JP2012099769A - Manufacturing method of wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.
近年、LSIの高集積化及び高速化により、配線の多層化と微細化とが進んでいる。特にロジックデバイスにおいては、トランジスタ特性の高性能化を実現するためには配線の最小ピッチをゲート長に合わせて小さくすることが必須であり、これに伴って微細配線形成の技術は必須の技術的事項となってきている。 In recent years, with the higher integration and speeding up of LSIs, the multilayering and miniaturization of wiring are progressing. In particular, in logic devices, it is essential to reduce the minimum pitch of wiring to match the gate length in order to achieve high performance in transistor characteristics. It has become a matter.
このような微細配線形成技術としては、従来のAl配線技術に用いてきたドライエッチングの手法に代わり、エッチングを必要としないダマシン法が主流となってきている。ダマシン法には、シングルダマシン法とデュアルダマシン法とがある。 As such a fine wiring formation technique, a damascene method that does not require etching has become the mainstream in place of the dry etching technique used in the conventional Al wiring technique. The damascene method includes a single damascene method and a dual damascene method.
シングルダマシン法は、層間絶縁膜に配線となる溝部をレーザ光照射によって形成し、さらに下地膜としてのメタル層を堆積し、その上にCu膜をめっき法によって堆積して配線を形成する。なお、メッキ法は、層間絶縁膜の全体に対して行うため、層間絶縁膜上に堆積したCu膜は化学機械研磨(CMP)等により除去する必要がある(特許文献1参照)。 In the single damascene method, a groove serving as a wiring is formed in an interlayer insulating film by laser light irradiation, a metal layer as a base film is further deposited, and a Cu film is deposited thereon by plating to form a wiring. Since the plating method is performed on the entire interlayer insulating film, the Cu film deposited on the interlayer insulating film must be removed by chemical mechanical polishing (CMP) or the like (see Patent Document 1).
一方、デュアルダマシン法は、下層配線層との電気的コンタクトをとるビアホールを配線溝と共に同時に形成し、下地層としてのメタル層の堆積、Cu膜の堆積、CMPをそれぞれ1回行い、配線とビア・プラグを同時に形成する手法である。しかしながら、この場合においても、メッキ法は、層間絶縁膜の全体に対して行うため、層間絶縁膜上に堆積したCu膜は、上記同様にCMP等によって除去する必要がある(特許文献2参照)。 On the other hand, in the dual damascene method, via holes that make electrical contact with the lower wiring layer are formed simultaneously with the wiring grooves, and a metal layer as a base layer, a Cu film, and CMP are performed once, and wiring and vias are performed once.・ This is a method of forming plugs simultaneously. However, in this case as well, since the plating method is performed on the entire interlayer insulating film, the Cu film deposited on the interlayer insulating film must be removed by CMP or the like as described above (see Patent Document 2). .
このようにダマシン法では、シングルダマシン法あるいはデュアルダマシン法のいずれにおいても、Cu膜、すなわち配線の形成を、メッキ法を用いて行っているため、層間絶縁膜上に堆積したCu膜を除去するための後工程であるCMP等の研削作業が必須となり、配線形成プロセス、すなわち配線基板の形成プロセスが煩雑化してしまうという問題があった。 As described above, in the damascene method, the Cu film, that is, the wiring is formed by using the plating method in both the single damascene method and the dual damascene method, and thus the Cu film deposited on the interlayer insulating film is removed. Therefore, a grinding operation such as CMP, which is a subsequent process, is indispensable, and there is a problem that the wiring formation process, that is, the wiring board formation process becomes complicated.
本発明は、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてCMP等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a novel manufacturing method that does not require post-processing such as CMP in a wiring formation process when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and a resin insulating layer.
上記目的を達成すべく、本発明は、
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも1層積層されてなる配線基板の製造方法であって、
前記少なくとも1層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるCuペーストを充填するCuペースト充填工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A method of manufacturing a wiring board in which at least one conductor layer and a resin insulating layer are laminated,
A groove forming step of forming a groove in the at least one resin insulating layer;
A Cu paste filling step of filling the groove portion with a Cu paste to be the conductor layer using an inkjet device;
It is related with the manufacturing method of a wiring board characterized by providing.
本発明によれば、配線基板を構成する樹脂絶縁層に対して溝部を形成した後、この溝部に対してインクジェット方式によってCuペーストを充填し、このCuペーストから配線等を構成する導体層を形成するようにしている。インクジェット方式によれば、使用するインクジェット装置の先端に形成された開口部の大きさ、及びCuペーストの吐出量を適宜に調整することによって、必要な箇所に必要な量のCuペーストを塗布したり充填したりすることができる。 According to the present invention, after forming a groove portion in the resin insulating layer constituting the wiring board, the groove portion is filled with Cu paste by an ink jet method, and a conductor layer constituting the wiring or the like is formed from this Cu paste. Like to do. According to the ink jet method, by appropriately adjusting the size of the opening formed at the tip of the ink jet device to be used and the discharge amount of the Cu paste, a necessary amount of Cu paste can be applied to a necessary portion. Or can be filled.
したがって、このような特徴を有するインクジェット方式を用いれば、溝部の大きさ、すなわち幅、深さ等に応じた量のCuペーストを充填することができるので、溝部内を丁度充填できるようなCuペーストを供給することができ、これによって配線等の導体層を形成することができるようになる。この結果、メッキ法を用いた場合のように、樹脂絶縁層上にCu膜等が堆積することがなくなるので、この堆積したCu膜を除去するためのCMP等の後工程が不要となる。 Therefore, if an ink jet system having such characteristics is used, an amount of Cu paste can be filled according to the size, width, depth, etc. of the groove, so that the Cu paste can be filled just inside the groove. As a result, a conductor layer such as a wiring can be formed. As a result, the Cu film or the like is not deposited on the resin insulating layer as in the case of using the plating method, so that a post-process such as CMP for removing the deposited Cu film becomes unnecessary.
なお、以下に詳述するように、溝部形成の態様、すなわち溝部が樹脂絶縁層を貫通し、下層配線層を露出するようにして形成される場合、上述したCuペーストの充填によって形成される導体層は、配線及びビアの双方を構成することになる。一方、溝部が樹脂絶縁層を貫通することなく形成される場合、上述したCuペーストの充填によって形成される導体層は、配線のみを構成することになる。 As will be described in detail below, when the groove is formed, that is, when the groove penetrates the resin insulating layer and exposes the lower wiring layer, the conductor formed by filling the Cu paste described above. The layer will constitute both wiring and vias. On the other hand, when the groove is formed without penetrating the resin insulating layer, the conductor layer formed by filling the Cu paste described above constitutes only the wiring.
Cuペーストの充填によって配線及びビアの双方を形成する場合、最初にビア孔内を充填し、その後に配線溝内を充填することが好ましい。これによって、導体層からなる配線の均一性が向上することになる。 When both the wiring and the via are formed by filling the Cu paste, it is preferable to first fill the via hole and then fill the wiring groove. This improves the uniformity of the wiring made of the conductor layer.
また、インクジェット方式でCuペーストを吐出させた場合、そのままでは塗布厚を十分に確保できない、あるいは塗布形状をスポットが連結したような完全な連続体として形成することが困難である。しかしながら、本発明では、インクジェット方式によるCuペーストの吐出を溝部内に行うので、吐出したCuペーストは溝部の壁面によって保持されるようになる。このため、上述のように、Cuペーストの吐出量を適宜に調整することによって、吐出したCuペーストは溝部の壁面で保持されるようになり、所定の厚さを確保することができる。同様に、溝部の壁面からの押圧力によって、溝部内に吐出されたCuペーストは、スポット状ではなく、ほぼ完全な連続体として形成されるようになる。 Further, when the Cu paste is ejected by the ink jet method, it is difficult to form a complete continuous body in which the coating thickness cannot be ensured as it is or the coating shape is connected with spots. However, in the present invention, since the Cu paste is discharged into the groove by the ink jet method, the discharged Cu paste is held by the wall surface of the groove. For this reason, as described above, by appropriately adjusting the discharge amount of the Cu paste, the discharged Cu paste is held by the wall surface of the groove, and a predetermined thickness can be ensured. Similarly, the Cu paste discharged into the groove due to the pressing force from the wall surface of the groove is formed not as a spot but as a substantially complete continuous body.
この結果、上述のような欠点を有するインクジェット方式によるCuペーストの吐出も、本発明のように、それを溝部内への充填において使用する場合においては、前記欠点が解消され、配線等に適した厚さ及び形状の導体層を形成することができる。 As a result, the discharge of Cu paste by the ink jet method having the above-described defects is also suitable for wiring and the like when the same is used for filling the groove portion as in the present invention. A conductor layer having a thickness and shape can be formed.
なお、上記インクジェット装置としては、サーマル方式のインクジェット装置及びピエゾ方式のインクジェット装置の少なくとも一方を用いることができる。これらのインクジェット装置は安価であるとともに入手も容易であり、上述した溝部内へのCuペーストの充填を良好な状態で行うことができる。 Note that at least one of a thermal ink jet apparatus and a piezo ink jet apparatus can be used as the ink jet apparatus. These ink jet devices are inexpensive and easily available, and the above-described filling of the Cu paste into the grooves can be performed in a good state.
また、本発明の一例においては、Cuペースト充填工程において、インクジェット装置の先端に位置する噴出孔を前記溝内に配置させた状態で、Cuペーストの充填を開始することができる。この場合、充填すべきCuペーストの飛散を防止することができ、また、目的とする溝部内に正確にCuペーストを充填することができる。 In one example of the present invention, in the Cu paste filling step, the filling of the Cu paste can be started in a state where the ejection hole located at the tip of the ink jet apparatus is disposed in the groove. In this case, scattering of the Cu paste to be filled can be prevented, and the target groove can be filled accurately with the Cu paste.
以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてCMP等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, when manufacturing a wiring substrate having at least one conductor layer and a resin insulating layer, a novel manufacturing method that does not require post-processing such as CMP in the wiring formation process is provided. can do.
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(配線基板)
最初に、本発明の方法に使用する配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも1層有する配線基板であれば特に限定されるものではない。
(Wiring board)
First, the configuration of the wiring board used in the method of the present invention will be described. However, the wiring board shown below is merely an example, and is not particularly limited as long as it has at least one conductor layer and a resin insulating layer.
図1及び2は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図1は、前記配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図2は、前記配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図3は、図1及び2に示す前記配線基板をI−I線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図4は、図1及び2に示す前記配線基板をII−II線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。 1 and 2 are plan views of the wiring board according to the present embodiment. FIG. 1 shows a state when the wiring board is viewed from the upper side, and FIG. 2 shows a case when the wiring board is viewed from the lower side. Shows the state. 3 is an enlarged view showing a part of a cross section when the wiring board shown in FIGS. 1 and 2 is cut along the line II, and FIG. 4 is shown in FIGS. It is a figure which expands and shows a part of cross section at the time of cutting the said wiring board along the II-II line.
図1〜4に示す配線基板1は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状コア2の両表面に、所定のパターンに金属配線7aをなすコア導体層M1,M11(単に導体層ともいう)がそれぞれ形成される。これらコア導体層M1,M11は板状コア2の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
A wiring board 1 shown in FIGS. 1 to 4 has both surfaces of a plate-
他方、板状コア2には、ドリル等により穿設されたスルーホール12が形成され、その内壁面にはコア導体層M1,M11を互いに導通させるスルーホール導体30が形成されている。また、スルーホール12は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材31により充填されている。
On the other hand, a through-
また、コア導体層M1,M11の上層には、必要に応じてシリカフィラー等を含む熱硬化性樹脂組成物6にて構成された第1のビア層(ビルドアップ層:絶縁層)V1,V11がそれぞれ形成されている。さらに、その表面部分にはそれぞれ金属配線7bをなす第1の導体層M2,M12が埋設するようにして形成されている。但し、第1のビア層V1,V11の上面の平面レベルと金属配線7bの上面の平面レベルとは同一であって、金属配線7bの上面は第1のビア層V1,V11から露出している。
Further, on the upper layers of the core conductor layers M1 and M11, first via layers (build-up layers: insulating layers) V1 and V11 made of a
第1のビア層V1,V11、及び第1の導体層M2,M12の上層には、熱硬化性樹脂組成物6を用いた第2のビア層(ビルドアップ層:絶縁層)V2,V12がそれぞれ形成されている。
On the upper layer of the first via layers V1 and V11 and the first conductor layers M2 and M12, second via layers (build-up layers: insulating layers) V2 and V12 using the
また、第2のビア層V2及びV12上には、それぞれ金属端子パッド10,17を有する第2の導体層M3,M13が形成されている。
Also, second conductor layers M3 and M13 having
コア導体層M1,M11と第1の導体層M2,M12とは、それぞれフィルドビア34−1により層間接続がなされている。ビア34−1は、ビアホール34−1hとこのビアホール34−lを埋設するようにして設けられたビア導体34−1sと、底面側にてビア導体34−1sと導通するように設けられたビアパッド34−1pと、ビアパッド34−1pと反対側にてビア導体34−1sの開口周縁から外向きに張り出すビアランド34−1lとを有している。 The core conductor layers M1, M11 and the first conductor layers M2, M12 are connected to each other by filled vias 34-1. The via 34-1 includes a via hole 34-1h, a via conductor 34-1s provided so as to fill the via hole 34-1, and a via pad provided so as to be electrically connected to the via conductor 34-1s on the bottom surface side. 34-1p and via land 34-1l projecting outward from the peripheral edge of the opening of via conductor 34-1s on the side opposite to via pad 34-1p.
なお、第1の導体層M2,M12(金属配線7b)、並びにビア導体34−1s及びビアランド34−1lは、それぞれ以下に説明する本発明の製造方法に従って製造される。
The first conductor layers M2 and M12 (
ビア34−1は第1のビア層V1,V11中に埋設されている。但し、ビアランド34−1lの上面の平面レベルと第1のビア層V1,V11の上面の平面レベルとは同一であって、ビアランド34−1lの上面は第1のビア層V1,V11から露出している。 The via 34-1 is embedded in the first via layers V1 and V11. However, the planar level of the upper surface of the via land 34-1l and the planar level of the upper surfaces of the first via layers V1, V11 are the same, and the upper surface of the via land 34-1l is exposed from the first via layers V1, V11. ing.
第1の導体層M2,M12と第2の導体層M3,M13とは、それぞれフィルドビア34−2により層間接続がなされている。ビア34−2は、ビアホール34−2hと、その内周面に設けられたビア導体34−2sと、ビア導体34−2sの開口周縁から外向きに張り出すビアランド34−2lとを有しており、ビア導体34−2sは、ビア34−1のビアランド34−1l及び金属配線7bと電気的に接続されている。
The first conductor layers M2, M12 and the second conductor layers M3, M13 are connected to each other by filled vias 34-2. The via 34-2 includes a via hole 34-2h, a via conductor 34-2s provided on the inner peripheral surface thereof, and a via land 34-2l projecting outward from the peripheral edge of the opening of the via conductor 34-2s. The via conductor 34-2s is electrically connected to the via land 34-1l of the via 34-1 and the
なお、第2の導体層M3,M13(金属端子パッド10,17)、並びにビア導体34−2s及びビアランド34−2lは、それぞれ以下に説明する本発明の製造方法に従って製造される。
The second conductor layers M3 and M13 (
以上のように、板状コア2の第1の主面MP1上には、コア導体層M1、第1のビア層V1、第1の導体層M2、第2のビア層V2及び第2の導体層M3が順次に積層され、第1の配線積層部L1を形成している。また、板状コア2の第2の主面MP2上においては、コア導体層M11、第1のビア層V11、第1の導体層M12、第2のビア層V12及び第2の導体層M13が順次に積層され、第2の配線積層部L2を形成している。そして、第1の主表面CP1上には複数の金属端子パッド10が形成されており、第2の主表面CP2上には、複数の金属端子パッド17が形成されている。
As described above, on the first main surface MP1 of the plate-
さらに、第1の主表面CP1上には開口部8aを有するソルダーレジスト層8が形成されており、開口部8aに露出した金属端子パッド10及びビアランド34−2l上には、無電解メッキによって形成したニッケルと金とを含む積層膜10aが形成されている。また、第2の主表面CP2上にも開口部18aを有するソルダーレジスト層18が形成されており、開口部18aに露出した金属端子パッド17及びビアランド34−2l上にはニッケルと金とを含む積層膜17aが形成されている。但し、積層膜17aを形成することなく、金属端子パッド17及びビアランド34−2lが直接開口部18aに対して露出するようにしてもよい。
Further, a solder resist
また、開口部8a内には、たとえばSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Sbなど実質的にPbを含有しないはんだからなる、はんだバンプ11が金属パッド10及びビアランド34−2lと電気的に接続するようにして形成されている。さらに、開口部18a内には図示しないはんだボールやピン等が金属パッド17及びビアランド34−2lと電気的に接続するようにして形成されている。
In addition, in the
なお、図1〜4から明らかなように、本実施形態における配線基板1は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約35mm×約35mm×約1mmとすることができる。 1 to 4, the wiring board 1 in the present embodiment has a substantially rectangular plate shape, and the size thereof can be, for example, about 35 mm × about 35 mm × about 1 mm.
(配線基板の製造方法)
次に、図1〜4に示す配線基板の製造方法について説明する。図5〜19は、本実施形態の製造方法おける工程図である。なお、以下に示す工程図は、図3に相当する、配線基板のI−I線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を示すものである。
(Method for manufacturing a wiring board)
Next, a method for manufacturing the wiring board shown in FIGS. 5 to 19 are process diagrams in the manufacturing method of the present embodiment. In addition, the process drawing shown below shows the sequential process when it sees in the cross section at the time of cutting along the II line of a wiring board corresponded to FIG.
最初に、図5に示すように、板形状の耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)または繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)を、コア2として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール12を穿孔する。次いで、図6に示すように、パターンメッキによりコア導体層M1,M11およびスルーホール導体30を形成し、スルーホール12に樹脂製穴埋め材31を充填する。
First, as shown in FIG. 5, a plate-shaped heat-resistant resin plate (for example, a bismaleimide-triazine resin plate) or a fiber reinforced resin plate (for example, a glass fiber reinforced epoxy resin) is prepared as a
次に、コア導体層M1,M11に粗化処理を施したのち、図7に示すように、コア導体層M1,M11を被覆するように樹脂フィルム6をラミネートおよび硬化させて、絶縁層V1,V11を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
Next, after roughening the core conductor layers M1 and M11, the
次いで、図8に示すように、絶縁層V1,V11(ビア層)に対してその主表面から炭酸ガスレーザ又はUVガスレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール34−1hを形成し、ビアホール34−1hを含む絶縁層V1及びV11に対して粗化処理を実施する。なお、炭酸ガスレーザ及びUVガスレーザの強度(出力)は、例えば10W〜200Wとする。絶縁層V1及びV11がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層V1及びV11に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層V1及びV11上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。 Next, as shown in FIG. 8, the insulating layer V1, V11 (via layer) is irradiated with a carbon dioxide laser or a UV gas laser from its main surface to form a via hole 34-1h in a predetermined pattern. A roughening process is performed on the insulating layers V1 and V11 including 1h. In addition, the intensity | strength (output) of a carbon dioxide laser and UV gas laser shall be 10W-200W, for example. When the insulating layers V1 and V11 include a filler, when the roughening process is performed on the insulating layers V1 and V11 as described above, the filler is released and remains on the insulating layers V1 and V11. Therefore, water washing is appropriately performed to remove the free filler.
次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール34−1h内を洗浄する。なお、本例では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。 Next, desmear processing and outline etching are performed to clean the inside of the via hole 34-1h. In addition, in this example, since water washing is implemented, the aggregation of the said filler can be suppressed in the case of water washing in a desmear process.
また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。 Moreover, in this example, an air blow can be performed between the water washing by the high water pressure mentioned above and the said desmear process. Thereby, even when the filler liberated by the water washing described above is not completely removed, the removal of the filler can be supplemented in the air blow.
次いで、図9に示すように、絶縁層V1、V11上にそれぞれ開口部41a,41bを有する第1のマスク41及び開口部42a,42bを有する第2のマスク42を配置し、第1のマスク41及び第2のマスク42を介してエキシマレーザを面照射する。すると、図10に示すように、絶縁層V1、V11には、それぞれ第1のマスク41の開口部41a及び第2のマスク42の開口部42aに相当する、金属配線7b用の配線溝6aが形成されるとともに、それぞれ第1のマスク41の開口部41b及び第2のマスク42の開口部42bに相当する、ビアランド34−1l用の溝6bが形成される。なお、エキシマレーザの強度(出力)は、例えば10W〜200Wとする。
Next, as shown in FIG. 9, a
配線溝6a及び溝6bは、エキシマレーザの面照射によって一括形成されるので、UVレーザ等を点照射した場合のように、点加工に基づく加工エッジ部分の形状がばらついてしまったり、多重照射による複数回の点加工によって、配線溝6a及び溝6bの深さがばらついてしまったりするなどの問題が生じない。その結果、配線溝6a内に形成する金属配線7b及び溝6b内に形成するビアランド34−1lの形状や厚さの変動を抑制することができ、特に配線基板1に形成すべき金属配線7bのインピーダンスが設計値と異なるようになることを防止し、配線基板1の製造歩留まりの低下を抑制することができる。
Since the
但し、形成しようとする配線基板1の大きさが比較的大きく、多数の配線溝6a及び溝6bを形成しなければならないような場合は、エキシマレーザ及び第1のマスク41、第2のマスク42を適宜移動させて、配線溝6a及び溝6bを絶縁層V1,V11の形成すべき箇所に順次に形成する。
However, when the size of the wiring substrate 1 to be formed is relatively large and a large number of
なお、配線溝6a及び溝6bは、絶縁層V1,V11を貫通させないようにして形成する。
The
また、本実施形態では、炭酸ガスレーザ又はUVガスレーザでビアホール34−1hを形成した後に、エキシマレーザの面照射によって配線溝6a及び溝6bを形成するようにしている。この際、ビアホール34−1lの底部にもエキシマレーザが照射されるようになるので、底部に残存する絶縁層V1,V11の加工残渣をエキシマレーザによる面照射によって除去してクリーニングすることができる。したがって、例えばデスミア工程における水洗浄及びこれに続くエアブローなどの操作を省略することもできる。
In the present embodiment, after forming the via hole 34-1h with a carbon dioxide laser or a UV gas laser, the
なお、ビアホール34−1hは、炭酸ガスレーザ又はUVガスレーザの代わりに、汎用の湿式あるいは乾式のエッチング処理によって形成することもできる。また、配線溝6a及び溝6bは、エキシマレーザの面照射の代わりに、汎用の湿式あるいは乾式のエッチング処理によって形成することもできる。
The via hole 34-1h can be formed by a general-purpose wet or dry etching process instead of the carbon dioxide laser or the UV gas laser. Further, the
次いで、図11に示すように、ビアホール34−1h内に、インクジェット装置51の先端部51Aを配置してCuペースト52を吐出し、図12に示すように、ビアホール34−1h内にビア導体34−1sを形成する。次いで、図13に示すように、配線溝6a、溝6b(図では6bについてのみ示している)内に、同じくインクジェット装置51の先端部51Aを配置してCuペースト52を吐出し、図14に示すように、配線溝6a内に金属配線7bを形成するとともに、溝6b内にビアランド34−1lを形成する。この結果、パターニングされた導体層M2,M12を得ることができる。
Next, as shown in FIG. 11, the
この場合、配線溝6a及び溝6bは、絶縁層V1,V11を貫通させないようにして形成しているので、特に金属配線7bを絶縁層V1,V11中に埋設するような形態で形成することができる。したがって、金属配線7bが微細化した場合においても脱落等を防止することができる。
In this case, since the
なお、溝6b内に形成したビアランド34−1lはビアパッド34−1pと電気的に接続され、このビアパッド34−1pは図示しない配線と電気的に接続されているので、ビアランド34−1lも配線(パターン)の一部を構成することになる。したがって、かかる観点より、本実施形態では、溝6bも配線溝の範疇に含まれるものである。
The via land 34-1l formed in the
図11及び図13では、インクジェット装置51の先端部51Aを、ビアホール34−1h及び配線溝6a,溝6b内に配置してCuペースト52を突出するようにしたが、必ずしもインクジェット装置51の先端部51Aをビアホール34−1h等内に配置した状態でCuペースト52を吐出させなくてもよい。しかしながら、インクジェット装置51の先端部51Aをビアホール34−1h等内に配置してCuペースト52を突出させることにより、充填すべきCuペーストの飛散を防止することができ、また、目的とする溝部内、すなわちビアホール34−1h等内に正確にCuペーストを充填することができる。
11 and 13, the
また、インクジェット装置51としては、サーマル方式のインクジェット装置及びピエゾ方式のインクジェット装置の少なくとも一方を用いることができる。これらのインクジェット装置は安価であるとともに入手も容易であり、上述したビアホール34−1h等内へのCuペースト52の充填を良好な状態で行うことができる。
Further, as the
さらに、図11〜図14に示す工程では、ビアホール34−1h内にCuペースト52を先に充填し、その後に配線溝6a,溝6b内にCuペースト52を充填するようにしている。この場合、ビアランド34−1l及び金属配線7bの均一性が向上する。
Furthermore, in the process shown in FIGS. 11 to 14, the
本実施形態では、インクジェット装置51を用いたインクジェット方式によって、ビアホール34−1h及び配線溝6a,溝6b内にCuペーストを吐出し、ビア導体34−1s、ビアランド34−1l及び金属配線7bを形成するようにしている。インクジェット方式によれば、先端部51Aに形成された開口部の大きさ、及びCuペースト52の吐出量を適宜に調整することによって、必要な箇所に必要な量のCuペースト52を塗布したり充填したりすることができる。
In the present embodiment, a Cu paste is ejected into the via hole 34-1h and the
したがって、このような特徴を有するインクジェット方式を用いれば、溝部の大きさ、すなわち幅、深さ等に応じた量のCuペーストを充填することができるので、ビアホール34−1h及び配線溝6a,溝6b内を丁度充填できるようなCuペースト52を供給することができる。この結果、メッキ法を用いた場合のように、絶縁層V1上にCu膜等が堆積することがなくなるので、この堆積したCu膜を除去するためのCMP等の後工程が不要となる。このため、ビア導体34−1s、ビアランド34−1l及び金属配線7bの形成、すなわち配線基板の製造を簡略化することができる。
Therefore, if an ink jet system having such characteristics is used, an amount of Cu paste can be filled according to the size of the groove, that is, the width, depth, etc., so that the via hole 34-1h, the
一般に、インクジェット方式でCuペーストを吐出させた場合、そのままでは塗布厚を十分に確保できない、あるいは塗布形状をスポットが連結したような完全な連続体として形成することが困難である。しかしながら、本実施形態では、インクジェット方式によるCuペーストの吐出を溝部内に行うので、吐出したCuペーストは溝部、例えばビアホール34−1hの壁面によって保持されるようになる。 In general, when Cu paste is ejected by an ink jet method, it is difficult to ensure a sufficient coating thickness as it is, or it is difficult to form the coating shape as a complete continuous body in which spots are connected. However, in the present embodiment, since the Cu paste is discharged into the groove by the ink jet method, the discharged Cu paste is held by the groove, for example, the wall surface of the via hole 34-1h.
このため、上述のように、Cuペーストの吐出量を適宜に調整することによって、吐出したCuペーストは溝部の壁面で保持されるようになり、所定の厚さを確保することができる。同様に、溝部の壁面からの押圧力によって、溝部内に吐出されたCuペーストは、スポット状ではなく、ほぼ完全な連続体として形成されるようになる。この結果、ビア導体34−1s、ビアランド34−1l及び金属配線7bは連続体として形成されることになり、電気的な不良を生じることがない。
For this reason, as described above, by appropriately adjusting the discharge amount of the Cu paste, the discharged Cu paste is held by the wall surface of the groove, and a predetermined thickness can be ensured. Similarly, the Cu paste discharged into the groove due to the pressing force from the wall surface of the groove is formed not as a spot but as a substantially complete continuous body. As a result, the via conductor 34-1s, the via land 34-1l, and the
次いで、第1の導体層M2,M12に粗化処理を施したのち、図15に示すように、第1の導体層M2,M12を被覆するように樹脂フィルム6をラミネートおよび硬化させて、絶縁層V2,V12を得る。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。
Next, after roughening the first conductor layers M2 and M12, the
次いで、図16に示すように、絶縁層V2,V12(ビア層)に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール34−2hを形成し、ビアホール34−2hを含む絶縁層V2及びV12に対して粗化処理を実施する。絶縁層V2及びV12がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層V2及びV12に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層V2及びV12上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール34−2hに対して、デスミア処理及び外形エッチング(アウトラインエッチング)を実施してビアホール34−2h内を洗浄する。 Next, as shown in FIG. 16, the insulating layers V2 and V12 (via layer) are irradiated with laser from the main surface to form via holes 34-2h in a predetermined pattern, and insulation including the via holes 34-2h. A roughening process is performed on the layers V2 and V12. When the insulating layers V2 and V12 include a filler, when the roughening process is performed on the insulating layers V2 and V12 as described above, the filler is released and remains on the insulating layers V2 and V12. Therefore, water washing and air blowing are appropriately performed as described above. Next, the via hole 34-2h is cleaned by performing desmear processing and outer shape etching (outline etching).
次いで、図17に示すように、図9〜図14及び段落[0043]〜[0057]に記載した方法と同様の方法によって、ビア導体34−2s、及びビアランド34−2l、金属端子パッド10,17を形成し、パターン化された第2の導体層M3,M13を形成する。
Next, as shown in FIG. 17, via conductors 34-2 s, via lands 34-2 l,
その後、図18に示すように、第2の導体層M3,M13上に、レジスト層8及び18をそれぞれ形成し、レジスト塗布、及び露光現像処理を施すことによって、図19に示すように、開口部8a及び18aを形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 18, resist
次いで、無電解メッキによって開口部8a及び18aに露出した金属端子パッド10、17、及びビアランド34−2l上に、例えば導体層としての積層膜10a及び17aを形成した後、開口部8aにおいては積層膜10a上にはんだバンプ11が積層膜10aを介して、金属端子パッド10及びビアランド34−2lと電気的に接触するように形成し、図1〜4に示すような配線基板1を得る。
Next, after forming the
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。 The present invention has been described in detail with specific examples. However, the present invention is not limited to the above contents, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.
例えば、本実施形態では、図8〜10に示すように、ビアホール34−1hを形成した後、配線溝6a及び溝6bを形成するようにしているが、配線溝6a及び溝6bを形成した後にビアホール34−1hを形成してもよい。但し、この場合は、ビアホール34−1hを形成した際に発生する、ビアホール34−1h底部に残存する絶縁層V1,V11の加工残渣をエキシマレーザによる面照射によって除去してクリーニングすることができない。したがって、デスミア工程における水洗浄及びこれに続くエアブローなどの操作の省略は困難となり、製造工程が多少煩雑化することになる。
For example, in the present embodiment, as shown in FIGS. 8 to 10, the
1 配線基板、
M1 コア導体層
V1 第1のビア層
M2 第1の導体層
V2 第2のビア層
M11 コア導体層
V11 第1のビア層
M12 第1の導体層
V12 第2のビア層
6a 配線溝
6b 溝
7a,7b 金属配線
8、18 ソルダーレジスト層
8a、18a 開口部
10a、17a ニッケル/金積層膜
34−1,34−2 ビア
34−1h,34−2h ビアホール
34−1l,34−2l ビアランド
34−1p ビアパッド
34−1s,34−2s ビア導体
41 第1のマスク
42 第2のマスク
51 インクジェット装置
1 Wiring board,
M1 Core conductor layer V1 First via layer M2 First conductor layer V2 Second via layer M11 Core conductor layer V11 First via layer M12 First conductor layer V12 Second via
Claims (4)
前記少なくとも1層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるCuペーストを充填するCuペースト充填工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。 A method of manufacturing a wiring board in which at least one conductor layer and a resin insulating layer are laminated,
A groove forming step of forming a groove in the at least one resin insulating layer;
A Cu paste filling step of filling the groove portion with a Cu paste to be the conductor layer using an inkjet device;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
前記Cuペースト充填工程において、前記インクジェット装置により、前記ビア孔にCuペーストを充填した後、前記導体層溝に前記導体層となるCuペーストを充填することを特徴とする、請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。 The groove includes a via hole and a conductor layer groove having different depths,
In the Cu paste filling step, the Cu paste serving as the conductor layer is filled in the conductor layer groove after filling the via hole with the Cu paste by the ink jet apparatus. The manufacturing method of the wiring board as described.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010248563A JP2012099769A (en) | 2010-11-05 | 2010-11-05 | Manufacturing method of wiring board |
TW100138650A TW201232703A (en) | 2010-11-05 | 2011-10-25 | Method of manufacturing wiring board |
US13/283,269 US20120110839A1 (en) | 2010-11-05 | 2011-10-27 | Method of manufacturing wiring board |
CN2011103459010A CN102468184A (en) | 2010-11-05 | 2011-11-03 | Method of manufacturing wiring board |
KR1020110115127A KR20120048523A (en) | 2010-11-05 | 2011-11-07 | Method of manufacturing wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=46391313
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Country Status (1)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005062355A (en) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | Method for forming bank, method for forming wiring pattern, optoelectronic device and electronic appliance |
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JP2005062355A (en) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | Method for forming bank, method for forming wiring pattern, optoelectronic device and electronic appliance |
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