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JP2011025220A - Template treatment apparatus, imprint system, template treatment method, program, and computer memory medium - Google Patents

Template treatment apparatus, imprint system, template treatment method, program, and computer memory medium

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JP2011025220A
JP2011025220A JP2009229206A JP2009229206A JP2011025220A JP 2011025220 A JP2011025220 A JP 2011025220A JP 2009229206 A JP2009229206 A JP 2009229206A JP 2009229206 A JP2009229206 A JP 2009229206A JP 2011025220 A JP2011025220 A JP 2011025220A
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Yoshio Kimura
Takahiro Kitano
Shoichi Terada
高広 北野
正一 寺田
義雄 木村
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Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To properly form a coating on a film of a releasing agent formed on the surface of a template.
SOLUTION: The template treatment apparatus 1 has a configuration composed by integrally connecting a template carry-in and carry-out station 2 and a treatment station 3. The template carry-in and carry-out station 2 can hold a plurality of templates T and carry-in and carry-out the templates T to the treatment station 3. The treatment station 3 transports the templates T along a transport line A. In the transport line A, a pre-washing unit 21, a releasing agent coating unit 22, a heating unit 23, a temperature adjustment unit 24, a rinsing unit 25, and a resist coating unit 26 for carrying out prescribed treatments for the templates T during the transportation are arranged in the order in the transportation direction of the templates T. In the resist coating unit 26, a resist solution is supplied to the surfaces of the templates T and resist films are formed on the surfaces of the templates T by using a squeezee.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置、当該テンプレート処理装置を備えたインプリントシステム、当該テンプレート処理装置を用いたテンプレート方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention is a transfer pattern is formed on the surface of the template, the template processing apparatus for forming a coating film on a release agent which is deposited on the surface, the imprint system including the template processing unit, the template processing unit template method using, a program, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。 For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as. "Wafer") a photolithography process, has been performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。 In forming the above-mentioned resist pattern, in order to further higher integration of semiconductor devices, miniaturization of the resist pattern is required. 一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。 In general the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。 Thus, it has been promoted resulting in a shorter wavelength of light conventionally exposure process. しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。 However, technically the shorter wavelength of the exposure light source, there are cost limitations, only a method of advancing a shorter wavelength of light, a difficult situation to form a fine resist pattern order of several nanometers e.g. is there.

そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている(特許文献1)。 In recent years, instead of performing the photolithography process in wafer, it has been proposed to form a fine resist pattern on a wafer by using a method called the so-called imprint (Patent Document 1). このインプリント方法では、図25に示すように表面に微細な転写パターンCが形成され、且つ当該表面に離型剤Sが成膜されたテンプレートT(モールドや型と呼ばれることもある。)が用いられる。 This imprint method, the surface fine transfer pattern C is formed on as shown in FIG. 25, and the release agent S on the surface (sometimes referred to as the mold and the mold.) The formed template T used.

特開2009−43998号公報 JP 2009-43998 JP

上述したインプリント方法では、先ず、図25(a)に示すように、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分(テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分(転写パターンCにおける凸部に対応する部分)に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように、即ち転写パターンCの開口率に応じてウェハW上にレジスト液が塗布され、レジスト膜Rが形成される。 In the above-described imprinting method, first, as shown in FIG. 25 (a), (portions corresponding to the recesses in the transfer pattern C of the template T) in the resist pattern formed on the wafer W, the portion corresponding to the convex portion many amount of resist liquid is applied to, so the less the amount of the resist solution applied onto the portion (portion corresponding to the convex portion of the transfer pattern C) corresponding to the recess, i.e. the opening ratio of the transfer pattern C depending resist liquid is applied onto the wafer W, the resist film R is formed. そして、図25(b)に示すようにレジスト膜Rに、離型剤Sが成膜されたテンプレートTが押し付けられ、転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される。 Then, the resist film R as shown in FIG. 25 (b), the release agent S is pressed against the deposited template T, the transfer pattern C is transferred, a resist pattern P is formed. このとき、レジスト膜Rに光が照射され、レジスト膜Rが光重合する。 At this time, the light in the resist film R is irradiated, the resist film R is photopolymerized. その後、図25(c)に示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPが形成される。 Then, raise the template T as shown in FIG. 25 (c), the resist pattern P is formed on the wafer W.

しかしながら、図25に示す方法においては、先ず図25(a)に示すように、ウェハW上の所定の位置に正確にレジスト膜Rを形成する必要がある。 However, in the method shown in FIG. 25, first, as shown in FIG. 25 (a), it is necessary to form accurately the resist film R in a predetermined position on the wafer W. このため、ウェハW上にレジスト液の塗布を行うに際して、レジスト液を塗布する、例えばレジスト液ノズルとウェハWとのアライメントを正確に行う必要がある。 Therefore, when performing coating of a resist solution onto the wafer W, applying a resist solution, for example, it is necessary to accurately perform alignment between the resist solution nozzle and the wafer W. さらに、図25(b)に示すようにテンプレートTの転写パターンCを転写する際、開口率に応じてウェハW上にレジスト液を塗布することで形成されたレジスト膜Rと、テンプレートTの転写パターンCとのアライメントが取れていないと、転写パターンCがレジスト膜Rに精度よく転写されない。 Furthermore, when transferring the transfer pattern C of the template T as shown in FIG. 25 (b), the resist film R formed by applying a resist solution onto the wafer W in accordance with the opening ratio, the transfer of the template T the alignment of the pattern C is not achieved, the transfer pattern C is not accurately transferred to the resist film R. したがって、上述のインプリント方法においては、レジスト膜Rの形成時、及びパターン転写時の2度に渡ってアライメントを高精度で行う必要がある。 Therefore, in the imprinting method described above, it is necessary to perform the formation of the resist film R, and alignment over twice during pattern transfer with high accuracy. このため、アライメントに時間を要するためスループット向上の妨げとなっていた。 Therefore, which hinders improvement of throughput since it takes time for alignment. また、アライメントを複数回行う必要があるため、アライメント毎の誤差が重畳され、結果として高精度のアライメントが困難となるという問題があった。 Moreover, since it is necessary to perform a plurality of times alignment, the error of each alignment superimposed, highly accurate alignment is a problem that it is difficult as a result.

この点について、発明者らがアライメントに要する時間を短縮すべく鋭意検討し、例えば下記に示す方法を見出した。 In this regard, inventors have conducted intensive studies in order to shorten the time required for alignment, we found the following method, for example.

図26(a)に示すように、先ず離型剤Sが成膜されたテンプレートT上にレジスト液を塗布してレジスト膜Rを形成する。 As shown in FIG. 26 (a), first, the release agent S is coated with a resist solution onto the template T which is formed to form a resist film R. 次いで、図26(b)に示すように当該レジスト膜Rが形成されたテンプレートTを上昇させウェハWに押し付けると共に、レジスト膜Rに光を照射し、レジスト膜Rを光重合する。 Then, the pressed against the wafer W is raised to the resist film R is the template T formed as shown in FIG. 26 (b), light is irradiated to the resist film R, photopolymerizing resist film R. その後、図26(c)に示すように、テンプレートTを下降させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 26 (c), the template T is lowered to form a resist pattern P on the wafer W.

しかしながら、図26に示す方法においては、離型剤Sが成膜され撥液性が高まった状態のテンプレートTにレジスト液を塗布するため、離型剤Sの有する撥液性により、図27に示すように転写パターンCの窪み部Uにレジスト液R が入り込まないという、新たな問題が生じた。 However, in the method shown in FIG. 26, since the release agent S is coated with a resist solution to the template T of the state of increased liquid repellency is deposited is, the liquid repellency possessed by the release agent S, 27 that resist solution R 1 does not enter into the recess portion U of the transfer pattern C as shown, a new problem arises. この場合、当該レジスト液R が窪み部Uの内部において液滴の状態で留まってしまい、液滴の形状がウェハW上のレジストパターンPにそのまま転写されてしまうため、ウェハW上に所定のレジストパターンPを適切に形成することができない。 In this case, it will remain in the interior of the resist solution R 1 is recess U in the form of droplets, the shape of the droplet from being directly transferred to the resist pattern P on the wafer W, the predetermined on the wafer W it is impossible to properly form the resist pattern P.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成し、パターン転写時のアライメントを不要とすることを目的とする。 The present invention has been made in view of the foregoing, the coating film on the formed release agent suitably formed on the template surface, and an object thereof is to eliminate the need for alignment during pattern transfer.

前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記処理ステーションは、前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴としている。 To achieve the above object, the present invention is the transfer pattern on the surface of the template is formed, a template processing apparatus for forming a coating film on a release agent which is formed on the surface, given the template a processing station for performing the process, can possess a plurality of templates, and has a template unloading station for loading and unloading the template to the processing station, the processing station, on the releasing agent It is characterized by having a coating liquid supply unit for supplying a coating liquid, and a coating liquid filling portion is pushed into the recess portion of the transfer pattern of the release agent the template the applied coating liquid onto the.

本発明によれば、処理ステーションにおいて、テンプレートの離型剤上に塗布した塗布液を塗布液充填部によりテンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことができる。 According to the present invention, the processing station can be pushed into the recess of the transfer pattern of the template a coating solution was coated onto the release agent of the template by the coating liquid filling unit. すなわち、テンプレートの転写パターンの窪み部に塗布液を隙間なく充填することができる。 That is, it is possible to fill without gaps a coating liquid in the recess portion of the transfer pattern of the template. したがって、このように塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板上所定のパターンを形成する場合、基板上にテンプレートの転写パターンが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。 Therefore, when such a coating liquid for forming a predetermined pattern on a substrate using the deposition template, it is possible to form a predetermined pattern transfer pattern of the template has been properly transferred onto the substrate.

また、塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板にパターンを形成する場合、従来行っていた、基板上の塗布膜とテンプレートの転写パターンとのアライメント調整が不要となる。 In the case of forming a pattern on a substrate using a coating liquid is deposited template has been performed conventionally, the alignment adjustment of a transfer pattern of the coating film and the template substrate is not required. したがって、スループットを向上させることができる。 Therefore, it is possible to improve the throughput.

前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有していてもよい。 The processing station may further include a release agent deposited block for forming a release agent to the surface of the template.

前記塗布液充填部は、スキージであってもよい。 The coating liquid filling portion may be a squeegee.

また、前記塗布液充填部は、ローラであってもよく、ブラシであってもよい。 Further, the coating liquid filling portion may be a roller, it may be a brush.

前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていてもよい。 Surface in contact with the coating liquid of the coating liquid filling unit may be liquid-repellent treatment.

前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。 Wherein the upper surface of the coating solution applied onto the release agent, the filter is disposed, the coating liquid filling unit may pushed into the recess portion of the coating liquid through the filter.

また、前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。 Furthermore, the said coating solution on a release agent is disposed permeable filter, the coating liquid is supplied onto the filter, the coating liquid filling unit, the said coating solution through the filter it may be pushed into the recess.

前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が供給されたスタンプを有し、前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行ってもよい。 Said processing station, the place of the coating solution the coating liquid filling unit and the supply unit has a stamp coating liquid is supplied to the surface, pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern, the it may be carried out by pressing a stamp to the transfer pattern. かかる場合、前記スタンプの表面は撥液処理されていてもよい。 In such a case, the surface of the stamp may be liquid-repellent treatment.

複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていてもよい。 A plurality of the template may be held in one holder.

別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。 The present invention according to another aspect is a imprinting system comprising the template processing unit, by using the template that has been processed in the processing station, and transferred to a coating film formed with the transfer pattern on the substrate the imprint unit for forming a predetermined pattern on the coating film, can possess a plurality of the substrates, it is characterized by having a substrate transfer station for loading and unloading the substrate to the imprint unit.

また別な観点による本発明は、テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、前記離型剤上に塗布液を塗布し、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴としている。 The present invention according to another aspect, using the template processing unit, the transfer pattern on the surface of the template is formed, a template processing method for forming a coating film on a release agent which is formed on the surface, the coating composition was applied onto the release agent is characterized by pushing the coating solution coated on the releasing agent in the recess portion of the transfer pattern of the template.

前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜してもよい。 Wherein the template processing unit, it may be formed a releasing agent to the surface of the template.

前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行ってもよい。 Pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern of the template may be performed using a squeegee.

また、前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行ってもよく、ブラシを用いて行ってもよい。 Further, the pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern of the template may be carried out using a roller, may be performed using a brush.

また別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to the present invention according to another aspect, the template processing method to be executed by the template processing apparatus, a program operating on the control unit of the computer that controls the template processing apparatus is provided.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to the present invention according to still another aspect, readable computer storage medium storing the program are provided.

本発明によれば、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成することができる。 According to the present invention, it is possible to properly form the coating film on a release agent which is formed on the template surface.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。 Is a plan view showing a schematic configuration of a template processing apparatus according to this embodiment. テンプレートの斜視図である。 It is a perspective view of a template. トランジションユニットの構成の概略を示す側面図である。 Is a side view schematically showing the configuration of the transition units. 搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the processing units of the conveying line. 搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the processing units of the conveying line. レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 It is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the resist coating unit. レジスト膜の形成工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を示し、(b)はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、(c)はテンプレートの表面にレジスト膜が形成された様子を示す。 The state of the template in the formation process of the resist film is an explanatory view schematically showing, (a) shows the state in which the resist solution is supplied to the surface of the template, (b) the resist liquid to the recessed portion by the squeegee It shows how the pushed illustrates that a resist film is formed (c) the surface of the template. テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。 Is a flow chart showing the steps of template processing. 離型剤処理及びレジスト膜成膜の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、(b)はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、(c)はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、(d)はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示し、(e)はテンプレート上にレジスト液が供給された様子を示し、(f)はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、(g)はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。 Is an explanatory view of the state of the template shown schematically at each step of the release agent treatment, and the resist film formation, (a) shows the state in which the surface of the template is cleaned, (b) on the surface of the template shows how the release agent is applied, (c) shows a state in which the release agent on the template is fired, (d) shows a state in which the release agent is deposited on the template, (e ) shows a state in which is supplied resist solution on the template, indicating the (f) state indicates a state in which the resist solution is pushed to the recess by a squeegee, (g) is a resist film on a template is deposited . ローラにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。 The manner in which the resist solution is pushed in the recess portion by the roller is an explanatory view schematically showing. ブラシにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。 The manner in which the resist solution is pushed in the recess portion by the brush is an explanatory view schematically showing. レジスト液の上面にフィルタを配置して窪み部にレジスト液を押し込む様子を模式的に示した説明図である。 The recess by placing the filter on the upper surface of the resist solution how to push the resist solution is an explanatory view schematically showing. テンプレート上に配置したフィルタにレジスト液が供給された状態を模式的に示した説明図である。 A filter disposed on the template the state where the resist solution is supplied is an explanatory view schematically showing. 他の実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。 Is a plan view showing a schematic configuration of a template processing apparatus according to another embodiment. スタンプユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a stamp unit. レジスト膜成膜の各工程におけるテンプレート及びスタンプの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はスタンプの表面にレジスト液が塗布される様子を示し、(b)はスタンプがテンプレートに押し付けられた様子を示し、(c)はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。 The state of the template and the stamp in each step of the resist film forming is an explanatory view schematically showing, (a) shows the state in which the resist solution is applied to the surface of the stamp, (b) the stamp template shows the pressing was state, showing that the resist film is formed on the (c) template. ホルダーの平面図である。 It is a plan view of the holder. ホルダーの縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view of the holder. 本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。 Is a plan view showing a schematic configuration of such an imprint system in this embodiment. インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。 It is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the imprint unit. インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the imprint unit. インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。 Is a flow chart showing the steps of the imprint process. インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートをウェハに押し付けた様子を示し、(b)はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、(c)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、(d)はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。 It is an explanatory view of the state of the template and wafer in each step of the imprint process shown schematically, (a) shows the state in which pressing the template on the wafer, (b) the photopolymerized resist film on the wafer illustrating a manner, (c) shows a state in which a resist pattern is formed on the wafer, (d) shows a state where residual film on the wafer was removed. 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。 Is a plan view showing a schematic configuration of an imprint system according to another embodiment. 従来のインプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、(b)はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、(c)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。 Is an explanatory view of the state of the template and the wafer shown schematically in respective steps of a conventional imprinting process, (a) shows the state in which the resist solution is coated on the wafer, (b) the resist on the wafer the membrane shows a state obtained by photopolymerization, (c) shows a state in which a resist pattern is formed on the wafer. インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートにレジスト膜が成膜された様子を示し、(b)はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、(c)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。 Is an explanatory view of the state of the template and wafer in each step of the imprint process shown schematically, (a) shows the state in which a resist film is formed on the template, the (b) the resist film on the wafer shows a state obtained by photopolymerization, (c) shows a state in which a resist pattern is formed on the wafer. テンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を模式的に示す説明図である。 The manner in which the resist solution is supplied to the surface of the template is an explanatory view schematically showing.

以下、本発明の実施の形態について説明する。 The following describes embodiments of the present invention. 図1は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1の構成の概略を示す平面図である。 Figure 1 is a plan view showing the outline of a template processing apparatus 1 configured according to this embodiment.

本実施の形態のテンプレート処理装置1では、図2に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成されたテンプレートTが用いられる。 In template processing apparatus 1 of this embodiment has a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 2, the template T a predetermined transfer pattern C is formed on the surface is used. 以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面T といい、当該表面T と反対側の面を裏面T という。 Hereinafter, the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2. なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。 Incidentally, the template T, visible light, near ultraviolet light, capable of transmitting transparent material light such as ultraviolet rays, for example, glass is used.

テンプレート処理装置1は、図1に示すように複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とテンプレート処理装置1との間で搬入出したり、テンプレートカセットC に対してテンプレートTを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション2と、テンプレートTに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。 Template processing unit 1 includes a plurality as shown in FIG. 1, for example, five of the template T or transferring, between the outside and the template processing apparatus 1 with the cassette unit, carrying out a template T the template cassette C T template unloading station 2 or has a configuration in which are integrally connected with the processing station 3 including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the template T.

テンプレート搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。 The template unloading station 2, a cassette mounting table 10 is provided. カセット載置台10は、複数のテンプレートカセットC をX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。 Cassette mounting table 10 is adapted to be mounted thereon a plurality of template cassettes C T in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). すなわち、テンプレート搬入出ステーション2は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。 That is, the template unloading station 2 is held configured to be capable of multiple templates T.

テンプレート搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なテンプレート搬送体12が設けられている。 The template unloading station 2, the conveyance path 11 template transfer body 12 movable on extending in X direction is provided. テンプレート搬送体12は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、テンプレートカセットC と処理ステーション3との間でテンプレートTを搬送できる。 Template carrier 12 is also movable in the vertical direction and the vertical around (theta direction), can transfer the template T with the template cassette C T and the processing station 3.

処理ステーション3は、テンプレートTの搬送ラインAを備えている。 Processing station 3 includes a conveying line A of the template T. 搬送ラインAは、処理ステーション3において、正面側(図1のX方向負方向側)に配置されY方向に延びるラインA1と、テンプレート搬入出ステーション2と反外側の端部においてX方向に延びるラインA2と、背面側(図1のX方向正方向側)においてY方向に延びるラインA3とをこの順で接続した構成を有している。 Transport line A, in the processing station 3, extends a line A1 extending in the Y direction are disposed on the front side (X-direction negative direction side in FIG. 1), in the X direction in the template unloading station 2 with anti outer end line and A2, and a line A3 extending in the Y direction at the rear side (X-direction positive direction side in FIG. 1) has a structure obtained by connecting in this order. 搬送ラインAには、後述する複数の搬送用コロ30が並べて配置され、コロ搬送によりテンプレートTを搬送することができる。 The conveying line A, is arranged a plurality of conveying rollers 30 to be described later, it is possible to transport the template T by roller transport. すなわち、テンプレート搬入出ステーション2から処理ステーション3に搬送されたテンプレートTは、ラインA1、A2、A3を順次搬送される。 That is, the template T which has been transported from the template carry-out station 2 to the processing station 3 is sequentially conveyed to the line A1, A2, A3.

ラインA1には、テンプレート搬入出ステーション2側から順に、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット20、テンプレートT上に離型剤が成膜される前の表面T を洗浄する前洗浄ユニット21、テンプレートTに液体状の離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット22、テンプレートTを加熱処理する加熱ユニット23が一列に配置されている。 The line A1, in order from the template carry-out station 2 side, the transition unit 20 for passing the template T, the pre-cleaning unit release agent on the template T is to clean the surface T 1 of the before the deposition 21 , liquid release agent release agent coating unit 22 for applying a heating unit 23 for heating the template T are arranged in a line in the template T.

ラインA2には、テンプレートTの温度を調節する温度調節ユニット24が配置されている。 The line A2, the temperature adjustment unit 24 for adjusting the temperature of the template T are disposed.

ラインA3には、テンプレート搬入出ステーション2側に向けて順に、テンプレートT上の離型剤をリンスするリンスユニット25、テンプレートTの離型剤上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット26、トランジションユニット27が一列に配置されている。 The line A3, in this order toward the template carry-out station 2 side, rinsing unit 25 for rinsing the release agent on the template T, the resist coating unit 26 for applying a resist solution onto the release agent of the template T, transition unit 27 are arranged in a row. なお、本実施の形態では、処理ユニット21〜25で離型剤成膜ライン(離型剤成膜ブロック)を形成している。 In the present embodiment, it forms a release agent deposition line (release agent deposition block) in the processing unit 21-25.

次に、上述した搬送ラインAにおけるテンプレートTの搬送機構について説明する。 It will now be described transport mechanism of the template T in the transport line A described above. 搬送ラインAには、図3〜図5に示すように、複数の搬送用コロ30が搬送ラインAに沿った方向に並べて配置されている。 The conveying line A, as shown in FIGS. 3 to 5, a plurality of conveying rollers 30 are arranged side by side in a direction along the transport line A. 各搬送用コロ30は、搬送ラインAに沿った方向と直角方向に延伸する中心軸を回転軸として回転自在に構成されている。 Each conveying roller 30 is rotatably constructed a central axis extending in the direction perpendicular to the direction along the transport line A as a rotation axis. また、複数の搬送用コロ30のうち、少なくとも一の搬送用コロ30には、例えばモータなどを内蔵した駆動機構(図示せず)が設けられている。 Further, among a plurality of transport rollers 30, at least one transport roller 30 of the drive mechanism (not shown) is provided with a built-in, for example, a motor. そして、テンプレートTは、これら搬送用コロ30上をトランジションユニット20、27間で搬送される。 Then, the template T is conveyed these transport rollers 30 above between the transit unit 20, 27.

次に、上述した搬送ラインAのトランジションユニット20、27の構成について説明する。 Next, the configuration of the transition unit 20, 27 of the conveying line A described above. 搬送ラインAのトランジションユニット20は、図3に示すようにテンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン40を有している。 Transition unit 20 of the conveying line A has a lift pin 40 for the template T is supported from below lifting is as illustrated in FIG. 昇降ピン40は、搬送用コロ30の下方に設けられた昇降駆動部41により上下動できる。 Lifting pin 40 can be moved vertically by the lifting drive unit 41 provided below the transport roller 30. また、昇降ピン40は、搬送ラインAに沿って並べて配置された複数の搬送用コロ30間を挿通するよう配置されている。 Further, the lift pin 40 is arranged so as to inserted between a plurality of transport rollers 30 which are arranged along the transport line A. この昇降ピン40により、テンプレートTは、テンプレート搬送体12から搬送用コロ30に載置される。 The lifting pins 40, the template T is placed on the conveying roller 30 from the template carrier 12.

なお、トランジションユニット27の構成は、上述したトランジションユニット20の構成と同様であるので説明を省略する。 The configuration of the transition unit 27 will be omitted since it is similar to the configuration of the transition unit 20 described above.

次に、上述した搬送ラインAの各処理ユニット21〜26の構成について、図4及び図5に基づいて説明する。 Next, the configuration of the processing units 21 to 26 of the conveying line A described above, will be described with reference to FIGS. なお、搬送ラインAは、先に図1に示したようにラインA2において直角方向に折れ曲がっているが、図4においては、構成の理解の容易さを優先させるため、直線状で示されている。 Incidentally, the conveying line A, but previously are bent at right angles in the line A2 as shown in FIG. 1, in FIG. 4, in order to give priority to ease of understanding of the structure, it is shown in a linear .

搬送ラインAには、図4及び図5に示すようにケーシング50が設けられている。 The conveying line A, is the casing 50 as shown in FIGS. 4 and 5 are provided. ケーシング50内は複数の仕切壁51によって区画され、区画された各空間が処理ユニット21〜26をそれぞれ構成している。 The casing 50 is partitioned by a plurality of partition walls 51, each space defined constitute a processing unit 21-26, respectively. これら仕切壁51及びケーシング50のトランジションユニット20、27側の側面には、搬送用コロ30に対応する高さにテンプレートTの搬入出口52がそれぞれ形成されている。 These aspects of the transition unit 20, 27 side of the partition wall 51 and the casing 50, transfer port 52 of the template T are formed at a height corresponding to the feeding roller 30. なお、各搬入出口52には、開閉シャッタ(図示せず)が設けられ、各処理ユニット21〜26の内部を密閉可能になっていてもよい。 Note that each transfer port 52, opening and closing a shutter (not shown) is provided may be designed to be sealable interior of the processing units 21-26.

前洗浄ユニット21は、図4に示すようにテンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部60を有している。 Pre-cleaning unit 21 has a UV irradiation unit 60 for irradiating ultraviolet rays to the template T as shown in FIG. 紫外線照射部60は、搬送用コロ30の上方に配置され、テンプレートTの幅方向(搬送用コロ30の長手方向)に延伸している。 UV irradiation unit 60 is disposed above the conveying rollers 30 extend in the width direction of the template T (longitudinal direction of the transportation roller 30). そして、搬送用コロ30上を搬送中のテンプレートTの表面T に紫外線を照射することで、テンプレートTの表面T 全面に紫外線が照射される。 Then, by irradiating ultraviolet light onto the surface T 1 of the template T being conveyed to conveying roller 30 above, ultraviolet rays are irradiated onto the surface T 1 the entire surface of the template T.

離型剤塗布ユニット22は、テンプレートT上に離型剤を供給する離型剤供給部としての離型剤ノズル61を有している。 Release agent coating unit 22 includes a release agent nozzle 61 as a release agent supplying section for supplying the release agent on the template T. 離型剤ノズル61は、搬送用コロ30の上方に配置されている。 Release agent nozzle 61 is disposed above the conveying rollers 30. また、離型剤ノズル61は、テンプレートTの幅方向に延伸し、その下面には、スリット状の供給口(図示せず)が形成されている。 The release agent nozzle 61 extends in the width direction of the template T, the lower surface thereof, a slit-shaped supply port (not shown) is formed. そして、搬送用コロ30上を搬送中のテンプレートTの表面T に離型剤ノズル61から離型剤を供給して、当該表面T の全面に離型剤が塗布される。 Then, by supplying a release agent to the surface T 1 from the release agent nozzle 61 of the template T being conveyed to conveying roller 30 above, the release agent is applied to the entire surface of the surface T 1. 離型剤塗布ユニット22には、テンプレートTから落下した離型剤を回収して排出する排出管(図示せず)と、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)がそれぞれ接続されている。 The release agent coating unit 22, the discharge pipe for discharging to recover the releasing agent that has fallen from the template T (not shown), an exhaust pipe for exhausting the inside of the atmosphere (not shown) is connected there. なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。 Note that the material of the release agent, a material having liquid repellency include fluorine resin is used for the resist film on the wafer to be described later.

加熱ユニット23は、搬送用コロ30の上方に配置された熱板62を有している。 The heating unit 23 includes a heating plate 62 disposed above the transport roller 30. 熱板62の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板62を所定の設定温度に調節できる。 Inside the heating plate 62, for example, a heater that generates heat is provided by the power supply can be adjusted to heat plate 62 to a predetermined set temperature. また、熱板62は、テンプレートTの幅方向に延伸し、搬送用コロ30上を搬送中のテンプレートTを表面T 側(転写パターンC側)から加熱できる。 The heat plate 62 extends in the width direction of the template T, can be heated template T being conveyed to conveying roller 30 above the surface T 1 side (transfer pattern C side). なお、加熱ユニット23には、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)が接続されている。 Incidentally, the heating unit 23, an exhaust pipe for exhausting the inside of the atmosphere (not shown) is connected. また、図示の例では、熱板62はテンプレートTを表面T 側から加熱しているが、テンプレートTを裏面T 側から加熱するようにしてもよい。 In the example shown, the heating plate 62 is heated template T from the surface T 1 side, may be heated to template T from the back T 2 side. すなわち、熱板は、搬送用コロ30と同じ高さに配置されていてもよく、あるいは搬送用コロ30の下方に配置されていてもよい。 That is, hot plate may be arranged at the same height as the conveying roller 30, or may be disposed below the transport roller 30. さらに、これら熱板を両方配置して、テンプレートTを表面T と裏面T の両側から加熱してもよい。 Furthermore, by both placing these hot plate, the template T may be heated from the both surfaces T 1 and back T 2.

温度調節ユニット24では、搬送用コロ30の一部が温度調節用コロ30aを構成している。 In the temperature adjusting unit 24, a part of the transport roller 30 constitute the temperature adjusting roller 30a. 温度調節用コロ30aの内部には、テンプレートTを冷却する冷却水が循環している。 Inside the temperature adjusting roller 30a, the cooling water is circulated to cool the template T. また、搬送用コロ30の上方には、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方に吹き付けるガス供給部63が配置されている。 Above the conveying roller 30, the gas supply unit 63 is arranged to blow gas gas such as inert gas or dry air, for example nitrogen or the like downward. ガス供給部63は、テンプレートTの幅方向に延伸し、搬送中のテンプレートTの表面T 全面に気体ガスを吹き付けることができる。 Gas supply unit 63 extends in the width direction of the template T, it is possible to blow air gas on the surface T 1 entire template T being conveyed. これら温度調節用コロ30aとガス供給部63によって、テンプレートTは所定の温度に調節される。 These temperature adjusting roller 30a and the gas supply unit 63, the template T is adjusted to a predetermined temperature. なお、温度調節ユニット24には、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)が接続されている。 Incidentally, the temperature control unit 24, an exhaust pipe for exhausting the inside of the atmosphere (not shown) is connected.

リンスユニット25は、図5に示すようにテンプレートT上に離型剤のリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズル64と、テンプレートT上に例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを吹き付けるガスノズル65とを有している。 Rinsing unit 25 includes a rinse liquid nozzle 64 for supplying an organic solvent as a rinse of the release agent on the template T as shown in FIG. 5, such as an inert gas or dry air such as nitrogen, for example, on the template T and a gas nozzle 65 for blowing a gas gas. リンス液ノズル64とガスノズル65は、搬送用コロ30の上方であって、温度調節ユニット24側からこの順に配置されている。 Rinse liquid nozzle 64 and the gas nozzle 65 is a top of the transport rollers 30 are arranged from the temperature control unit 24 side in this order. また、リンス液ノズル64とガスノズル65は、テンプレートTの幅方向にそれぞれ延伸し、その下面にはスリット状の供給口(図示せず)がそれぞれ形成されている。 Further, the rinse liquid nozzle 64 and the gas nozzle 65, respectively extend in the width direction of the template T, (not shown) a slit-shaped supply port on the lower surface thereof are formed. そして、搬送用コロ30上を搬送中のテンプレートT上の離型剤をリンス液ノズル64によってリンスし、その後リンスされたテンプレートTの表面T をガスノズル65によって乾燥させることができる。 Then, can be dried by the transfer roller 30 a release agent on the template T is being transported on the rinsed by the rinse liquid nozzle 64, the gas nozzle 65 to the surface T 1 of the subsequent rinse template T. なお、リンスユニット25には、テンプレートTから落下した有機溶剤を回収して排出する排出管(図示せず)と、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)がそれぞれ接続されている。 Note that the rinsing unit 25, the discharge pipe for discharging to recover the organic solvent dropped from the template T (not shown), an exhaust pipe for exhausting the inside of the atmosphere (not shown) are connected.

レジスト塗布ユニット26は、テンプレートTの離型剤上に塗布液としてのレジスト液を供給する塗布液供給部としてのレジスト液ノズル70と、離型剤上に塗布されたレジスト液に押し当てて、テンプレートTの転写パターンCの窪み部にレジスト液を押し込む塗布液充填部としてのスキージ71を有している。 The resist coating unit 26, a resist solution nozzle 70 as coating liquid supply unit for supplying a resist liquid as a coating liquid onto the release agent of the template T, is pressed against the resist solution applied onto a mold release agent, the recess of the transfer pattern C of the template T has a squeegee 71 as a coating liquid filling unit for pushing the resist solution. レジスト液ノズル70及びスキージ71は、搬送用コロ30の上方に配置されている。 Resist solution nozzle 70 and the squeegee 71 is disposed above the conveying rollers 30. 図6に示すように、ケーシング50内のY方向正方向(図6の右方向)側には、X方向(図6の上下方向)に沿って延伸するレール72が設けられている。 As shown in FIG. 6, the side (right direction in FIG. 6) Y direction positive direction in the casing 50, the rails 72 extending along the X direction (vertical direction in FIG. 6) is provided. レール72には、アーム73が取り付けられており、レジスト塗布ノズル70はこのアーム73により支持されている。 To the rail 72, and the arm 73 is attached, the resist coating nozzle 70 is supported by the arm 73.

レジスト液ノズル70には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル70の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口(図示せず)が形成されている。 The resist solution nozzle 70, for example a nozzle of an ink-jet system is used, the lower portion of the resist solution nozzle 70, a plurality of supply ports formed in a row along the longitudinal direction (not shown) is formed. そして、レジスト液ノズル70は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。 Then, the resist solution nozzle 70, the supply timing of the resist solution, can be tightly controlled supply amount of the resist solution.

アーム73は、アーム駆動部74により、レール72上を移動自在である。 Arm 73, the arm drive unit 74 is movable rail 72 above. これにより、レジスト液ノズル70は、ケーシング50内の、例えばX方向正方向側の外方に設置された待機部75から搬送用コロ30上のテンプレートTの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートTの表面上をX方向に移動できる。 Thus, the resist solution nozzle 70, in the casing 50, for example, to move from the standby unit 75 disposed outside the X-direction positive side to above the template T on each of the transfer rollers 30, further of the template T the upper surface can be moved in the X direction. また、アーム73は、ノズル駆動部74によって昇降自在であり、レジスト液ノズル70の高さを調整できる。 The arm 73 is movable up and down by the nozzle drive unit 74, it is possible to adjust the height of the resist solution nozzle 70.

また、ケーシング50内のY方向負方向(図6の左方向)側には、X方向(図6の上下方向)に沿って延伸するレール76が同様に設けられている。 Further, the side (left in FIG. 6) Y direction negative direction in the casing 50, the rail 76 extending along the X direction (vertical direction in FIG. 6) is provided as well. レール76には、アーム77が取り付けられており、スキージ71はこのアーム77により支持されている。 The rails 76 are arms 77 are attached, the squeegee 71 is supported by the arm 77. アーム77はアーム駆動部78によりレール76上を移動自在である。 Arm 77 is movable on the rail 76 by the arm drive unit 78. ケーシング50内の、X方向負方向側の外方には待機部79が設置されている。 The casing 50, the waiting unit 79 is installed outside the X-direction negative side. アーム77等の動作については上述のアーム71等と同様であるので、説明を省略する。 Since the operation of such arms 77 are similar to like arm 71, a description thereof will not be given.

スキージ71のレジスト液と接触する表面は、レジスト液に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等により撥液処理されている。 Surfaces in contact with the resist solution of the squeegee 71 is liquid-repellent treatment material having liquid repellency, for example, a fluorine resin or the like with respect to the resist solution. なお、撥液処理としては、スキージ71の表面を撥液性の材料でコーティングするのではなく、例えばスキージ71そのものが、撥液性を有する、例えばポリウレタンなどの材料により形成されていてもよい。 As the liquid-repellent treatment, rather than coating the surface of the squeegee 71 at the liquid-repellent material, for example, the squeegee 71 itself has liquid repellency, for example, it may be formed of a material such as polyurethane.

そして、レジスト塗布ユニット26内において、レジスト液ノズル70からテンプレートTの表面T に成膜された離型剤S上にレジスト液R が供給される。 Then, in the resist coating unit 26, the resist solution R 1 is supplied to the resist solution nozzle 70 is formed on the surface T 1 of the template T from the release agent on S. なお、この時点においてレジスト液R は、図7(a)に示すように、離型剤Sの撥水性によりテンプレートTの転写パターンCの窪み部Uの内部には完全に入り込まず、液滴の状態で留まっている。 The resist solution R 1 at this point, as shown in FIG. 7 (a), does not enter completely inside the recess portion U of the transfer pattern C of the template T by the water repellency of the release agent S, the droplet it remains in the state. 次いで、スキージ71をレジスト液R に押し当て、図7(b)に示すようにスキージ71をレジスト液に押し当てた状態で図6のX方向正方向に移動させ、スキージ71によりテンプレートTの転写パターンCの窪み部Uにレジスト液R を押し込むことにより窪み部U内にレジスト液R を隙間なく充填する。 Then, pressing the squeegee 71 in the resist solution R 1, is moved in the positive direction in the X-direction of FIG. 6 in a state of pressing the squeegee 71 to resist liquid as shown in FIG. 7 (b), the squeegee 71 of the template T the resist solution R 1 is filled without gaps in the transfer pattern C of the recessed portion resist solution in the depression portion U by pushing the R 1 to U. こうして、図7(c)に示すように離型剤S上にレジスト膜Rを形成する。 Thus, a resist film R so on release agent S as shown in FIG. 7 (c). なお、図7では、スキージ71を移動させながらレジスト液R の押し込みを行っていたが、例えば、テンプレートTを搬送用コロ30により図6のX方向正方向(図6の上方向)に移動させることで、スキージ71の位置を固定した状態であっても、テンプレートTをスキージ71に対して相対的に移動させることが可能であるため、必ずしも、スキージ71を移動自在に構成する必要はない。 In FIG. 7, had been pushing the resist solution R 1 while moving the squeegee 71 moves, for example, by carrying rollers 30 a template T in the positive direction in the X-direction of FIG. 6 (upward direction in FIG. 6) be to, even in a state where the position fixing the squeegee 71, because it is possible to relatively move the template T with respect to the squeegee 71, need not necessarily be movable in constituting the squeegee 71 . この場合、レール76が不要となる。 In this case, the rail 76 is not required. また、レジスト液ノズル70についても、スキージ71と同様に、レール72は必ずしも必要ではない。 Further, the resist solution nozzle 70, like the squeegee 71, the rail 72 is not necessarily required.

以上のテンプレート処理装置1には、図1に示すように制御部100が設けられている。 The template processing apparatus 1 described above, and the control unit 100 is provided as shown in FIG. 制御部100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。 Control unit 100 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション2と処理ステーション3との間のテンプレートTの搬送や、処理ステーション3における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置1における後述する離型剤処理を実行するプログラムが格納されている。 The program storage unit, the template T transport or, by controlling the like operation of the driving system in the processing station 3, a release agent treatment to be described later in the template processing apparatus 1 between the template carry-out station 2 and the processing station 3 program to be executed is stored. なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。 It should be noted that this program such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), a compact disc (CD), a magneto-optical desk (MO), have been recorded in the storage medium readable to a computer, such as memory cards it is those with, or may be installed in the control unit 100 from the storage medium.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1は以上のように構成されている。 Template processing apparatus 1 according to this embodiment is constructed as described above. 次に、そのテンプレート処理装置1において、テンプレートT上に離型剤Sを成膜し、当該離型剤S上へのレジスト膜Rの形成について説明する。 Then, in the template processing apparatus 1, by forming a release agent S on the template T, describes the formation of the resist film R to the release agent on S. 図8は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図9は、各工程におけるテンプレートTの状態を示している。 Figure 8 shows the main process flow of the template process, FIG. 9 shows a state of the template T in each step.

先ず、テンプレート搬送体12によって、カセット載置台10上のテンプレートカセットC からテンプレートTが取り出され、処理ステーション3のトランジションユニット20に搬送される(図8の工程G1)。 First, the template carrier 12, the template T is taken from the template cassette C T on the cassette mounting table 10, (step G1 of Fig. 8) to be conveyed to the transition unit 20 in the processing station 3. このとき、テンプレートカセットC 内には、テンプレートTは、転写パターンCが形成された表面T が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートTはトランジションユニット20に搬送される。 At this time, in the template cassette C T, the template T, the surface T 1 of the transfer pattern C is formed is accommodated so as to face upward, the template T in this state is conveyed to the transition unit 20.

トランジションユニット20内に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン40によって搬送用コロ30上に載置され、搬送ラインAに沿ってコロ搬送により所定の速度で搬送される。 Template T carried to the transition unit 20 is mounted on the transport roller 30 by the elevation pins 40, is conveyed at a predetermined speed by rollers transported along the transport line A. 搬送ラインAでは、トランジションユニット20、前洗浄ユニット21、離型剤塗布ユニット22、加熱ユニット23、温度調節ユニット24、リンスユニット25、レジスト塗布ユニット26、トランジションユニット27に順次搬送され、各処理ユニット21〜26において搬送中のテンプレートTに所定の処理が行われる。 In the transport line A, the transition unit 20, pre-cleaning unit 21, the release agent coating unit 22, the heating unit 23, the temperature adjustment unit 24, rinse unit 25, a resist coating unit 26, it is sequentially transported to the transition unit 27, each processing unit predetermined processing is performed on the template T being conveyed in 21-26.

すなわち、搬送ラインAでは、先ず、前洗浄ユニット21において、紫外線照射部60からテンプレートT上に紫外線が照射され、図9(a)に示すようにテンプレートTの表面T が洗浄される(図8の工程G2)。 That is, in the transport line A, first, in the pre-cleaning unit 21, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation unit 60 on the template T, the surface T 1 of the template T is cleaned as shown in FIG. 9 (a) (FIG. 8 step G2). 続いて、離型剤塗布ユニット22において、離型剤ノズル61からテンプレートT上に離型剤Sを供給し、図9(b)に示すようにテンプレートTの表面T 全面に離型剤Sが塗布される(図8の工程G3)。 Subsequently, the release agent coating unit 22 supplies the release agent S on the template T from the release agent nozzle 61, a release agent to the surface T 1 the entire surface of the template T as shown in FIG. 9 (b) S There is applied (step G3 of Fig. 8). その後、加熱ユニット23において、熱板62によりテンプレートTが例えば200℃に加熱され、図9(c)に示すようにテンプレートT上の離型剤Sが焼成される(図8の工程G4)。 Thereafter, the heating unit 23, the template T by the heating plate 62 is heated to, for example, 200 ° C., the release agent S on the template T is fired as shown in FIG. 9 (c) (Step of Fig. 8 G4). その後、温度調節ユニット24において、温度調節用コロ30aとガス供給部63によりテンプレートTが所定の温度に調節される。 Thereafter, the temperature adjustment unit 24, the template T is adjusted to a predetermined temperature by the temperature adjusting roller 30a and the gas supply unit 63. その後、リンスユニット25において、リンス液ノズル64からテンプレートTに有機溶剤を供給して、当該テンプレートT上の離型剤Sの未反応部のみを剥離させる。 Thereafter, the rinse unit 25, and supplies the organic solvent to the template T from the rinse liquid nozzle 64, to separate only the unreacted portion of the release agent S on the template T. こうして、図9(d)に示すようにテンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが成膜される(図8の工程G5)。 Thus, the release agent along the transfer pattern C on the template T S is deposited as shown in FIG. 9 (d) (step G5 of Fig. 8). 続いて、同リンスユニット25において、ガスノズル65からテンプレートT上に気体ガスを吹き付け、その表面T が乾燥される。 Subsequently, in the rinsing unit 25 blows air gas on the template T from the gas nozzle 65, the surface T 1 is is dried. なお、離型剤Sの未反応部とは、離型剤SがテンプレートTの表面T と化学反応して当該表面T と吸着する部分以外をいう。 Note that the unreacted portion of the release agent S, refers to a portion other than the portion where the release agent S is adsorbed with the surface T 1 by the surface T 1 and the chemical reaction of the template T.

その後、テンプレートTがレジスト塗布ユニット26に搬送されると、レジスト液ノズル70を図6のX方向に移動させ、図9(e)に示すようにテンプレートTの成膜された離型剤S上にレジスト液R を供給する(図8の工程G6)。 Thereafter, the template T is transported to the resist coating unit 26, the resist solution nozzle 70 is moved in the X direction in FIG. 6, FIG. 9 (e) forming the template T as shown in mold release agent on S supplying a resist solution R 1 (step G6 in FIG. 8). この際、制御部100により、レジスト液ノズル70から供給されるレジスト液R の供給タイミングや供給量等が制御される。 At this time, the control unit 100, the resist solution supply timing and the supply amount of the R 1 supplied from the resist solution nozzle 70 is controlled. すなわち、テンプレートTの転写パターンCにおいて、凸部に形成された部分(ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて凹部に対応する部分)に塗布されるレジスト液R の量は少なく、窪み部Uに対応する部分(レジストパターンにおける凸部に対応する部分)に塗布されるレジスト液R の量は多くなるように制御される。 That is, in the transfer pattern C of the template T, the amount of the resist solution R 1 applied to a portion formed on the convex portion (portion corresponding to the recess in the resist pattern formed on the wafer W) is small, the recessed portion U the amount of the resist solution R 1 applied to the corresponding portion (portion corresponding to the convex portion of the resist pattern) in is controlled to be larger. このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上にレジスト液R が塗布される。 The resist solution R 1 is coated on the wafer W in accordance with the opening ratio of the transfer pattern C as.

テンプレートT上にレジスト液R が塗布されると、図9(f)に示すようにスキージ71をレジスト液R に押し当てた状態でスキージ71を図6のX方向に移動させ、テンプレートTの転写パターンCの窪み部Uにレジスト液R を押し込む。 When the resist solution R 1 on the template T is applied to move the squeegee 71 in the X direction in FIG. 6 in a state of pressing the squeegee 71 in the resist solution R 1 as shown in FIG. 9 (f), the template T pushing the resist solution R 1 of the recess portion U of the transfer pattern C. これにより、図9(g)に示すように、テンプレートT上の離型剤S上にレジスト膜Rが形成される(図8の工程G7)。 Thus, as shown in FIG. 9 (g), the resist film R in the release agent on the S on the template T is formed (step G7 in FIG. 8).

その後、トランジションユニット27に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン40によりテンプレート搬送体12に受け渡され、テンプレートカセットC に戻される(図8の工程G8)。 Thereafter, the template T carried to the transit unit 27 is delivered to the template carrier 12 by the lifting pins 40, and returned to the template cassette C T (step in FIG. 8 G8). こうしてテンプレート処理装置1における一連の離型剤処理が終了する。 Thus a series of release agent treated in the template processing apparatus 1 is completed.

以上の実施の形態によれば、レジスト塗布ユニット26において、テンプレートTの表面T に成膜された離型剤S上にレジスト液R 供給した後、レジスト液R をスキージ71によりテンプレートTの転写パターンCの窪み部Uに押し込むことで、レジスト液R を窪み部Uに隙間なく充填し、離型剤S上にレジスト膜Rを形成することができる。 According to the above embodiment, in the resist coating unit 26, a resist solution was R 1 supplied onto the surface T release agent is deposited to 1 S where the template T, the resist solution R 1 by the squeegee 71 template T by pushing the the recess U of the transfer pattern C, can resist liquid filled without gaps in R 1 a recess U, to form a resist film R in the release agent on S. したがって、このテンプレートTを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートTの転写パターンCが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。 Therefore, when forming a predetermined resist pattern on the resist film on the wafer using the template T, it is possible to form a predetermined pattern transfer pattern C of the template T is properly transferred onto the wafer. なお、このテンプレートTを用いてウェハ上に所定のレジストパターンを形成する場合の作用、効果等については、後述において詳細に説明する。 Incidentally, the action in the case of forming a predetermined resist pattern on a wafer by using the template T, and effect or the like, will be described in detail later.

また、レジスト膜Rが成膜されたテンプレートTを用いてウェハにパターンを形成する場合、従来行っていた、ウェハ上のレジスト膜RとテンプレートTの転写パターンCとのアライメント調整が不要となる。 Further, when the resist film R to form a pattern on the wafer using the template T which is formed, has been performed conventionally, the alignment adjustment of a transfer pattern C of the resist film R and the template T on the wafer becomes unnecessary. したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。 Therefore, it is possible to improve the throughput of the wafer processing.

さらに、テンプレート搬入出ステーション2が複数のテンプレートTを保有できるので、当該テンプレート搬入出ステーション2から処理ステーション3にテンプレートTを連続して搬送することができる。 Furthermore, since the template carry-out station 2 can have multiple templates T, it is possible to transport the template T in the processing station 3 from the template carry-out station 2 continuously. また、処理ステーション3においては、複数の搬送用コロ30によって搬送ラインAに配置された各種処理ユニット21〜27にテンプレートTがコロ搬送され、当該搬送中のテンプレートTに所定の処理を行うことができるので、複数のテンプレートTに対して所定の処理を連続して行うことができる。 In the processing station 3, the template T is transport roller to a plurality of transport rollers 30 various processing units 21 to 27 arranged in a conveying line A by, it performs a predetermined processing to the template T in the transport because it can be carried out continuously a predetermined process for a plurality of templates T. したがって、これら複数のテンプレートTに対して、レジスト膜Rを連続的に成膜することができる。 Therefore, with respect to the plurality of templates T, the resist film R can be continuously formed.

ここで、テンプレートTは、例えば6.35mmの厚みを有する。 Here, the template T, for example has a thickness of 6.35 mm. 本実施の形態によれば、加熱ユニット23内において、熱板62が搬送用コロ30の上方、すなわちテンプレートTの転写パターンC側(表面T 側)に配置されているので、テンプレートTの表面T 側から、当該表面T 上の離型剤Sを直接加熱することができる。 According to this embodiment, in the heating unit 23, the upper heating plate 62 carrying rollers 30, that is, are arranged in the transfer pattern C side of the template T (surface T 1 side), the surface of the template T from T 1 side, it is possible to heat the release agent S on the surface T 1 directly. したがって、テンプレートTの厚みに関わらず、離型剤Sを効率よく加熱して焼成することができる。 Therefore, regardless of the thickness of the template T, it can be fired release agent S efficiently heated. また、熱板62がテンプレートTの下方に配置されている場合でも、熱伝導によってテンプレートTの裏面T 側から離型剤Sを効率よく加熱することができる。 Further, even when the heating plate 62 is disposed below the template T, it is possible to efficiently heat the release agent S from the back T 2 side of the template T by thermal conduction.

また、スキージ71はレジスト液R と接触する表面が撥液処理されているので、スキージ71にレジスト液R が付着することを抑制できる。 Moreover, the squeegee 71 is because the surfaces in contact with the resist solution R 1 is liquid-repellent treatment can prevent the resist solution R 1 is attached to the squeegee 71.

また、以上の実施の形態では、テンプレートTの転写パターンCの窪み部Uに押し込む塗布液充填部としてスキージ71を用いていたが、塗布液充填部はスキージ71に限定されるものではなく、レジスト液R を転写パターンCの窪み部Uに押し込みレジスト膜Rを形成できるものであれば、例えば図10及び図11に示すようにローラ101やブラシ102といったものを用いてもよい。 Further, in the above embodiment, although not using a squeegee 71 as a coating liquid filled portion pushed into the recess U of the transfer pattern C of the template T, the coating liquid filling portion is not limited to the squeegee 71, the resist as long as the liquid R 1 can form a resist film R pushing the recess U of the transfer pattern C, may also be used such as roller 101 and brush 102 as shown in FIG. 10 and FIG. 11 for example. かかる場合も、レジスト液R と接触する表面は撥液処理されていることが好ましい。 Even such a case, the surface in contact with the resist solution R 1 are preferably subjected to liquid repellent treatment.

また、以上の実施の形態では、テンプレートTに塗布されたレジスト液R に直接スキージ71を押し当てていたが、例えば図12に示すように、テンプレートTに塗布されたレジスト液R の上面に撥液処理されたフィルタF1を配置し、当該フィルタFを介してスキージ71をレジスト液R に押し当ててもよい。 Further, in the above embodiment, although not pressed directly squeegee 71 in the resist solution R 1 applied to the template T, for example, as shown in FIG. 12, the resist solution the upper surface of the R 1, which is applied to the template T to place the liquid-repellent treated filter F1, or by pressing a squeegee 71 via the filter F to the resist solution R 1. こうすることで、スキージ71へのレジスト液R の付着をさらに抑制することができる。 In this way, it is possible to further suppress the adhesion of the resist solution R 1 to the squeegee 71. また、例えばスキージ71に付着したパーティクル等がテンプレートT側に付着することも抑制できる。 Further, for example, particles and the like adhering to the squeegee 71 can be prevented from adhering to the template T side.

また、フィルタF1に代えて、例えば図13に示すように、フィルタF2をテンプレートTの表面T に成膜された離型剤Sの上面に配置し、フィルタF2の上面にレジスト液R を塗布した後に、スキージ71によりレジスト膜Rを形成するようにしてもよい。 In place of the filter F1, for example, as shown in FIG. 13, place the filter F2 to the upper surface of the release agent S which is formed on the surface T 1 of the template T, the resist solution R 1 on the upper surface of the filter F2 after coating, it may be formed a resist film R by the squeegee 71. かかる場合、フィルタF2には、表面が撥液処理され且つレジスト液R を浸透可能なものが用いられる。 In such a case, the filter F2, the surface capable permeate repellent treated and the resist solution R 1 is used. フィルタF2の上面にレジスト液R を塗布することで、テンプレートTの表面T に形成されるレジスト膜Rにダスト等が付着することを抑制できる。 By applying a resist solution R 1 on the upper surface of the filter F2, it is possible to prevent the dust from adhering to the resist film R is formed on the surface T 1 of the template T.

以上の実施の形態では、テンプレートT上への離型剤Sの塗布とテンプレートTの加熱は、それぞれ別の処理ユニット(離型剤塗布ユニット22と加熱ユニット23)で行われていたが、一の処理ユニットで行われてもよい。 In the above embodiment, the heating of the coating and the template T of the release agent S onto the template T has been done in separate processing units (release agent coating unit 22 and the heating unit 23), one it may be performed in the processing unit. すなわち、一の処理ユニット内に、上述した離型剤ノズル61と熱板62を搬送ラインAに沿った方向にこの順で配置してもよい。 In other words, in one of the processing units, the direction may be arranged in this order along the transport line A release agent nozzle 61 and the hot plate 62 described above.

以上の実施の形態では、処理ステーション3のレジスト塗布ユニット26において、テンプレートT上にレジスト液R を供給することにより、テンプレートTの表面T にレジスト膜Rを形成していたが、その表面にレジスト液が塗布されたスタンプをテンプレートTの表面T に押し当てて行ってもよい。 In the above embodiment, in the resist coating unit 26 in the processing station 3, by supplying the resist solution R 1 on the template T, although the surface T 1 of the template T had formed a resist film R, the surface resist solution may be performed by pressing a stamp is applied to the surface T 1 of the template T on. かかる場合、図14に示すようにテンプレート処理装置1の搬送ラインAには、図1に示したレジスト塗布ユニット26に代えて、スタンプユニット110が配置される。 In such a case, the transport line A of the template processing apparatus 1 as shown in FIG. 14, in place of the resist coating unit 26 shown in FIG. 1, the stamp unit 110 is located. すなわち、この場合、搬送ラインAのラインA3には、リンスユニット25、スタンプユニット110、トランジションユニット27が一列に配置される。 That is, in this case, a line A3 of the conveying line A is rinsed unit 25, the stamp unit 110, transit unit 27 are arranged in a row. ラインA1には、テンプレート搬入出ステーション2側から順に、トランジションユニット20、前洗浄ユニット21、離型剤塗布ユニット22、加熱ユニット23が一列に配置される。 The line A1, in order from the template carry-out station 2 side, the transition unit 20, pre-cleaning unit 21, the release agent coating unit 22, the heating unit 23 are arranged in a row. また、ラインA2には温度調節ユニット24が配置される。 Also, temperature control unit 24 is disposed on the line A2.

スタンプユニット110のケーシング50内には、レジスト塗布ユニット26と同様に、図15に示すように搬送用コロ30が配置されている。 In the casing 50 of the stamp unit 110, similarly to the resist coating unit 26, the transport roller 30 as shown in FIG. 15 is disposed. ケーシング50の天井面には、図15に示すようにY方向(図15の左右方向)に沿って延伸するレール111が設けられている。 The ceiling surface of the casing 50, rail 111 extending along the Y direction (horizontal direction in FIG. 15) as shown in FIG. 15 is provided. レール111には、アーム112が取り付けられており、アーム112により、その表面が搬送用コロ30、即ちテンプレートTの表面T と対向するように設けられたスタンプMが支持されている。 The rail 111 is arm 112 is attached by an arm 112, the surface of the transport roller 30, i.e. stamp M that is provided to the surface T 1 and the counter of the template T is supported. アーム112は、アーム駆動部113によりレール111上を移動自在である。 Arm 112 is movable on the rail 111 by the arm driving portion 113. これによりスタンプMは、搬送用コロ30上のテンプレートTの上方まで移動できる。 Thus the stamp M may be moved to above the template T on each of the transfer rollers 30. また、アーム112は、アーム駆動部113によって昇降自在であり、スタンプMをテンプレートTに対して押し当てることができる。 The arm 112 is movable up and down by the arm drive unit 113, can be pressed against the stamp M to the template T. なお、スタンプMの表面M は、離型剤Sよりも高い撥液性を有する材料によって撥液処理されている。 The surface M 1 of the stamp M is liquid-repellent treatment of a material having a high liquid repellency than the release agent S.

図15に示すように、搬送用コロ30の上方であって、レール111の下方には、供給口(図示せず)が上方を向いて設けられたレジスト液ノズル70が配置されている。 As shown in FIG. 15, a top of the transport rollers 30, below the rail 111, (not shown) supply port resist solution nozzle 70 provided facing upward is disposed. 搬送用コロ30の下方の所定の位置には、テンプレートTの位置検出用センサ114が設けられている。 A predetermined position below the conveying roller 30, the position detection sensor 114 of the template T is provided. 位置検出用センサ114は、搬送用コロ30上を搬送されるテンプレートTの、例えばY方向負方向側(図15の左方向側)の端部を検出し、制御装置100へ検出情報を出力する。 Position detecting sensor 114, the template T to be conveyed to the conveying roller 30 above, for example, to detect the end of the Y-direction negative direction side (the left side in FIG. 15), and outputs the detection information to the control device 100 .

次に、かかるスタンプユニット110において、テンプレートTにレジスト膜Rを成膜する方法について説明する。 Then, in such stamping units 110, describes a method of forming a resist film R in the template T.

スタンプユニット110内では、先ず、テンプレートTが搬送用コロ30上を図15のY方向負方向側に搬送される。 Within the stamp unit 110, first, the template T is conveyed in the Y-direction negative direction side in FIG. 15 for conveyance rollers 30 above. 位置検出用センサ114によりテンプレートTが検出されると、搬送用コロ30はテンプレートTの搬送を一時的に停止し、テンプレートTを所定の位置で待機させる。 When the template T is detected by the position detection sensor 114, the transport roller 30 temporarily stops the conveyance of the template T, to wait for the template T at a predetermined position. 次いで、スタンプMがレール111に沿ってテンプレートTに向かって移動する。 Then, the stamp M is moved toward the template T along the rails 111. そして、スタンプMがレジスト液ノズル70の上方を横切る際、図16(a)に示すようにレジスト液ノズル70からスタンプMの表面M に供給され、スタンプMの表面M にレジスト液R が塗布される。 Then, when the stamp M crosses over the resist solution nozzle 70 is supplied from the resist solution nozzle 70 as shown in FIG. 16 (a) on the surface M 1 of the stamp M, the resist solution R 1 on the surface M 1 of the stamp M There is applied.

その後、レジスト液R が塗布されたスタンプMがテンプレートTの上方に移動し、次いで図16(b)に示すようにスタンプMがテンプレートTの表面T に押し付けられる。 Thereafter, the stamp M of the resist solution R 1 is coated is moved above the template T, then the stamp M as shown in FIG. 16 (b) is pressed against the surface T 1 of the template T. この際、スタンプMをテンプレートTに押し付けることにより、テンプレートTの転写パターンCの窪み部Uにレジスト液R が押し込まれ、窪み部U内にレジスト液R が隙間なく充填される。 In this case, by pressing the stamp M to the template T, the resist solution R 1 is pushed into the recess portion U of the transfer pattern C of the template T, the resist solution R 1 is filled without clearance in the recess portion U. その後、スタンプMを上昇させ、図16(c)に示すようにテンプレートT上にレジスト膜Rが形成される。 Then raised stamp M, the resist film R is formed on the template T as shown in FIG. 16 (c). こうしてスタンプユニット110における一連のレジスト膜Rの成膜処理が終了する。 Thus the film-forming process of the series of the resist film R in the stamp unit 110 is finished. なお、図16においてはスタンプMを移動させながらレジスト液R の塗布を行っていたが、例えば、レジスト液ノズル70を移動させてレジスト液R の塗布を行ってもよい。 Although doing the coating of the resist solution R 1 while moving the stamp M in FIG. 16, for example, the resist solution nozzle 70 is moved may be performed applying the resist solution R 1. また、レール111は、図15においては、Y方向に沿って配置されていたが、例えば図15のX方向に沿って、即ち搬送ローラ30の中心軸に平行に配置されていてもよい。 Further, the rails 111, in FIG. 15, which had been arranged along the Y direction, for example along the X direction in FIG. 15, i.e., may be arranged parallel to the central axis of the conveying roller 30.

以上の実施の形態によれば、予めレジスト液R が塗布されたスタンプMをテンプレートTに押し付けるので、テンプレートTへのレジスト液R の塗布と、窪み部U内へのレジスト液R の押し込み、即ちレジスト膜Rの成膜を一度に行うことができる。 According to the above embodiment, in advance since the resist solution R 1 is pressed against the coated stamped M templates T, and the resist solution coating R 1 to the template T, into the recess portion U of the resist solution R 1 pushing, that is, forming a film of the resist film R at a time. したがって、スタンプユニット110において、テンプレートTに成膜された離型剤S上に円滑にレジスト膜Rを成膜することができ、これによって、テンプレート処理装置1におけるレジスト膜Rの成膜処理のスループットを向上させることができる。 Thus, the stamp unit 110, can be deposited smoothly resist film R onto the formed release agent S to the template T, thereby, the throughput of the film deposition process of the resist film R in the template processing unit 1 it is possible to improve the.

なお、以上の実施の形態では、スタンプユニット110内において、レジスト液ノズル70によりレジスト液R の塗布のみを行っていたが、必要に応じて、例えば図15に破線で示すように、レジスト液R と接触する表面が上方を向いて設けられたスキージ71を、テンプレートTの搬送方向(図15のY方向負方向)における、レジスト液ノズル70の下流側に配置してもよい。 Incidentally, in the above embodiment, in the stamp unit 110, had been only coating the resist solution R 1 by the resist solution nozzle 70, as needed, as indicated by a broken line in FIG. 15 for example, the resist solution the squeegee 71 surface in contact with the R 1 is provided facing upward, in the conveying direction of the template T (Y direction negative direction in FIG. 15) may be disposed on the downstream side of the resist solution nozzle 70.

以上の実施の形態では、テンプレート処理装置1において、テンプレートTは個別に搬送され処理されていたが、図17に示すように複数、例えば9枚のテンプレートTが1つのホルダー120に保持されて処理されてもよい。 In the above embodiment, the template processing unit 1, the template T has been being processed are conveyed individually, a plurality as shown in FIG. 17, for example, nine template T is held in a single holder 120 process it may be. かかる場合、ホルダー120には、図18に示すように各テンプレートTを収容するために下方に窪んだ収容部121が形成されている。 In such a case, the holder 120, housing portion 121 recessed downward to accommodate each template T as shown in FIG. 18 are formed. 収容部121の底面には例えば複数の吸引口(図示せず)が形成され、各テンプレートTは収容部121内に吸着保持されるようになっている。 The bottom surface of the receiving portion 121, for example, a plurality of suction ports (not shown) are formed, each template T is adapted to be attracted and held on the housing portion 121.

本実施の形態によれば、処理ステーション3において、複数のテンプレートTに対して一度に所定の処理を行うことができる。 According to this embodiment, in the processing station 3, it is possible to perform a predetermined process at a time to a plurality of templates T. したがって、短時間でより多くのテンプレートT上にレジスト膜を成膜することができ、レジスト処理のスループットを向上させることができる。 Therefore, it is possible to form a resist film on a more templates T in a short time, it is possible to improve the throughput of the resist process.

以上の実施の形態のテンプレート処理装置1は、図19に示すようにインプリントシステム200に配置されていてもよい。 Template processing apparatus 1 of the above embodiment may be arranged in the imprint system 200 as shown in FIG. 19. インプリントシステム200は、テンプレートTを用いて基板としてのウェハW上にレジストパターンを形成するインプリントユニット210と、複数、例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム200との間で搬入出したり、ウェハカセットC に対してウェハWを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション211とを有している。 Imprint system 200 includes a imprint unit 210 for forming a resist pattern on the wafer W as a substrate using the template T, a plurality, for example, 25 wafers W between the outside and the imprint system 200 in the cassette unit loading and out, and a wafer unloading station 211 as the substrate transfer station or transferring, the wafer W to the wafer cassette C W. インプリントシステム200は、これらテンプレート処理装置1、インプリントユニット210、ウェハ搬入出ステーション211を一体に接続した構成を有している。 Imprint system 200, these template processing apparatus 1, the imprint unit 210 has a configuration of connecting the station 211 out wafer carry together.

テンプレート処理装置1の処理ステーション3内では、上述した搬送ラインAからトランジションユニット27を除いた搬送ラインBが正面側(図19のX方向負方向側)に一列に配置されている。 In the processing station 3 of the template processing unit 1, transport line B are arranged in a row on the front side (X-direction negative direction side in FIG. 19), excluding the transit unit 27 from the transport line A described above. すなわち、処理ステーション3の正面側には、トランジションユニット20、前洗浄ユニット21、離型剤塗布ユニット22、加熱ユニット23、温度調節ユニット24、リンスユニット25、レジスト塗布ユニット26が直線的に一列に配置されている。 That is, the front side of the processing station 3, the transition unit 20, pre-cleaning unit 21, the release agent coating unit 22, the heating unit 23, the temperature adjustment unit 24, rinse unit 25, a resist coating unit 26 is linearly to one row It is located.

処理ステーション3の背面側(図19のX方向正方向側)には、テンプレートTの搬送ラインCが配置されている。 On the back side of the processing station 3 (X-direction positive direction side in FIG. 19), the conveying line C of the template T are disposed. 搬送ラインCのテンプレート搬入出ステーション2側の端部には、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット220が設けられている。 The end of the template carry-out station 2 side of the conveying line C is transition unit 220 for passing the template T is provided. インプリントユニット210とトランジションユニット220との間には、上述した複数の搬送用コロ30が設けられ、テンプレートTの搬送が行われる。 Between the imprint unit 210 and the transition unit 220, a plurality of conveying rollers 30 are provided as described above, the transport of the template T is performed. なお、トランジションユニット220の構成は、上述したトランジションユニット20の構成と同様であるので、説明を省略する。 Note that the configuration of the transition unit 220 is the same as the configuration of the transition unit 20 described above, the description thereof is omitted.

ウェハ搬入出ステーション211には、カセット載置台230が設けられている。 The wafer unloading station 211, a cassette mounting table 230 is provided. カセット載置台230は、複数のウェハカセットC をX方向(図19中の左右方向)に一列に載置自在になっている。 Cassette mounting table 230 is adapted to be mounted thereon in a row in a plurality of wafer cassette C W X direction (lateral direction in FIG. 19). すなわち、ウェハ搬入出ステーション211は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。 That is, the station 211 exits wafer carry is held configured to be capable of a plurality of wafers W.

ウェハ搬入出ステーション211には、X方向に延伸する搬送路231上を移動可能なウェハ搬送体232が設けられている。 The wafer unloading station 211, a wafer transfer body 232 is provided which is movable on a transfer path 231 extending in the X direction. ウェハ搬送体232は、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、ウェハカセットC とインプリントユニット210との間でウェハWを搬送できる。 The wafer transfer body 232 is also movable in the vertical direction and the vertical around (theta direction), transfer the wafer W between the wafer cassette C W and the imprint unit 210.

ウェハ搬入出ステーション211には、ウェハWの向きを調整するアライメントユニット233がさらに設けられている。 The wafer unloading station 211, is further provided an alignment unit 233 for adjusting the orientation of the wafer W. アライメントユニット233では、例えばウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。 In alignment unit 233, for example, based on the position of the notch portion of the wafer W, the orientation of the wafer W is adjusted. また、ウェハ搬入出ステーション211には、ウェハWの表裏面を反転させる反転ユニット234が設けられている。 In addition, the station 211 exits wafer carry, reversing unit 234 for reversing the front and back surfaces of the wafer W is provided.

次に、上述したインプリントユニット210の構成について説明する。 Next, the configuration of the imprint unit 210 as described above. インプリントユニット210は、図20及び図21に示すように側面にテンプレートTの搬入出口E1とウェハWの搬入出口E2が形成されたケーシング240を有している。 Imprint unit 210 has a casing 240 which transfer port E2 of the transfer port E1 and the wafer W of the template T is formed on the side surface as shown in FIGS. 20 and 21.

ケーシング240内には図20及び図21に示すように、上述した複数の搬送コロ30が配置されている。 The casing 240, as shown in FIGS. 20 and 21, a plurality of conveying rollers 30 described above are arranged. ケーシング240内の搬送コロ30は、搬送ラインBを通って搬入出口E1から搬送されたテンプレートTを、後述するテンプレート保持部241の上方に搬送し、その後再び搬入出口E1から搬出するように、例えば図20に示すように略U字状に並べて配置されている。 Conveying rollers 30 inside the casing 240, the template T conveyed from the transfer port E1 through conveying line B, and conveyed upward in the template holding portion 241 to be described later, then to again unloaded from the transfer port E1, e.g. They are arranged side by side in a substantially U-shape as shown in FIG. 20.

搬送コロ30の中心軸の両端側には、例えばテンプレートTの側面を支持する搬送ガイド(図示せず)が設けられ、テンプレートTが略U字状に配置された搬送コロ30上を搬送される際に、当該U字状の箇所からテンプレートTが落下することを防止している。 On both end sides of the central axis of the transport roller 30, for example the conveyance guide which supports the sides of the template T (not shown) is provided, the template T is conveyed on the conveying roller 30 on which is disposed in a substantially U-shape when the template T from the U-shaped portion is prevented from falling.

ケーシング240内の底面には、図21に示すようにテンプレートTの下面を保持するテンプレート保持部241が設けられている。 The bottom surface of the casing 240, the template holding portion 241 for holding the lower surface of the template T as shown in FIG. 21. テンプレート保持部241は、テンプレートTの裏面T の所定の位置を吸着保持するチャック242を有している。 Template holding portion 241, a predetermined position of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 242 for holding suction. チャック242は、当該チャックの下方に設けられた移動機構243により鉛直方向に移動自在になっている。 Chuck 242 is adapted to be movable in the vertical direction by a moving mechanism 243 provided below of the chuck.

テンプレート保持部241は、チャック242に保持されたテンプレートTの下方に設けられた光源244を有している。 Template holding portion 241 includes a light source 244 provided below the template T held on the chuck 242. 光源244からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられる。 From the light source 244, for example, visible light, near ultraviolet light, light such as ultraviolet rays are emitted. 光源244の上方に対応する搬送コロ30aは、例えば図20に示すように光源244からの光を遮らないように光源244の上方に対応する位置が切りかかれた形状を有しており、この光源244からの光は、テンプレートTを透過して上方に照射される。 Conveying roller 30a corresponding to the upper light source 244 has a shape whose position has Kirikakare corresponding to above the light source 244 so as not to block the light from the light source 244 as shown in FIG. 20 for example, the light source light from 244 is irradiated upward through the template T.

ケーシング240の天井面であって、搬送コロ30の上方には、図21に示すようにウェハ保持部260が設けられている。 A ceiling surface of the casing 240, above the transport roller 30, the wafer holder 260 as shown in FIG. 21. ウェハ保持部260は、ウェハWの被処理面が下方を向くように、当該ウェハWの裏面を吸着保持する。 Wafer holding unit 260, the processing surface of the wafer W so as to face downward, suction-holds the rear surface of the wafer W. すなわち、ウェハ保持部260と搬送コロ30は、ウェハ保持部260に保持されたウェハWと、搬送コロ30に載置されたテンプレートTが対向するように配置されている。 That is, the transport roller 30 and the wafer holder 260, the wafer W held by the wafer holding unit 260, the conveying roller 30 on the mounting template T is disposed so as to face. ウェハ保持部260は、当該ウェハ保持部260の上方に設けられた移動機構261によって水平方向に移動できるようになっている。 Wafer holder 260 can move in the horizontal direction by a moving mechanism 261 provided above the wafer holder 260.

本実施の形態にかかるインプリントシステム200は以上のように構成されている。 Imprint system 200 according to this embodiment is constructed as described above. 次に、そのインプリントシステム200で行われるインプリント処理について説明する。 Next, a description will be given of an imprint processing performed in the imprint system 200. 図22は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図23は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートTとウェハWの状態を示している。 Figure 22 shows the main processing flow of this imprint process, FIG. 23 shows a state of the template T and the wafer W in each step of the imprint process.

先ず、テンプレート搬送体12によって、テンプレート搬入出ステーション2から処理ステーション3にテンプレートTが搬入される(図22の工程H1)。 First, the template carrier 12, the template T is carried into the processing station 3 from the template carry-out station 2 (step H1 of FIG. 22). 処理ステーション3では、テンプレートTの表面T の洗浄(図22の工程H2)、表面T への離型剤Sの塗布(図22の工程H3)、離型剤Sの焼成(図22の工程H4)、離型剤Sのリンス(図22の工程H5)が順次行われ、テンプレートTの表面T に離型剤Sが成膜される。 In the processing station 3, the cleaning of the surface T 1 of the template T (in FIG. 22 step H2), (step H3 of the Fig. 22) the application of the release agent S on the surface T 1, the firing of the release agent S (in FIG. 22 step H4), rinsing of the release agent S (step H5 in FIG. 22) are sequentially performed, the release agent S is formed on the surface T 1 of the template T. その後、テンプレートTにレジスト液R が供給され(図22の工程H6)、離型剤S上にレジスト膜Rが形成される(図22の工程H7)。 Thereafter, the template T resist solution R 1 is supplied (step H6 in FIG. 22), the resist film R is formed on the release agent on S (step H7 in FIG. 22). なお、これら工程H2〜H7は、前記実施の形態における工程G2〜G7と同様であるので、詳細な説明を省略する。 Note that these steps H2~H7 are the same as steps G2~G7 in the embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

その後、テンプレートTは搬送用コロ30によりインプリントユニット210に搬送され、テンプレート保持部241のチャック242に吸着保持される。 Thereafter, the template T is conveyed to the imprint unit 210 by the transport roller 30, it is attracted to and held on the chuck 242 of the template holding portion 241.

このように処理ステーション3においてテンプレートTに所定の処理を行い、インプリントユニット210へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション211では、ウェハ搬送体232により、カセット載置台230上のウェハカセットC からウェハWが取り出され、アライメントユニット233に搬送される。 Thus it performs predetermined processing on the template T in the processing station 3, while conveying the template T to the imprint unit 210, the wafer loading and unloading stations 211, the wafer carrier 232, the wafer cassette C W on the cassette mounting table 230 wafer W is taken out and transported to the alignment unit 233. そして、アライメントユニット233において、ウェハWのノッチ部の位置に基づいて、ウェハWの向きが調整される。 Then, the alignment unit 233, based on the position of the notch portion of the wafer W, the orientation of the wafer W is adjusted. その後、ウェハWは、ウェハ搬反転ユニット234によって反転された後、インプリントユニット210に搬送される(図22の工程H8)。 Thereafter, the wafer W is inverted by the wafer transportable reversing unit 234 is conveyed to the imprint unit 210 (in FIG. 22 step H8).

インプリントユニット210に搬送されたウェハWは、ウェハ保持部260により吸着保持される。 The wafer W transferred to the imprint unit 210 is held by suction the wafer holder 260. 続いて、ウェハ保持部260に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部241に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。 Subsequently, the aligning by moving the wafer W held by the wafer holding unit 260 in a predetermined position in the horizontal direction, to rotate the template T held in the template holder 241 in a predetermined orientation. そして、図23(a)の矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に上昇させる。 Then, the template T is increased to the wafer W side as indicated by an arrow in FIG. 23 (a). テンプレートTは所定の位置まで上昇し、テンプレートT上のレジスト膜RがウェハWに押し付けられる。 Template T is raised to a predetermined position, the resist film R on the template T is pressed against the wafer W. なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。 The predetermined positions are set based on the height of the resist pattern formed on the wafer W. 続いて、光源244から光が照射される。 Then, light is irradiated from the light source 244. 光源244からの光は、図23(b)に示すようにテンプレートTを透過してウェハW上のレジスト膜Rに照射され、これによりレジスト膜Rは光重合する。 Light from the light source 244 is irradiated to the resist film R on the wafer W passes through the template T as shown in FIG. 23 (b), thereby the resist film R is photopolymerization. このようにしてウェハW上のレジスト膜RにテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される(図22の工程H9)。 The transfer pattern C of the template T is transferred to the resist film R on the wafer W with the resist pattern P is formed (step H9 of Fig. 22).

その後、図23(c)に示すようにテンプレートTを下降させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する(図22の工程H10)。 Thereafter, by lowering the template T as shown in FIG. 23 (c), to form a resist pattern P on the wafer W (step in FIG. 22 H10).

そして、ウェハW上にレジストパターンPが形成されると、使用済みのテンプレートTは搬送用コロ30によりインプリントユニット210から搬送ラインCに搬出される(図22の工程H11)。 When the resist pattern P on the wafer W is formed, the template T of the used is unloaded to the transport line C from the imprint unit 210 by the transport roller 30 (step H11 in FIG. 22). 続いて、搬送ラインBの搬送用コロ30によって新たなテンプレートTがインプリントユニット210に搬送され、インプリントユニット210内のテンプレートTが交換される。 Subsequently, a new template T by the transfer roller 30 of the conveying line B is conveyed to the imprint unit 210, the template T in the imprint unit 210 is replaced. テンプレートTが交換されると、再びテンプレートTをウェハW側に上昇させ、ウェハW上にレジストパターンPが形成される。 When the template T is replaced, increasing the template T on the wafer W side again, the resist pattern P is formed on the wafer W. この作業が繰り返し行われる。 This operation is repeated.

レジストパターンPが形成されたウェハWは、ウェハ搬送体232に受け渡され、インプリントユニット210からウェハ搬入出ステーション211に搬送され、ウェハカセットC に戻される(図22の工程H12)。 Resist pattern P wafer W formed is passed to the wafer transfer body 232 is conveyed from the imprint unit 210 to the wafer unloading station 211, returned to the wafer cassette C W (Step H12 in FIG. 22). なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばテンプレート処理装置1の外部において、図23(d)に示すように当該残存膜Lを除去してもよい。 Note that the recesses of the resist pattern P formed on the wafer W, there is a case where the residual film L of the thin resist remains, for example, outside the template processing apparatus 1, the residual as shown in FIG. 23 (d) the film L may be removed.

搬送ラインCの搬送用コロ30に搬送された使用済みのテンプレートTは、搬送用コロ30に沿って速度でトランジションユニット220に搬送される。 Spent template T conveyed to the conveying roller 30 of the conveying line C is conveyed to the transition unit 220 at a speed along the transport roller 30.

トランジションユニット220に搬送された使用済みのテンプレートTは、昇降ピン40によりテンプレート搬送体12に受け渡され、テンプレートカセットC に戻される。 Template T already used, which are conveyed to the transition unit 220 is passed to the template carrier 12 by the lifting pins 40, and returned to the template cassette C T. このようにして、インプリントシステム200において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。 Thus, in the imprint system 200, while continuously replacing the template T, a predetermined resist pattern P are successively formed on a plurality of wafers W.

以上の実施の形態によれば、テンプレートTの表面T に成膜された離型剤S上にレジスト液R を供給した後、レジスト液R をスキージ71によりテンプレートTの転写パターンCの窪み部Uに押し込むことで、レジスト液R を窪み部Uに隙間なく充填し、離型剤S上にレジスト膜Rを形成することができる。 According to the above embodiment, after supplying the resist solution R 1 on the surface T 1 release agent is deposited on the S where the template T, the resist solution R 1 by the squeegee 71 of the transfer pattern C of the template T by pushing the recess U, can resist liquid filled without gaps in R 1 a recess U, to form a resist film R in the release agent on S. したがって、このテンプレートTを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートTの転写パターンCが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。 Therefore, when forming a predetermined resist pattern on the resist film on the wafer using the template T, it is possible to form a predetermined pattern transfer pattern C of the template T is properly transferred onto the wafer.

また、インプリントシステム200はテンプレート処理装置1を有しているので、インプリントシステム200において、テンプレートT上にレジスト膜Rを成膜しつつ、当該テンプレートTをインプリントユニット210に連続的に供給できる。 Further, since the imprint system 200 includes a template processing apparatus 1, in the imprint system 200, while a resist film R on the template T, can be continuously supplied the template T in the imprint unit 210 . したがって、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPを連続的に形成することができる。 Therefore, it is possible to continuously form a predetermined resist pattern P for a plurality of wafers W. また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。 This also, it is possible to realize the mass production of semiconductor devices.

以上の実施の形態のテンプレート処理装置1では、離型剤Sの成膜とレジスト膜Rの成膜を行っていたが、レジスト膜Rの成膜のみを行うようにしてもよい。 In template processing apparatus 1 of the above embodiment has been performed the deposition of the film formation and the resist film R of the release agent S, may be performed only the formation of the resist film R. かかる場合、図24に示すようにテンプレート処理装置300は、先に図1に示したテンプレート処理装置1から離型剤成膜ラインを構成する処理ユニット21〜25を省略した構成を有している。 In such a case, the template processing unit 300 as shown in FIG. 24 has a configuration obtained by omitting the processing unit 21 to 25 for constituting the release agent deposition lines from the template processing apparatus 1 shown in FIG. 1 above . また、テンプレート処理装置300は、図24に示すようにインプリントシステム310に配置されてもよい。 Further, the template processing unit 300 may be disposed in the printing system 310 as shown in FIG. 24. なお、本実施の形態のテンプレート処理装置300及びインプリントシステム310のその他の構成は、前記実施の形態のテンプレート処理装置1及びインプリントシステム200の構成と同様であるので説明を省略する。 The remaining structure of this embodiment of the template processing unit 300 and imprint system 310 will be omitted because the is the same as the configuration of the morphology template processing apparatus 1 and the imprint system 200 of the embodiment. また、本実施の形態ではテンプレート処理装置300をインプリントシステム310に配置していたが、テンプレート処理装置300は、インプリントシステム310の外部に独立して設けられていてもよい。 Although the template processing unit 300 in this embodiment has been arranged in the imprint system 310, the template processing unit 300 may be provided independently outside of the imprint system 310.

本実施の形態では、テンプレートTの表面T への離型剤Sの成膜はテンプレート処理装置300の外部で行われ、テンプレート搬入出ステーション2には、表面T に離型剤Sが成膜されたテンプレートTが搬入される。 In this embodiment, the deposition of the release agent S on the surface T 1 of the template T is performed outside the template processing unit 300, the template unloading station 2, the release agent S GaNaru the surface T 1 film template T is carried. すなわち、テンプレートTの表面T の洗浄(図22に示した工程H2)、表面T への離型剤Sの塗布(図22に示した工程H3)、離型剤Sの焼成(図22に示した工程H4)、離型剤Sのリンス(図22に示した工程H5)は、テンプレート処理装置300の外部で行われる。 That is, cleaning of the surface T 1 of the template T (step H2, shown in FIG. 22), the application of the release agent S on the surface T 1 (step H3 shown in FIG. 22), firing of the release agent S (FIG. 22 step H4) shown in the rinse of the release agent S (step H5 shown in FIG. 22) is performed outside the template processor 300. そして、テンプレート処理装置300では、テンプレートTの離型剤S上にR が供給され(図22に示した工程H6)、離型剤S上にレジスト膜Rが形成される(図22に示した工程H7)。 Then, the template processing unit 300, (step H6-shown in FIG. 22) R 1 is supplied onto the release agent S of the template T, the resist film R is formed on the release agent on S (shown in FIG. 22 the step H7). その後、レジスト膜Rが形成されたテンプレートTとウェハWがインプリントユニット210に搬送される(図22に示した工程H8)。 Thereafter, the template T and the wafer W on which the resist film R is formed is conveyed to the imprint unit 210 (step H8 shown in FIG. 22). 続いて、インプリントユニット210において、テンプレートT上のレジスト膜RをウェハWに押し付けた後、光源244からレジスト膜Rに光が照射され、当該ウェハW上のレジスト膜RにテンプレートTの転写パターンCが転写される(図22に示した工程H9)。 Subsequently, the imprint unit 210, after pressing the resist film R on the template T to the wafer W, the light is irradiated from the light source 244 in the resist film R, the transfer pattern C of the template T on the resist film R on the wafer W There is transferred (step H9 shown in FIG. 22). その後、ウェハW上にレジストパターンPが形成される(図22に示した工程H10)。 Thereafter, the resist pattern P is formed on the wafer W (step H10 shown in FIG. 22). なお、これら工程H6〜H10は、前記実施の形態と同様であるので詳細な説明を省略する。 Note that these steps H6~H10 are detailed description thereof is omitted because the are the same as those of the embodiment.

本実施の形態においても、テンプレート処理装置300とインプリントシステム310は、前記実施の形態のテンプレート処理装置1とインプリントシステム200と同様の効果をそれぞれ有している。 Also in this embodiment, the template processing unit 300 and the imprint system 310 has each the same effect as template processing apparatus 1 and the imprint system 200 of the embodiment. また、本実施の形態によれば、離型剤Sの成膜処理を省略することができるので、テンプレート処理装置300とインプリントシステム310における処理時間を短縮することもできる。 Further, according to this embodiment, it is possible to omit the deposition process of the release agent S, it is also possible to shorten the processing time in the template processing unit 300 and the imprint system 310.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。 Having described the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to such an example. 当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Those skilled in the art within the scope of the spirit as set forth in the appended claims, it is intended to cover various modifications and changes naturally fall within the technical scope of the present invention also for their things to be understood. 本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。 The present invention can take various aspects is not limited to this example. 本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The present invention, the substrate is an FPD (Flat Panel Display) other than the wafer, also applicable in the case of other substrates such as a mask reticle for photomask.

本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜し、当該離型剤に所定の処理を行う際に有用であり、また当該テンプレートを用いて基板上に所定のパターンを形成する際に有用である。 The present invention is a release agent on the surface of the transfer pattern is formed template is formed, and is useful in performing a predetermined process on the release agent, also given on a substrate using the template useful in forming a pattern.

1 テンプレート処理装置 2 テンプレート搬入出ステーション 3 処理ステーション 12 テンプレート搬送体 21 前洗浄ユニット 22 離型剤塗布ユニット 23 加熱ユニット 24 温度調節ユニット 25 リンスユニット 26 レジスト塗布ユニット 27 トランジションユニット 30 搬送用コロ 30a 温度調節用コロ 50 ケーシング 52 搬入出口 61 離型剤ノズル 70 レジスト液ノズル 71 スキージ 72 レール 73 アーム 74 アーム駆動部 75 待機部 76 レール 77 アーム 78 アーム駆動部 79 待機部 100 制御部 101 ローラ 102 ブラシ 110 スタンプユニット 111 レール 112 アーム 113 アーム駆動部 114 位置検出用センサ 120 ホルダー 121 収容部 200 インプリントシステム 21 1 template processing device 2 template unloading station 3 processing station 12 template carrier 21 the pre-cleaning unit 22 release agent coating unit 23 heating unit 24 temperature control unit 25 the rinsing unit 26 the resist coating unit 27 transit unit 30 carrying rollers 30a temperature control use rollers 50 casing 52 carrying the outlet 61 releasing agent nozzle 70 resist solution nozzle 71 squeegee 72 rail 73 arm 74 arm driving unit 75 waits portion 76 rail 77 arm 78 arm driving unit 79 waiting section 100 the control unit 101 roller 102 brush 110 stamp unit 111 rail 112 arm 113 the arm drive unit 114 for detecting the position sensor 120 holder 121 accommodating portion 200 in the printing system 21 インプリントユニット 211 ウェハ搬入出ステーション 240 ケーシング 241 テンプレート保持部 242 チャック 243 移動機構 260 ウェハ保持部 300 テンプレート処理装置 310 インプリントシステム A 搬送ライン C 転写パターン F1、F2 フィルタ M スタンプ P レジストパターン R レジスト膜 R レジスト液 S 離型剤 T テンプレート U 窪み部 W ウェハ Imprint unit 211 wafer unloading station 240 casing 241 template holder 242 chuck 243 moving mechanism 260 wafer holder 300 template processing apparatus 310 in the printing system A transport line C transfer pattern F1, F2 filtering M stamp P resist pattern R resist film R 1 resist liquid S release agent T template U recess W wafer

Claims (19)

  1. テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、 Transferred pattern on the surface of the template is formed, a template processing apparatus for forming a coating film on a release agent which is deposited on the surface,
    前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、 A processing station that performs a predetermined process on the template,
    複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、 Can possess a plurality of templates, and has a template unloading station for loading and unloading the template to the processing station,
    前記処理ステーションは、 Said processing station,
    前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、 A coating liquid supply unit for supplying the coating solution onto the release agent,
    前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。 It characterized by having a a coating liquid filling unit for pushing the coating solution coated on the releasing agent in the recess portion of the transfer pattern of the template, the template processing unit.
  2. 前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有することを特徴とする、請求項1に記載のテンプレート処理装置。 It said processing station, characterized by further comprising a release agent deposition block for forming a release agent to the surface of the template, the template processing apparatus according to claim 1.
  3. 前記塗布液充填部は、スキージであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のテンプレート処理装置。 The coating liquid filling unit is characterized by a squeegee, the template processing apparatus according to claim 1 or 2.
  4. 前記塗布液充填部は、ローラであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のテンプレート処理装置。 The coating liquid filling unit is characterized by a roller, the template processing apparatus according to claim 1 or 2.
  5. 前記塗布液充填部は、ブラシであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のテンプレート処理装置。 The coating liquid filling unit is characterized by a brush, a template processing apparatus according to claim 1 or 2.
  6. 前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていることを特徴とする、請求項3〜5のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 Wherein said surfaces in contact with the coating liquid of the coating liquid filling unit is characterized in that it is liquid-repellent treatment, the template processing apparatus according to any one of claims 3-5.
  7. 前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 Wherein the upper surface of the coating solution coated on a release agent, the filter is disposed, the coating liquid filling unit is characterized in that pushed into the recess portion of the coating liquid through the filter, claim template processing apparatus according to any one of 1 to 6.
  8. 前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、 Said on release agent wherein the coating solution is disposed permeable filter,
    前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、 The coating liquid is supplied onto the filter,
    前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The coating liquid filling unit is characterized in that pushed into the recess portion of the coating liquid through the filter, the template processing apparatus according to claim 1.
  9. 前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が塗布されたスタンプを有し、 It said processing station, the place of the coating liquid supply unit and into the coating liquid filling unit includes a stamp coating solution is applied to the surface,
    前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載のテンプレート処理装置。 The pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern, and performing by pressing the stamp into the transfer pattern, template processing apparatus according to claim 1 or 2.
  10. 前記スタンプの表面は撥液処理されていることを特徴とする、請求項9に記載のテンプレート処理装置。 Wherein a surface of the stamp is liquid-repellent treatment, the template processing apparatus according to claim 9.
  11. 複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載のテンプレート処理装置。 The plurality of templates, characterized in that it is held in one holder, the template processing apparatus according to any one of claims 1 to 10.
  12. 請求項1〜11のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、 A imprint system comprising a template processing device according to any one of claims 1 to 11,
    前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、 Using the template that has been processed in the processing station, the transfer pattern is transferred to the coating film formed on the substrate, and the imprint unit for forming a predetermined pattern on the coating film,
    複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。 It can possess a plurality of the substrates, characterized by having a a substrate transfer station for loading and unloading the substrate to the imprint unit, the imprint system.
  13. テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、 Using the template processing unit, the transfer pattern on the surface of the template is formed, a template processing method for forming a coating film on a release agent which is formed on the surface,
    前記離型剤上に塗布液を塗布し、 The coating liquid was coated on the releasing agent,
    前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴とする、テンプレート処理方法。 Characterized in that pushing the coating solution coated on the releasing agent in the recess portion of the transfer pattern of the template, the template processing method.
  14. 前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜することを特徴とする、請求項13に記載のテンプレート処理方法。 In the template processing apparatus, characterized by depositing the release agent on the surface of the template, the template processing method according to claim 13.
  15. 前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行うことを特徴とする、請求項13又は14に記載のテンプレート処理方法。 Pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern of the template, and performing using a squeegee, the template processing method according to claim 13 or 14.
  16. 前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行うことを特徴とする、請求項13又は14に記載のテンプレート処理方法。 Pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern of the template, and performing with the roller, the template processing method according to claim 13 or 14.
  17. 前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ブラシを用いて行うことを特徴とする、請求項13又は14に記載のテンプレート処理方法。 Pushing of the coating liquid to the recessed portion of the transfer pattern of the template, and performs with a brush, template processing method according to claim 13 or 14.
  18. 請求項13〜17のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 For execution by the template processing apparatus template processing method according to any one of claims 13 to 17, a program that runs on the control unit of the computer that controls the template processing unit.
  19. 請求項18に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 Readable computer storage medium storing a program according to claim 18.
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