630175B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP4082041B2 (ja) ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置
JP6729551B2 (ja) 樹脂組成物、その硬化レリーフパターン、およびそれを用いた半導体電子部品または半導体装置の製造方法
KR101012569B1 (ko) 감광성 수지 전구체 조성물
JP2012208360A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2012159601A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2015187676A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物の熱処理方法
JP6102736B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2010229210A (ja) 樹脂組成物
JP5644476B2 (ja) 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4396161B2 (ja) 感光性樹脂前駆体組成物
JP2010210851A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2007212602A (ja) ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
JP2006047627A (ja) 感光性樹脂前駆体組成物
JP5617279B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP4134457B2 (ja) 感光性樹脂前駆体組成物
JP2010072143A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2011133615A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2010243748A (ja) 感光性樹脂組成物および耐熱性樹脂膜の製造方法
JP2017138487A (ja) 感光性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140918

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141007

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141020

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5644476

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151