JP5282077B2 - Substrate surface modification method, program, computer storage medium, and substrate surface modification apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention is a method for modifying the surface of a substrate such that the adhesiveness between the surface of the substrate and an object to be bonded thereto is improved. The surface of the substrate is modified by supplying a surface modification solution such as a tertiary alcohol, an alkaline solution or a hydrogen peroxide solution to the surface of a substrate while irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, and by imparting a large amount of hydroxyl groups to the surface of the substrate. The surface of the substrate begins to be irradiated with ultraviolet rays while the surface modification solution is being supplied.

Description

本発明は、基板の表面を改質する表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の表面改質装置に関する。   The present invention relates to a surface modification method, a program, a computer storage medium, and a substrate surface modification apparatus for modifying the surface of a substrate.

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。   When the resist pattern described above is formed, the resist pattern is required to be miniaturized in order to achieve higher integration of the semiconductor device. In general, the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. For this reason, it has been advancing to shorten the wavelength of exposure light. However, there are technical and cost limitations to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern on the order of several nanometers, for example, only by the method of advancing the wavelength of light. is there.

そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート(モールドや型と呼ばれることもある。)をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである(特許文献1)。   Therefore, in recent years, it has been proposed to form a fine resist pattern on a wafer by using a so-called imprint method instead of performing a photolithography process on the wafer. In this method, a template (sometimes called a mold or a mold) having a fine pattern on the surface is pressure-bonded to the resist surface formed on the wafer, then peeled off, and the pattern is directly transferred to the resist surface. (Patent Document 1).

特開2009−43998号公報JP 2009-43998 A

上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型剤が成膜されている。   On the surface of the template used in the above-described imprinting method, a release agent having liquid repellency with respect to the resist is usually formed in order to make the template easy to peel from the resist.

テンプレートの表面に離型剤を成膜する際には、先ず、テンプレートの表面を洗浄した後、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する。次に、成膜される離型剤が所定の接触角を有してレジストに対する撥液性機能を発揮できるようにするため、離型剤をテンプレートの表面に密着させる。具体的には、離型剤とテンプレートの表面を化学反応させ、すなわち離型剤分子とテンプレートの表面の水酸基とを脱水縮合により結合させる。そして、離型剤中に含まれる成分のうち、レジストに対して撥液性を有する成分、例えばフッ化物成分をテンプレートの表面に吸着させる。その後、離型剤の未反応部を除去して、テンプレートの表面に所定の膜厚の離型剤が成膜される。なお、離型剤の未反応部とは、離型剤がテンプレートの表面と化学反応して密着する部分以外をいう。   When forming a release agent on the surface of the template, first, after cleaning the surface of the template, the release agent is applied to the surface of the template. Next, the release agent is adhered to the surface of the template so that the release agent to be formed has a predetermined contact angle and can exhibit a liquid repellency function with respect to the resist. Specifically, the release agent and the template surface are chemically reacted, that is, the release agent molecule and the hydroxyl group on the template surface are bonded by dehydration condensation. Of the components contained in the release agent, a component having liquid repellency with respect to the resist, such as a fluoride component, is adsorbed on the surface of the template. Thereafter, the unreacted portion of the release agent is removed, and a release agent having a predetermined film thickness is formed on the surface of the template. The unreacted part of the release agent means a part other than the part where the release agent is chemically reacted with the surface of the template.

上述のように離型剤を成膜する場合において、離型剤をテンプレートの表面に十分に密着させるためには、テンプレートの表面に多くの水酸基が存在していることが必要となる。しかしながら、例えばテンプレートの表面に十分な前処理が行われていない場合や、例えばテンプレートの表面の材質が水酸基を形成し難い材質である場合には、当該テンプレートの表面に形成される水酸基が少なくなる。かかる場合、離型剤をテンプレートの表面に十分に密着させることができなかった。   In the case where a release agent is formed as described above, it is necessary that many hydroxyl groups exist on the surface of the template in order for the release agent to sufficiently adhere to the template surface. However, for example, when sufficient pretreatment is not performed on the surface of the template, or when the material of the template surface is a material that hardly forms a hydroxyl group, the number of hydroxyl groups formed on the surface of the template is reduced. . In such a case, the release agent could not be sufficiently adhered to the template surface.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の表面を改質し、当該基板の表面と結合対象物との密着性を向上させることを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at modifying the surface of a board | substrate and improving the adhesiveness of the surface of the said board | substrate, and a coupling | bonding target object.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の表面を改質する方法であって、基板の表面に紫外線を照射しながら、基板の表面に表面改質液を供給して、当該基板の表面に水酸基を付与することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention is a method for modifying a surface of a substrate, wherein a surface modifying solution is supplied to the surface of the substrate while irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, It is characterized by adding a hydroxyl group to the surface.

本発明によれば、基板の表面に紫外線を照射するので、当該基板の表面を活性化できる。そして、基板の表面を活性化しながら、当該基板の表面に表面改質液を供給するので、基板の表面に多量の水酸基を付与することができる。このように基板の表面を十分に改質できるので、その後基板の表面と結合対象物が化学結合する際に、当該基板の表面と結合対象物との密着性を向上させることができる。   According to the present invention, since the surface of the substrate is irradiated with ultraviolet rays, the surface of the substrate can be activated. And since a surface modification liquid is supplied to the surface of the said board | substrate, activating the surface of a board | substrate, a large amount of hydroxyl groups can be provided to the surface of a board | substrate. Since the surface of the substrate can be sufficiently modified in this way, the adhesion between the surface of the substrate and the object to be bonded can be improved when the surface of the substrate and the object to be bonded are chemically bonded thereafter.

前記表面改質液には、基板の表面の材質によって最適な液を選択することができる。前記表面改質液は、第3級アルコールであってもよいし、アルカリ溶液であってもよいし、過酸化水素水であってもよい。発明者らが鋭意検討した結果、特に表面改質液として第3級アルコールやアルカリ溶液を用いた場合、基板の表面の材質を問わず、基板の表面に多量の水酸基を付与できることが分かった。また、表面改質液として過酸化水素水を用いた場合、特に基板の表面の材質がタングステンであれば、当該基板の表面に多量の水酸基を付与できることが分かった。   As the surface modifying liquid, an optimal liquid can be selected depending on the material of the surface of the substrate. The surface modification liquid may be a tertiary alcohol, an alkaline solution, or a hydrogen peroxide solution. As a result of intensive studies by the inventors, it was found that a large amount of hydroxyl groups can be imparted to the surface of the substrate regardless of the material of the surface of the substrate, particularly when a tertiary alcohol or an alkaline solution is used as the surface modifying solution. Further, it was found that when hydrogen peroxide water is used as the surface modification liquid, a large amount of hydroxyl groups can be imparted to the surface of the substrate, particularly if the material of the substrate surface is tungsten.

前記基板の表面に前記紫外線を照射中に、当該基板の表面への前記表面改質液の供給を開始してもよい。   During the irradiation of the ultraviolet ray on the surface of the substrate, the supply of the surface modifying liquid to the surface of the substrate may be started.

また、前記基板の表面と当該表面と対向して配置された支持板との間に前記表面改質液が供給された状態で、前記基板の表面への前記紫外線の照射を開始してもよい。かかる場合、前記支持板は、前記紫外線を透過させてもよい。   Further, the irradiation of the ultraviolet light onto the surface of the substrate may be started in a state in which the surface modifying liquid is supplied between the surface of the substrate and a support plate arranged to face the surface. . In such a case, the support plate may transmit the ultraviolet light.

前記基板は、表面に転写パターンが形成され、且つ前記転写パターンを他の基板上のレジスト膜に転写してレジストパターンを形成するためのテンプレートであってもよい。   The substrate may be a template on which a transfer pattern is formed and a resist pattern is formed by transferring the transfer pattern to a resist film on another substrate.

別な観点による本発明によれば、前記基板の表面改質方法を表面改質装置によって実行させるために、当該表面改質装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that runs on a computer of a control unit that controls the surface modification apparatus in order to cause the surface modification apparatus to execute the substrate surface modification method.

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

さらに別な観点による本発明は、基板の表面を改質する表面改質装置であって、基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射部と、基板の表面に水酸基を付与するための表面改質液を供給する表面改質液供給部と、基板の表面に前記紫外線を照射しながら、基板の表面に前記表面改質液を供給するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御する制御部と、を有することを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a surface modification apparatus for modifying the surface of a substrate, the ultraviolet irradiation unit for irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, and the surface modification for imparting a hydroxyl group to the surface of the substrate. A surface modifying liquid supply unit configured to supply a liquid; and the ultraviolet irradiation unit and the surface modifying liquid supply unit configured to supply the surface modifying liquid to the surface of the substrate while irradiating the surface of the substrate with the ultraviolet light. And a control unit for controlling.

前記表面改質液は、第3級アルコールであってもよいし、アルカリ溶液であってもよいし、過酸化水素水であってもよい。   The surface modification liquid may be a tertiary alcohol, an alkaline solution, or a hydrogen peroxide solution.

前記制御部は、前記基板の表面に前記紫外線を照射中に当該基板の表面への前記表面改質液の供給を開始するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御してもよい。   The control unit controls the ultraviolet irradiation unit and the surface modifying liquid supply unit so as to start supplying the surface modifying liquid to the surface of the substrate while the surface of the substrate is irradiated with the ultraviolet light. May be.

前記表面改質装置は、前記基板の表面と対向して配置された支持板を有し、前記制御部は、前記基板の表面と前記支持板との間に前記表面改質液が供給された状態で前記基板の表面への前記紫外線の照射を開始するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御してもよい。かかる場合、前記支持板は、前記紫外線を透過させてもよい。   The surface modification apparatus has a support plate disposed to face the surface of the substrate, and the control unit is supplied with the surface modification liquid between the surface of the substrate and the support plate. You may control the said ultraviolet irradiation part and the said surface modification liquid supply part so that the irradiation of the said ultraviolet-ray to the surface of the said substrate may be started in a state. In such a case, the support plate may transmit the ultraviolet light.

前記基板は、表面に転写パターンが形成され、且つ前記転写パターンを他の基板上のレジスト膜に転写してレジストパターンを形成するためのテンプレートであってもよい。   The substrate may be a template on which a transfer pattern is formed and a resist pattern is formed by transferring the transfer pattern to a resist film on another substrate.

本発明によれば、基板の表面を改質し、当該基板の表面と結合対象物との密着性を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the surface of a board | substrate can be modify | reformed and the adhesiveness of the surface of the said board | substrate and a coupling | bonding object can be improved.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. テンプレートの斜視図である。It is a perspective view of a template. 表面改質ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a surface modification unit. 保持部材の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a holding member. 表面改質ユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a surface modification unit. リンスユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a rinse unit. テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the template process. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートの表面を洗浄する様子を示し、(b)はテンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に表面改質液を供給する様子を示し、(c)はテンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する様子を示し、(d)はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the surface of a template is wash | cleaned, (b) is the said template, irradiating the surface of a template with an ultraviolet-ray. (C) shows a state in which the surface modification liquid is supplied to the surface of the template, and (c) shows a state in which a mold release agent is applied to the surface of the template while irradiating the surface of the template with ultraviolet rays. A mode that the mold release agent was formed into a film is shown. 他の実施の形態にかかる表面改質ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the surface modification unit concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるテンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートの表面を洗浄する様子を示し、(b)はテンプレートの表面と支持板との間に表面改質液を供給する様子を示し、(c)はテンプレートの表面に表面改質液が供給された状態で、当該テンプレートの表面に紫外線を照射する様子を示し、(d)はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of the template process concerning other embodiment, (a) shows a mode that the surface of a template is wash | cleaned, (b) is the surface of a template, and support (C) shows a state in which the surface modifying liquid is supplied to the surface of the template, and a state in which the surface modifying liquid is supplied to the surface of the template. ) Shows a state in which a release agent is formed on the template. テンプレートの裏面側から表面に紫外線を照射する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that an ultraviolet-ray is irradiated to the surface from the back surface side of a template. 洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. 洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the imprint system provided with the template processing apparatus concerning this Embodiment. インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint unit. インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of an imprint unit. インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the imprint process. インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、(b)はウェハ上のレジスト膜を光重合させる様子を示し、(c)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、(d)はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template and wafer in each process of an imprint process, (a) shows a mode that the resist liquid was apply | coated on the wafer, (b) shows the resist film on a wafer. (C) shows a state in which a resist pattern is formed on a wafer, and (d) shows a state in which a remaining film on the wafer is removed.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1の構成の概略を示す平面図である。図2及び図3は、テンプレート処理装置1の構成の概略を示す側面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of the template processing apparatus 1 according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the configuration of the template processing apparatus 1.

本実施の形態のテンプレート処理装置1では、図4に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成された、基板としてのテンプレートTが用いられる。以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面Tといい、当該表面Tと反対側の面を裏面Tという。なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えば石英ガラスが用いられる。 In the template processing apparatus 1 of the present embodiment, a template T as a substrate having a rectangular parallelepiped shape and having a predetermined transfer pattern C formed on the surface is used as shown in FIG. Hereinafter, the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2. For the template T, a transparent material capable of transmitting light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, such as quartz glass, is used.

テンプレート処理装置1は、図1に示すように複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とテンプレート処理装置1との間で搬入出したり、テンプレートカセットCに対してテンプレートTを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション2と、テンプレートTに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。 Template processing unit 1 includes a plurality as shown in FIG. 1, for example, five of the template T or transferring, between the outside and the template processing apparatus 1 with the cassette unit, carrying out a template T the template cassette C T The template loading / unloading station 2 and the processing station 3 including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the template T are integrally connected.

テンプレート搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のテンプレートカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション2は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。 The template loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 can mount a plurality of template cassettes CT in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). That is, the template carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of templates T.

テンプレート搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なテンプレート搬送体12が設けられている。テンプレート搬送体12は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、テンプレートカセットCと処理ステーション3との間でテンプレートTを搬送できる。 The template carry-in / out station 2 is provided with a template carrier 12 that can move on a conveyance path 11 extending in the X direction. The template transport body 12 is also movable in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and can transport the template T between the template cassette CT and the processing station 3.

処理ステーション3には、その中心部に搬送ユニット20が設けられている。この搬送ユニット20の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックG1〜G4が配置されている。処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2が順に配置されている。処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第3の処理ブロックG3、第4の処理ブロックG4が順に配置されている。処理ステーション3のテンプレート搬入出ステーション2側には、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット21が配置されている。   The processing station 3 is provided with a transport unit 20 at the center thereof. Around the transport unit 20, for example, four processing blocks G1 to G4 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged. A first processing block G1 and a second processing block G2 are arranged in this order from the template loading / unloading station 2 side on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1). A third processing block G3 and a fourth processing block G4 are arranged in this order from the template loading / unloading station 2 side on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). A transition unit 21 for delivering the template T is disposed on the template loading / unloading station 2 side of the processing station 3.

搬送ユニット20は、テンプレートTを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット20は、処理ブロックG1〜G4内に配置された後述する各種処理ユニット、及びトランジションユニット21に対してテンプレートTを搬送できる。   The transport unit 20 has a transport arm that holds and transports the template T and is movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction. And the conveyance unit 20 can convey the template T with respect to the various processing units mentioned later and the transition unit 21 which are arrange | positioned in the processing blocks G1-G4.

第1の処理ブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、当該テンプレートTの表面Tに表面改質液を供給する表面改質装置としての表面改質ユニット30、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、当該テンプレートTの表面Tに離型剤を塗布する塗布ユニット31が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックG2も同様に、表面改質ユニット32、塗布ユニット33が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室34、35がそれぞれ設けられている。 The first processing block G1, and supplies the plurality of liquid processing units, as shown in FIG. 2, for example while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T, the surface modification liquid to the surface T 1 of the template T surface modification apparatus surface modifying unit 30 as, while irradiating ultraviolet rays on the surface T 1 of the template T, superimposed from the coating unit 31 is lower for applying a release agent to the surface T 1 of the said template T in two stages in order It has been. Similarly, in the second processing block G2, the surface modification unit 32 and the coating unit 33 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 34 and 35 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the first processing block G1 and the second processing block G2, respectively.

第3の処理ブロックG3には、図3に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートT上の離型剤をリンスするリンスユニット40、41が下から順に2段に重ねられている。第4の処理ブロックG4も同様に、リンスユニット42、43が下から順に2段に重ねられている。また、第3の処理ブロックG3及び第4の処理ブロックG4の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室44、45がそれぞれ設けられている。   In the third processing block G3, as shown in FIG. 3, a plurality of liquid processing units, for example, rinse units 40 and 41 for rinsing the release agent on the template T are stacked in two stages in order from the bottom. Similarly, in the fourth processing block G4, the rinsing units 42 and 43 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 44 and 45 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the third processing block G3 and the fourth processing block G4, respectively.

次に、上述した表面改質ユニット30、32の構成について説明する。表面改質ユニット30は、図5に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器100を有している。   Next, the configuration of the surface modification units 30 and 32 described above will be described. As shown in FIG. 5, the surface modification unit 30 includes a processing container 100 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器100の天井面には、処理容器100の内部に向けて不活性ガス、例えば窒素ガスを供給するためのガス供給口101が形成されている。ガス供給口101には、ガス供給管102を介して窒素ガスを供給するガス供給源103が接続されている。   A gas supply port 101 for supplying an inert gas such as nitrogen gas toward the inside of the processing container 100 is formed on the ceiling surface of the processing container 100. A gas supply source 103 that supplies nitrogen gas is connected to the gas supply port 101 via a gas supply pipe 102.

処理容器100の底面には、処理容器100の内部の雰囲気を排気するための排気口104が形成されている。排気口104には、排気管105を介して処理容器100の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ106が接続されている。   An exhaust port 104 for exhausting the atmosphere inside the processing container 100 is formed on the bottom surface of the processing container 100. An exhaust pump 106 that evacuates the atmosphere inside the processing container 100 is connected to the exhaust port 104 via an exhaust pipe 105.

処理容器100内の中央部には、テンプレートTを保持して回転させる保持部材110が設けられている。保持部材110の中央部分は下方に窪み、テンプレートTを収容する収容部111が形成されている。収容部111の下部には、テンプレートTの外形より小さい溝部111aが形成されている。したがって、収容部111内では、溝部111aによってテンプレートTの下面内周部は保持部材110と接しておらず、テンプレートTの下面外周部のみが保持部材110に支持されている。収容部111は、図6に示すようにテンプレートTの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部111には、側面から内側に突出した突出部112が複数形成され、この突出部112により、収容部111に収容されるテンプレートTの位置決めがされる。また、搬送ユニット20の搬送アームから収容部111にテンプレートTを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部111と干渉するのを避けるため、収容部111の外周には、切欠き部113が4箇所に形成されている。   A holding member 110 that holds and rotates the template T is provided at the center in the processing container 100. A central portion of the holding member 110 is depressed downward, and an accommodating portion 111 for accommodating the template T is formed. A groove portion 111 a smaller than the outer shape of the template T is formed in the lower portion of the housing portion 111. Therefore, in the accommodating part 111, the inner peripheral part of the lower surface of the template T is not in contact with the holding member 110 by the groove part 111a, and only the outer peripheral part of the lower surface of the template T is supported by the holding member 110. As shown in FIG. 6, the accommodating portion 111 has a substantially rectangular planar shape that conforms to the outer shape of the template T. A plurality of projecting portions 112 projecting inward from the side surface are formed in the accommodating portion 111, and the template T accommodated in the accommodating portion 111 is positioned by the projecting portions 112. Further, when the template T is transferred from the transfer arm of the transfer unit 20 to the storage unit 111, there are four notches 113 on the outer periphery of the storage unit 111 in order to avoid the transfer arm from interfering with the storage unit 111. It is formed in the place.

保持部材110は、図5に示すようにカバー体114に取り付けられ、保持部材110の下方には、シャフト115を介して回転駆動部116が設けられている。この回転駆動部116により、保持部材110は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。   As shown in FIG. 5, the holding member 110 is attached to the cover body 114, and a rotation driving unit 116 is provided below the holding member 110 via a shaft 115. By this rotation drive unit 116, the holding member 110 can rotate around the vertical at a predetermined speed and can move up and down.

保持部材110の周囲には、テンプレートTから飛散又は落下する表面改質液を受け止め、回収するカップ120が設けられている。カップ120の下面には、回収した表面改質液を排出する排出管121と、カップ120内の雰囲気を排気する排気管122が接続されている。   Around the holding member 110, there is provided a cup 120 that receives and collects the surface modifying liquid scattered or dropped from the template T. Connected to the lower surface of the cup 120 are a discharge pipe 121 for discharging the recovered surface modification liquid and an exhaust pipe 122 for exhausting the atmosphere in the cup 120.

図7に示すようにカップ120のX方向負方向(図7の下方向)側には、Y方向(図7の左右方向)に沿って延伸するレール130が形成されている。レール130は、例えばカップ120のY方向負方向(図7の左方向)側の外方からY方向正方向(図7の右方向)側の外方まで形成されている。レール130には、アーム131が取り付けられている。   As shown in FIG. 7, a rail 130 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 7) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 7) side of the cup 120. For example, the rail 130 is formed from the outside of the cup 120 in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 7) to the outside in the Y direction positive direction (right direction in FIG. 7). An arm 131 is attached to the rail 130.

アーム131には、テンプレートTの表面Tに表面改質液を供給する表面改質液供給部としての表面改質液ノズル132が支持されている。アーム131は、ノズル駆動部133により、レール130上を移動自在である。これにより、表面改質液ノズル132は、カップ120のY方向正方向側の外方に設置された待機部134からカップ120内のテンプレートTの中心部上方まで移動できる。また、アーム131は、ノズル駆動部133によって昇降自在であり、表面改質液ノズル132の高さを調整できる。なお、表面改質液には、後述するようにテンプレートTの表面Tに水酸基を付与することができる材料が用いられる。本実施の形態においては、かかる表面改質液の材料として、例えば第3級アルコールであるt−ペンチルアルコールが用いられる。 The arm 131 supports a surface modifying liquid nozzle 132 as a surface modifying liquid supply unit that supplies a surface modifying liquid to the surface T 1 of the template T. The arm 131 is movable on the rail 130 by the nozzle driving unit 133. Thereby, the surface modifying liquid nozzle 132 can move from the standby part 134 installed on the outer side of the cup 120 on the positive side in the Y direction to above the center part of the template T in the cup 120. Further, the arm 131 can be moved up and down by a nozzle driving unit 133 and the height of the surface modifying liquid nozzle 132 can be adjusted. Note that the surface modification liquid, material is used which can impart hydroxyl groups on the surface T 1 of the template T as described later. In the present embodiment, for example, t-pentyl alcohol, which is a tertiary alcohol, is used as the material of the surface modification liquid.

処理容器100内の天井面であって、保持部材110の上方には、テンプレートTの表面Tに例えば172nmの波長の紫外線(キセノンエキシマUV)を照射する紫外線照射部140が設けられている。紫外線照射部140は、例えば保持部材110に保持されたテンプレートTの表面Tに対向し、当該表面T全面を覆うように配置されている。 An ultraviolet irradiation unit 140 that irradiates the surface T 1 of the template T with ultraviolet rays (xenon excimer UV) having a wavelength of, for example, 172 nm is provided on the ceiling surface in the processing container 100 and above the holding member 110. Ultraviolet irradiation unit 140 is, for example opposite the surface T 1 of the template T held by the holding member 110 is disposed so as to cover the surface T 1 the entire surface.

なお、例えば保持部材110の溝部111a内に、洗浄液、例えば有機溶剤を噴射する洗浄液ノズルを設けてもよい。この洗浄液ノズルからテンプレートTの裏面Tに洗浄液を噴射することによって、当該裏面Tを洗浄することができる。 For example, a cleaning liquid nozzle that injects a cleaning liquid, for example, an organic solvent, may be provided in the groove 111 a of the holding member 110. By spraying the cleaning liquid onto the back surface T 2 of the template T from the cleaning liquid nozzle, the back surface T 2 can be cleaned.

なお、表面改質ユニット32の構成は、上述した表面改質ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the surface modification unit 32 is the same as that of the surface modification unit 30 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

また、塗布ユニット31、33の構成は、上述した表面改質ユニット30において、表面改質液ノズル132を離型剤ノズルに置換した構成を有している。離型剤ノズルは、テンプレートT上に離型剤を供給できる。なお、塗布ユニット31、33のその他の構成は、表面改質ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。また、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素炭素系化合物等が用いられる。   Moreover, the structure of the coating units 31 and 33 has the structure which replaced the surface modification liquid nozzle 132 with the mold release agent nozzle in the surface modification unit 30 mentioned above. The release agent nozzle can supply the release agent onto the template T. In addition, since the other structure of the coating units 31 and 33 is the same as that of the surface modification unit 30, description is abbreviate | omitted. As the release agent material, a material having liquid repellency with respect to a resist film on the wafer, which will be described later, for example, a fluorine-carbon compound is used.

次に、上述したリンスユニット40〜43の構成について説明する。リンスユニット40は、図8に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器150を有している。   Next, the structure of the rinse units 40-43 mentioned above is demonstrated. The rinse unit 40 includes a processing container 150 having a loading / unloading port (not shown) for the template T formed on the side surface as shown in FIG.

処理容器150内の底面には、テンプレートTを浸漬させる浸漬槽151が設けられている。浸漬槽151内には、テンプレートT上の離型剤をリンスするためのリンス液、例えば有機溶剤が貯留されている。   An immersion tank 151 in which the template T is immersed is provided on the bottom surface in the processing container 150. In the immersion tank 151, a rinse liquid for rinsing the release agent on the template T, for example, an organic solvent is stored.

処理容器150内の天井面であって、浸漬槽151の上方には、テンプレートTを保持する保持部152が設けられている。保持部152は、テンプレートTの裏面Tの外周部を吸着保持するチャック153を有している。テンプレートTは、その表面Tが上方を向くようにチャック153に保持される。チャック153は、昇降機構154により昇降できる。そして、テンプレートTは、保持部152に保持された状態で浸漬槽151に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートT上の離型剤がリンスされる。 A holding part 152 that holds the template T is provided on the ceiling surface in the processing container 150 and above the immersion tank 151. Holding portion 152, the outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 153 for holding suction. Template T has a surface T 1 is held on the chuck 153 to face upward. The chuck 153 can be moved up and down by a lifting mechanism 154. And the template T is immersed in the organic solvent stored by the immersion tank 151 in the state hold | maintained at the holding | maintenance part 152, and the mold release agent on the said template T is rinsed.

保持部152は、チャック153に保持されたテンプレートTの上方に設けられた気体供給部155を有している。気体供給部155は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック153に保持されたテンプレートTの表面Tに吹き付けることができる。これにより、浸漬槽151でリンスされたテンプレートTの表面Tを乾燥させることができる。なお、リンスユニット40には、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)が接続されている。 The holding unit 152 includes a gas supply unit 155 provided above the template T held by the chuck 153. The gas supply unit 155 can spray an inert gas such as nitrogen or a gas gas such as dry air downward, that is, the surface T 1 of the template T held by the chuck 153. Thus, it is possible to dry the surface T 1 of the rinsing template T in the immersion bath 151. The rinse unit 40 is connected to an exhaust pipe (not shown) for exhausting the internal atmosphere.

なお、リンスユニット41〜43の構成は、上述したリンスユニット40の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the rinse units 41-43 is the same as that of the structure of the rinse unit 40 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

以上のテンプレート処理装置1には、図1に示すように制御部160が設けられている。制御部160は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション2と処理ステーション3との間のテンプレートTの搬送や、処理ステーション3における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置1における後述するテンプレート処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部160にインストールされたものであってもよい。   The template processing apparatus 1 is provided with a control unit 160 as shown in FIG. The control unit 160 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit controls the transfer of the template T between the template loading / unloading station 2 and the processing station 3, the operation of the drive system in the processing station 3, and the like, and executes template processing to be described later in the template processing apparatus 1. The program to be stored is stored. This program is recorded on a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical disk (MO), memory card, or the like. Or installed in the control unit 160 from the storage medium.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置1で行われるテンプレート処理について説明する。図9は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図10は、各工程におけるテンプレートTの状態を示している。   The template processing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, template processing performed in the template processing apparatus 1 will be described. FIG. 9 shows the main processing flow of this template processing, and FIG. 10 shows the state of the template T in each step.

先ず、テンプレート搬送体12によって、カセット載置台10上のテンプレートカセットCからテンプレートTが取り出され、処理ステーション3のトランジションユニット21に搬送される(図9の工程A1)。このとき、テンプレートカセットC内には、テンプレートTは、転写パターンCが形成された表面Tが上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートTはトランジションユニット21に搬送される。 First, the template carrier 12, the template T is taken from the template cassette C T on the cassette mounting table 10, it is transported to the transition unit 21 in the processing station 3 (step A1 in FIG. 9). At this time, in the template cassette C T, the template T, the surface T 1 of the transfer pattern C is formed is accommodated so as to face upward, the template T in this state is conveyed to the transition unit 21.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、表面改質ユニット30に搬送され、保持部材110に受け渡される。続いて、ガス供給口101から窒素ガスが処理容器100内に供給される。このとき、排気口104から処理容器100の内部の雰囲気が排気されて、処理容器100の内部は窒素ガス雰囲気に置換される。その後、図10(a)に示すように紫外線照射部140からテンプレートTの表面T全面に紫外線が照射される。そして、テンプレートTの表面Tの有機物が除去され、当該テンプレートTの表面Tが洗浄される(図9の工程A2)。 Thereafter, the template T is transported to the surface modification unit 30 by the transport unit 20 and transferred to the holding member 110. Subsequently, nitrogen gas is supplied into the processing container 100 from the gas supply port 101. At this time, the atmosphere inside the processing container 100 is exhausted from the exhaust port 104, and the inside of the processing container 100 is replaced with a nitrogen gas atmosphere. Thereafter, ultraviolet from the ultraviolet irradiation unit 140 to the surface T 1 the entire surface of the template T as shown in FIG. 10 (a) are irradiated. The organic surface T 1 of the template T is removed, the surface T 1 of the said template T is cleaned (step A2 in FIG. 9).

その後、表面改質液ノズル132をテンプレートTの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートTを回転させる。そして、図10(b)に示すように引き続き紫外線照射部140からテンプレートTの表面Tにエネルギーの高い紫外線を照射しながら、表面改質液ノズル132から回転中のテンプレートT上に表面改質液Mを供給する。すなわち、紫外線の照射中に、テンプレートTの表面Tへの表面改質液Mの供給を開始する。供給された表面改質液Mは遠心力によりテンプレートTの表面T全面に拡散する。 Thereafter, the surface modifying liquid nozzle 132 is moved to above the center of the template T and the template T is rotated. Then, while irradiating the high energy ultraviolet light surface T 1 of the template T from continuing the ultraviolet irradiation unit 140, as shown in FIG. 10 (b), the surface modification liquid surface modification on the template T during rotation from nozzles 132 Supply liquid M. That is, during the irradiation of ultraviolet light, initiates the supply of the surface modification fluid M to the surface T 1 of the template T. Supply surface reforming liquid M diffuses to the surface T 1 the entire surface of the template T by the centrifugal force.

ここで、発明者らが鋭意検討したところ、このようにテンプレートTの表面Tに紫外線を照射すると、当該表面Tが活性化することが分かった。そして、石英ガラスからなるテンプレートTの活性化した表面Tに対して、t−ペンチルアルコールである表面改質液Mを供給すると、表面Tに多量の水酸基(OH基)が付与されることが分かった。こうして、テンプレートTの表面Tが改質される(図9の工程A3)。なお、この工程A3において、処理容器100の内部は窒素ガス雰囲気に維持されている。また、表面Tの改質後、紫外線照射部140からの紫外線の照射と表面改質液ノズル132からの表面改質液Mの供給を停止した後、引き続きテンプレートTを回転させて、当該テンプレートTの表面Tを振り切り乾燥させる。 Here, when the inventors diligently examined, it was found that when the surface T 1 of the template T was irradiated with ultraviolet rays, the surface T 1 was activated. When a surface modification liquid M that is t-pentyl alcohol is supplied to the activated surface T 1 of the template T made of quartz glass, a large amount of hydroxyl groups (OH groups) are imparted to the surface T 1. I understood. Thus, the surface T 1 of the template T is reformed (Step A3 in FIG. 9). In this step A3, the inside of the processing container 100 is maintained in a nitrogen gas atmosphere. Further, after the surface T 1 is modified, after the ultraviolet irradiation from the ultraviolet irradiation unit 140 and the supply of the surface modifying liquid M from the surface modifying liquid nozzle 132 are stopped, the template T is continuously rotated, and the template T T to the surface T 1 shaken dry and the.

なお、表面改質液Mには、テンプレートTの表面Tの材質によって最適な液を選択できる。本実施の形態においては、石英ガラスであるテンプレートTに対して表面改質液Mとして第3級アルコール(t−ペンチルアルコール)を用いたが、その他の組み合わせについては後述する。 Note that the surface modification liquid M, can select the optimum solution by the material of the surface T 1 of the template T. In the present embodiment, tertiary alcohol (t-pentyl alcohol) is used as the surface modifying liquid M for the template T which is quartz glass, but other combinations will be described later.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、塗布ユニット31に搬送され、保持部材110に受け渡される。続いて、ガス供給口101から窒素ガスが処理容器100内に供給される。このとき、排気口104から処理容器100の内部の雰囲気が排気されて、処理容器100の内部は窒素ガス雰囲気に置換される。   Thereafter, the template T is transported to the coating unit 31 by the transport unit 20 and transferred to the holding member 110. Subsequently, nitrogen gas is supplied into the processing container 100 from the gas supply port 101. At this time, the atmosphere inside the processing container 100 is exhausted from the exhaust port 104, and the inside of the processing container 100 is replaced with a nitrogen gas atmosphere.

その後、離型剤ノズルをテンプレートTの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートTを回転させる。そして、図10(c)に示すように紫外線照射部140からテンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、離型剤ノズルから回転中のテンプレートT上に離型剤Sを供給する。すなわち、紫外線の照射中に、テンプレートTの表面Tへの離型剤Sの供給を開始する。供給された離型剤Sは遠心力によりテンプレートT上で拡散し、当該テンプレートTの表面T全面に塗布される(図9の工程A4)。その塗布後、紫外線照射部140からの紫外線の照射と離型剤ノズルからの離型剤Sの供給を停止した後、引き続きテンプレートTを回転させて、当該テンプレートTの表面Tを振り切り乾燥させる。 Thereafter, the release agent nozzle is moved to above the center of the template T and the template T is rotated. Then, while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T from the ultraviolet irradiation unit 140, as shown in FIG. 10 (c), supplies the release agent S on the template T during rotation from the release agent nozzle. That is, during the irradiation of ultraviolet light, initiates the supply of the release agent S on the surface T 1 of the template T. Supplied release agent S is diffused on the template T by the centrifugal force is applied to the surface T 1 the entire surface of the template T (step A4 in FIG. 9). After the coating, after stopping the supply of the release agent S from the irradiation and a release agent nozzle of ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 140, by subsequently rotating the template T, drying finishing off surface T 1 of the said template T .

この工程A4では、紫外線が照射されることによって、テンプレートTの表面T上の水酸基の酸素と水素の結合が切断される。そして、このように水酸基の結合が切断された直後に、テンプレートTの表面Tと離型剤分子が脱水縮合により結合される。さらに、テンプレートTの表面Tに照射された紫外線によって、隣接する離型剤分子同士が脱水縮合により結合する。こうして、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応が促進され、当該テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性が向上する。 In this step A4, by ultraviolet rays are irradiated, binding of the hydroxyl groups of oxygen and hydrogen on the surface T 1 of the template T is cut. Then, thus immediately after the coupling of the hydroxyl groups are cleaved, the surface T 1 and a release agent molecules of the template T is bonded by dehydration condensation. Further, the ultraviolet irradiated to the surface T 1 of the template T, adjoining the releasing agent molecules are bonded to each other by dehydration condensation. Thus, the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S is promoted, and the adhesion between the surface T 1 of the template T and the release agent S is improved.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはリンスユニット40に搬送され、保持部152に保持される。続いて、保持部152を下降させ、テンプレートTを浸漬槽151に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Sの未反応部のみ、すなわち離型剤SがテンプレートTの表面Tと化学反応して当該表面Tと密着する部分以外のみが剥離する。このとき、上述の工程A4においてテンプレートTの表面Tに離型剤Sが密着しているので、テンプレートTの表面Tから所定の距離の離型剤Sが剥離することはない。また、テンプレートT上の離型剤Sの接触角は所定の角度、例えば110度以上になっており、離型剤Sは後述するレジスト膜に対して十分な撥液性を有し、その離型機能を発揮することができる。こうして、図10(d)に示すようにテンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される(図9の工程A5)。その後、保持部152を上昇させ、気体供給部155から気体ガスをテンプレートTに吹き付け、その表面Tを乾燥させる。 Thereafter, the transport unit 20 transports the template T to the rinse unit 40 and holds the template T in the holding unit 152. Subsequently, the holding unit 152 is lowered, and the template T is immersed in the organic solvent stored in the immersion tank 151. When a predetermined time elapses, only the unreacted part of the release agent S, that is, only the part other than the part where the release agent S chemically reacts with the surface T 1 of the template T and adheres to the surface T 1 is peeled off. At this time, since the release agent S on the surface T 1 of the template T in the step A4 above is in close contact with the release agent S distance from the surface T 1 of the predetermined template T will not be peeled off. Further, the contact angle of the release agent S on the template T is a predetermined angle, for example, 110 degrees or more, and the release agent S has sufficient liquid repellency with respect to a resist film to be described later. The mold function can be demonstrated. Thus, as shown in FIG. 10D, the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T with a predetermined film thickness (step A5 in FIG. 9). Then, raise the holding portion 152 blows air gas to the template T from the gas supply unit 155, drying the surface T 1.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはトランジションユニット21に搬送され、テンプレート搬送体12によってテンプレートカセットCに戻される(図9の工程A6)。こうしてテンプレート処理装置1における一連のテンプレート処理が終了し、テンプレートTの表面Tに、転写パターンCの形状に沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される。 Thereafter, the transport unit 20, the template T is carried to the transition unit 21 and returned to the template cassette C T by the template carrier 12 (step A6 in FIG. 9). Thus a series of template processing in template processing apparatus 1 is completed, the surface T 1 of the template T, the release agent S along the shape of the transfer pattern C is formed in a predetermined thickness.

以上の実施の形態によれば、工程A3において、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射するので、当該表面Tを活性化できる。そして、テンプレートTの表面Tを活性化しながら、当該表面Tに表面改質液Mを供給するので、テンプレートTの表面Tに多量の水酸基を付与することができる。このようにテンプレートTの表面Tを十分に改質できるので、その後テンプレートTの表面Tと離型剤Sが化学結合する際に、当該表面Tと離型剤Sとの密着性を向上させることができる。 According to the above embodiment, in step A3, since the irradiation of ultraviolet rays on the surface T 1 of the template T, it can activate the surface T 1. Then, while activating the surface T 1 of the template T, since the supply surface modification liquid M on the surface T 1, can be given a large amount of hydroxyl groups on the surface T 1 of the template T. Since the surface T 1 of the template T can be sufficiently modified to, then when the surface T 1 and the release agent S of the template T is a chemical bond, the adhesion between the surface T 1 and the release agent S Can be improved.

以上の実施の形態では、石英ガラスのテンプレートTに対して第3級アルコールの表面改質液Mを用いたが、表面改質液Mには基板の表面の材質によって最適な液を選択することができる。なお、基板の表面の材質とは、基板自体が表面に露出している場合には当該基板自体の材質を指し、基板の表面に膜が形成されている場合には当該基板の表面の膜の材質を指す。   In the above embodiment, the tertiary alcohol surface modifying liquid M is used for the quartz glass template T. However, an optimal liquid is selected as the surface modifying liquid M depending on the material of the substrate surface. Can do. The material of the surface of the substrate refers to the material of the substrate itself when the substrate itself is exposed on the surface, and the film on the surface of the substrate when the film is formed on the surface of the substrate. Refers to the material.

発明者らが鋭意検討したところ、例えば上述した第3級アルコールは、石英ガラスに限らず、種々の材質の基板の表面に多量の水酸基を付与できることが分かった。例えば基板の表面がチタン(Ti)、タングステン(W)、アルミナ(Al)、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の場合にも、基板の表面に多量の水酸基を付与できることが分かった。かかる場合、基板の表面を十分に改質できるので、基板の表面と結合対象物との密着性を向上させることができる。例えば上記実施の形態のように基板がテンプレートTであって、結合対象物が離型剤Sの場合、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性を向上させることができ、離型剤Sの接触角を例えば110度以上にまで向上させることができる。 As a result of extensive studies by the inventors, it has been found that, for example, the above-described tertiary alcohol is capable of imparting a large amount of hydroxyl groups to the surface of a substrate made of various materials, not limited to quartz glass. For example, it has been found that even when the surface of the substrate is titanium (Ti), tungsten (W), alumina (Al 2 O 3 ), or diamond-like carbon (DLC), a large amount of hydroxyl groups can be imparted to the surface of the substrate. In this case, since the surface of the substrate can be sufficiently modified, the adhesion between the surface of the substrate and the object to be bonded can be improved. For example, the substrate as in the above embodiment is a template T, when binding objects of the release agent S, it is possible to improve the adhesion between the surface T 1 and the release agent S of the template T, away The contact angle of the mold S can be improved to, for example, 110 degrees or more.

同様に、表面改質液Mとしてアルカリ溶液、例えばアンモニアを用いた場合も、基板の表面の材質を問わず、基板の表面に多量の水酸基を付与できることが分かった。かかる場合、基板の表面にアルカリ溶液を供給することで、当該基板の表面がエッチングされる。そして、エッチングされた基板の表面に紫外線を照射しながら、さらにアルカリ溶液が供給されることで、当該基板の表面に多量の水酸基が付与される。そして、例えば上記実施の形態のように基板がテンプレートTであって、結合対象物が離型剤Sの場合、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性を向上させることができ、離型剤Sの接触角を例えば110度以上にまで向上させることができる。 Similarly, it was found that even when an alkaline solution such as ammonia is used as the surface modification liquid M, a large amount of hydroxyl groups can be imparted to the surface of the substrate regardless of the material of the surface of the substrate. In such a case, the surface of the substrate is etched by supplying an alkaline solution to the surface of the substrate. A large amount of hydroxyl groups is imparted to the surface of the substrate by further supplying an alkaline solution while irradiating the etched surface of the substrate with ultraviolet rays. Then, for example, a substrate is the template T as described in the above embodiment, when bond object of the release agent S, it is possible to improve the adhesion between the surface T 1 and the release agent S of the template T The contact angle of the release agent S can be improved to, for example, 110 degrees or more.

また、表面改質液Mとして過酸化水素水を用いた場合、特に基板の表面の材質がタングステンの場合、当該基板の表面を十分に改質できることが分かった。かかる場合、基板の表面に過酸化水素水を供給することで、当該基板の表面がエッチングされる。そして、エッチングされた基板の表面に紫外線を照射しながら、さらに過酸化水素水が供給されることで、当該基板の表面に多量の水酸基が付与される。そして、例えば上記実施の形態のように基板がテンプレートTであって、結合対象物が離型剤Sの場合、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性を向上させることができ、離型剤Sの接触角を例えば118度という高い接触角まで向上させることができた。 Further, it has been found that when hydrogen peroxide is used as the surface modification liquid M, the surface of the substrate can be sufficiently modified, particularly when the material of the substrate surface is tungsten. In such a case, the surface of the substrate is etched by supplying hydrogen peroxide water to the surface of the substrate. A large amount of hydroxyl groups are imparted to the surface of the substrate by further supplying hydrogen peroxide water while irradiating the etched surface of the substrate with ultraviolet rays. Then, for example, a substrate is the template T as described in the above embodiment, when bond object of the release agent S, it is possible to improve the adhesion between the surface T 1 and the release agent S of the template T The contact angle of the release agent S could be improved to a high contact angle of, for example, 118 degrees.

以上の実施の形態では、表面改質液MによるテンプレートTの表面Tの改質と当該表面Tへの離型剤Sの塗布とは、それぞれ表面改質ユニット30、32と塗布ユニット31、33の別のユニットで行われていたが、一のユニットで行ってもよい。かかる場合、例えば表面改質ユニット30内に、表面改質液ノズル132と離型剤ノズルが共に設けられる。そして、一のユニット内でテンプレートTを移動させることなく、表面改質液MによるテンプレートTの表面Tの改質と当該表面Tへの離型剤Sの塗布とを行うことができる。したがって、テンプレート処理のスループットを向上させることができる。また、テンプレート処理装置1の構成を簡略化することもできる。 In the above embodiment, the modification of the surface T 1 of the template T by the surface modification liquid M and the application of the release agent S to the surface T 1 are the surface modification units 30 and 32 and the coating unit 31, respectively. , 33 is performed in another unit, but may be performed in one unit. In such a case, for example, both the surface modifying liquid nozzle 132 and the release agent nozzle are provided in the surface modifying unit 30. Then, the surface T 1 of the template T can be modified with the surface modifying liquid M and the release agent S can be applied to the surface T 1 without moving the template T in one unit. Therefore, the throughput of template processing can be improved. In addition, the configuration of the template processing apparatus 1 can be simplified.

以上の実施の形態では、工程A3において紫外線を照射中にテンプレートTの表面Tへの表面改質液Mの供給を開始していたが、テンプレートTの表面Tに表面改質液Mが供給された状態で、テンプレートTの表面Tへの紫外線の照射を開始してもよい。 In the above embodiment, the supply of the surface modifying liquid M to the surface T 1 of the template T is started during the irradiation with ultraviolet rays in the step A3. However, the surface modifying liquid M is applied to the surface T 1 of the template T. in the supplied state, it may start the irradiation of ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T.

かかる場合、工程A3を行うため、例えば図11に示す表面改質ユニット30が用いられる。表面改質ユニット30は、側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器200を有している。   In such a case, for example, the surface modification unit 30 shown in FIG. 11 is used to perform the step A3. The surface modification unit 30 has a processing container 200 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器200の天井面には、処理容器200の内部に向けて不活性ガス、例えば窒素ガスを供給するためのガス供給口201が形成されている。ガス供給口201には、ガス供給管202を介して窒素ガスを供給するガス供給源203が接続されている。なお、処理容器200の内部は、窒素ガスと水蒸気の混合ガスを供給してもよい。   A gas supply port 201 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, is formed on the ceiling surface of the processing container 200 toward the inside of the processing container 200. A gas supply source 203 that supplies nitrogen gas is connected to the gas supply port 201 via a gas supply pipe 202. The inside of the processing container 200 may be supplied with a mixed gas of nitrogen gas and water vapor.

処理容器200の底面には、処理容器200の内部の雰囲気を排気するための排気口204が形成されている。排気口204には、排気管205を介して処理容器200の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ206が接続されている。   An exhaust port 204 for exhausting the atmosphere inside the processing container 200 is formed on the bottom surface of the processing container 200. An exhaust pump 206 that evacuates the atmosphere inside the processing container 200 is connected to the exhaust port 204 via an exhaust pipe 205.

処理容器200内の底面には、テンプレートTが載置される載置台210が設けられている。テンプレートTは、その表面Tが上方を向くように載置台210の上面に載置される。載置台210内には、テンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン211が設けられている。昇降ピン211は、昇降駆動部212により上下動できる。載置台210の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔213が形成されおり、昇降ピン211は、貫通孔213を挿通するようになっている。 On the bottom surface in the processing container 200, a mounting table 210 on which the template T is mounted is provided. Template T has a surface T 1 is placed on the top surface of the mounting table 210 to face upward. In the mounting table 210, raising / lowering pins 211 are provided for supporting the template T from below and raising / lowering it. The elevating pin 211 can be moved up and down by the elevating drive unit 212. A through hole 213 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 210, and the elevating pin 211 is inserted through the through hole 213.

処理容器200内の天井面であって、載置台210の上方には、テンプレートTの表面Tに例えば172nmの波長の紫外線を照射する紫外線照射部220が設けられている。紫外線照射部220は、例えば載置台210上に載置されたテンプレートTの表面Tに対向し、当該表面T全面を覆うように配置されている。 An ultraviolet irradiation unit 220 that irradiates the surface T 1 of the template T with ultraviolet rays having a wavelength of, for example, 172 nm is provided on the ceiling surface in the processing container 200 and above the mounting table 210. Ultraviolet irradiation unit 220 is opposed to the surface T 1 of the mounting template T, for example, on the mounting table 210 is disposed so as to cover the surface T 1 the entire surface.

載置台210と紫外線照射部220との間には、支持板221が配置されている。支持板221は、例えば所定の隙間を介して載置台210上に載置されたテンプレートTの表面Tと対向し、当該表面T全面を覆うように配置されている。なお、支持板221は移動機構(図示せず)によって処理容器200内を移動可能になっている。また、支持板221は、紫外線を透過可能な透明材料が用いられ、本実施の形態においてはテンプレートTと同じ材料の石英ガラスが用いられる。 A support plate 221 is disposed between the mounting table 210 and the ultraviolet irradiation unit 220. Support plate 221, for example, opposed to the surface T 1 of the mounting template T on the table 210 through a predetermined gap, and is arranged so as to cover the surface T 1 the entire surface. The support plate 221 can be moved in the processing container 200 by a moving mechanism (not shown). Further, the support plate 221 is made of a transparent material that can transmit ultraviolet rays, and quartz glass of the same material as the template T is used in the present embodiment.

処理容器200の内部には、載置台210上に載置されたテンプレートTの表面Tと支持板221との間に表面改質液Mを供給する、表面改質液供給部としての表面改質液ノズル230が配置されている。表面改質液ノズル230は、例えばその下端部の供給口230aが斜め下方に向くように配置されている。表面改質液ノズル230は、アーム231に支持されている。アーム231には移動機構(図示せず)が取り付けられ、表面改質液ノズル230は、処理容器200内を可能になっている。 Inside processing chamber 200, supplies a surface modification liquid M between the surface T 1 of the template T is mounted on the mounting table 210 supporting plate 221, surface modification of the surface modification liquid supply unit A quality liquid nozzle 230 is disposed. The surface modifying liquid nozzle 230 is disposed so that, for example, the supply port 230a at the lower end thereof faces obliquely downward. The surface modifying liquid nozzle 230 is supported by the arm 231. A movement mechanism (not shown) is attached to the arm 231, and the surface modifying liquid nozzle 230 can be inside the processing container 200.

なお、表面改質ユニット32の構成は、上述した表面改質ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。また、テンプレート処理装置1のその他の構成は、上記実施の形態のテンプレート処理装置1の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the surface modification unit 32 is the same as that of the surface modification unit 30 mentioned above, description is abbreviate | omitted. The other configuration of the template processing apparatus 1 is the same as the configuration of the template processing apparatus 1 of the above embodiment, and a description thereof will be omitted.

次に、本実施の形態のテンプレート処理装置1で行われるテンプレート処理について説明する。図12は、テンプレート処理の各工程におけるテンプレートTの状態を示している。なお、本実施の形態におけるテンプレート処理の処理フローは図9で示した処理フローと同様である。   Next, template processing performed in the template processing apparatus 1 of the present embodiment will be described. FIG. 12 shows the state of the template T in each step of template processing. Note that the template processing flow in the present embodiment is the same as the processing flow shown in FIG.

先ず、テンプレート搬送体12によって、カセット載置台10上のテンプレートカセットC内のテンプレートTがトランジションユニット21に搬送される(図9の工程A1)。 First, the template T in the template cassette CT on the cassette mounting table 10 is transported to the transition unit 21 by the template transport body 12 (step A1 in FIG. 9).

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、表面改質ユニット30に搬送される。表面改質ユニット30に搬入されたテンプレートTは、昇降ピン211に受け渡され、載置台210に載置される。続いて、ガス供給口201から窒素ガスが処理容器200内に供給される。このとき、排気口204から処理容器200の内部の雰囲気が排気されて、処理容器200の内部は窒素ガス雰囲気に置換される。その後、図12(a)に示すように紫外線照射部220からテンプレートTの表面T全面に紫外線が照射される。そして、テンプレートTの表面Tの有機物が除去され、当該テンプレートTの表面Tが洗浄される(図9の工程A2)。 Thereafter, the template T is transported to the surface modification unit 30 by the transport unit 20. The template T carried into the surface modification unit 30 is transferred to the lifting pins 211 and placed on the placing table 210. Subsequently, nitrogen gas is supplied into the processing container 200 from the gas supply port 201. At this time, the atmosphere inside the processing container 200 is exhausted from the exhaust port 204, and the inside of the processing container 200 is replaced with a nitrogen gas atmosphere. Thereafter, as shown in FIG. 12A, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation unit 220 to the entire surface T 1 of the template T. The organic surface T 1 of the template T is removed, the surface T 1 of the said template T is cleaned (step A2 in FIG. 9).

その後、紫外線照射部220からの紫外線の照射を一旦停止し、図12(b)に示すようにテンプレートTの表面Tと支持板221が所定の隙間を介して対向するように支持板221を配置する。そして、表面改質液ノズル230からテンプレートTの表面Tと支持板221との間に、表面改質液Mが供給される。供給された表面改質液Mは、毛細管現象によってテンプレートTの表面Tと支持板221との間を拡散する。続いて、図12(c)に示すようにテンプレートTの表面Tと支持板221と間に表面改質液Mが供給された状態で、紫外線照射部220から下方に紫外線が照射される。紫外線は、支持板221を通過してテンプレートTの表面T全面に照射される。なお、この工程A3において、処理容器200の内部は窒素ガス雰囲気に維持されている。そして、この工程A3により、テンプレートTの表面Tに多量の水酸基が付与され、当該表面Tが改質される(図9の工程A3)。表面Tの改質後、紫外線照射部220からの紫外線の照射と表面改質液ノズル230からの表面改質液Mの供給を停止した後、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスをテンプレートTの表面Tに吹き付けて、当該表面Tを乾燥させる。なお、テンプレートTの表面Tの改質の態様は、上記実施の形態の工程A3における表面改質と同様であるので詳細な説明を省略する。 Thereafter, the ultraviolet irradiation from the ultraviolet irradiation unit 220 is temporarily stopped, and the support plate 221 is moved so that the surface T1 of the template T and the support plate 221 face each other with a predetermined gap as shown in FIG. Deploy. Then, the surface modifying liquid M is supplied from the surface modifying liquid nozzle 230 between the surface T 1 of the template T and the support plate 221. Supply surface reforming liquid M diffuses between the surface T 1 and the support plate 221 of the template T by the capillary phenomenon. Subsequently, as shown in FIG. 12C, ultraviolet rays are irradiated downward from the ultraviolet irradiation unit 220 in a state where the surface modification liquid M is supplied between the surface T 1 of the template T and the support plate 221. The ultraviolet rays pass through the support plate 221 and are irradiated on the entire surface T 1 of the template T. In this step A3, the inside of the processing container 200 is maintained in a nitrogen gas atmosphere. By this step A3, a large amount of hydroxyl groups is applied to the surface T 1 of the template T, the surface T 1 is reformed (Step A3 in FIG. 9). After modification of the surface T 1, after stopping the surface modification liquid supply M from irradiation and surface reforming liquid nozzle 230 of the ultraviolet from the ultraviolet irradiation unit 220, for example such as nitrogen inert gas or the like dry air by blowing gas gas on the surface T 1 of the template T, thereby drying the surface T 1. Note that aspects of the modification of the surface T 1 of the template T is to omit the detailed description is the same as the surface modification in the step A3 of the above-described embodiment.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、塗布ユニット31に搬送され、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、回転中のテンプレートT上に離型剤Sを供給する。供給された離型剤Sは遠心力によりテンプレートT上で拡散し、当該テンプレートTの表面T全面に塗布される(図9の工程A4)。なお、この工程A4は、上記実施の形態の工程A4と同様であるので詳細な説明を省略する。 Thereafter, the transport unit 20, the template T is transported to the coating unit 31, while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T, and supplies the release agent S on the template T during rotation. Supplied release agent S is diffused on the template T by the centrifugal force is applied to the surface T 1 the entire surface of the template T (step A4 in FIG. 9). Since step A4 is the same as step A4 in the above embodiment, detailed description thereof is omitted.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはリンスユニット40に搬送されてリンスされ、図12(d)に示すようにテンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される(図9の工程A5)。なお、この工程A5は、上記実施の形態の工程A5と同様であるので詳細な説明を省略する。   Thereafter, the transport unit 20 transports and rinses the template T to the rinse unit 40, and the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T with a predetermined film thickness as shown in FIG. A film is formed (step A5 in FIG. 9). Since step A5 is the same as step A5 in the above embodiment, detailed description thereof is omitted.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはトランジションユニット21に搬送され、テンプレート搬送体12によってテンプレートカセットCに戻される(図9の工程A6)。こうしてテンプレート処理装置1における一連のテンプレート処理が終了し、テンプレートTの表面Tに、転写パターンCの形状に沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される。 Thereafter, the transport unit 20, the template T is carried to the transition unit 21 and returned to the template cassette C T by the template carrier 12 (step A6 in FIG. 9). Thus a series of template processing in template processing apparatus 1 is completed, the surface T 1 of the template T, the release agent S along the shape of the transfer pattern C is formed in a predetermined thickness.

本実施の形態においても、上記実施の形態の効果と同様の効果を享受できる。すなわち工程A3において、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、当該テンプレートTの表面Tに表面改質液Mを供給するので、テンプレートTの表面Tに多量の水酸基を付与することができる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be enjoyed. In other words step A3, while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T, since the supply surface modification liquid M on the surface T 1 of the said template T, applying a large amount of hydroxyl groups on the surface T 1 of the template T Can do.

なお、本実施の形態の工程A3では、毛細管現象を利用してテンプレートTの表面Tと支持板221との間に表面改質液Mを供給していたが、表面改質液Mの供給方法はこれに限定されない。例えばテンプレートTの表面Tと支持板221との間に表面改質液Mを圧入してもよい。 In step A3 of this embodiment, had been fed the surface modification solution M between the surface T 1 and the support plate 221 of the template T by use of a capillary phenomenon, the supply of the surface modification fluid M The method is not limited to this. For example, the surface modification liquid M may be pressed between the surface T 1 of the template T and the support plate 221.

また、本実施の形態の工程A3では、テンプレートTの表面Tと支持板221との間に表面改質液Mを供給する際、紫外線照射部220からの紫外線の照射を一旦停止していたが、当該紫外線の照射を継続して行ってもよい。すなわち、工程A2と工程A3において、紫外線照射部220からの紫外線の照射を継続して行ってもよい。 Further, in step A3 of this embodiment, when supplying the surface modification solution M between the surface T 1 and the support plate 221 of the template T, it has been temporarily stopped irradiation of ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 220 However, the ultraviolet irradiation may be continued. That is, in the process A2 and the process A3, the ultraviolet irradiation from the ultraviolet irradiation unit 220 may be continuously performed.

以上の実施の形態では、工程A3において、支持板221側からテンプレートTの表面Tに紫外線を照射していたが、図13に示すようにテンプレートTの裏面T側から表面Tに紫外線を照射してもよい。このように紫外線を照射するため、表面改質ユニット30では、テンプレートTと支持板221の上下配置を反対にしてもよい、すなわちテンプレートTを支持板221の上方に配置してもよい。あるいは、処理容器200の天井面に配置された紫外線照射部220をテンプレートTの下方に配置してもよい。 In the above embodiments, the ultraviolet in the step A3, but the ultraviolet surface T 1 of the template T from the support plate 221 side had been irradiated, the surface T 1 from the rear T 2 side of the template T as shown in FIG. 13 May be irradiated. In order to irradiate ultraviolet rays in this way, in the surface modification unit 30, the top and bottom arrangement of the template T and the support plate 221 may be reversed, that is, the template T may be arranged above the support plate 221. Or you may arrange | position the ultraviolet irradiation part 220 arrange | positioned at the ceiling surface of the processing container 200 under the template T. FIG.

かかる場合、図13に示すようにテンプレートTの裏面T側から照射された紫外線は、テンプレートTを通過し、当該テンプレートTの表面Tに照射される。こうしてテンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、テンプレートT上に表面改質液Mが供給される。そうすると、テンプレートTの表面Tに多量の水酸基を付与することができ、当該表面Tを十分に改質することができる。 In such a case, the ultraviolet rays irradiated from the rear surface T 2 side of the template T as shown in FIG. 13, passes through the template T, is applied to the surface T 1 of the said template T. Thus while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T, the surface modification liquid M is supplied onto the template T. Then, the surface T 1 of the template T can be given a large amount of hydroxyl groups, the surface T 1 can be sufficiently modified.

本実施の形態によれば、テンプレートTの裏面T側から表面Tに紫外線を照射しているので、紫外線は表面改質液Mに邪魔されることなくテンプレートTの表面Tと表面改質液Mの界面に到達する。このため、紫外線は表面改質液Mによって減衰することなくテンプレートTの表面Tに照射される。したがって、テンプレートTの表面Tより効率よく改質することができる。 According to the present embodiment, the front surface T 1 is irradiated with ultraviolet rays from the back surface T 2 side of the template T, so that the ultraviolet rays are not disturbed by the surface modification liquid M and the surface T 1 of the template T and the surface modification. It reaches the interface of the liquid M. For this reason, the ultraviolet rays are irradiated to the surface T 1 of the template T without being attenuated by the surface modification liquid M. Therefore, it is possible to efficiently modify the surface T 1 of the template T.

以上の実施の形態では、工程A2におけるテンプレートTの表面Tの洗浄は、工程A3を行う表面改質ユニット30で行われていたが、別の洗浄ユニットで行われてもよい。この洗浄ユニットは、例えばテンプレート処理装置1の処理ブロックG1〜G4のいずれかに配置される。 In the above embodiment, the cleaning of the surface T 1 of the template T in Step A2 has been done in the surface reforming unit 30 for step A3, may be performed in a separate cleaning unit. This cleaning unit is arranged in any of the processing blocks G1 to G4 of the template processing apparatus 1, for example.

かかる場合、図14及び図15に示すように洗浄ユニット240は、側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器250を有している。   In this case, as shown in FIGS. 14 and 15, the cleaning unit 240 includes a processing container 250 having a loading / unloading port (not shown) for the template T formed on the side surface.

処理容器250内には、テンプレートTを吸着保持するチャック251が設けられている。チャック251は、テンプレートTの表面Tが上方を向くように、その裏面Tを吸着保持する。チャック251の下方には、チャック駆動部252が設けられている。このチャック駆動部252は、処理容器250内の底面に設けられ、Y方向に沿って延伸するレール253上に取付けられている。このチャック駆動部252により、チャック251はレール253に沿って移動できる。 A chuck 251 for attracting and holding the template T is provided in the processing container 250. Chuck 251, the surface T 1 of the template T to face upward, suction-holds the rear surface T 2. A chuck driving unit 252 is provided below the chuck 251. The chuck driving unit 252 is provided on the bottom surface in the processing container 250 and is mounted on a rail 253 extending along the Y direction. The chuck 251 can move along the rail 253 by the chuck driving unit 252.

処理容器250内の天井面であって、レール253の上方には、チャック251に保持されたテンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部254が設けられている。紫外線照射部254は、図15に示すようにX方向に延伸している。   An ultraviolet irradiation unit 254 that irradiates the template T held by the chuck 251 with ultraviolet rays is provided on the ceiling surface in the processing container 250 and above the rail 253. The ultraviolet irradiation unit 254 extends in the X direction as shown in FIG.

そして、洗浄ユニット240に搬送されたテンプレートTは、チャック251に吸着保持される。続いて、チャック駆動部252によってテンプレートTをレール253に沿って移動させながら、紫外線照射部254から当該テンプレートTに紫外線が照射される。こうして、テンプレートTの表面T全面に紫外線が照射され、テンプレートTの表面Tが洗浄される。 The template T conveyed to the cleaning unit 240 is sucked and held by the chuck 251. Subsequently, the template T is moved along the rails 253 by the chuck driving unit 252, and the template T is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 254. In this way, the entire surface T 1 of the template T is irradiated with ultraviolet rays, and the surface T 1 of the template T is cleaned.

以上の実施の形態では、表面改質ユニット30において、回転中のテンプレートT上に表面改質液Mを供給していたが、例えばテンプレートTの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成された表面改質液ノズルを用いてテンプレートT上に表面改質液Mを供給してもよい。かかる場合、表面改質液ノズルをテンプレートTの辺方向に移動させながら、供給口から表面改質液Mが供給される。   In the above embodiment, the surface modification liquid M is supplied onto the rotating template T in the surface modification unit 30. For example, the surface modification liquid M extends in the width direction of the template T and has a slit-like supply port on the lower surface. The surface modifying liquid M may be supplied onto the template T using the surface modifying liquid nozzle on which is formed. In such a case, the surface modifying liquid M is supplied from the supply port while moving the surface modifying liquid nozzle in the side direction of the template T.

以上の実施の形態のリンスユニット40では、浸漬槽151に貯留された有機溶剤にテンプレートTを浸漬することで離型剤Sをリンスしていたが、図5及び図7に示した表面改質ユニット30と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、表面改質ユニット30の表面改質液ノズル132に代えて、テンプレートT上に離型剤Sのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。   In the rinse unit 40 of the above embodiment, the mold release agent S is rinsed by immersing the template T in the organic solvent stored in the immersion tank 151. However, the surface modification shown in FIGS. A rinse unit having the same configuration as the unit 30 may be used. In such a case, instead of the surface modifying liquid nozzle 132 of the surface modifying unit 30, a rinsing liquid nozzle for supplying an organic solvent as a rinsing liquid for the release agent S onto the template T is used.

そして、このリンスユニットでは、回転中のテンプレートT上に有機溶剤を供給し、テンプレートTの表面T全面をリンスする。所定時間経過すると、離型剤Sの未反応部のみが剥離し、テンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが成膜される。その後、有機溶剤の供給を停止した後、さらにテンプレートTを回転させ続け、その表面Tを振り切り乾燥させる。このようにして、テンプレートT上の離型剤Sがリンスされる。 And in this rinsing unit, an organic solvent is supplied to the template T during rotation, to rinse the surface T 1 the entire surface of the template T. When a predetermined time elapses, only the unreacted portion of the release agent S is peeled off, and the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T. Then, after stopping the supply of the organic solvent, it continues to further rotate the template T, drying finishing off the surface T 1. In this way, the release agent S on the template T is rinsed.

以上の実施の形態では、工程A4において、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、当該表面Tに離型剤Sを塗布していたが、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとを密着性させる方法はこれに限定されない。例えばテンプレートTの表面Tに離型剤Sを塗布した後、当該離型剤Sを加熱してもよい。あるいは、テンプレートTの表面Tに離型剤Sを塗布した後、当該離型剤S上にアルコールを塗布してもよい。いずれの場合でも、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとを密着させることができる。 In the above embodiment, the release agent S is applied to the surface T 1 while irradiating the surface T 1 of the template T with ultraviolet rays in the step A4. However, the surface T 1 of the template T and the release agent are applied. The method for adhering S is not limited to this. For example, after applying the release agent S to the surface T 1 of the template T, the release agent S may be heated. Alternatively, after applying the release agent S on the surface T 1 of the template T, alcohol may be applied onto the release agent S. In any case, it can be brought into close contact with the surface T 1 and the release agent S of the template T.

以上の実施の形態では、処理ステーション3において、搬送ユニット20によってテンプレートTを搬送していたが、いわゆる平流し形式を用いてテンプレートTを搬送ローラ上で搬送してもよい。かかる場合、処理ステーション3には、表面改質ユニット、塗布ユニット、リンスユニットがこの順で配置される。そして、テンプレート搬入出ステーション2から搬出されたテンプレートTは、搬送ローラを用いた搬送によってこれら処理ユニットに順次搬送される。各処理ユニットでは、搬送中のテンプレートTに所定の処理が行われる。こうしてテンプレートT上に離型剤Sが成膜されると、テンプレートTがテンプレート搬入出ステーション2に戻され、一連のテンプレート処理が終了する。この場合、各処理ユニットにおいてテンプレートTの搬送中に所定の処理が行われるので、テンプレート処理のスループットをより向上させることができる。   In the above embodiment, the template T is transported by the transport unit 20 in the processing station 3, but the template T may be transported on a transport roller using a so-called flat flow format. In such a case, the surface modification unit, the coating unit, and the rinse unit are arranged in this order in the processing station 3. And the template T carried out from the template carrying in / out station 2 is sequentially conveyed by these processing units by conveyance using a conveyance roller. In each processing unit, a predetermined process is performed on the template T being conveyed. When the release agent S is formed on the template T in this way, the template T is returned to the template loading / unloading station 2 and a series of template processing is completed. In this case, since predetermined processing is performed during the conveyance of the template T in each processing unit, the throughput of the template processing can be further improved.

以上の実施の形態のテンプレート処理装置1は、図16に示すようにインプリントシステム300に配置されていてもよい。インプリントシステム300は、テンプレートTを用いて他の基板としてのウェハW上にレジストパターンを形成するインプリントユニット310と、複数、例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム300との間で搬入出したり、ウェハカセットCに対してウェハWを搬入出したりするウェハ搬入出ステーション311とを有している。また、テンプレート処理装置1とインプリントユニット310との間には、テンプレートTの受け渡しを行うインターフェイスステーション312が配置されている。インプリントシステム300は、これらテンプレート処理装置1、インターフェイスステーション312、インプリントユニット310、ウェハ搬入出ステーション311を一体に接続した構成を有している。 The template processing apparatus 1 of the above embodiment may be arranged in the imprint system 300 as shown in FIG. The imprint system 300 includes an imprint unit 310 that forms a resist pattern on a wafer W as another substrate using the template T, and a plurality of, for example, 25 wafers W in the cassette unit. A wafer loading / unloading station 311 for loading / unloading the wafer W and loading / unloading the wafer W to / from the wafer cassette CW . An interface station 312 for transferring the template T is arranged between the template processing apparatus 1 and the imprint unit 310. The imprint system 300 has a configuration in which the template processing apparatus 1, the interface station 312, the imprint unit 310, and the wafer carry-in / out station 311 are integrally connected.

ウェハ搬入出ステーション311には、カセット載置台320が設けられている。カセット載置台320は、複数のウェハカセットCをX方向(図16中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション311は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。 The wafer loading / unloading station 311 is provided with a cassette mounting table 320. The cassette mounting table 320 can mount a plurality of wafer cassettes CW in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 16). That is, the wafer carry-in / out station 311 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W.

ウェハ搬入出ステーション311には、X方向に延伸する搬送路321上を移動可能なウェハ搬送体322が設けられている。ウェハ搬送体322は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、ウェハカセットCとインプリントユニット310との間でウェハWを搬送できる。 The wafer carry-in / out station 311 is provided with a wafer carrier 322 that can move on a conveyance path 321 extending in the X direction. The wafer carrier 322 is also movable in the vertical direction and around the vertical direction (θ direction), and can carry the wafer W between the wafer cassette CW and the imprint unit 310.

ウェハ搬入出ステーション311には、ウェハWの向きを調整するアライメントユニット323がさらに設けられている。アライメントユニット323では、例えばウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。   The wafer carry-in / out station 311 is further provided with an alignment unit 323 for adjusting the orientation of the wafer W. The alignment unit 323 adjusts the orientation of the wafer W based on the position of the notch portion of the wafer W, for example.

インターフェイスステーション312には、X方向に延伸する搬送路330上を移動するテンプレート搬送体331が設けられている。また、搬送路330のX方向正方向側には、テンプレートTの表裏面を反転させる反転ユニット332が配置され、搬送路330のX方向負方向側には、複数のテンプレートTを一時的に保管するバッファカセット333が配置されている。テンプレート搬送体331は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、処理ステーション3、反転ユニット332、バッファカセット333、インプリントユニット310との間でテンプレートTを搬送できる。   The interface station 312 is provided with a template transport body 331 that moves on a transport path 330 extending in the X direction. A reversing unit 332 for inverting the front and back surfaces of the template T is disposed on the positive direction side of the transport path 330 in the X direction, and a plurality of templates T are temporarily stored on the negative direction side of the transport path 330 in the X direction. A buffer cassette 333 is disposed. The template transport body 331 is also movable in the vertical direction and around the vertical direction (θ direction), and can transport the template T between the processing station 3, the reversing unit 332, the buffer cassette 333, and the imprint unit 310.

テンプレート処理装置1の処理ステーション3には、搬送ユニット20のインターフェイスステーション312側に、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット334が配置されている。   In the processing station 3 of the template processing apparatus 1, a transition unit 334 for delivering the template T is disposed on the interface station 312 side of the transport unit 20.

次に、上述したインプリントユニット310の構成について説明する。インプリントユニット310は、図17に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)とウェハWの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器340を有している。   Next, the configuration of the above-described imprint unit 310 will be described. As shown in FIG. 17, the imprint unit 310 has a processing container 340 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T and a loading / unloading port (not shown) for the wafer W are formed on the side surfaces.

処理容器340内の底面には、ウェハWが載置されて保持されるウェハ保持部341が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部341の上面に載置される。ウェハ保持部341内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン342が設けられている。昇降ピン342は、昇降駆動部343により上下動できる。ウェハ保持部341の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔344が形成されおり、昇降ピン342は、貫通孔344を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部341は、当該ウェハ保持部341の下方に設けられた移動機構345により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。   A wafer holder 341 on which the wafer W is placed and held is provided on the bottom surface in the processing container 340. The wafer W is placed on the upper surface of the wafer holder 341 so that the surface to be processed faces upward. In the wafer holding part 341, elevating pins 342 for supporting the wafer W from below and elevating it are provided. The elevating pin 342 can be moved up and down by the elevating drive unit 343. A through hole 344 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the wafer holding portion 341, and the elevating pins 342 are inserted through the through holes 344. The wafer holding unit 341 can be moved in the horizontal direction and can be rotated around the vertical by a moving mechanism 345 provided below the wafer holding unit 341.

図18に示すようにウェハ保持部341のX方向負方向(図18の下方向)側には、Y方向(図18の左右方向)に沿って延伸するレール350が設けられている。レール350は、例えばウェハ保持部341のY方向負方向(図18の左方向)側の外方からY方向正方向(図18の右方向)側の外方まで形成されている。レール350には、アーム351が取り付けられている。   As shown in FIG. 18, a rail 350 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 18) is provided on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 18) of the wafer holder 341. The rail 350 is formed, for example, from the outer side of the wafer holding portion 341 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 18) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 18). An arm 351 is attached to the rail 350.

アーム351には、ウェハW上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル352が支持されている。レジスト液ノズル352は、例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル352には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル352の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口(図示せず)が形成されている。そして、レジスト液ノズル352は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。   The arm 351 supports a resist solution nozzle 352 that supplies a resist solution onto the wafer W. The resist solution nozzle 352 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than the diameter dimension of the wafer W. For example, an ink jet type nozzle is used as the resist solution nozzle 352, and a plurality of supply ports (not shown) formed in a line along the longitudinal direction are formed below the resist solution nozzle 352. The resist solution nozzle 352 can strictly control the resist solution supply timing, the resist solution supply amount, and the like.

アーム351は、ノズル駆動部353により、レール350上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル352は、ウェハ保持部341のY方向正方向側の外方に設置された待機部354からウェハ保持部341上のウェハWの上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム351は、ノズル駆動部353によって昇降自在であり、レジスト液ノズル352の高さを調整できる。   The arm 351 is movable on the rail 350 by the nozzle driving unit 353. As a result, the resist solution nozzle 352 can move from the standby unit 354 installed on the outer side of the wafer holding unit 341 on the positive side in the Y direction to above the wafer W on the wafer holding unit 341, and further the surface of the wafer W The top can be moved in the radial direction of the wafer W. The arm 351 can be moved up and down by a nozzle driving unit 353, and the height of the resist solution nozzle 352 can be adjusted.

処理容器340内の天井面であって、ウェハ保持部341の上方には、図17に示すようにテンプレートTを保持するテンプレート保持部360が設けられている。すなわち、ウェハ保持部341とテンプレート保持部360は、ウェハ保持部341に載置されたウェハWと、テンプレート保持部360に保持されたテンプレートTが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部360は、テンプレートTの裏面Tの外周部を吸着保持するチャック361を有している。チャック361は、当該チャック361の上方に設けられた移動機構362により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートTは、ウェハ保持部341上のウェハWに対して所定の向きに回転し昇降できる。 A template holder 360 that holds the template T as shown in FIG. 17 is provided on the ceiling surface in the processing container 340 and above the wafer holder 341. That is, the wafer holding unit 341 and the template holding unit 360 are arranged so that the wafer W placed on the wafer holding unit 341 and the template T held on the template holding unit 360 face each other. Furthermore, the template holding portion 360 has a chuck 361 for holding adsorb outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T. The chuck 361 is movable in the vertical direction and rotatable about the vertical by a moving mechanism 362 provided above the chuck 361. As a result, the template T can rotate up and down in a predetermined direction with respect to the wafer W on the wafer holder 341.

テンプレート保持部360は、チャック361に保持されたテンプレートTの上方に設けられた光源363を有している。光源363からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源363からの光は、テンプレートTを透過して下方に照射される。   The template holding unit 360 includes a light source 363 provided above the template T held by the chuck 361. The light source 363 emits light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, and the light from the light source 363 passes through the template T and is irradiated downward.

本実施の形態にかかるインプリントシステム300は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム300で行われるインプリント処理について説明する。図19は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図20は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートTとウェハWの状態を示している。   The imprint system 300 according to the present embodiment is configured as described above. Next, an imprint process performed in the imprint system 300 will be described. FIG. 19 shows the main processing flow of this imprint process, and FIG. 20 shows the state of the template T and wafer W in each step of this imprint process.

先ず、テンプレート搬送体12によって、テンプレート搬入出ステーション2から処理ステーション3にテンプレートTが搬送される(図19の工程B1)。処理ステーション3では、テンプレートTの表面Tの洗浄(図19の工程B2)、表面Tへの紫外線の照射及び表面Tへの表面改質液Mの供給による表面Tの改質(図19の工程B3)、表面Tへの紫外線の照射及び表面Tへの離型剤Sの塗布(図19の工程B4)、離型剤Sのリンス(図19の工程B5)が順次行われ、テンプレートTの表面Tに離型剤Sが成膜される。なお、これら工程B2〜B5は、前記実施の形態における工程A2〜A5と同様であるので、詳細な説明を省略する。 First, the template T is transported from the template carry-in / out station 2 to the processing station 3 by the template carrier 12 (step B1 in FIG. 19). In the processing station 3, (step B2 in FIG. 19) cleaning the surface T 1 of the template T, the surface modification solution M modification of the surface T 1 by the supply of the illumination and the surface T 1 of the ultraviolet light to the surface T 1 ( step B3 of FIG. 19), step B4 of irradiation of ultraviolet rays to the surface T 1 and application of the release agent S on the surface T 1 (Fig. 19), rinsing of the release agent S (step B5 in FIG. 19) is successively performed, the release agent S is formed on the surface T 1 of the template T. In addition, since these processes B2-B5 are the same as the processes A2-A5 in the said embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

離型剤Sが成膜されたテンプレートTは、トランジションユニット334に搬送される。続いて、テンプレートTは、インターフェイスステーション312のテンプレート搬送体331によって、反転ユニット332に搬送されて、テンプレートTの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートTの裏面Tが上方に向けられる。その後、テンプレートTは、テンプレート搬送体331によってインプリントユニット310に搬送され、テンプレート保持部360のチャック361に吸着保持される。 The template T on which the release agent S is formed is transported to the transition unit 334. Subsequently, the template T is transported to the reversing unit 332 by the template transport body 331 of the interface station 312 and the front and back surfaces of the template T are reversed. That is, the rear surface T 2 of the template T is directed upwards. Thereafter, the template T is transported to the imprint unit 310 by the template transport body 331 and is sucked and held by the chuck 361 of the template holding unit 360.

このように処理ステーション3においてテンプレートTにテンプレート処理を行い、インプリントユニット310へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション311では、ウェハ搬送体322により、カセット載置台320上のウェハカセットCからウェハWが取り出され、アライメントユニット323に搬送される。そして、アライメントユニット323において、ウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送体322によってインプリントユニット310に搬送される(図19の工程B6)。なお、ウェハ搬入出ステーション311において、ウェハカセットC内のウェハWは、その被処理面が上方を向くように収容されており、この状態でウェハWはインプリントユニット310に搬送される。 In this way, template processing is performed on the template T at the processing station 3, and the template T is being transferred to the imprint unit 310. At the wafer carry-in / out station 311, the wafer transfer body 322 causes the wafer cassette C W on the cassette mounting table 320 to The wafer W is taken out and transferred to the alignment unit 323. Then, the alignment unit 323 adjusts the orientation of the wafer W based on the position of the notch portion of the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the imprint unit 310 by the wafer transfer body 322 (step B6 in FIG. 19). In the wafer carry-in / out station 311, the wafers W in the wafer cassette CW are accommodated so that the surface to be processed faces upward. In this state, the wafers W are carried to the imprint unit 310.

インプリントユニット310に搬入されたウェハWは、昇降ピン342に受け渡され、ウェハ保持部341上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部341に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル352をウェハWの径方向に移動させ、図20(a)に示すようにウェハW上にレジスト液が塗布され、レジスト膜Rが形成される(図19の工程B7)。このとき、制御部160により、レジスト液ノズル352から供給されるレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分(テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分(転写パターンCにおける凸部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように塗布される。このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上にレジスト液が塗布される。   The wafer W carried into the imprint unit 310 is transferred to the lift pins 342 and is placed and held on the wafer holding unit 341. Subsequently, after aligning the wafer W held by the wafer holding unit 341 by moving it to a predetermined position in the horizontal direction, the resist solution nozzle 352 is moved in the radial direction of the wafer W, as shown in FIG. As shown, a resist solution is applied onto the wafer W to form a resist film R (step B7 in FIG. 19). At this time, the controller 160 controls the supply timing and supply amount of the resist solution supplied from the resist solution nozzle 352. That is, in the resist pattern formed on the wafer W, the amount of the resist solution applied to the portion corresponding to the convex portion (the portion corresponding to the concave portion in the transfer pattern C of the template T) is large, and the portion corresponding to the concave portion ( The resist solution is applied so that the amount of the resist solution applied to a portion corresponding to the convex portion in the transfer pattern C is small. Thus, the resist solution is applied on the wafer W in accordance with the aperture ratio of the transfer pattern C.

ウェハW上にレジスト膜Rが形成されると、ウェハ保持部341に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部360に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。そして、図20(a)の矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に下降させる。テンプレートTは所定の位置まで下降し、テンプレートTの表面TがウェハW上のレジスト膜Rに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源363から光が照射される。光源363からの光は、図20(b)に示すようにテンプレートTを透過してウェハW上のレジスト膜Rに照射され、これによりレジスト膜Rは光重合する。このようにして、ウェハW上のレジスト膜RにテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される(図19の工程B8)。 When the resist film R is formed on the wafer W, the wafer W held by the wafer holder 341 is moved to a predetermined position in the horizontal direction for alignment, and the template T held by the template holder 360 is used. Is rotated in a predetermined direction. Then, the template T is lowered to the wafer W side as shown by the arrow in FIG. Template T is lowered to a predetermined position, the surface T 1 of the template T is pressed against the resist film R on the wafer W. The predetermined position is set based on the height of the resist pattern formed on the wafer W. Subsequently, light is emitted from the light source 363. The light from the light source 363 passes through the template T and is irradiated onto the resist film R on the wafer W, as shown in FIG. 20B, whereby the resist film R is photopolymerized. In this way, the transfer pattern C of the template T is transferred to the resist film R on the wafer W to form the resist pattern P (step B8 in FIG. 19).

その後、図20(c)に示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。このとき、テンプレートTの表面Tには離型剤Sが塗布されているので、ウェハW上のレジストがテンプレートTの表面Tに付着することはない。その後、ウェハWは、昇降ピン342によりウェハ搬送体322に受け渡され、インプリントユニット310からウェハ搬入出ステーション311に搬送され、ウェハカセットCに戻される(図19の工程B9)。なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばインプリントシステム300の外部において、図20(d)に示すように当該残存膜Lを除去してもよい。 Thereafter, the template T is raised as shown in FIG. 20C to form a resist pattern P on the wafer W. At this time, since the surface T 1 of the template T release agent S is coated, never resist on the wafer W adheres to the surface T 1 of the template T. Thereafter, the wafer W is transferred to the wafer carrier 322 by the lift pins 342, transferred from the imprint unit 310 to the wafer carry-in / out station 311 and returned to the wafer cassette CW (step B9 in FIG. 19). Note that a thin resist residual film L may remain in the recesses of the resist pattern P formed on the wafer W. For example, the residual film L outside the imprint system 300 as shown in FIG. The film L may be removed.

以上の工程B6〜B9(図19中の点線で囲った部分)を繰り返し行い、一のテンプレートTを用いて、複数のウェハW上にレジストパターンPをそれぞれ形成する。この間、上述した工程B1〜B5を繰り返し行い、複数のテンプレートTの表面T上に離型剤Sを成膜する。離型剤Sが成膜されたテンプレートTは、インターフェイスステーション312のバッファカセット333に保管される。 The above steps B6 to B9 (portions surrounded by dotted lines in FIG. 19) are repeatedly performed to form resist patterns P on the plurality of wafers W using one template T, respectively. During this period, it repeats the step B1~B5 described above, forming the release agent S on the surface T 1 of the plurality of templates T. The template T on which the release agent S is formed is stored in the buffer cassette 333 of the interface station 312.

そして、所定枚数のウェハWに対して工程B6〜B9が行われると、テンプレート搬送体331によって、使用済みのテンプレートTがインプリントユニット310から搬出され、反転ユニット332に搬送される(図19の工程B10)。続いて、テンプレート搬送体331によって、バッファカセット333内のテンプレートTがインプリントユニット310に搬送される。こうして、インプリントユニット310内のテンプレートTが交換される。なお、テンプレートTを交換するタイミングは、テンプレートTの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハWに異なるレジストパターンPを形成する場合にも、テンプレートTが交換される。そして、例えばテンプレートTを1回使用する度に当該テンプレートTを交換してもよい。また、例えば1枚のウェハW毎にテンプレートTを交換してもよいし、例えば1ロット毎にテンプレートTを交換してもよい。   Then, when Steps B6 to B9 are performed on a predetermined number of wafers W, the used template T is unloaded from the imprint unit 310 by the template transfer body 331 and transferred to the reversing unit 332 (step of FIG. 19). B10). Subsequently, the template transport body 331 transports the template T in the buffer cassette 333 to the imprint unit 310. Thus, the template T in the imprint unit 310 is exchanged. Note that the timing for exchanging the template T is set in consideration of deterioration of the template T and the like. The template T is also replaced when a different resist pattern P is formed on the wafer W. For example, the template T may be exchanged each time the template T is used once. Further, for example, the template T may be exchanged for each wafer W, or the template T may be exchanged for each lot, for example.

反転ユニット332に搬送された使用済みのテンプレートTは、その表裏面が反転される。その後、テンプレート搬送体331、搬送ユニット20、テンプレート搬送体12によって、テンプレートTはテンプレートカセットCに戻される。このようにして、インプリントシステム300において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。 The used template T conveyed to the reversing unit 332 has its front and back surfaces reversed. Thereafter, the template conveyor 331, the transport unit 20, the template carrier 12, the template T is returned to the template cassette C T. Thus, in the imprint system 300, the predetermined resist pattern P is continuously formed on the plurality of wafers W while the template T is continuously replaced.

以上の実施の形態のインプリントシステム300はテンプレート処理装置1を有しているので、インプリントシステム300において、テンプレートT上に離型剤Sを成膜しつつ、当該テンプレートTをインプリントユニット310に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートTが劣化する前、あるいは複数のウェハW上に異なるレジストパターンPを形成する場合でも、インプリントユニット310内のテンプレートTを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。   Since the imprint system 300 of the above embodiment includes the template processing apparatus 1, the template T is deposited on the imprint unit 310 while the release agent S is formed on the template T in the imprint system 300. Can be supplied continuously. Accordingly, for example, even when the resist pattern P is formed on the plurality of wafers W before the template T deteriorates, the template T in the imprint unit 310 can be exchanged continuously and efficiently. Therefore, the predetermined resist pattern P can be continuously formed on the plurality of wafers W. This also enables mass production of semiconductor devices.

以上の実施の形態では、基板としてのテンプレートTの表面Tと離型剤Sとを密着させるために当該表面Tを改質したが、本発明は別の基板の表面を改質する際にも適用できる。 When in the above embodiment, although the surface T 1 was modified in order to adhere the surfaces T 1 and the release agent S templates T as a substrate, the present invention is to modify the surface of another substrate It can also be applied to.

例えば近年、半導体デバイスの高集積化が進んでおり、当該半導体デバイスを3次元に積層する3次元集積技術を用いることが提案されている。この3次元集積技術においては、例えば2枚の基板としての半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)の接合が行われる。かかる場合、ウェハ上に形成された水酸基同士が脱水縮により結合されることで、ウェハ同士が強固に接合される。そこで、このウェハ同士の結合をより強固にするため、例えば酸素プラズマをウェハに照射して、当該ウェハ上により多量の水酸基を形成することが行われている。しかしながら、この場合、酸素プラズマによってウェハの表面が物理的なダメージやチャージアップダメージを被るおそれがある。この点、本発明のようにウェハの表面に紫外線を照射しながら、表面改質液を供給すると、当該ウェハの表面に多量の水酸基を付与することができる。したがって、本発明によればウェハの表面にダメージを与えることなく当該ウェハの表面を改質することができ、本発明はかかるウェハの接合にも有用である。   For example, in recent years, semiconductor devices have been highly integrated, and it has been proposed to use a three-dimensional integration technique in which the semiconductor devices are three-dimensionally stacked. In this three-dimensional integration technique, for example, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) as two substrates are joined. In such a case, the hydroxyl groups formed on the wafers are bonded together by dehydration, whereby the wafers are firmly bonded. Therefore, in order to strengthen the bonding between the wafers, for example, oxygen plasma is irradiated onto the wafer to form a larger amount of hydroxyl groups on the wafer. However, in this case, the oxygen plasma may cause physical damage or charge-up damage on the wafer surface. In this regard, when the surface modification liquid is supplied while irradiating the surface of the wafer with ultraviolet rays as in the present invention, a large amount of hydroxyl groups can be imparted to the surface of the wafer. Therefore, according to the present invention, the surface of the wafer can be modified without damaging the surface of the wafer, and the present invention is useful for bonding such wafers.

また、本発明は、基板が例えばFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの別の基板である場合にも適用できる。   The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (Flat Panel Display) or a photomask mask reticle.

さらに、本発明は、基板を別の対象結合物、例えば別のシランカップリング剤と結合させる場合にも適用できる。すなわち、基板の表面に水酸基を多量に付与することで、当該基板の表面とシランカップリング剤との結合が促進される。   Furthermore, the present invention can be applied to the case where the substrate is bonded to another target bond, for example, another silane coupling agent. That is, by adding a large amount of hydroxyl group to the surface of the substrate, the bonding between the surface of the substrate and the silane coupling agent is promoted.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.

1 テンプレート処理装置
30、32 表面改質ユニット
31、33 塗布ユニット
40〜43 リンスユニット
132 表面改質液ノズル
140 紫外線照射部
160 制御部
220 紫外線照射部
221 支持板
230 表面改質液ノズル
C 転写パターン
M 表面改質液
P レジストパターン
R レジスト膜
S 離型剤
T テンプレート
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Template processing apparatus 30, 32 Surface modification unit 31, 33 Application | coating unit 40-43 Rinse unit 132 Surface modification liquid nozzle 140 Ultraviolet irradiation part 160 Control part 220 Ultraviolet irradiation part 221 Support plate 230 Surface modification liquid nozzle C Transfer pattern M surface modification solution P resist pattern R resist film S mold release agent T template W wafer

Claims (18)

基板の表面を改質する方法であって、
基板の表面に紫外線を照射しながら、基板の表面に表面改質液を供給して、当該基板の表面に水酸基を付与することを特徴とする、基板の表面改質方法。
A method for modifying the surface of a substrate,
A method for modifying a surface of a substrate, wherein a surface modification liquid is supplied to the surface of the substrate while irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays to impart a hydroxyl group to the surface of the substrate.
前記表面改質液は、第3級アルコールであることを特徴とする、請求項1に記載の基板の表面改質方法。 The substrate surface modification method according to claim 1, wherein the surface modification solution is a tertiary alcohol. 前記表面改質液は、アルカリ溶液であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の表面改質方法。 The substrate surface modification method according to claim 1, wherein the surface modification solution is an alkaline solution. 前記表面改質液は、過酸化水素水であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の表面改質方法。 The substrate surface modification method according to claim 1, wherein the surface modification solution is a hydrogen peroxide solution. 前記基板の表面に前記紫外線を照射中に、当該基板の表面への前記表面改質液の供給を開始することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の基板の表面改質方法。 The surface modification of the substrate according to claim 1, wherein supply of the surface modification liquid to the surface of the substrate is started while the surface of the substrate is irradiated with the ultraviolet rays. Method. 前記基板の表面と当該表面と対向して配置された支持板との間に前記表面改質液が供給された状態で、前記基板の表面への前記紫外線の照射を開始することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか記載に記載の基板の表面改質方法。 Irradiation of the ultraviolet rays onto the surface of the substrate is started in a state where the surface modification liquid is supplied between the surface of the substrate and a support plate arranged to face the surface. The method for modifying the surface of a substrate according to any one of claims 1 to 4. 前記支持板は、前記紫外線を透過させることを特徴とする、請求項6に記載の基板の表面改質方法。 The substrate surface modification method according to claim 6, wherein the support plate transmits the ultraviolet light. 前記基板は、表面に転写パターンが形成され、且つ前記転写パターンを他の基板上のレジスト膜に転写してレジストパターンを形成するためのテンプレートであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の基板の表面改質方法。 8. The substrate according to claim 1, wherein a transfer pattern is formed on a surface of the substrate, and the substrate is a template for transferring the transfer pattern to a resist film on another substrate to form a resist pattern. The surface modification method for a substrate according to any one of the above. 請求項1〜8のいずれかに記載の基板の表面改質方法を表面改質装置によって実行させるために、当該表面改質装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the surface modification device in order to cause the surface modification device to execute the substrate surface modification method according to claim 1. 請求項9に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 9. 基板の表面を改質する表面改質装置であって、
基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射部と、
基板の表面に水酸基を付与するための表面改質液を供給する表面改質液供給部と、
基板の表面に前記紫外線を照射しながら、基板の表面に前記表面改質液を供給するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、基板の表面改質装置。
A surface modification device for modifying the surface of a substrate,
An ultraviolet irradiation unit for irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays;
A surface modification liquid supply unit for supplying a surface modification liquid for imparting hydroxyl groups to the surface of the substrate;
A control unit for controlling the ultraviolet irradiation unit and the surface modification liquid supply unit so as to supply the surface modification liquid to the surface of the substrate while irradiating the surface of the substrate with the ultraviolet light. An apparatus for modifying the surface of a substrate.
前記表面改質液は、第3級アルコールであることを特徴とする、請求項11に記載の基板の表面改質装置。 The substrate surface modification apparatus according to claim 11, wherein the surface modification liquid is a tertiary alcohol. 前記表面改質液は、アルカリ溶液であることを特徴とする、請求項11に記載の基板の表面改質装置。 The substrate surface modification apparatus according to claim 11, wherein the surface modification solution is an alkaline solution. 前記表面改質液は、過酸化水素水であることを特徴とする、請求項11に記載の基板の表面改質装置。 The substrate surface modification apparatus according to claim 11, wherein the surface modification solution is hydrogen peroxide solution. 前記制御部は、前記基板の表面に前記紫外線を照射中に当該基板の表面への前記表面改質液の供給を開始するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御することを特徴とする、請求項11〜14のいずれかに記載の基板の表面改質装置。 The control unit controls the ultraviolet irradiation unit and the surface modifying liquid supply unit so as to start supplying the surface modifying liquid to the surface of the substrate while the surface of the substrate is irradiated with the ultraviolet light. The apparatus for modifying a surface of a substrate according to claim 11, wherein: 前記基板の表面と対向して配置された支持板を有し、
前記制御部は、前記基板の表面と前記支持板との間に前記表面改質液が供給された状態で前記基板の表面への前記紫外線の照射を開始するように、前記紫外線照射部と前記表面改質液供給部を制御することを特徴とする、請求項11〜14のいずれかに記載の基板の表面改質装置。
Having a support plate arranged facing the surface of the substrate;
The control unit starts the irradiation of the ultraviolet rays on the surface of the substrate in a state where the surface modification liquid is supplied between the surface of the substrate and the support plate. The surface modification apparatus for a substrate according to any one of claims 11 to 14, wherein the surface modification liquid supply unit is controlled.
前記支持板は、前記紫外線を透過させることを特徴とする、請求項16に記載の基板の表面改質装置。 The substrate surface modification apparatus according to claim 16, wherein the support plate transmits the ultraviolet light. 前記基板は、表面に転写パターンが形成され、且つ前記転写パターンを他の基板上のレジスト膜に転写してレジストパターンを形成するためのテンプレートであることを特徴とする、請求項11〜17に記載の基板の表面改質装置。 The substrate is a template for forming a resist pattern by forming a transfer pattern on a surface and transferring the transfer pattern to a resist film on another substrate. The substrate surface modifying apparatus as described.
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