JP2012101959A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012101959A5
JP2012101959A5 JP2010250246A JP2010250246A JP2012101959A5 JP 2012101959 A5 JP2012101959 A5 JP 2012101959A5 JP 2010250246 A JP2010250246 A JP 2010250246A JP 2010250246 A JP2010250246 A JP 2010250246A JP 2012101959 A5 JP2012101959 A5 JP 2012101959A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask blank
polishing
manufacturing
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010250246A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012101959A (ja
JP5671305B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010250246A priority Critical patent/JP5671305B2/ja
Priority claimed from JP2010250246A external-priority patent/JP5671305B2/ja
Publication of JP2012101959A publication Critical patent/JP2012101959A/ja
Publication of JP2012101959A5 publication Critical patent/JP2012101959A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5671305B2 publication Critical patent/JP5671305B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (17)

  1. 研磨パッドを備える上下両定盤の両研磨パッド間に、キャリアで保持された基板を挟持し、研磨液を供給しつつ、前記研磨パッドの研磨面に対して基板を相対移動させ、前記基板の両主表面を研磨する研磨工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、
    前記研磨パッドは、
    少なくとも、基材と、
    前記基材上に形成され、表面に開孔を有する発泡した樹脂からなるナップ層とからなり、
    前記研磨パッドの圧縮変形量が40μm以上であり、
    前記ナップ層を形成する樹脂の100%モジュラスが14.5MPa以上である
    ことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  2. 研磨パッドを備える上下両定盤の両研磨パッド間に、キャリアで保持された基板を挟持し、研磨液を供給しつつ、前記研磨パッドの研磨面に対して基板を相対移動させ、前記基板の両主表面を研磨する研磨工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、
    前記研磨パッドは、
    基材と、
    前記基材上に形成される緩衝層と、
    前記緩衝層上に形成され、表面に開孔を有する発泡した樹脂からなるナップ層とからなり、
    前記研磨パッドの圧縮変形量が40μm以上であり、
    前記ナップ層を形成する樹脂の100%モジュラスが14.5MPa以上である
    ことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  3. 前記研磨パッドの圧縮変形量が70μm以上であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  4. 前記ナップ層を形成する樹脂の100%モジュラスが40MPa以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  5. 前記研磨液は、酸化セリウム砥粒を含有していることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  6. 前記基板は、主表面の形状が矩形であることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  7. 前記基板は、合成石英ガラスまたは低熱膨張ガラスであることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  8. 前記ナップ層の厚さは、300μm以上1000μm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  9. 前記ナップ層の開孔の径は、40μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  10. 記ナップ層は、ポリカーボネート系樹脂を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  11. 前記緩衝層の厚さは、100μm以上700μm以下であることを特徴とする請求項2記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  12. 前記緩衝層およびナップ層のいずれか一方又は双方の層は、ポリカーボネート系樹脂を含有する材料からなることを特徴とする請求項2記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  13. 前記基材は、樹脂フィルム、又は、不織布であることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  14. 前記基材は、ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  15. 前記研磨工程で研磨された基板の両主表面に対し、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨を行う超精密研磨工程を有することを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  16. 請求項15に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
  17. 請求項16に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
JP2010250246A 2010-11-08 2010-11-08 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 Active JP5671305B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010250246A JP5671305B2 (ja) 2010-11-08 2010-11-08 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010250246A JP5671305B2 (ja) 2010-11-08 2010-11-08 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012101959A JP2012101959A (ja) 2012-05-31
JP2012101959A5 true JP2012101959A5 (ja) 2013-12-12
JP5671305B2 JP5671305B2 (ja) 2015-02-18

Family

ID=46392847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010250246A Active JP5671305B2 (ja) 2010-11-08 2010-11-08 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5671305B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6206831B2 (ja) * 2013-03-29 2017-10-04 Hoya株式会社 Euvリソグラフィー用マスクブランク用基板の製造方法、euvリソグラフィー用多層反射膜付き基板の製造方法、euvリソグラフィー用マスクブランクの製造方法、及びeuvリソグラフィー用転写マスクの製造方法
JP7057215B2 (ja) * 2018-05-18 2022-04-19 帝人フロンティア株式会社 研磨パッドおよびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004141984A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Hoya Corp マスクブランクス用基板の製造方法
JP2004303280A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP4190398B2 (ja) * 2003-11-19 2008-12-03 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP5091417B2 (ja) * 2006-03-30 2012-12-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
JP2010086597A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1827759A2 (en) Process for manufacturing optical and semiconductor elements
CN105263701B (zh) 在基底中形成凹槽的技术及具有凹槽的制品
CN101612722A (zh) 抛光垫及其制造方法
EP1805816A1 (en) Process for manufacturing a light emitting array
US9180572B2 (en) Chemical mechanical polishing conditioner and manufacturing methods thereof
JP2009056584A5 (ja)
MY168267A (en) Method for manufacturing magnetic-disk substrate, and polishing pad used in manufacture of magnetic-disk substrate
TWI568538B (zh) 化學機械硏磨修整器及其製法
JP2012101959A5 (ja)
JP2008188710A (ja) ガラス基板の製造方法
JP5814719B2 (ja) 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および修正キャリア
MY168037A (en) Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate
TWI642772B (zh) 研磨墊及研磨方法
CN202507187U (zh) 一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板
SG153742A1 (en) Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc
JP6148345B2 (ja) 非磁性基板の製造方法
WO2009066710A1 (ja) 研磨シート及び研磨シートの製造方法
EP2594366A3 (en) Method of preparing substrate
JP2009279696A (ja) ガラス基板の製造方法
CN204295485U (zh) 化学机械研磨垫
WO2017125987A1 (ja) ウェーハの研磨方法、バックパッドの製造方法、バックパッド、及びそのバックパッドを具備する研磨ヘッド
JP2012240189A (ja) 研磨装置、研磨方法および研磨パッド
TWI409137B (zh) 研磨墊及其微型結構形成方法
JP2011165958A (ja) 貼り合わせ基板用支持基板およびその製造方法
TWI469850B (zh) 吸附墊片、研磨裝置及吸附墊片之製造方法