JP2012099676A - Template processing method, program, computer storage medium and template processing unit - Google Patents

Template processing method, program, computer storage medium and template processing unit Download PDF

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    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply process liquid to the pattern region of a template while reducing the amount of process liquid supply onto the template.SOLUTION: A process liquid application jig 110 is arranged to face a template T so that the coated surface 111 of the process liquid application jig 110 covers the pattern region Dof the template T, and the distance of a clearance 116 between the coated surface 111 and the pattern region Dbecomes the distance of generating capillary phenomenon of a mold release agent S (Fig. 12(a)). Subsequently, the mold release agent S is supplied from a process liquid supply section 120 to the clearance 116, and the mold release agent S is diffused only onto the pattern region Dby capillary phenomenon (Figs. 12(b)-(d)). Thereafter, the mold release agent S is dried by blowing air thereto from an air nozzle 150 (Fig. 12(e)).

Description

本発明は、テンプレートの表面において所定パターンが形成されたパターン領域上に処理液を塗布し、当該パターン領域を処理するテンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置に関する。   The present invention relates to a template processing method, a program, a computer storage medium, and a template processing apparatus for applying a processing liquid onto a pattern area where a predetermined pattern is formed on the surface of a template and processing the pattern area.

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。   When the resist pattern described above is formed, the resist pattern is required to be miniaturized in order to achieve higher integration of the semiconductor device. In general, the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. For this reason, it has been advancing to shorten the wavelength of exposure light. However, there are technical and cost limitations to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern on the order of several nanometers, for example, only by the method of advancing the wavelength of light. is there.

そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート(モールドや型と呼ばれることもある。)をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである(特許文献1)。   Therefore, in recent years, it has been proposed to form a fine resist pattern on a wafer by using a so-called imprint method instead of performing a photolithography process on the wafer. In this method, a template (sometimes called a mold or a mold) having a fine pattern on the surface is pressure-bonded to the resist surface formed on the wafer, then peeled off, and the pattern is directly transferred to the resist surface. (Patent Document 1).

特開2009−43998号公報JP 2009-43998 A

上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型剤が成膜されている。   On the surface of the template used in the above-described imprinting method, a release agent having liquid repellency with respect to the resist is usually formed in order to make the template easy to peel from the resist.

テンプレートの表面に離型剤を成膜する際には、先ず、テンプレートの表面を洗浄した後、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する。次に、成膜される離型剤が所定の接触角を有してレジストに対する撥液性機能を発揮できるようにするため、離型剤をテンプレートの表面に密着させる。具体的には、離型剤とテンプレートの表面を化学反応させて、離型剤中に含まれる成分のうち、レジストに対して撥液性を有する成分、例えばフッ化物成分をテンプレートの表面に吸着させる。その後、離型剤にリンス液を塗布して当該離型剤の未反応部を除去し、テンプレートの表面に所定の膜厚の離型剤が成膜される。なお、離型剤の未反応部とは、離型剤がテンプレートの表面と化学反応して密着する部分以外をいう。   When forming a release agent on the surface of the template, first, after cleaning the surface of the template, the release agent is applied to the surface of the template. Next, the release agent is adhered to the surface of the template so that the release agent to be formed has a predetermined contact angle and can exhibit a liquid repellency function with respect to the resist. Specifically, by chemically reacting the mold release agent and the template surface, among the components contained in the mold release agent, a component having liquid repellency to the resist, such as a fluoride component, is adsorbed on the template surface. Let Thereafter, a rinse liquid is applied to the release agent to remove the unreacted portion of the release agent, and a release agent having a predetermined film thickness is formed on the surface of the template. The unreacted part of the release agent means a part other than the part where the release agent is chemically reacted with the surface of the template.

上述した離型剤やリンス液などの処理液をテンプレート上に塗布する際には、例えばスピン式塗布や、ノズル噴霧式塗布、浸漬式塗布などの方法が用いられる。スピン式塗布方法は、回転中のテンプレート上に処理液を供給して、遠心力によってテンプレート上に処理液を拡散させる方法である。ノズル噴霧式塗布は、霧状の処理液をテンプレート上に噴霧する方法である。浸漬式塗布は、テンプレートを処理液中に浸漬させる方法である。   When the treatment liquid such as the release agent or the rinse liquid described above is applied on the template, for example, a spin coating method, a nozzle spray coating method, a dip coating method, or the like is used. The spin coating method is a method of supplying a processing liquid onto a rotating template and diffusing the processing liquid on the template by centrifugal force. Nozzle spray application is a method of spraying a mist-like treatment liquid onto a template. Immersion coating is a method in which a template is immersed in a processing solution.

ここで、テンプレートにおいて離型剤が成膜されている必要がある範囲は、テンプレートのパターンが形成されているパターン領域のみである。すなわち、パターン領域以外のテンプレート表面は、ウェハ上のレジスト表面に圧着されることがないため、離型剤が成膜されている必要がない。しかしながら、上述した従来のいずれの塗布方法を用いても、処理液はテンプレートの表面全面に塗布され、パターン領域のみに処理液を塗布するように制御できない。また、従来の塗布方法では不必要な部分にも処理液を塗布しており、多量の処理液を必要とする。したがって、処理液の省量化に向けて改善の余地があった。   Here, the range in which the release agent needs to be formed on the template is only the pattern region where the template pattern is formed. That is, since the template surface other than the pattern region is not pressure-bonded to the resist surface on the wafer, it is not necessary to form a release agent. However, even if any of the above-described conventional coating methods is used, the processing liquid is applied to the entire surface of the template and cannot be controlled so that the processing liquid is applied only to the pattern region. In addition, the treatment liquid is also applied to unnecessary portions in the conventional coating method, and a large amount of the treatment liquid is required. Therefore, there has been room for improvement in order to save the processing liquid.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレート上への処理液の供給量を抑えつつ、当該テンプレートのパターン領域に処理液を適切に供給することを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that a processing liquid is appropriately supplied to a pattern region of the template while suppressing a supply amount of the processing liquid on the template.

前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面において所定パターンが形成されたパターン領域上に処理液を塗布し、当該パターン領域を処理するテンプレート処理方法であって、前記パターン領域上に前記処理液を塗布するための処理液塗布治具の塗布面が少なくとも前記パターン領域を覆い、且つ前記塗布面と前記パターン領域との間の距離が前記処理液の毛細管現象を発生させる距離となるように、前記処理液塗布治具を前記テンプレートに対向して配置する配置工程と、その後、前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給する供給工程と、その後、前記供給された処理液を毛細管現象によって前記パターン領域上にのみ拡散させる拡散工程と、を有することを特徴としている。なお、塗布面は例えば平坦面である。   In order to achieve the above object, the present invention provides a template processing method for applying a processing liquid onto a pattern area where a predetermined pattern is formed on the surface of a template, and processing the pattern area. The application surface of the treatment liquid application jig for applying the treatment liquid covers at least the pattern region, and the distance between the application surface and the pattern region is a distance at which capillary action of the treatment liquid occurs. As described above, the disposing step of disposing the processing liquid application jig so as to face the template, the supplying step of supplying the processing liquid between the application surface and the pattern region, and then the supply And a diffusion step of diffusing the treated liquid only on the pattern region by capillary action. The application surface is, for example, a flat surface.

本発明によれば、処理液塗布治具の塗布面とテンプレートのパターン領域との間に供給された処理液は、毛細管現象によって塗布面とパターン領域との間を拡散する。すなわち、処理液はパターン領域上にのみ拡散する。したがって、処理液は、パターン領域上に適切に塗布される。しかも、処理液はパターン領域以外のテンプレート表面に拡散しないため、処理液の供給量を従来よりも少量に抑えることができ、処理液のコストを低廉化することができる。   According to the present invention, the treatment liquid supplied between the application surface of the treatment liquid application jig and the pattern region of the template diffuses between the application surface and the pattern region by capillary action. That is, the processing liquid diffuses only on the pattern area. Therefore, the processing liquid is appropriately applied on the pattern area. In addition, since the processing liquid does not diffuse on the template surface other than the pattern region, the supply amount of the processing liquid can be suppressed to a smaller amount than before, and the cost of the processing liquid can be reduced.

前記供給工程と前記拡散工程は、複数種類の処理液に対して行われてもよい。複数種類の処理液には、例えば離型剤、離型剤とテンプレート表面との密着性を向上させるためのアルコール、離型剤をリンスするリンス液、テンプレート表面を洗浄する洗浄液などが用いられる。   The supply step and the diffusion step may be performed on a plurality of types of processing liquids. For the plural types of treatment liquids, for example, a mold release agent, alcohol for improving the adhesion between the mold release agent and the template surface, a rinse liquid for rinsing the mold release agent, a cleaning liquid for cleaning the template surface, and the like are used.

前記供給工程において、少なくとも前記塗布面に形成された第1の供給口又は前記塗布面の外側に設けられた第2の供給口から供給されてもよい。かかる場合、少なくとも前記第1の供給口又は前記第2の供給口は、複数設けられていてもよい。   In the supplying step, at least a first supply port formed on the application surface or a second supply port provided outside the application surface may be used. In such a case, a plurality of at least the first supply port or the second supply port may be provided.

前記拡散工程において、前記処理液に超音波振動を付与してもよい。   In the diffusion step, ultrasonic vibration may be applied to the treatment liquid.

前記拡散工程後、前記パターン領域上の前記処理液を乾燥させる乾燥工程をさらに有していてもよい。かかる場合、前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液に空気を吹き付けてもよい。また、前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液を加熱してもよい。さらに、前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液の周囲の雰囲気を減圧してもよい。   You may further have the drying process which dries the said process liquid on the said pattern area | region after the said diffusion process. In such a case, in the drying step, air may be blown onto the processing liquid on the pattern region. In the drying step, the treatment liquid on the pattern region may be heated. Furthermore, in the drying step, an atmosphere around the processing liquid on the pattern region may be reduced.

別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the template processing apparatus in order to cause the template processing apparatus to execute the template processing method.

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

さらに別な観点による本発明は、テンプレートの表面において所定パターンが形成されたパターン領域上に処理液を塗布し、当該パターン領域を処理するテンプレート処理装置であって、前記パターン領域よりも大きい塗布面を備えた処理液塗布治具と、前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給する処理液供給部と、前記塗布面が少なくとも前記パターン領域を覆い、且つ前記塗布面と前記パターン領域との間の距離が前記処理液の毛細管現象を発生させる距離となるように、前記処理液塗布治具を前記テンプレートに対向して配置し、その後、前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給し、その後、前記供給された処理液を毛細管現象によって前記パターン領域上にのみ拡散させるように、前記処理液塗布治具と前記処理液供給部を制御する制御部と、を有することを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a template processing apparatus for applying a processing liquid onto a pattern area where a predetermined pattern is formed on the surface of a template, and processing the pattern area, the application surface being larger than the pattern area. A treatment liquid application jig comprising: a treatment liquid supply unit that supplies the treatment liquid between the application surface and the pattern region; and the application surface covers at least the pattern region; and The treatment liquid application jig is arranged to face the template so that the distance between the pattern area and the treatment liquid becomes a distance that causes capillary action of the treatment liquid, and then the application surface and the pattern area The treatment liquid is applied so that the treatment liquid is supplied in the middle, and then the supplied treatment liquid is diffused only on the pattern region by capillary action. Is characterized by having a control unit for controlling the processing solution supply unit and the tool, the.

前記処理液供給部は、複数種類の処理液を供給してもよい。   The processing liquid supply unit may supply a plurality of types of processing liquids.

前記処理液供給部は、少なくとも前記塗布面に形成された前記処理液の第1の供給口又は前記塗布面の外側に設けられた前記処理液の第2の供給口を有していてもよい。かかる場合、少なくとも前記第1の供給口又は前記第2の供給口は、複数設けられていてもよい。また、前記処理液供給部が前記第1の供給口を有する場合において、当該処理液供給部は、前記第1の供給口と同じ径を有し且つ前記第1の供給口に接続された第1の供給路と、前記第1の供給口よりも大きい径を有し且つ前記第1の供給路に接続された第2の供給路とを有していてもよい。   The treatment liquid supply unit may include at least a first supply port of the treatment liquid formed on the application surface or a second supply port of the treatment liquid provided outside the application surface. . In such a case, a plurality of at least the first supply port or the second supply port may be provided. Further, when the processing liquid supply unit has the first supply port, the processing liquid supply unit has the same diameter as the first supply port and is connected to the first supply port. One supply path and a second supply path having a diameter larger than that of the first supply port and connected to the first supply path may be included.

前記塗布面と前記パターン領域との間を拡散する前記処理液に超音波振動を付与する振動機構を有していてもよい。   You may have the vibration mechanism which provides an ultrasonic vibration to the said process liquid which diffuses between the said coating surface and the said pattern area | regions.

前記処理液塗布治具は、前記塗布面の周囲に環状に形成され、前記パターン領域が形成されていない前記テンプレートの表面と接触して、前記処理液塗布治具と前記テンプレートとの間に処理空間を形成する接触面と、前記接触面に環状に設けられ、前記処理空間内の気密性を保持するためのシール材と、前記処理空間内の雰囲気を排気するための排気口と、を有していてもよい。   The treatment liquid application jig is formed in an annular shape around the application surface, and is in contact with the surface of the template on which the pattern region is not formed, so that a treatment is performed between the treatment liquid application jig and the template. A contact surface that forms a space; an annular seal member provided on the contact surface for maintaining airtightness in the processing space; and an exhaust port for exhausting the atmosphere in the processing space. You may do it.

前記パターン領域上に塗布された前記処理液に空気を吹き付ける空気供給部を有していてもよい。また、前記パターン領域上に塗布された前記処理液を加熱する加熱処理部を有していてもよい。   You may have the air supply part which blows air on the said process liquid apply | coated on the said pattern area | region. Moreover, you may have the heat processing part which heats the said process liquid apply | coated on the said pattern area | region.

前記塗布面には、メッシュ板が設けられていてもよい。   A mesh plate may be provided on the application surface.

本発明によれば、テンプレート上への処理液の供給量を抑えつつ、当該テンプレートのパターン領域に処理液を適切に供給することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a process liquid can be appropriately supplied to the pattern area | region of the said template, suppressing the supply amount of the process liquid on a template.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. テンプレートの平面図である。It is a top view of a template. テンプレートの側面図である。It is a side view of a template. 塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating unit. 処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a process liquid application jig | tool. 処理液塗布治具の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a process liquid application jig | tool. 洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. 洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the template process. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)は処理液塗布治具を所定の位置に配置した様子を示し、(b)は処理液供給部に離型剤が供給された様子を示し、(c)は塗布面とパターン領域との間の隙間を離型剤が拡散する様子を示し、(d)はパターン領域上に離型剤が塗布された様子を示し、(e)は離型剤を乾燥させた様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the process liquid application jig | tool has been arrange | positioned in the predetermined position, (b) is separated to a process liquid supply part. (C) shows how the mold release agent diffuses in the gap between the application surface and the pattern area, and (d) shows the mold release agent applied on the pattern area. A state is shown, (e) shows a mode that the mold release agent was dried. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)は処理液塗布治具を所定の位置に配置した様子を示し、(b)は処理液供給部にアルコールが供給された様子を示し、(c)は塗布面とパターン領域上の離型剤との間の隙間をアルコールが拡散する様子を示し、(d)は離型剤上にアルコールが塗布された様子を示し、(e)はアルコールを乾燥除去した様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the process liquid application | coating jig | tool has been arrange | positioned in the predetermined position, (b) shows alcohol in a process liquid supply part. (C) shows how alcohol diffuses in the gap between the coating surface and the mold release agent on the pattern area, and (d) shows alcohol applied on the mold release agent. (E) shows a state where alcohol is removed by drying. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)は処理液塗布治具を所定の位置に配置した様子を示し、(b)は処理液供給部にリンス液が供給された様子を示し、(c)は塗布面とパターン領域上の離型剤との間の隙間をリンス液が拡散する様子を示し、(d)は離型剤上にリンス液が塗布された様子を示し、(e)はリンス液を乾燥除去した様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the process liquid application | coating jig | tool has been arrange | positioned in the predetermined position, (b) is a process liquid supply part rinsed (C) shows how the rinsing liquid diffuses in the gap between the coating surface and the mold release agent on the pattern area, and (d) shows the rinsing liquid on the mold release agent. The state where the rinsing liquid was dried and removed is shown. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)は処理液塗布治具を所定の位置に配置した様子を示し、(b)は処理液供給部に洗浄液が供給された様子を示し、(c)は塗布面とパターン領域との間の隙間を洗浄液が拡散する様子を示し、(d)はパターン領域上に洗浄液が塗布された様子を示し、(e)は洗浄液を乾燥除去した様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the process liquid application | coating jig | tool has been arrange | positioned in the predetermined position, (b) is a cleaning liquid in a process liquid supply part. (C) shows how the cleaning liquid diffuses in the gap between the application surface and the pattern area, (d) shows how the cleaning liquid is applied on the pattern area, and (e ) Shows how the cleaning liquid is removed by drying. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる処理液塗布治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the process liquid application jig | tool concerning other embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the imprint system provided with the template processing apparatus concerning this Embodiment. インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint unit. インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of an imprint unit. インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the imprint process. インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、(b)はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、(c)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、(d)はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template and wafer in each process of an imprint process, (a) shows a mode that the resist liquid was apply | coated on the wafer, (b) shows the resist film on a wafer. FIG. 3C shows a state in which photopolymerization is performed, FIG. 3C shows a state in which a resist pattern is formed on the wafer, and FIG. 3D shows a state in which a remaining film on the wafer is removed.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1の構成の概略を示す平面図である。図2及び図3は、テンプレート処理装置1の構成の概略を示す側面図である。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of the template processing apparatus 1 according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the configuration of the template processing apparatus 1. In the drawings used in the following description, the dimensions of each component do not necessarily correspond to the actual dimensions in order to prioritize easy understanding of the technology.

本実施の形態のテンプレート処理装置1では、図4及び図5に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成されたテンプレートTが用いられる。以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面Tといい、当該表面Tと反対側の面を裏面Tという。また、テンプレートTの表面Tにおいて、転写パターンCが形成されている領域をパターン領域Dといい、その外側の領域であって、転写パターンCが形成されていない領域を外側領域Dという。パターン領域Dは、外側領域Dより突出した台状形状を有している。なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。 In the template processing apparatus 1 of the present embodiment, a template T having a rectangular parallelepiped shape and having a predetermined transfer pattern C formed on the surface is used as shown in FIGS. Hereinafter, the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2. Further, on the surface T 1 of the template T, a region where the transfer pattern C is formed is referred to as a pattern region D 1, and a region outside the region where the transfer pattern C is not formed is referred to as an outer region D 2. . Pattern area D 1 has a protruding from the outer region D 2 trapezoidal shape. For the template T, a transparent material that can transmit visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, or the like, such as glass, is used.

テンプレート処理装置1は、図1に示すように複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とテンプレート処理装置1との間で搬入出したり、テンプレートカセットCに対してテンプレートTを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション2と、テンプレートTに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。 Template processing unit 1 includes a plurality as shown in FIG. 1, for example, five of the template T or transferring, between the outside and the template processing apparatus 1 with the cassette unit, carrying out a template T the template cassette C T The template loading / unloading station 2 and the processing station 3 including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the template T are integrally connected.

テンプレート搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のテンプレートカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション2は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。 The template loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 can mount a plurality of template cassettes CT in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). That is, the template carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of templates T.

テンプレート搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なテンプレート搬送体12が設けられている。テンプレート搬送体12は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、テンプレートカセットCと処理ステーション3との間でテンプレートTを搬送できる。 The template carry-in / out station 2 is provided with a template carrier 12 that can move on a conveyance path 11 extending in the X direction. The template transport body 12 is also movable in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and can transport the template T between the template cassette CT and the processing station 3.

処理ステーション3には、その中心部に搬送ユニット20が設けられている。この搬送ユニット20の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックG1〜G4が配置されている。処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2が順に配置されている。処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第3の処理ブロックG3、第4の処理ブロックG4が順に配置されている。処理ステーション3のテンプレート搬入出ステーション2側には、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット21が配置されている。   The processing station 3 is provided with a transport unit 20 at the center thereof. Around the transport unit 20, for example, four processing blocks G1 to G4 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged. A first processing block G1 and a second processing block G2 are arranged in this order from the template loading / unloading station 2 side on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1). A third processing block G3 and a fourth processing block G4 are arranged in this order from the template loading / unloading station 2 side on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). A transition unit 21 for delivering the template T is disposed on the template loading / unloading station 2 side of the processing station 3.

搬送ユニット20は、テンプレートTを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット20は、処理ブロックG1〜G4内に配置された後述する各種処理ユニット、及びトランジションユニット21に対してテンプレートTを搬送できる。   The transport unit 20 has a transport arm that holds and transports the template T and is movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction. And the conveyance unit 20 can convey the template T with respect to the various processing units mentioned later and the transition unit 21 which are arrange | positioned in the processing blocks G1-G4.

第1の処理ブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートTに各種処理液を塗布して、当該テンプレートTのパターン領域Dに離型剤を成膜する塗布ユニット30、31が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックG2も同様に、塗布ユニット32、33が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2の最下段には、前記塗布ユニット30〜33に各種処理液を供給するためのケミカル室34、35がそれぞれ設けられている。 The first processing block G1, a plurality of liquid processing units, as shown in FIG. 2, for example by applying processing solutions to the template T, forming the release agent on the pattern area D 1 of the said template T applied Units 30 and 31 are stacked in two stages in order from the bottom. Similarly, in the second processing block G2, the coating units 32 and 33 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 34 and 35 for supplying various processing liquids to the coating units 30 to 33 are provided at the lowermost stages of the first processing block G1 and the second processing block G2, respectively.

第3の処理ブロックG3には、図3に示すようにテンプレートTに対して紫外線を照射し、テンプレートT上に離型剤が成膜される前の表面Tを洗浄する洗浄ユニット40、41が下から順に2段に重ねられている。 The third processing block G3, the cleaning unit 40, 41 which ultraviolet rays are irradiated to the template T as shown in FIG. 3, the release agent on the template T is to clean the surface T 1 of the before the deposition Are stacked in two steps from the bottom.

第4の処理ブロックG4にも、第3の処理ブロックG3と同様に、洗浄ユニット42、43が下から順に2段に重ねられている。   In the fourth processing block G4, as in the third processing block G3, the cleaning units 42 and 43 are stacked in two stages in order from the bottom.

次に、上述した塗布ユニット30〜33の構成について説明する。塗布ユニット30は、図6に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器100を有している。   Next, the structure of the coating units 30 to 33 described above will be described. As shown in FIG. 6, the coating unit 30 has a processing container 100 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器100内の底面には、テンプレートTが載置される載置台101が設けられている。テンプレートTは、その表面Tが上方を向くように載置台101の上面に載置される。載置台101内には、テンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン102が設けられている。昇降ピン102は、昇降駆動部103により上下動できる。載置台101の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔104が形成されおり、昇降ピン102は、貫通孔104を挿通するようになっている。 A mounting table 101 on which the template T is mounted is provided on the bottom surface in the processing container 100. Template T has a surface T 1 is placed on the top surface of the mounting table 101 to face upward. In the mounting table 101, raising / lowering pins 102 for supporting the template T from below and raising / lowering it are provided. The elevating pin 102 can be moved up and down by the elevating drive unit 103. A through hole 104 penetrating the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 101, and the elevating pin 102 is inserted through the through hole 104.

載置台101の上方には、テンプレートTのパターン領域D上に処理液を塗布するための処理液塗布治具110が設けられている。処理液塗布治具110は、載置台101上のテンプレートTに対向して配置されている。 Above the mounting table 101, the process liquid coating fixture 110 for applying a treatment liquid onto the pattern area D 1 of the template T is provided. The treatment liquid application jig 110 is disposed to face the template T on the mounting table 101.

処理液塗布治具110は、図7及び図8に示すように略直方体形状を有している。処理液塗布治具110の下面には、少なくともテンプレートTのパターン領域Dを覆うように、当該パターン領域Dより大きい塗布面111が形成されている。なお、本実施の形態においては、塗布面111とパターン領域Dはほぼ同じ大きさである。塗布面111の外側には、上方に窪んだ窪み部112が環状に形成されている。さらに、窪み部112の外側には、壁部113が環状に形成されている。壁部113の下面は、外側領域Dと接触する接触面114を形成している。そして、この接触面112が外側領域Dに接触することで、壁体113とテンプレートTに囲まれた処理空間115が形成される。すなわち、処理空間115は、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116と、窪み部113とを含む空間である。なお、処理空間115内の気密性を保持するため、接触面114には、シール材としてのOリング117が環状に設けられている。また、処理液塗布治具110は、後述するようにパターン領域D上に処理液を塗布する際に、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが処理液の毛細管現象を発生させる距離、例えば0.01mm〜0.1mmとなるように構成されている。なお、距離Hを大きくすると隙間116を拡散する処理液の拡散速度は速くなり、距離Hを小さくすると処理液の拡散速度は遅くなる。 The treatment liquid application jig 110 has a substantially rectangular parallelepiped shape as shown in FIGS. An application surface 111 larger than the pattern region D 1 is formed on the lower surface of the treatment liquid application jig 110 so as to cover at least the pattern region D 1 of the template T. In this embodiment, the coated surface 111 and the pattern area D 1 is approximately the same size. On the outside of the application surface 111, a recess 112 that is recessed upward is formed in an annular shape. Further, a wall 113 is formed in an annular shape outside the recess 112. The lower surface of the wall portion 113 forms a contact surface 114 that contacts the outer region D 2. Then, the contact surface 112 that contacts the outer region D 2, the processing space 115 surrounded by the wall 113 and the template T are formed. That is, the processing space 115 is a space which includes a gap 116 between the coated surface 111 and the pattern area D 1, and a recess 113. In order to maintain airtightness in the processing space 115, the contact surface 114 is provided with an O-ring 117 as a seal material in an annular shape. Further, the treatment liquid application jig 110, when applying the treatment liquid onto the pattern area D 1 as described later, generates a capillary distance H treatment liquid between the coated surface 111 and the pattern area D 1 It is comprised so that it may become the distance to be made, for example, 0.01 mm-0.1 mm. When the distance H is increased, the diffusion rate of the processing liquid that diffuses through the gap 116 is increased, and when the distance H is decreased, the diffusion rate of the processing liquid is decreased.

処理液塗布治具110の中央部には、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116に処理液を供給する処理液供給部120が設けられている。処理液供給部120は、処理液塗布治具110を厚み方向に貫通して設けられている。 The central portion of the processing liquid coating jig 110, the treatment liquid supplying section 120 for supplying the processing liquid into the gap 116 is provided between the coating surface 111 and the pattern region D 1. The treatment liquid supply unit 120 is provided so as to penetrate the treatment liquid application jig 110 in the thickness direction.

処理液供給部120は、塗布面111に形成された処理液の第1の供給口121と、第1の供給口121に接続され、鉛直上方に延伸する第1の供給路122と、さらに第1の供給路122に接続され、鉛直上方に延伸する第2の供給路123とを有している。第1の供給口121の径と第1の供給路122の径は、同じ微小な径であって、例えば0.5mmである。第2の供給路123の径は、第1の供給路122の径より大きく、例えば5mmである。したがって、第1の供給路122と第2の供給路122との間には、上方に向かって径が大きくなるテーパ部124が形成されている。このテーパ部124のテーパ角度θは、例えば120度である。なお、第1の供給路122と第2の供給路123の径は本実施の形態に限定されず、第2の供給路123の径が第1の供給路122よりも大きければよい。   The processing liquid supply unit 120 includes a first supply port 121 for the processing liquid formed on the coating surface 111, a first supply path 122 connected to the first supply port 121 and extending vertically upward, and further And a second supply path 123 that is connected to one supply path 122 and extends vertically upward. The diameter of the first supply port 121 and the diameter of the first supply path 122 are the same minute diameter, for example, 0.5 mm. The diameter of the second supply path 123 is larger than the diameter of the first supply path 122, for example, 5 mm. Therefore, a tapered portion 124 whose diameter increases upward is formed between the first supply path 122 and the second supply path 122. The taper angle θ of the taper portion 124 is, for example, 120 degrees. Note that the diameters of the first supply path 122 and the second supply path 123 are not limited to the present embodiment, and the diameter of the second supply path 123 may be larger than that of the first supply path 122.

処理液供給部120からは、複数種類、例えば離型剤、アルコール、リンス液の3種類の処理液が供給される。図6に示すように処理液供給部120の第2の供給路123には、第1の供給管130、第2の供給管131及び第3の供給管132が接続されている。   From the treatment liquid supply unit 120, a plurality of kinds of treatment liquids, for example, a mold release agent, alcohol, and a rinse liquid are supplied. As shown in FIG. 6, a first supply pipe 130, a second supply pipe 131, and a third supply pipe 132 are connected to the second supply path 123 of the processing liquid supply unit 120.

第1の供給管130は、内部に離型剤を貯留する離型剤供給源133に連通している。また、第1の供給管130には、離型剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群134が設けられている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素炭素系化合物等が用いられる。   The first supply pipe 130 communicates with a release agent supply source 133 that stores the release agent therein. Further, the first supply pipe 130 is provided with a supply device group 134 including a valve for controlling the flow of the release agent, a flow rate adjusting unit, and the like. Note that a material having a liquid repellency with respect to a resist film on the wafer, which will be described later, such as a fluorine-carbon compound, is used as the material of the release agent.

第2の供給管131は、内部に常温のアルコール、例えばt−ペンチルアルコールを貯留するアルコール供給源135に連通している。また、第2の供給管131には、アルコールの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群136が設けられている。なお、アルコールはアルコール類であればよく、t−ペンチルアルコール以外の他のアルコールを用いてもよい。例えばエタノール、メタノール、プローパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノールを用いてもよく、あるいはこれらのアルコールの混合物を用いてもよい。また、アルコールの濃度は特に限定されないが、100%であることが好ましい。さらに、本実施の形態では常温のアルコールを用いているが、アルコールが結露するのを抑制するため、例えば70℃以下に加熱したアルコールを用いてもよい。   The second supply pipe 131 communicates with an alcohol supply source 135 that stores room temperature alcohol, for example, t-pentyl alcohol. In addition, the second supply pipe 131 is provided with a supply device group 136 including a valve for controlling the flow of alcohol, a flow rate adjusting unit, and the like. In addition, alcohol should just be alcohol and you may use alcohol other than t-pentyl alcohol. For example, ethanol, methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol may be used, or a mixture of these alcohols may be used. The concentration of alcohol is not particularly limited, but is preferably 100%. Furthermore, although normal temperature alcohol is used in the present embodiment, alcohol heated to, for example, 70 ° C. or less may be used in order to suppress the condensation of alcohol.

第3の供給管132は、内部にリンス液、例えば離型剤の溶剤を貯留するリンス液供給源137に連通している。また、第3の供給管132には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群138が設けられている。   The third supply pipe 132 communicates with a rinse liquid supply source 137 that stores therein a rinse liquid, for example, a solvent for a release agent. Further, the third supply pipe 132 is provided with a supply device group 138 including a valve for controlling the flow of the rinse liquid, a flow rate adjusting unit, and the like.

図7及び図8に示すように壁体113には、処理空間115内の雰囲気を排気するための排気口140が形成されている。排気口140には、図6に示すよう排気管141を介して処理空間115内の雰囲気を真空引きする真空ポンプ142が接続されている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the wall body 113 is formed with an exhaust port 140 for exhausting the atmosphere in the processing space 115. A vacuum pump 142 that evacuates the atmosphere in the processing space 115 is connected to the exhaust port 140 through an exhaust pipe 141 as shown in FIG.

図7及び図8に示すように壁体113の内側には、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116に空気、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気を吹き付ける空気供給部としてのエアノズル150が設けられている。エアノズル150は、塗布面111を挟んで排気口140に対向する位置に配置されている。また、エアノズル150は、パターン領域D(塗布面111)の一辺に沿ってX方向に延伸して設けられている。そして、エアノズル150は、後述するようにパターン領域D上に塗布された処理液に空気を吹き付けて、当該処理液を乾燥させることができる。なお、エアノズル150の形状は、本実施の形態に限定されず、種々の形状を用いることができる。 As shown in FIGS. 7 and 8, an air supply unit that blows air, for example, an inert gas such as nitrogen or dry air, into the gap 116 between the coating surface 111 and the pattern region D 1 is provided inside the wall body 113. The air nozzle 150 is provided. The air nozzle 150 is disposed at a position facing the exhaust port 140 with the application surface 111 interposed therebetween. The air nozzle 150 is provided so as to extend in the X direction along one side of the pattern region D 1 (application surface 111). The air nozzle 150 can by blowing air, drying the treatment liquid in the treatment liquid applied onto the pattern area D 1 as described below. In addition, the shape of the air nozzle 150 is not limited to this Embodiment, A various shape can be used.

処理容器100の天井面であって、処理液塗布治具110の上方には、図6に示すように処理液塗布治具110を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構160が設けられている。移動機構160は、処理液塗布治具110を支持する支持部材161と、支持部材161を支持し、処理液塗布治具110を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部162とを有している。   A moving mechanism 160 that moves the processing liquid application jig 110 in the vertical direction and the horizontal direction as shown in FIG. 6 is provided on the ceiling surface of the processing container 100 and above the processing liquid application jig 110. . The moving mechanism 160 includes a support member 161 that supports the treatment liquid application jig 110, and a jig driving unit 162 that supports the support member 161 and moves the treatment liquid application jig 110 in the vertical direction and the horizontal direction. Have.

なお、塗布ユニット31〜33の構成は、上述した塗布ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the coating units 31-33 is the same as that of the coating unit 30 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

次に、上述した洗浄ユニット40〜43の構成について説明する。洗浄ユニット40は、図9に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器170を有している。   Next, the structure of the washing | cleaning units 40-43 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 9, the cleaning unit 40 has a processing container 170 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器170内には、テンプレートTを吸着保持するチャック171が設けられている。チャック171は、テンプレートTの表面Tが上方を向くように、その裏面Tを吸着保持する。チャック171の下方には、チャック駆動部172が設けられている。このチャック駆動部172は、処理容器170内の底面に設けられ、Y方向に沿って延伸するレール173上に取付けられている。このチャック駆動部172により、チャック171はレール173に沿って移動できる。 A chuck 171 for attracting and holding the template T is provided in the processing container 170. Chuck 171, the surface T 1 of the template T to face upward, suction-holds the rear surface T 2. A chuck driving unit 172 is provided below the chuck 171. The chuck driving unit 172 is provided on the bottom surface in the processing container 170 and is mounted on a rail 173 extending along the Y direction. The chuck 171 can be moved along the rail 173 by the chuck driving unit 172.

処理容器170内の天井面であって、レール173の上方には、チャック171に保持されたテンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部174が設けられている。紫外線照射部174は、図10に示すようにX方向に延伸している。そして、テンプレートTがレール173に沿って移動中に、紫外線照射部174から当該テンプレートTの表面Tに紫外線を照射することで、テンプレートTの表面T全面に紫外線が照射される。 An ultraviolet irradiation unit 174 that irradiates the template T held by the chuck 171 with ultraviolet rays is provided on the ceiling surface in the processing container 170 and above the rail 173. The ultraviolet irradiation part 174 extends in the X direction as shown in FIG. Then, while moving the template T along the rail 173, by irradiating ultraviolet from the ultraviolet irradiation unit 174 to the surface T 1 of the said template T, ultraviolet rays are irradiated onto the surface T 1 the entire surface of the template T.

なお、洗浄ユニット41〜43の構成は、上述した洗浄ユニット40の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the washing | cleaning units 41-43 is the same as that of the structure of the washing | cleaning unit 40 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

以上のテンプレート処理装置1には、図1に示すように制御部200が設けられている。制御部200は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション2と処理ステーション3との間のテンプレートTの搬送や、処理ステーション3における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置1における後述するテンプレート処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部200にインストールされたものであってもよい。   The template processing apparatus 1 is provided with a control unit 200 as shown in FIG. The control unit 200 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit controls the transfer of the template T between the template loading / unloading station 2 and the processing station 3, the operation of the drive system in the processing station 3, and the like, and executes template processing to be described later in the template processing apparatus 1. The program to be stored is stored. This program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), memory card, or the like. Or installed in the control unit 200 from the storage medium.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置1で行われるテンプレート処理について説明する。図11は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図12〜14は、各工程におけるテンプレートTの状態を示している。   The template processing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, template processing performed in the template processing apparatus 1 will be described. FIG. 11 shows the main processing flow of this template processing, and FIGS. 12 to 14 show the state of the template T in each step.

先ず、テンプレート搬送体12によって、カセット載置台10上のテンプレートカセットCからテンプレートTが取り出され、処理ステーション3のトランジションユニット21に搬送される(図11の工程A1)。このとき、テンプレートカセットC内には、テンプレートTは、転写パターンCが形成された表面Tが上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートTはトランジションユニット21に搬送される。 First, the template carrier 12, the template T is taken from the template cassette C T on the cassette mounting table 10, it is transported to the transition unit 21 in the processing station 3 (step A1 in FIG. 11). At this time, in the template cassette C T, the template T, the surface T 1 of the transfer pattern C is formed is accommodated so as to face upward, the template T in this state is conveyed to the transition unit 21.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、洗浄ユニット40に搬送され、チャック171に吸着保持される。続いて、チャック駆動部172によってテンプレートTをレール173に沿って移動させながら、紫外線照射部174から当該テンプレートTに紫外線が照射される。こうして、テンプレートTの表面T全面に紫外線が照射され、テンプレートTの表面Tの有機汚染物やパーティクル等の不純物が除去され、当該表面Tが洗浄される(図11の工程A2)。 Thereafter, the transport unit 20 transports the template T to the cleaning unit 40 and sucks and holds it on the chuck 171. Subsequently, the template T is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 174 while moving the template T along the rails 173 by the chuck driving unit 172. Thus, the irradiated ultraviolet rays to the surface T 1 the entire surface of the template T, the impurities in the organic contaminants and particles of the surface T 1 of the template T is removed, (step A2 in FIG. 11) that the surface T 1 is being cleaned.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは塗布ユニット30に搬送される。塗布ユニット30に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン102に受け渡され、載置台101に載置される。続いて、移動機構160によって処理液塗布治具110の水平方向の位置を調整すると共に、図12(a)に示すように処理液塗布治具110をその接触面114が外側領域Dに接触するまで下降させる。このとき、塗布面111はパターン領域Dを覆うように対向する。また、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hは、離型剤の毛細管現象を発生させる距離、例えば0.05mmになっている。なお、このように接触面114が外側領域Dに接触すると、Oリング117によって処理空間115内の気密性が保持される。 Thereafter, the template T is transported to the coating unit 30 by the transport unit 20. The template T conveyed to the coating unit 30 is transferred to the lifting pins 102 and placed on the placement table 101. Then, while adjusting the horizontal position of the processing liquid coating jig 110 by the moving mechanism 160, the process liquid coating fixture 110 and the contact surface 114 is the outer region D 2 a, as shown in FIG. 12 (a) contacting Lower until At this time, the application surface 111 is opposed to cover a pattern region D 1. The distance H between the coated surface 111 and the pattern area D 1 is the distance to generate a capillary phenomenon of the release agent, for example, it becomes 0.05 mm. Incidentally, in this way the contact surface 114 contacts the outer region D 2, airtightness in the processing space 115 by the O-ring 117 is held.

その後、図12(b)に示すように離型剤供給源133から所定量の離型剤Sを処理液供給部120に供給する。なお、後述するように離型剤Sは、パターン領域D上にのみ供給され、外側領域D上には供給されない。したがって、上述した所定量とは、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116の体積に見合った量、あるはその量より僅かに多い量である。 Thereafter, as shown in FIG. 12B, a predetermined amount of release agent S is supplied from the release agent supply source 133 to the processing liquid supply unit 120. Incidentally, the release agent S as described later is supplied only on the pattern region D 1, it is not supplied onto the outer region D 2. Thus, the predetermined amount described above is the amount the amount, there is slightly more than the amount corresponding to the volume of the gap 116 between the coated surface 111 and the pattern region D 1.

その後、処理液供給部120に供給された離型剤Sは、図12(c)に示すように塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116に供給される。このとき、離型剤Sは、処理液供給部120の第2の供給路123と第1の供給路122を順に通過し、第1の供給口121から隙間116に供給される。発明者らが鋭意検討した結果、このように第1の供給口121の径と第1の供給路122の径を同じ微小な径にすると、離型剤Sが第1の供給路122を流れ易くなることが分かった。この原因については、いわゆるピン止め効果が抑制されることと、毛細管現象との相互作用によるものであると発明者らは推察している。なお、ここでいうピン止め効果とは、例えば第1の供給路122を経ずに第2の供給路123が第1の供給口121に接続されている場合、第1の供給口121において離型剤Sの表面張力が大きくなるため、離型剤Sが流れ難くなる現象である。以上のように、本実施の形態の処理液供給部120を用いれば、離型剤Sを円滑に隙間116に供給することができる。なお、このように処理液を円滑に隙間116に供給できるのは、後述するように処理液供給部120から他の処理液、例えばアルコールやリンス液、洗浄液等を供給する場合も同様である。 Thereafter, the processing liquid release agent S supplied to the supply unit 120 is supplied to the gap 116 between the coated surface 111 and the pattern area D 1 as shown in FIG. 12 (c). At this time, the release agent S sequentially passes through the second supply path 123 and the first supply path 122 of the processing liquid supply unit 120 and is supplied to the gap 116 from the first supply port 121. As a result of intensive studies by the inventors, when the diameter of the first supply port 121 and the diameter of the first supply path 122 are set to the same minute diameter, the release agent S flows through the first supply path 122. I found it easier. The inventors speculate that this cause is due to the suppression of the so-called pinning effect and the interaction with the capillary phenomenon. Note that the pinning effect referred to here is, for example, when the second supply path 123 is connected to the first supply port 121 without passing through the first supply path 122, and is separated at the first supply port 121. This is a phenomenon in which the release agent S hardly flows because the surface tension of the mold agent S increases. As described above, the release agent S can be smoothly supplied to the gap 116 by using the processing liquid supply unit 120 of the present embodiment. It should be noted that the processing liquid can be smoothly supplied to the gap 116 as described above when other processing liquids such as alcohol, a rinsing liquid, and a cleaning liquid are supplied from the processing liquid supply unit 120 as described later.

その後、隙間116に供給された離型剤Sは、図12(c)に示すように毛細管現象によって当該隙間116を拡散する。そして、図12(d)に示すように離型剤Sは隙間116に充填され、パターン領域D上に塗布される(図11の工程A3)。このとき、上述したように隙間116に供給される離型剤Sの供給量は隙間116の体積に見合った量であり、しかも毛細管現象が発生するのは隙間116においてのみであるため、離型剤Sが外側領域Dに流出することはない。 Thereafter, the release agent S supplied to the gap 116 diffuses through the gap 116 by capillary action as shown in FIG. The release agent S as shown in FIG. 12 (d) is filled in the gap 116, is applied over the pattern region D 1 (step A3 in FIG. 11). At this time, as described above, the supply amount of the release agent S supplied to the gap 116 is an amount corresponding to the volume of the gap 116, and the capillary phenomenon occurs only in the gap 116. agent S does not flow out to the outer region D 2.

その後、図12(e)に示すように処理液塗布治具110を所定の位置まで上昇させる。この所定の位置はエアノズル150からパターン領域D上の離型剤Sに空気を吹き付けることができる位置であって、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが例えば1mmとなる位置である。なお、このように処理液塗布治具110を上昇させても、Oリング117が外側領域Dに接触しているため、処理空間115内の気密性は保持されている。そして、エアノズル150からパターン領域D上の離型剤Sに空気を吹き付け、当該離型剤Sを乾燥させる(図11の工程A4)。 Thereafter, as shown in FIG. 12E, the processing liquid application jig 110 is raised to a predetermined position. This predetermined position is a position that can blow air release agent S on the pattern area D 1 from the air nozzle 150, the distance H becomes, for example, 1mm position between the coated surface 111 and the pattern area D 1 It is. Even thus increasing the processing liquid coating jig 110, since the O-ring 117 is in contact with the outer region D 2, airtightness in the processing space 115 is maintained. Then, blowing air into the release agent S on the pattern area D 1 from the air nozzle 150, thereby drying the release agent S (step A4 in FIG. 11).

パターン領域D上の離型剤Sが乾燥すると、図13(a)に示すように処理液塗布治具110を所定の位置まで下降させる。この所定の位置は処理液供給部120からパターン領域D上の離型剤Sにアルコールを供給できる位置であって、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが例えば0.1mmとなる位置である。なお、このときもOリング117が外側領域Dに接触しているため、処理空間115内の気密性は保持されている。 When the release agent S on the pattern area D 1 is dried, lowering the treatment liquid application jig 110 as shown in FIG. 13 (a) to a predetermined position. This predetermined position is a position capable of supplying the alcohol from the processing liquid supply unit 120 to the release agent S on the pattern regions D 1, the distance H is, for example, 0.1mm between the coated surface 111 and the pattern area D 1 It is a position. Incidentally, O-ring 117 at this time is because in contact with the outer region D 2, airtightness in the processing space 115 is maintained.

その後、図13(b)に示すようにアルコール供給源135から所定量のアルコールLを処理液供給部120に供給する。   Thereafter, as shown in FIG. 13B, a predetermined amount of alcohol L is supplied from the alcohol supply source 135 to the treatment liquid supply unit 120.

その後、処理液供給部120に供給されたアルコールLは、図13(c)に示すように塗布面111とパターン領域D上の離型剤Sとの間の隙間116に供給される。続いて、隙間116に供給されたアルコールLは、毛細管現象によって当該隙間116を拡散する。そして、図13(d)に示すようにアルコールLは隙間116に充填され、パターン領域Dの離型剤S上に塗布される(図11の工程A5)。このとき、毛細管現象が発生するのは隙間116においてのみであるため、アルコールLが外側領域Dに流出することはない。こうして塗布されたアルコールLによって、離型剤SがテンプレートTの表面Tと強固且つ密に化学反応し、当該テンプレートTの表面Tに離型剤Sが密着する。なお、このようにテンプレートTの表面Tに離型剤Sが密着する際、離型剤S上のアルコールLによって、離型剤Sの未反応部の一部、すなわち離型剤SがテンプレートTの表面Tと化学反応して当該表面Tと密着する部分以外の一部が除去される。 Thereafter, the alcohol L, which is supplied to the processing solution supply unit 120 is supplied to the gap 116 between the release agent S on the coated surface 111 and the pattern area D 1 as shown in FIG. 13 (c). Subsequently, the alcohol L supplied to the gap 116 diffuses through the gap 116 by capillary action. Then, the alcohol L as shown in FIG. 13 (d) is filled in the gap 116, is applied onto the release agent S pattern region D 1 (step A5 in FIG. 11). At this time, since the capillary phenomenon occurs only in the gap 116, there is no possibility that the alcohol L flows out to the outer region D 2. By coating alcoholic L Thus, the release agent S is firmly and closely chemically react with the surface T 1 of the template T, release agent S is brought into close contact with the surface T 1 of the said template T. Note that when such release agent S is brought into close contact with the surface T 1 of the template T, by alcohol L on the release agent S, a part of the unreacted portion of the release agent S, i.e. the release agent S templates some other than a portion in close contact with the surface T 1 is removed by the surface T 1 and the chemical reaction of the T.

その後、図13(e)に示すように処理液塗布治具110を所定の位置まで上昇させる。この所定の位置はエアノズル150からパターン領域D上のアルコールLに空気を吹き付けることができる位置であって、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが例えば1mmとなる位置である。なお、このように処理液塗布治具110を上昇させても、Oリング117が外側領域Dに接触しているため、処理空間115内の気密性は保持されている。そして、エアノズル150からアルコールLに空気を吹き付け、当該アルコールLを乾燥除去させる(図11の工程A6)。 Thereafter, as shown in FIG. 13E, the processing liquid application jig 110 is raised to a predetermined position. This predetermined position is a position that can blow air from the air nozzle 150 to the alcohol L in the pattern area D 1, is the distance H becomes, for example, 1mm position between the coated surface 111 and the pattern area D 1 . Even thus increasing the processing liquid coating jig 110, since the O-ring 117 is in contact with the outer region D 2, airtightness in the processing space 115 is maintained. And air is sprayed on alcohol L from the air nozzle 150, and the said alcohol L is dried and removed (process A6 of FIG. 11).

離型剤S上のアルコールLが乾燥すると、図14(a)に示すように処理液塗布治具110をその接触面114が外側領域Dに接触するまで下降させる。このように接触面114が外側領域Dに接触すると、Oリング117によって処理空間115内の気密性が保持される。 When alcohol L on the release agent S is dried, lowering the treatment liquid application jig 110 as shown in FIG. 14 (a) until the contact surface 114 contacts the outer region D 2. When the contact surface 114 comes into contact with the outer region D 2 in this way, the airtightness in the processing space 115 is maintained by the O-ring 117.

その後、図14(b)に示すようにリンス液供給源137から所定量のリンス液Nを処理液供給部120に供給する。   Thereafter, as shown in FIG. 14B, a predetermined amount of the rinse liquid N is supplied from the rinse liquid supply source 137 to the processing liquid supply unit 120.

その後、処理液供給部120に供給されたリンス液Nは、図14(c)に示すように塗布面111とパターン領域D上の離型剤Sとの間の隙間116に供給される。続いて、隙間116に供給されたリンス液Nは、毛細管現象によって当該隙間116を拡散する。そして、図14(d)に示すようにリンス液Nは隙間116に充填され、パターン領域Dの離型剤S上に塗布される(図11の工程A7)。このとき、毛細管現象が発生するのは隙間116においてのみであるため、リンス液Nが外側領域Dに流出することはない。こうして塗布されたリンス液Nによって、離型剤Sの未反応部が除去される。このとき、テンプレートTの表面Tに離型剤Sが密着しているので、テンプレートTの表面Tから所定の距離の離型剤Sが剥離することはない。また、テンプレートT上の離型剤Sの接触角は所定の角度、例えば108度になっており、離型剤Sは後述するレジスト膜に対して十分な撥液性を有し、その離型機能を発揮することができる。 Thereafter, the processing liquid rinse liquid supplied to the supply unit 120 N is supplied to the gap 116 between the release agent S on the coated surface 111 and the pattern area D 1 as shown in FIG. 14 (c). Subsequently, the rinse liquid N supplied to the gap 116 diffuses in the gap 116 by capillary action. The rinsing liquid N, as shown in FIG. 14 (d) is filled in the gap 116, it is applied onto the release agent S pattern region D 1 (step A7 in FIG. 11). At this time, since the capillary phenomenon occurs only in the gap 116, there is no possibility that the rinsing liquid N flows out to the outer region D 2. The unreacted part of the release agent S is removed by the rinsing liquid N applied in this way. At this time, since the release agent S is in close contact with the surface T 1 of the template T, the release agent S having a predetermined distance from the surface T 1 of the template T is not peeled off. Further, the contact angle of the mold release agent S on the template T is a predetermined angle, for example, 108 degrees, and the mold release agent S has sufficient liquid repellency with respect to a resist film to be described later. Function can be demonstrated.

その後、図13(e)に示すように処理液塗布治具110を所定の位置まで上昇させる。この所定の位置はエアノズル150からパターン領域D上のリンス液Nに空気を吹き付けることができる位置であって、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが例えば1mmとなる位置である。なお、このように処理液塗布治具110を上昇させても、Oリング117が外側領域Dに接触しているため、処理空間115内の気密性は保持されている。そして、エアノズル150からリンス液Nに空気を吹き付け、当該リンス液Nを乾燥除去させる(図11の工程A8)。こうして、テンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される。 Thereafter, as shown in FIG. 13E, the processing liquid application jig 110 is raised to a predetermined position. This predetermined position is a position that can blow air rinsing liquid N in the pattern area D 1 from the air nozzle 150, the distance H becomes, for example, 1mm position between the coated surface 111 and the pattern area D 1 is there. Even thus increasing the processing liquid coating jig 110, since the O-ring 117 is in contact with the outer region D 2, airtightness in the processing space 115 is maintained. And air is sprayed on the rinse liquid N from the air nozzle 150, and the said rinse liquid N is dried and removed (process A8 of FIG. 11). Thus, the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T with a predetermined film thickness.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはトランジションユニット21に搬送され、テンプレート搬送体12によってテンプレートカセットCに戻される(図11の工程A9)。こうしてテンプレート処理装置1における一連のテンプレート処理が終了し、テンプレートTのパターン領域D上のみに、転写パターンCの形状に沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される。 Thereafter, the transport unit 20, the template T is carried to the transition unit 21 and returned to the template cassette C T by the template carrier 12 (step A9 in FIG. 11). Thus a series of template processing is finished in the template processing apparatus 1, only on the pattern region D 1 of the template T, the release agent S along the shape of the transfer pattern C is formed in a predetermined thickness.

以上の実施の形態によれば、処理液塗布治具110の塗布面111とテンプレートTのパターン領域Dとの間の隙間116に供給された処理液(離型剤S、アルコールL、リンス液N)は、毛細管現象によって隙間116を拡散する。すなわち、処理液はパターン領域D上にのみ拡散する。したがって、処理液はパターン領域D上に適切に塗布される。しかも、処理液はテンプレートTの外側領域Dに拡散しないため、処理液の供給量を従来よりも少量に抑えることができる。このため、処理液のコストを低廉化することができる。 According to the above embodiment, the process liquid coating jig 110 processing liquid supplied to the gap 116 between the pattern area D 1 of the application surface 111 and the template T of the (release agent S, alcohol L, the rinse liquid N) diffuses the gap 116 by capillary action. That is, the processing solution diffuses only on the pattern region D 1. Accordingly, the processing liquid is suitably coated on the pattern region D 1. Moreover, the processing solution because it does not diffuse into the outer region D 2 of the template T, the supply amount of the processing liquid can be suppressed small amounts than conventional. For this reason, the cost of the processing liquid can be reduced.

また、処理液塗布治具110の処理液供給部120からパターン領域Dに対して、離型剤S、アルコールL、リンス液Nの複数種類の処理液が供給されるので、一の塗布ユニット30内で複数の処理を行うことができる。したがって、一連のテンプレート処理を効率よく行うことができる。また、各処理液毎にユニットを別途設ける必要がないので、テンプレート処理装置1のフットプリントを小さくできると共に、装置構成を簡略化して装置コストを低廉化することもできる。なお、このように複数種類の処理液を供給するため、本実施の形態では一の処理液塗布治具110を用いていたが、処理液毎に複数の処理液塗布治具110を設けてもよい。 Further, the processing liquid coating jig processing liquid supply unit 120 pattern area D 1 from the 110, the release agent S, alcohol L, since a plurality of kinds of processing liquid rinse liquid N is supplied, one coating unit Multiple processes can be performed within 30. Therefore, a series of template processes can be performed efficiently. In addition, since it is not necessary to provide a separate unit for each processing solution, the footprint of the template processing apparatus 1 can be reduced, and the apparatus configuration can be simplified to reduce the apparatus cost. In this embodiment, in order to supply a plurality of types of processing liquids, one processing liquid application jig 110 is used in this embodiment, but a plurality of processing liquid application jigs 110 may be provided for each processing liquid. Good.

また、処理液をパターン領域D上に拡散させた後、エアノズル150から処理液に空気を吹き付けているので、当該処理液を乾燥させることができる。これによって、テンプレート上に不要な処理液が残存せず、後続の処理を適切に行うことができる。 Further, after spreading the processing liquid onto the pattern area D 1, since the air is blown into the processing liquid from the air nozzle 150, thereby drying the treatment liquid. Accordingly, unnecessary processing liquid does not remain on the template, and subsequent processing can be performed appropriately.

また、工程A3〜工程A8の各処理液の塗布と乾燥を行う際、処理空間115内の雰囲気を気密に保持することができるので、当該処理液による処理を適切に行うことができる。また、処理液が処理空間115の外部に飛散するのを防止することができる。なお、処理液が処理空間115の外部に飛散するのを許容する場合には、処理空間115内の雰囲気を気密に保持する機構(Oリング117、排気口140、排気管141、真空ポンプ142)を省略することができる。   Moreover, since the atmosphere in the processing space 115 can be kept airtight when applying and drying each processing liquid in the steps A3 to A8, the processing with the processing liquid can be appropriately performed. In addition, the processing liquid can be prevented from splashing outside the processing space 115. In the case where the processing liquid is allowed to be scattered outside the processing space 115, a mechanism (O-ring 117, exhaust port 140, exhaust pipe 141, vacuum pump 142) that keeps the atmosphere in the processing space 115 airtight. Can be omitted.

なお、以上の実施の形態では、工程A5及びA6でアルコールLを用いて離型剤SとテンプレートTの表面Tとの密着性を向上させた後、工程A7及びA8でリンス液Nを用いて離型剤Sの未反応部を除去していたが、工程A7及び工程A8でのリンス液Nの塗布及び乾燥を工程A5及び工程A6でのアルコールLの塗布及び乾燥の前に行ってもよい。かかる場合、工程A3及び工程A4でパターン領域D上に離型剤Sが成膜された後、離型剤S上にリンス液Nが塗布され、離型剤Sの未反応部が除去される。その後、離型剤S上にアルコールLが塗布され、離型剤SとテンプレートTの表面Tとの密着性を向上させると共に、当該アルコールLによって離型剤Sの未反応部が確実に除去される。 In the above embodiment, after the step A5 and A6 to improve the adhesion between the surface T 1 of the release agent S and the template T with an alcohol L, using a rinsing solution N in step A7 and A8 Although the unreacted part of the release agent S has been removed, the application and drying of the rinse liquid N in the steps A7 and A8 may be performed before the application and drying of the alcohol L in the steps A5 and A6. Good. In such a case, after the release agent S on the pattern area D 1 in step A3 and Step A4 are deposited, the rinsing liquid N is applied to the release agent on S, unreacted portion of the release agent S is removed The Thereafter, the alcohol L is applied to the release agent on S, improves the adhesion between the surface T 1 of the release agent S and the template T, unreacted portion reliably remove the release agent S by the alcohol L Is done.

また、以上の形態の工程A5でアルコールLによって離型剤Sの未反応部が十分に除去される場合には、後続の工程A7及びA8におけるリンス液Nの塗布及び乾燥を省略してもよい。また、以上の実施の形態の工程A3で離型剤SがテンプレートTの表面Tと十分に密着する場合には、後続の工程A5及び工程A6におけるアルコールLの塗布及び乾燥を省略してもよい。 Further, when the unreacted portion of the release agent S is sufficiently removed by the alcohol L in the step A5 of the above form, the application and drying of the rinse liquid N in the subsequent steps A7 and A8 may be omitted. . Further, the above embodiment of the process A3 with a release agent S is in the case of sufficiently close contact with the surface T 1 of the template T is also omitted coating and drying of the alcohol L in the subsequent step A5 and step A6 Good.

以上の実施の形態のテンプレート処理装置1では、洗浄ユニット40〜43においてテンプレートTの表面Tを洗浄していたが、塗布ユニット30〜33において、処理液としての洗浄液を用いてテンプレートTの表面Tを洗浄してもよい。そして、テンプレート処理装置1の洗浄ユニット40〜43は、塗布ユニットに置換される。 In template processing apparatus 1 of the above embodiments are not cleaning the surface T 1 of the template T in the cleaning unit 40 to 43, in the coating unit 30 to 33, the surface of the template T by using a cleaning solution as the processing solution T 1 may be washed. Then, the cleaning units 40 to 43 of the template processing apparatus 1 are replaced with application units.

かかる場合、塗布ユニット30において、図15に示すように洗浄液は処理液塗布治具110の処理液供給部120から供給される。処理液供給部120には、第4の供給管210が接続されている。第4の供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。また、第4の供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群222が設けられている。なお、洗浄液には、例えばIPA(イソプロピルアルコール)、アセトン、アクリル洗浄液等が用いられる。   In such a case, in the coating unit 30, the cleaning liquid is supplied from the processing liquid supply unit 120 of the processing liquid coating jig 110 as shown in FIG. A fourth supply pipe 210 is connected to the processing liquid supply unit 120. The fourth supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein. Further, the fourth supply pipe 210 is provided with a supply device group 222 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like. As the cleaning liquid, for example, IPA (isopropyl alcohol), acetone, acrylic cleaning liquid, or the like is used.

そして、工程A2において、テンプレートTは塗布ユニット30に搬送され、載置台101に載置される。続いて、図16(a)に示すように処理液塗布治具110をその接触面114が外側領域Dに接触するまで下降させる。その後、図16(b)に示すように洗浄液供給源211から所定量の洗浄液Mを処理液供給部120に供給する。処理液供給部120に供給された洗浄液Mは、図16(c)に示すように塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116に供給される。隙間116に供給された洗浄液Mは、毛細管現象によって当該隙間116を拡散する。そして、図16(d)に示すように洗浄液Mは隙間116に充填され、パターン領域D上に塗布される。その後、図16(e)に示すように処理液塗布治具110を所定の位置まで上昇させる。この所定の位置はエアノズル150からパターン領域D上の洗浄液Mに空気を吹き付けることができる位置であって、塗布面111とパターン領域Dとの間の距離Hが例えば1mmとなる位置である。そして、エアノズル150からパターン領域D上の洗浄液Mに空気を吹き付け、当該洗浄液Mを乾燥して除去する。こうして、テンプレートTの表面Tの有機汚染物やパーティクル等の不純物が除去され、当該表面Tが洗浄される。なお、その他の工程A1、A3〜A9については、前記実施の形態と同様であるので説明を省略する。 In step A <b> 2, the template T is transported to the coating unit 30 and placed on the mounting table 101. Then, lowering the treatment liquid application jig 110 as shown in FIG. 16 (a) until the contact surface 114 contacts the outer region D 2. Thereafter, as shown in FIG. 16B, a predetermined amount of the cleaning liquid M is supplied from the cleaning liquid supply source 211 to the processing liquid supply unit 120. Cleaning liquid M, which is supplied to the processing solution supply unit 120 is supplied to the gap 116 between the coated surface 111 and the pattern area D 1 as shown in FIG. 16 (c). The cleaning liquid M supplied to the gap 116 diffuses in the gap 116 by capillary action. Then, the cleaning liquid M as shown in FIG. 16 (d) is filled in the gap 116, it is applied over the pattern region D 1. Thereafter, as shown in FIG. 16E, the processing liquid application jig 110 is raised to a predetermined position. This predetermined position is a position that can blow air cleaning liquid M on the pattern regions D 1 from the air nozzle 150, is the distance H becomes, for example, 1mm position between the coated surface 111 and the pattern area D 1 . Then, blowing air from the air nozzle 150 to the cleaning liquid M on the pattern regions D 1, it is removed by drying the cleaning liquid M. Thus, impurities in the organic contaminants and particles of the surface T 1 of the template T is removed, the surface T 1 is being cleaned. Since the other steps A1, A3 to A9 are the same as those in the above embodiment, the description thereof is omitted.

本実施の形態によれば、一の塗布ユニット30内でテンプレートTの表面Tの洗浄も行うことができるので、一連のテンプレート処理をさらに効率よく行うことができる。 According to this embodiment, it is possible to also perform cleaning of the surface T 1 of the template T in the one coating unit 30 can be performed more efficiently a series of template processing.

なお、本実施の形態では、工程A2においてテンプレートTの表面Tを洗浄していたが、工程A8でパターン領域D上に離型剤Sを成膜した後、当該離型剤Sの表面に洗浄液Mを供給して離型剤Sを洗浄してもよい。 In this embodiment, it had been cleaned surface T 1 of the template T in step A2, after forming a release agent S on the pattern area D 1 in step A8, the surface of the release agent S Alternatively, the release agent S may be cleaned by supplying the cleaning liquid M.

以上の実施の形態では、処理液塗布治具110の処理液供給部120は、塗布面111に形成された第1の供給口121を有していたが、第1の供給口121に代えて、図17に示すように第2の供給口220を有していてもよい。第2の供給口220は、処理液ノズル221において斜め下方に向くように形成されている。処理液ノズル221は、塗布面111の外側の窪み部112に配置されている。そして、第2の供給口221からパターン領域Dの一端部に向けて処理液が供給されるようになっている。なお図示はしないが、処理液ノズル221には、例えば上述した第1の供給管130、第2の供給管131、第3の供給管132、第4の供給管210が接続されている。そして、第2の供給口221から離型剤S、アルコールL、リンス液N、洗浄液M等の複数の処理液が供給されるようになっている。 In the above embodiment, the treatment liquid supply unit 120 of the treatment liquid application jig 110 has the first supply port 121 formed in the application surface 111, but instead of the first supply port 121. The second supply port 220 may be provided as shown in FIG. The second supply port 220 is formed so as to face obliquely downward in the processing liquid nozzle 221. The treatment liquid nozzle 221 is disposed in the recess 112 outside the application surface 111. The processing liquid toward the one end portion of the pattern area D 1 from the second supply port 221 is adapted to be supplied. Although not shown, for example, the above-described first supply pipe 130, second supply pipe 131, third supply pipe 132, and fourth supply pipe 210 are connected to the processing liquid nozzle 221. A plurality of treatment liquids such as a release agent S, alcohol L, rinse liquid N, and cleaning liquid M are supplied from the second supply port 221.

かかる場合、図17に示すように第2の供給口220から吐出された処理液は、パターン領域Dの一端部に供給される。供給された処理液は、毛細管現象によって、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116を、パターン領域Dの他端部に向けて拡散する。こうして、パターン領域D上に処理液が塗布される。したがって、本実施の形態においても、パターン領域D上にのみ処理液を適切に塗布することができる。 In such a case, the treatment liquid discharged from the second supply port 220 as shown in FIG. 17 is supplied to one end portion of the pattern region D 1. Supplied process liquid by the capillary phenomenon, the gap 116 between the coated surface 111 and the pattern area D 1, diffuses toward the other end portion of the pattern region D 1. Thus, the processing liquid is applied onto the pattern area D 1. Therefore, also in this embodiment, it is possible to appropriately apply the only treatment liquid on the pattern region D 1.

なお、処理液供給部120は、図18に示すように第1の供給口121と第2の供給口220を両方有していてもよい。すなわち、処理液供給部120は、第1の供給口121、第1の供給路122及び第2の供給路123のセット(以下、「第1の供給機構)という場合がある。)と、第2の供給口220及び処理液ノズル221のセット(以下、「第1の供給機構)という場合がある。)とを両方有していてもよい。また、かかる場合、図19に示すように第1の供給機構と第2の供給機構はそれぞれ複数設けられていてもよい。いずれの場合においても、第1の供給口121と第2の供給口122の両方から処理液が供給されるので、迅速に処理液をパターン領域D上に塗布することができる。特に、複数の第1の供給口121と複数の第2の供給口122から処理液を供給した場合、より効率よく処理液をパターン領域D上に塗布することができる。 The processing liquid supply unit 120 may have both the first supply port 121 and the second supply port 220 as shown in FIG. That is, the processing liquid supply unit 120 includes a set of the first supply port 121, the first supply path 122, and the second supply path 123 (hereinafter may be referred to as “first supply mechanism”), and the first. 2 and a set of treatment liquid nozzles 221 (hereinafter sometimes referred to as “first supply mechanism”) may be included. In each case, the processing liquid is supplied from both the first supply port 121 and the second supply port 122, so that a plurality of the first supply mechanism and the second supply mechanism may be provided. The processing liquid can be quickly applied onto the pattern region D 1. Particularly when the processing liquid is supplied from the plurality of first supply ports 121 and the plurality of second supply ports 122, the processing liquid is more efficiently applied. can be applied on the pattern area D 1 .

また、以上の実施の形態の処理液供給部120における第1の供給機構は、第1の供給口121、第1の供給路122及び第2の供給路123を有していたが、図20に示すように第1の供給路122を省略してもよい。かかる場合、第2の供給路123は第1の供給口121に接続される。また、第2の供給路123の径は第1の供給口121の径よりも大きい。このため、第1の供給口121と第2の供給路122との間には、上方に向かって径が大きくなるテーパ部124が形成されている。なお、このテーパ部124のテーパ角度θは、前記実施の形態と同様に例えば120度である。本実施の形態の第1の供給機構は、例えば処理液の流量が多い場合等、第1の供給路122を省略しても上述したピン止め効果が生じない場合に有効である。そして、かかる場合、第1の供給路122を省略できるので、処理液供給部120の加工製造を容易に行うことができる。   Further, the first supply mechanism in the processing liquid supply unit 120 of the above embodiment has the first supply port 121, the first supply path 122, and the second supply path 123. FIG. The first supply path 122 may be omitted as shown in FIG. In such a case, the second supply path 123 is connected to the first supply port 121. Further, the diameter of the second supply path 123 is larger than the diameter of the first supply port 121. For this reason, a tapered portion 124 whose diameter increases upward is formed between the first supply port 121 and the second supply path 122. The taper angle θ of the taper portion 124 is, for example, 120 degrees as in the above-described embodiment. The first supply mechanism of the present embodiment is effective when the above-described pinning effect does not occur even if the first supply path 122 is omitted, for example, when the flow rate of the processing liquid is large. In such a case, since the first supply path 122 can be omitted, the processing liquid supply unit 120 can be easily processed and manufactured.

以上の実施の形態の工程A2、A4、A6、A8等では、離型剤S、アルコールL、リンス液N、洗浄液M等の処理液を乾燥させる際、エアノズル150から処理液に空気を吹き付けていたが、他の方法を用いて処理液を乾燥させてもよい。   In the steps A2, A4, A6, A8, etc. in the above embodiment, when the treatment liquid such as the mold release agent S, the alcohol L, the rinse liquid N, the cleaning liquid M is dried, air is blown from the air nozzle 150 to the treatment liquid. However, the processing solution may be dried using other methods.

例えばパターン領域D上の処理液を加熱することで、当該処理液を乾燥させてもよい。かかる場合、例えば図21に示すように処理液塗布治具110の壁体113の内部に加熱処理部としてのヒータ230が設けられる。このヒータ230によってパターン領域D上の処理液が加熱される。 For example, by heating the treatment liquid on the pattern area D 1, it may be dried the treatment liquid. In such a case, for example, as shown in FIG. 21, a heater 230 as a heat treatment unit is provided inside the wall body 113 of the treatment liquid application jig 110. This heater 230 treatment liquid on the pattern area D 1 is heated.

また、例えば処理空間115内の雰囲気を減圧することで、パターン領域D上の処理液を乾燥させてもよい。かかる場合、処理液塗布治具110の排気口140に接続された真空ポンプ142を作動させて、処理空間115内の雰囲気を所定の圧力に減圧する。 Further, for example, the atmosphere in the processing space 115 by vacuum, may be dried treatment liquid on the pattern regions D 1. In this case, the vacuum pump 142 connected to the exhaust port 140 of the processing liquid application jig 110 is operated to reduce the atmosphere in the processing space 115 to a predetermined pressure.

いずれの場合においても、パターン領域D上の処理液を適切に乾燥させることができる。 In either case, it is possible to suitably dry the treatment liquid on the pattern region D 1.

以上の実施の形態の工程A2、A3、A5、A7等において、離型剤S、アルコールL、リンス液N、洗浄液M等の処理液を、塗布面111とパターン領域Dとの間の隙間116に拡散させる際、当該処理液に超音波振動を付与してもよい。かかる場合、例えば図22に示すように処理液塗布治具110の窪み部112内に超音波振動子240が配置される。超音波振動子240には、当該超音波振動子240から超音波を発振させるための超音波発振装置241が接続されている。そして、隙間116を拡散する処理液に対して超音波振動子240から超音波振動を付与することによって、当該処理液をより円滑に拡散させることができる。例えばテンプレートTの転写パターンCの高さが高く、処理液が転写パターンCの凹部内に進入し難い場合や、洗浄液Mを用いてテンプレートTの表面Tを洗浄する場合には、特に効果がある。なお、上述した超音波振動子240と超音波発振装置241が本発明の振動機構を構成している。 Gap between the above steps A2, A3, A5, A7, etc. of the embodiment, the release agent S, alcohol L, rinsing liquid N, a process liquid such as washing liquid M, the coated surface 111 and the pattern area D 1 When diffusing to 116, ultrasonic vibration may be applied to the treatment liquid. In such a case, for example, as shown in FIG. 22, the ultrasonic vibrator 240 is disposed in the recess 112 of the processing liquid application jig 110. An ultrasonic oscillator 241 for oscillating ultrasonic waves from the ultrasonic transducer 240 is connected to the ultrasonic transducer 240. Then, by applying ultrasonic vibration from the ultrasonic vibrator 240 to the processing liquid that diffuses through the gap 116, the processing liquid can be diffused more smoothly. Such as higher height of the transfer pattern C of the template T, and when the processing solution is less likely to enter the recesses of the transfer pattern C, when cleaning the surface T 1 of the template T by using the cleaning liquid M is particularly effective is there. The ultrasonic transducer 240 and the ultrasonic oscillator 241 described above constitute the vibration mechanism of the present invention.

以上の実施の形態において、処理液塗布治具110の塗布面111にはメッシュ板(図示せず)が設けられていてもよい。メッシュ板は、塗布面111と同じ大きさで設けられる。かかる場合、処理液供給部120からパターン領域Dに向けて供給された離型剤S、アルコールL、リンス液N、洗浄液M等の処理液は、毛細管現象によってメッシュ板とパターン領域Dとの間を拡散する。そして、処理液が外側領域Dに流出することはない。したがって、本実施の形態でも、処理液はパターン領域D上に適切に塗布される。 In the above embodiment, a mesh plate (not shown) may be provided on the application surface 111 of the treatment liquid application jig 110. The mesh plate is provided with the same size as the application surface 111. In this case, the processing liquid supply unit 120 mold release agent is supplied toward the pattern area D 1 from S, alcohol L, rinse liquid N, the processing liquid such as cleaning liquid M is a mesh plate and the pattern area D 1 by the capillary phenomenon Spread between. Then, the processing liquid does not flow out to the outer region D 2. Therefore, also in this embodiment, the processing liquid is suitably coated on the pattern region D 1.

以上の実施の形態のテンプレート処理装置1は、図23に示すようにインプリントシステム300に配置されていてもよい。インプリントシステム300は、テンプレートTを用いてウェハW上にレジストパターンを形成するインプリントユニット310と、複数、例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム300との間で搬入出したり、ウェハカセットCに対してウェハWを搬入出したりするウェハ搬入出ステーション311とを有している。また、テンプレート処理装置1とインプリントユニット310との間には、テンプレートTの受け渡しを行うインターフェイスステーション312が配置されている。インプリントシステム300は、これらテンプレート処理装置1、インターフェイスステーション312、インプリントユニット310、ウェハ搬入出ステーション311を一体に接続した構成を有している。 The template processing apparatus 1 of the above embodiment may be arranged in the imprint system 300 as shown in FIG. The imprint system 300 includes an imprint unit 310 that forms a resist pattern on the wafer W using the template T, and a plurality of, for example, 25 wafers W are carried in and out of the imprint system 300 between the outside and the cassette. And a wafer carry-in / out station 311 for carrying the wafer W in and out of the wafer cassette CW . An interface station 312 for transferring the template T is arranged between the template processing apparatus 1 and the imprint unit 310. The imprint system 300 has a configuration in which the template processing apparatus 1, the interface station 312, the imprint unit 310, and the wafer carry-in / out station 311 are integrally connected.

ウェハ搬入出ステーション311には、カセット載置台320が設けられている。カセット載置台320は、複数のウェハカセットCをX方向(図23中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション311は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。 The wafer loading / unloading station 311 is provided with a cassette mounting table 320. The cassette mounting table 320 can mount a plurality of wafer cassettes CW in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 23). That is, the wafer carry-in / out station 311 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W.

ウェハ搬入出ステーション311には、X方向に延伸する搬送路321上を移動可能なウェハ搬送体322が設けられている。ウェハ搬送体322は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、ウェハカセットCとインプリントユニット310との間でウェハWを搬送できる。 The wafer carry-in / out station 311 is provided with a wafer carrier 322 that can move on a conveyance path 321 extending in the X direction. The wafer carrier 322 is also movable in the vertical direction and around the vertical direction (θ direction), and can carry the wafer W between the wafer cassette CW and the imprint unit 310.

ウェハ搬入出ステーション311には、ウェハWの向きを調整するアライメントユニット323がさらに設けられている。アライメントユニット323では、例えばウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。   The wafer carry-in / out station 311 is further provided with an alignment unit 323 for adjusting the orientation of the wafer W. The alignment unit 323 adjusts the orientation of the wafer W based on the position of the notch portion of the wafer W, for example.

インターフェイスステーション312には、X方向に延伸する搬送路330上を移動するテンプレート搬送体331が設けられている。また、搬送路330のX方向正方向側には、テンプレートTの表裏面を反転させる反転ユニット332が配置され、搬送路330のX方向負方向側には、複数のテンプレートTを一時的に保管するバッファカセット333が配置されている。テンプレート搬送体331は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、処理ステーション3、反転ユニット332、バッファカセット333、インプリントユニット310との間でテンプレートTを搬送できる。   The interface station 312 is provided with a template transport body 331 that moves on a transport path 330 extending in the X direction. A reversing unit 332 for inverting the front and back surfaces of the template T is disposed on the positive direction side of the transport path 330 in the X direction, and a plurality of templates T are temporarily stored on the negative direction side of the transport path 330 in the X direction. A buffer cassette 333 is disposed. The template transport body 331 is also movable in the vertical direction and around the vertical direction (θ direction), and can transport the template T between the processing station 3, the reversing unit 332, the buffer cassette 333, and the imprint unit 310.

テンプレート処理装置1の処理ステーション3には、搬送ユニット20のインターフェイスステーション312側に、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット334が配置されている。   In the processing station 3 of the template processing apparatus 1, a transition unit 334 for delivering the template T is disposed on the interface station 312 side of the transport unit 20.

次に、上述したインプリントユニット310の構成について説明する。インプリントユニット310は、図24に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)とウェハWの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器340を有している。   Next, the configuration of the above-described imprint unit 310 will be described. As shown in FIG. 24, the imprint unit 310 includes a processing container 340 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T and a loading / unloading port (not shown) for the wafer W are formed on the side surfaces.

処理容器340内の底面には、ウェハWが載置されて保持されるウェハ保持部341が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部341の上面に載置される。ウェハ保持部341内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン342が設けられている。昇降ピン342は、昇降駆動部343により上下動できる。ウェハ保持部341の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔344が形成されおり、昇降ピン342は、貫通孔344を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部341は、当該ウェハ保持部341の下方に設けられた移動機構345により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。   A wafer holder 341 on which the wafer W is placed and held is provided on the bottom surface in the processing container 340. The wafer W is placed on the upper surface of the wafer holder 341 so that the surface to be processed faces upward. In the wafer holding part 341, elevating pins 342 for supporting the wafer W from below and elevating it are provided. The elevating pin 342 can be moved up and down by the elevating drive unit 343. A through hole 344 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the wafer holding portion 341, and the elevating pins 342 are inserted through the through holes 344. The wafer holding unit 341 can be moved in the horizontal direction and can be rotated around the vertical by a moving mechanism 345 provided below the wafer holding unit 341.

図25に示すようにウェハ保持部341のX方向負方向(図25の下方向)側には、Y方向(図25の左右方向)に沿って延伸するレール350が設けられている。レール350は、例えばウェハ保持部341のY方向負方向(図25の左方向)側の外方からY方向正方向(図25の右方向)側の外方まで形成されている。レール350には、アーム351が取り付けられている。   As shown in FIG. 25, a rail 350 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 25) is provided on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 25) of the wafer holder 341. For example, the rail 350 is formed from the outside of the wafer holding portion 341 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 25) to the outside on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 25). An arm 351 is attached to the rail 350.

アーム351には、ウェハW上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル352が支持されている。レジスト液ノズル352は、例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル352には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル352の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口(図示せず)が形成されている。そして、レジスト液ノズル352は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。   The arm 351 supports a resist solution nozzle 352 that supplies a resist solution onto the wafer W. The resist solution nozzle 352 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than the diameter dimension of the wafer W. For example, an ink jet type nozzle is used as the resist solution nozzle 352, and a plurality of supply ports (not shown) formed in a line along the longitudinal direction are formed below the resist solution nozzle 352. The resist solution nozzle 352 can strictly control the resist solution supply timing, the resist solution supply amount, and the like.

アーム351は、ノズル駆動部353により、レール350上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル352は、ウェハ保持部341のY方向正方向側の外方に設置された待機部354からウェハ保持部341上のウェハWの上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム351は、ノズル駆動部353によって昇降自在であり、レジスト液ノズル352の高さを調整できる。   The arm 351 is movable on the rail 350 by the nozzle driving unit 353. As a result, the resist solution nozzle 352 can move from the standby unit 354 installed on the outer side of the wafer holding unit 341 on the positive side in the Y direction to above the wafer W on the wafer holding unit 341, and further the surface of the wafer W The top can be moved in the radial direction of the wafer W. The arm 351 can be moved up and down by a nozzle driving unit 353, and the height of the resist solution nozzle 352 can be adjusted.

処理容器340内の天井面であって、ウェハ保持部341の上方には、図24に示すようにテンプレートTを保持するテンプレート保持部360が設けられている。すなわち、ウェハ保持部341とテンプレート保持部360は、ウェハ保持部341に載置されたウェハWと、テンプレート保持部360に保持されたテンプレートTが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部360は、テンプレートTの裏面Tの外周部を吸着保持するチャック361を有している。チャック361は、当該チャック361の上方に設けられた移動機構362により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートTは、ウェハ保持部341上のウェハWに対して所定の向きに回転し昇降できる。 A template holding unit 360 that holds the template T as shown in FIG. 24 is provided on the ceiling surface in the processing container 340 and above the wafer holding unit 341. That is, the wafer holding unit 341 and the template holding unit 360 are arranged so that the wafer W placed on the wafer holding unit 341 and the template T held on the template holding unit 360 face each other. Furthermore, the template holding portion 360 has a chuck 361 for holding adsorb outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T. The chuck 361 is movable in the vertical direction and rotatable about the vertical by a moving mechanism 362 provided above the chuck 361. As a result, the template T can rotate up and down in a predetermined direction with respect to the wafer W on the wafer holder 341.

テンプレート保持部360は、チャック361に保持されたテンプレートTの上方に設けられた光源363を有している。光源363からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源363からの光は、テンプレートTを透過して下方に照射される。   The template holding unit 360 includes a light source 363 provided above the template T held by the chuck 361. The light source 363 emits light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, and the light from the light source 363 passes through the template T and is irradiated downward.

本実施の形態にかかるインプリントシステム300は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム300で行われるインプリント処理について説明する。図26は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図27は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートTとウェハWの状態を示している。   The imprint system 300 according to the present embodiment is configured as described above. Next, an imprint process performed in the imprint system 300 will be described. FIG. 26 shows the main processing flow of this imprint processing, and FIG. 27 shows the state of the template T and the wafer W in each step of this imprint processing.

先ず、テンプレート搬送体12によって、テンプレート搬入出ステーション2から処理ステーション3にテンプレートTが搬送される(図26の工程B1)。処理ステーション3では、テンプレートTの表面Tの洗浄(図26の工程B2)、パターン領域Dへの離型剤Sの塗布(図26の工程B3)、離型剤Sの乾燥(図26の工程B4)、パターン領域D上の離型剤SへのアルコールLの塗布(図26の工程B5)、アルコールLの乾燥除去(図26の工程B6)、パターン領域D上の離型剤Sへのリンス液Nの塗布(図26の工程B7)、リンス液Nの乾燥除去(図26の工程B8)が順次行われ、テンプレートTのパターン領域D上に離型剤Sが成膜される。なお、これら工程B2〜B8は、前記実施の形態における工程A2〜A8と同様であるので、詳細な説明を省略する。 First, the template T is transported from the template carry-in / out station 2 to the processing station 3 by the template carrier 12 (step B1 in FIG. 26). In the processing station 3, the cleaning of the surface T 1 of the template T (step B2 in FIG. 26), the application of the release agent S to the pattern regions D 1 (step B3 in FIG. 26), drying of the release agent S (FIG. 26 step B4), the application of the alcohol L in the release agent S on the pattern area D 1 (step B5 in FIG. 26), drying and removal of the alcohol L (step B6 in FIG. 26), releasing on the pattern regions D 1 agent coating of the rinsing liquid N to S (step B7 in Fig. 26), drying and removal of the rinsing liquid N (step B8 in FIG. 26) are sequentially performed, the release agent S GaNaru on the pattern area D 1 of the template T Be filmed. In addition, since these processes B2-B8 are the same as the processes A2-A8 in the said embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

離型剤Sが成膜されたテンプレートTは、トランジションユニット334に搬送される。続いて、テンプレートTは、インターフェイスステーション312のテンプレート搬送体331によって、反転ユニット332に搬送されて、テンプレートTの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートTの裏面Tが上方に向けられる。その後、テンプレートTは、テンプレート搬送体331によってインプリントユニット310に搬送され、テンプレート保持部360のチャック361に吸着保持される。 The template T on which the release agent S is formed is transported to the transition unit 334. Subsequently, the template T is transported to the reversing unit 332 by the template transport body 331 of the interface station 312 and the front and back surfaces of the template T are reversed. That is, the rear surface T 2 of the template T is directed upwards. Thereafter, the template T is transported to the imprint unit 310 by the template transport body 331 and is sucked and held by the chuck 361 of the template holding unit 360.

このように処理ステーション3においてテンプレートTに所定の処理を行い、インプリントユニット310へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション311では、ウェハ搬送体322により、カセット載置台320上のウェハカセットCからウェハWが取り出され、アライメントユニット323に搬送される。そして、アライメントユニット323において、ウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送体322によってインプリントユニット310に搬送される(図26の工程B9)。なお、ウェハ搬入出ステーション311において、ウェハカセットC内のウェハWは、その被処理面が上方を向くように収容されており、この状態でウェハWはインプリントユニット310に搬送される。 In this way, a predetermined process is performed on the template T in the processing station 3, and the template T is being transferred to the imprint unit 310. At the wafer carry-in / out station 311, the wafer cassette C W on the cassette mounting table 320 is used by the wafer transfer body 322. The wafer W is taken out from the wafer and transferred to the alignment unit 323. Then, the alignment unit 323 adjusts the orientation of the wafer W based on the position of the notch portion of the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the imprint unit 310 by the wafer transfer body 322 (step B9 in FIG. 26). In the wafer carry-in / out station 311, the wafers W in the wafer cassette CW are accommodated so that the surface to be processed faces upward. In this state, the wafers W are carried to the imprint unit 310.

インプリントユニット310に搬入されたウェハWは、昇降ピン342に受け渡され、ウェハ保持部341上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部341に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル352をウェハWの径方向に移動させ、図27(a)に示すようにウェハW上にレジスト液が塗布され、塗布膜としてのレジスト膜Rが形成される(図26の工程B10)。このとき、制御部200により、レジスト液ノズル352から供給されるレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分(テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分(転写パターンCにおける凸部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように塗布される。このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上にレジスト液が塗布される。   The wafer W carried into the imprint unit 310 is transferred to the lift pins 342 and is placed and held on the wafer holding unit 341. Subsequently, after aligning the wafer W held by the wafer holding unit 341 by moving it to a predetermined position in the horizontal direction, the resist solution nozzle 352 is moved in the radial direction of the wafer W, as shown in FIG. As shown, a resist solution is applied onto the wafer W to form a resist film R as a coating film (step B10 in FIG. 26). At this time, the control unit 200 controls the supply timing and supply amount of the resist solution supplied from the resist solution nozzle 352. That is, in the resist pattern formed on the wafer W, the amount of the resist solution applied to the portion corresponding to the convex portion (the portion corresponding to the concave portion in the transfer pattern C of the template T) is large, and the portion corresponding to the concave portion ( The resist solution is applied so that the amount of the resist solution applied to a portion corresponding to the convex portion in the transfer pattern C is small. Thus, the resist solution is applied on the wafer W in accordance with the aperture ratio of the transfer pattern C.

ウェハW上にレジスト膜Rが形成されると、ウェハ保持部341に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部360に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。そして、図27(a)の矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に下降させる。テンプレートTは所定の位置まで下降し、テンプレートTの表面TがウェハW上のレジスト膜Rに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源363から光が照射される。光源363からの光は、図27(b)に示すようにテンプレートTを透過してウェハW上のレジスト膜Rに照射され、これによりレジスト膜Rは光重合する。このようにして、ウェハW上のレジスト膜RにテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される(図26の工程B11)。 When the resist film R is formed on the wafer W, the wafer W held by the wafer holder 341 is moved to a predetermined position in the horizontal direction for alignment, and the template T held by the template holder 360 is used. Is rotated in a predetermined direction. Then, the template T is lowered to the wafer W side as shown by the arrow in FIG. Template T is lowered to a predetermined position, the surface T 1 of the template T is pressed against the resist film R on the wafer W. The predetermined position is set based on the height of the resist pattern formed on the wafer W. Subsequently, light is emitted from the light source 363. The light from the light source 363 passes through the template T and is irradiated onto the resist film R on the wafer W as shown in FIG. 27B, whereby the resist film R is photopolymerized. In this way, the transfer pattern C of the template T is transferred to the resist film R on the wafer W to form the resist pattern P (step B11 in FIG. 26).

その後、図27(c)に示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。このとき、テンプレートTの表面Tには離型剤Sが塗布されているので、ウェハW上のレジストがテンプレートTの表面Tに付着することはない。その後、ウェハWは、昇降ピン342によりウェハ搬送体322に受け渡され、インプリントユニット310からウェハ搬入出ステーション311に搬送され、ウェハカセットCに戻される(図26の工程B12)。なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばインプリントシステム300の外部において、図27(d)に示すように当該残存膜Lを除去してもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 27C, the template T is raised, and a resist pattern P is formed on the wafer W. At this time, since the surface T 1 of the template T release agent S is coated, never resist on the wafer W adheres to the surface T 1 of the template T. Thereafter, the wafer W is transferred to the wafer carrier 322 by the lift pins 342, transferred from the imprint unit 310 to the wafer carry-in / out station 311 and returned to the wafer cassette CW (step B12 in FIG. 26). Note that a thin resist residual film L may remain in the recesses of the resist pattern P formed on the wafer W. For example, as shown in FIG. The film L may be removed.

以上の工程B9〜B12(図26中の点線で囲った部分)を繰り返し行い、一のテンプレートTを用いて、複数のウェハW上にレジストパターンPをそれぞれ形成する。この間、上述した工程B1〜B8を繰り返し行い、複数のテンプレートTの表面T上に離型剤Sを成膜する。離型剤Sが成膜されたテンプレートTは、インターフェイスステーション312のバッファカセット333に保管される。 The above steps B9 to B12 (portions surrounded by dotted lines in FIG. 26) are repeatedly performed to form resist patterns P on the plurality of wafers W using one template T, respectively. During this period, it repeats the step B1~B8 described above, forming the release agent S on the surface T 1 of the plurality of templates T. The template T on which the release agent S is formed is stored in the buffer cassette 333 of the interface station 312.

そして、所定枚数のウェハWに対して工程B9〜B12が行われると、ウェハ搬送体331によって、使用済みのテンプレートTがインプリントユニット310から搬出され、反転ユニット332に搬送される(図26の工程B13)。続いて、ウェハ搬送体331によって、バッファカセット333内のテンプレートTがインプリントユニット310に搬送される。こうして、インプリントユニット310内のテンプレートTが交換される。なお、テンプレートTを交換するタイミングは、テンプレートTの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハWに異なるパターンPを形成する場合にも、テンプレートTが交換される。例えばテンプレートTを1回使用する度に当該テンプレートTを交換してもよい。また、例えば1枚のウェハW毎にテンプレートTを交換してもよいし、例えば1ロット毎にテンプレートTを交換してもよい。   Then, when Steps B9 to B12 are performed on the predetermined number of wafers W, the used template T is unloaded from the imprint unit 310 by the wafer transfer body 331 and transferred to the reversing unit 332 (Step of FIG. 26). B13). Subsequently, the template T in the buffer cassette 333 is transported to the imprint unit 310 by the wafer transport body 331. Thus, the template T in the imprint unit 310 is exchanged. Note that the timing for exchanging the template T is set in consideration of deterioration of the template T and the like. The template T is also replaced when a different pattern P is formed on the wafer W. For example, the template T may be exchanged every time the template T is used once. Further, for example, the template T may be exchanged for each wafer W, or the template T may be exchanged for each lot, for example.

反転ユニット332に搬送された使用済みのテンプレートTは、その表裏面が反転される。その後、ウェハ搬送体331、搬送ユニット20、ウェハ搬送体12によって、テンプレートTはテンプレートカセットCに戻される。このようにして、インプリントシステム300において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。 The used template T conveyed to the reversing unit 332 has its front and back surfaces reversed. Thereafter, the wafer transfer body 331, the transport unit 20, by the wafer transfer body 12, the template T is returned to the template cassette C T. Thus, in the imprint system 300, the predetermined resist pattern P is continuously formed on the plurality of wafers W while the template T is continuously replaced.

以上の実施の形態のインプリントシステム300はテンプレート処理装置1を有しているので、インプリントシステム300において、テンプレートT上に離型剤Sを成膜しつつ、当該テンプレートTをインプリントユニット310に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートTが劣化する前、あるいは複数のウェハW上に異なるレジストパターンPを形成する場合でも、インプリントユニット310内のテンプレートTを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。   Since the imprint system 300 of the above embodiment includes the template processing apparatus 1, the template T is deposited on the imprint unit 310 while the release agent S is formed on the template T in the imprint system 300. Can be supplied continuously. Accordingly, for example, even when the resist pattern P is formed on the plurality of wafers W before the template T deteriorates, the template T in the imprint unit 310 can be exchanged continuously and efficiently. Therefore, the predetermined resist pattern P can be continuously formed on the plurality of wafers W. This also enables mass production of semiconductor devices.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 テンプレート処理装置
30〜33 塗布ユニット
40〜43 洗浄ユニット
110 処理液塗布治具
111 塗布面
114 接触面
115 処理空間
117 Oリング
120 処理液供給部
121 第1の供給口
122 第1の供給路
123 第2の供給路
140 排気口
142 真空ポンプ
150 エアノズル
200 制御部
220 第2の供給口
230 ヒータ
240 超音波振動子
241 超音波発振装置
C 転写パターン
パターン領域
外側領域
L アルコール
M 洗浄液
N リンス液
S 離型剤
T テンプレート
表面
裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Template processing apparatus 30-33 Application | coating unit 40-43 Cleaning unit 110 Processing liquid application | coating jig | tool 111 Application | coating surface 114 Contact surface 115 Processing space 117 O-ring 120 Processing liquid supply part 121 1st supply port 122 1st supply path 123 Second supply path 140 Exhaust port 142 Vacuum pump 150 Air nozzle 200 Control unit 220 Second supply port 230 Heater 240 Ultrasonic vibrator 241 Ultrasonic oscillator C Transfer pattern D 1 pattern area D 2 outer area L Alcohol M Cleaning liquid N Rinse solution S Mold release agent T Template T 1 surface T 2 back surface

Claims (21)

テンプレートの表面において所定パターンが形成されたパターン領域上に処理液を塗布し、当該パターン領域を処理するテンプレート処理方法であって、
前記パターン領域上に前記処理液を塗布するための処理液塗布治具の塗布面が少なくとも前記パターン領域を覆い、且つ前記塗布面と前記パターン領域との間の距離が前記処理液の毛細管現象を発生させる距離となるように、前記処理液塗布治具を前記テンプレートに対向して配置する配置工程と、
その後、前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給する供給工程と、
その後、前記供給された処理液を毛細管現象によって前記パターン領域上にのみ拡散させる拡散工程と、を有することを特徴とする、テンプレート処理方法。
A template processing method for applying a processing liquid on a pattern area where a predetermined pattern is formed on the surface of a template, and processing the pattern area,
An application surface of a treatment liquid application jig for applying the treatment liquid onto the pattern area covers at least the pattern area, and the distance between the application surface and the pattern area is a capillary phenomenon of the treatment liquid. An arrangement step of arranging the treatment liquid application jig so as to face the template so as to be a generated distance;
Thereafter, a supply step of supplying the treatment liquid between the application surface and the pattern region;
And a diffusion step of diffusing the supplied processing solution only on the pattern region by capillary action.
前記供給工程と前記拡散工程は、複数種類の処理液に対して行われることを特徴とする、請求項1に記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 1, wherein the supplying step and the diffusing step are performed on a plurality of types of processing liquids. 前記供給工程において、少なくとも前記塗布面に形成された第1の供給口又は前記塗布面の外側に設けられた第2の供給口から供給されることを特徴とする、請求項1又は2に記載のテンプレート処理方法。 3. The supply step according to claim 1, wherein the supply step is performed from at least a first supply port formed on the application surface or a second supply port provided outside the application surface. Template processing method. 少なくとも前記第1の供給口又は前記第2の供給口は、複数設けられていることを特徴とする、請求項3に記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 3, wherein a plurality of at least the first supply port or the second supply port are provided. 前記拡散工程において、前記処理液に超音波振動を付与することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 1, wherein ultrasonic vibration is applied to the processing liquid in the diffusion step. 前記拡散工程後、前記パターン領域上の前記処理液を乾燥させる乾燥工程をさらに有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 1, further comprising a drying step of drying the processing liquid on the pattern region after the diffusion step. 前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液に空気を吹き付けることを特徴とする、請求項6に記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 6, wherein in the drying step, air is blown onto the processing liquid on the pattern region. 前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液を加熱することを特徴とする、請求項6に記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 6, wherein in the drying step, the processing liquid on the pattern region is heated. 前記乾燥工程において、前記パターン領域上の前記処理液の周囲の雰囲気を減圧することを特徴とする、請求項6に記載のテンプレート処理方法。 The template processing method according to claim 6, wherein in the drying step, an atmosphere around the processing liquid on the pattern region is reduced. 請求項1〜9のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the template processing apparatus in order to cause the template processing apparatus to execute the template processing method according to claim 1. 請求項10に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 10. テンプレートの表面において所定パターンが形成されたパターン領域上に処理液を塗布し、当該パターン領域を処理するテンプレート処理装置であって、
前記パターン領域よりも大きい塗布面を備えた処理液塗布治具と、
前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記塗布面が少なくとも前記パターン領域を覆い、且つ前記塗布面と前記パターン領域との間の距離が前記処理液の毛細管現象を発生させる距離となるように、前記処理液塗布治具を前記テンプレートに対向して配置し、その後、前記塗布面と前記パターン領域との間に前記処理液を供給し、その後、前記供給された処理液を毛細管現象によって前記パターン領域上にのみ拡散させるように、前記処理液塗布治具と前記処理液供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
A template processing apparatus that applies a processing liquid onto a pattern area where a predetermined pattern is formed on the surface of a template, and processes the pattern area,
A treatment liquid coating jig having a coating surface larger than the pattern region;
A treatment liquid supply unit for supplying the treatment liquid between the application surface and the pattern region;
The treatment liquid application jig is used as the template so that the application surface covers at least the pattern region, and the distance between the application surface and the pattern region is a distance that causes capillary action of the treatment liquid. Arranged so as to face each other, and then supplying the processing liquid between the application surface and the pattern area, and then diffusing the supplied processing liquid only on the pattern area by capillary action, A template processing apparatus comprising: a processing liquid application jig; and a control unit that controls the processing liquid supply unit.
前記処理液供給部は、複数種類の処理液を供給することを特徴とする、請求項12に記載のテンプレート処理装置。 The template processing apparatus according to claim 12, wherein the processing liquid supply unit supplies a plurality of types of processing liquid. 前記処理液供給部は、少なくとも前記塗布面に形成された前記処理液の第1の供給口又は前記塗布面の外側に設けられた前記処理液の第2の供給口を有することを特徴とする、請求項12又は13に記載のテンプレート処理装置。 The treatment liquid supply unit has at least a first supply port of the treatment liquid formed on the application surface or a second supply port of the treatment liquid provided outside the application surface. The template processing apparatus according to claim 12 or 13. 少なくとも前記第1の供給口又は前記第2の供給口は、複数設けられていることを特徴とする、請求項14に記載のテンプレート処理装置。 15. The template processing apparatus according to claim 14, wherein a plurality of at least the first supply port or the second supply port are provided. 前記処理液供給部が前記第1の供給口を有する場合において、
当該処理液供給部は、前記第1の供給口と同じ径を有し且つ前記第1の供給口に接続された第1の供給路と、前記第1の供給口よりも大きい径を有し且つ前記第1の供給路に接続された第2の供給路とを有することを特徴とする、請求項14又は15に記載のテンプレート処理装置。
In the case where the processing liquid supply unit has the first supply port,
The treatment liquid supply unit has the same diameter as the first supply port and a first supply path connected to the first supply port, and a larger diameter than the first supply port. The template processing apparatus according to claim 14, further comprising: a second supply path connected to the first supply path.
前記塗布面と前記パターン領域との間を拡散する前記処理液に超音波振動を付与する振動機構を有することを特徴とする、請求項12〜16のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The template processing apparatus according to claim 12, further comprising a vibration mechanism that applies ultrasonic vibration to the processing liquid that diffuses between the coating surface and the pattern region. 前記処理液塗布治具は、
前記塗布面の周囲に環状に形成され、前記パターン領域が形成されていない前記テンプレートの表面と接触して、前記処理液塗布治具と前記テンプレートとの間に処理空間を形成する接触面と、
前記接触面に環状に設けられ、前記処理空間内の気密性を保持するためのシール材と、
前記処理空間内の雰囲気を排気するための排気口と、を有することを特徴とする、請求項12〜17のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
The treatment liquid application jig is
A contact surface that is annularly formed around the coating surface and that contacts the surface of the template on which the pattern region is not formed, and forms a processing space between the processing liquid coating jig and the template;
A seal material provided annularly on the contact surface, for maintaining airtightness in the processing space;
The template processing apparatus according to claim 12, further comprising an exhaust port for exhausting an atmosphere in the processing space.
前記パターン領域上に塗布された前記処理液に空気を吹き付ける空気供給部を有することを特徴とする、請求項12〜18のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The template processing apparatus according to claim 12, further comprising an air supply unit that blows air to the processing liquid applied on the pattern region. 前記パターン領域上に塗布された前記処理液を加熱する加熱処理部を有することを特徴とする、請求項12〜18のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The template processing apparatus according to claim 12, further comprising a heat processing unit that heats the processing liquid applied onto the pattern region. 前記塗布面には、メッシュ板が設けられていることを特徴とする、請求項12〜20のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The template processing apparatus according to claim 12, wherein a mesh plate is provided on the application surface.
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