JP2012118815A - タッチパネルセンサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のタッチパネルセンサーは、透明導電膜、および透明導電膜と接続する配線を有するタッチパネルセンサーにおいて、配線は、希土類元素を0.05〜5原子%含有し、且つ、光沢度は800%以上であるAl合金膜から構成されている。
【選択図】なし
Description
無アルカリガラス板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記表1に示すように希土類元素の種類および含有量(単位は原子%であり、残部:Alおよび不可避的不純物)が異なるAl合金膜(膜厚はいずれも約500nm)を形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×10-6Torrにしてから、各Al合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用い、表1に示すように成膜温度およびArガス圧を種々変化させて行なった。これら以外のスパッタリング条件は以下のとおりである。次に、成膜後のAl合金について、窒素雰囲気中、表1に記載の種々のアニール温度にて30分間熱処理を行なった。表1中、「−」とは加熱なし(すなわち室温)を意味する。尚、形成されたAl合金膜の組成は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)質量分析法で確認した。
(スパッタリング条件)
・Arガス流量:30sccm
・スパッタパワー:260W
・基板温度:室温
Claims (4)
- 透明導電膜、および前記透明導電膜と接続する配線を有するタッチパネルセンサーにおいて、
前記配線は、希土類元素を0.05〜5原子%含有し、且つ、光沢度は800%以上であるAl合金膜から構成されていることを特徴とするタッチパネルセンサー。 - 前記配線は、基板側から順に、高融点金属膜と、前記Al合金膜と、高融点金属膜とから構成されているものである請求項1に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である請求項1または2に記載のタッチパネルセンサー。
- 前記透明導電膜は、酸化インジウム錫(ITO)または酸化インジウム亜鉛(IZO)からなる請求項1〜3のいずれかに記載のタッチパネルセンサー。
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