JP2012122749A - バイオセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極の一部と重畳し、両端にドレイン電極およびソース電極が配置された半導体膜と、前記ゲート電極の他の一部と重畳し、被測定物が配置されるイオン感応膜とにより構成されるセンサトランジスタを有し、前記半導体膜、前記ドレイン電極、前記ソース電極のいずれか1以上は透明であり、前記センサトランジスタのオンオフ比は2以上であることを特徴とするバイオセンサを提供する。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、本発明の一実施形態に係るバイオセンサに用いられるセンサトランジスタの上面図を示す。センサトランジスタは、半導体膜101と、ドレイン電極およびソース電極102、103と、ゲート電極104とを有する。
図6は、本発明の別の一実施形態に係るバイオセンサの上面図を示す。図6においては、符号600は、被測定物が配置されるエリアを示し、この周囲に実施形態1に係る、オンオフ比が2以上のセンサトランジスタが配置される。このエリアは、複数の領域600(1)、600(2)、600(3)、600(4)に分割されており、それぞれの分割された領域に、イオン感応膜が配置されている。特にエリア600はマトリクス状に複数の領域に分割され、この分割に応じてイオン感応膜がマトリクス状に配置されていることが好ましい。
Claims (6)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極の一部と重畳し、両端にドレイン電極およびソース電極が配置された半導体膜と、
前記ゲート電極の他の一部と重畳し、被測定物が配置されるイオン感応膜とにより構成されるセンサトランジスタを有し、
前記半導体膜、前記ドレイン電極、前記ソース電極のいずれか1以上は透明であり、前記センサトランジスタのオンオフ比は2以上であることを特徴とするバイオセンサ。 - 前記半導体膜は、キャリア濃度が1019cm−3以上である酸化物半導体であることを特徴とする請求項1に記載のバイオセンサ。
- 前記被測定物と前記ドレイン電極および前記ソース電極のいずれか一との間に所定の電圧を印加する参照電極を有する請求項1または2に記載のバイオセンサ。
- 前記センサトランジスタは複数配置され、前記イオン感応膜が複数マトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のバイオセンサ。
- ゲート電極と、前記ゲート電極の一部と重畳し、両端にドレイン電極およびソース電極が配置された半導体膜と、前記ゲート電極の他の一部と重畳し、被測定物が配置されるイオン感応膜とにより構成されるセンサトランジスタを有し、前記半導体膜、前記ドレイン電極、前記ソース電極のいずれか1以上は透明であり、前記センサトランジスタのオンオフ比は2以上であることを特徴とするバイオセンサの動作方法であって、
前記イオン感応膜上に前記被測定物を配置し、
前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に電圧を印加して前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に流れる電流を測定することを含む、バイオセンサの動作方法。 - 前記バイオセンサは参照電極を有し、
前記参照電極によって前記被測定物と前記ドレイン電極および前記ソース電極のいずれか一との間に所定の電圧を印加することをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の、バイオセンサの動作方法。
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