JP2012099624A - 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
スループットの向上を図ることができる露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板Pの複数のショット領域Sに複数の目標積算露光量Sが設定されている。この場合に、各ショット領域の露光時の走査方向への基板ステージ2の移動速度Vを最高速度Vmaxよりも遅い速度で露光する。また、設定される目標積算露光量Sに基づいて、各ショット領域Sの露光時の調整可能な露光光ELの特性および、基板P上での走査方向の露光光ELの幅の少なくとも一方を調整する。
【選択図】図5
スループットの向上を図ることができる露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板Pの複数のショット領域Sに複数の目標積算露光量Sが設定されている。この場合に、各ショット領域の露光時の走査方向への基板ステージ2の移動速度Vを最高速度Vmaxよりも遅い速度で露光する。また、設定される目標積算露光量Sに基づいて、各ショット領域Sの露光時の調整可能な露光光ELの特性および、基板P上での走査方向の露光光ELの幅の少なくとも一方を調整する。
【選択図】図5
Description
本発明は、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程においては、露光装置等の基板処理装置を用いて基板が処理される。基板上の複数の区画領域(以下、適宜「ショット領域」という)にレチクルのパターンを順次転写するために、基板処理装置の基板を保持するステージが走査方向に移動する。下記の特許文献には、基板処理装置のステージの移動に関する動作方法に関する技術の一例が開示されている。
例えば、スループット(基板を処理する能力)の向上を図ることができる露光方法の案出が望まれている。
本発明の態様は、スループットの向上を図ることができる露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、露光光に対して、第1物体とステージに保持される第2物体とを所定の走査方向に同期移動して、第1物体のパターンを経た露光光で第2物体上に配置される第1区画と第2区画とを含む複数の領域のそれぞれを走査露光する露光方法であって、露光光に対してステージの最高速度よりも遅い第1走査速度で第2物体を移動させながら第1区画を露光することと、露光光に対して第1走査速度で第2物体を移動させながら、第1区画の目標積算量よりも目標積算露光量が低い第2区画を露光することと、を含み、第2物体に対する積算露光量を調整可能な露光光の特性、及び第2物体上での走査方向の露光光の幅の少なくとも一方が、第1区画を露光するときと第2区画を露光するときとで異なる露光方法が、提供される。
本発明の第2の態様に従えば、第1の態様の露光方法で第2物体を露光することと、露光した第2物体を現像することとを含むデバイスの製造方法が、提供される。
本発明の第3の態様に従えば、第1物体と第2物体とを所定の走査方向に同期移動して、第1物体のパターンを経た露光光で、第2物体上に目標積算露光量が異なる第1区画と第2区画とを含む複数の領域のそれぞれを走査露光する露光装置であって、第2物体を保持して移動可能なステージと、第2物体に対する積算露光量を調整可能な露光光の特性、及び第2物体上での走査方向の露光光の幅、及びステージの走査速度の少なくとも一つを、変える変更装置と、を備え、露光光に対してステージの最高速度よりも遅い第1走査速度で第2物体を移動させながら第1、第2区画を露光するときの、露光光の特性、及び第2物体での走査方向の露光光の幅の少なくとも一方を、変更装置により異ならせる露光装置が、提供される。
本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置で第2物体を露光することと、露光した第2物体を現像することとを含むデバイスの製造方法が、提供される。
本発明の態様によれば、スループットを向上させることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、マスクMを介した露光光ELで基板Pを露光する露光装置である。図1において、露光装置EXは、露光光ELをパルス発光するレーザ光源Sと、マスクMを保持して移動可能なマスクステ−ジ1と、露光光ELで照明されたマスクMのパタ−ンの像を投影領域PRに配置される基板Pに投影する投影光学系PLと、基板Pを保持して移動可能な基板ステ−ジ2と露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
図1は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、マスクMを介した露光光ELで基板Pを露光する露光装置である。図1において、露光装置EXは、露光光ELをパルス発光するレーザ光源Sと、マスクMを保持して移動可能なマスクステ−ジ1と、露光光ELで照明されたマスクMのパタ−ンの像を投影領域PRに配置される基板Pに投影する投影光学系PLと、基板Pを保持して移動可能な基板ステ−ジ2と露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
ここで、本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。なお、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとの走査方向を同じ向きに同期移動し露光する走査型露光装置でも構わない。以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をX軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
図1において、露光光源としてのレーザ光源Sからパルス発光された露光光ELは、シリンダレンズやビームエキスパンダ等で構成される整形光学系SKにより、後続のオプティカル・インテグレータ(ホモジナイザー)としてのフライアイレンズ5に効率よく入射するように露光光ELの断面形状が整形される。
本実施形態においては、パルスレーザを発振するレーザ光源Sを用いる。本実施形態では、ArFエキシマ−レーザ光源を用いる。したがって、本実施形態において、露光光ELはArFエキシマレーザ光である。なお、ArFエキシマレーザ以外に、KrFエキシマレーザ(波長248nm)や、F2レーザ光(波長157nm)でも構わない。また、露光光源として、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)などを用いても構わない。なお、露光光EXは、遠紫外光(DUV光)や、真空紫外光(VUV光)等の光でも構わない。
図2は、本実施形態に係るレーザ光源Sの一例を示す概略構成図である。図2において、レーザ光源Sの内部において、レーザ共振器1aからパルス的に放出されたレーザビームは透過率が高く僅かな反射率を有するビームスプリッタ1bに入射し、ビームスプリッタ1bを透過したレーザビーム(露光光EL)が外部に射出される。また、ビームスプリッタ1bで反射されたレーザビームが光電変換素子よりなるエネルギーモニタ1cに入射し、エネルギーモニタ1cからの光電変換信号が不図示のピークホールド回路を介して出力ESとしてエネルギーコントローラ1dに供給されている。エネルギ−モニタ1cの出力ESに対応するエネルギーの制御量の単位は「mJ/パルス」である。
エネルギーコントローラ1dは、エネルギーモニタ1cの出力ESが、1パルス当たりのエネルギーの目標値に対応した値となるように、レーザ共振器1aに供給される電圧を制御し、この電圧に応じてレーザ共振器1aにおける1パルス当たりのエネルギーEを変えることができる。なお、エネルギーコントローラ1dは、1パルス以上の合計のエネルギーに対応して、レーザ共振器1aに供給される電圧を制御しても構わない。
なお、エネルギーコントローラ1dは、パルス毎のエネルギーのばらつきを計測しても構わない。パルス毎のエネルギーのばらつきを計測し、そのばらつきが所定の範囲を超えた場合には、そのばらつきが所定の範囲内になるように、パルス毎のエネルギーを調整しても構わない。すなわち、ばらつきを所定の範囲内にすることで、露光不良を抑制することができる。
また、エネルギーコントローラ1dは、レーザ共振器に供給される周波数を変えるための電気信号を制御し、この電気信号に応じてレーザ共振器1aにおける発光されるレーザの周波数fを変えることができる。なお、エネルギーコントローラ1dは、パルス発光周波数を計測しても構わない。パルス発光周波数のばらつきを計測し、そのばらつきが所定の範囲を超えた場合には、そのばらつきが所定の範囲内になるように、パルス発光周波数を調整しても構わない。すなわち、ばらつきを所定の範囲内にすることで、露光不良を抑制することができる。 また、レーザ光源Sの内部には、ビームスプリッタ1bの外側に、レーザビームを遮光するためのシャッタ1fが配置されており、エネルギーコントローラ1dよりレーザビームを遮光するように、シャッタ1fを動作させることが可能である。 図1において、露光光源としてのレーザ光源Sからパルス発光された露光光ELは、シリンダレンズやビームエキスパンダ等で構成される整形光学系SKにより、後続のオプティカル・インテグレータ(ホモジナイザ−)としてのフライアイレンズ5に効率良く入射するように露光光ELの断面形状が整形される。整形光学系に関しては、米国特許出願公開第2009/0316132号明細書に一例が開示されている。
整形光学系SKから射出された露光光ELは、減光部材を備えるエネルギー粗調器3に入射する。エネルギー粗調器3は、回転自在な不図示のレボルバを含む。レボルバ上にそれぞれ透過率の異なる複数のNDフィルタを配置され、NDフィルタを透過した露光光ELが外部に射出される。そのレボルバを不図示の駆動モータで回転させることにより、入射する露光光ELに透過率を100%から複数段階で切り替えることが可能である。したがって、エネルギー粗調器3は、射出する露光光ELのエネルギーを変えることができる。レボルバに関しては、例えば、国際公開番号WO01/03170号に開示されている。
図1において、エネルギー粗調器3から射出された露光光ELは、光路折り曲げ用ミラーMrを介してフライアイレンズ5に入射する。フライアイレンズ5に入射した露光光ELは、多数の微小レンズにより二次元的に分割され、実質的な面光源からなる二次光源が形成される。フライアイレンズ5の射出面には、開口絞り(いわゆる「σ絞り」)6が配置される。開口絞り6は大きさを変えることができ、後続のビームスプリッタ7に入射する露光光ELを制限することができる。
開口絞り6を通過した露光光ELは、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッタ7に入射する。
ビームスプリッタ7により反射された露光光ELは、不図示の集光レンズを介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ25で受光される。インテグレータセンサ25の光電変換信号が不図示のピークホールド回路を介して不図示のコントローラに供給されている。コントローラに供給される光電変換信号から、インテグレータセンサで受光した露光光ELの1パルス当たりのエネルギーを算出することができる。なお、コントローラに供給される光電変換信号に基づいて、レーザ光源のエネルギーコントローラ1dからレーザ共振器1aに供給される電圧を変えても構わない。また、コントローラに供給される光電変換信号に基づいて、レーザ光源のエネルギーコントローラ1dからレーザ共振器1aに供給される発光周波数を調整するための電気信号を変えても構わない。
なお、インテグレータセンサ25は、パルス毎のエネルギーのばらつきを計測しても構わない。パルス毎のエネルギーのばらつきを計測し、そのばらつきが所定の範囲を超えた場合には、そのばらつきが所定の範囲内になるように、パルス毎のエネルギーを調整しても構わない。すなわち、ばらつきを所定の範囲内にすることで、露光不良を抑制することができる。
ビームスプリッタ7を透過する露光光ELは、第1リレーレンズ8Aを経て固定照野絞り(固定マスクブラインド、固定レチクルブラインド)9Aの矩形の開口部を通過する。また、固定照野絞り9Aの近傍に、マスクMの走査方向に対応する位置及び幅が可変の開口部を有する可動照野絞り9Bも配置され、走査露光の開始時及び終了時にその可動照野絞り9Bを介して照野フィールドを更に制限することによって、不要な部分への露光が防止されるように構成されている。この場合、可動照野絞り9Bは、マスクMのパターン面に対する共役面上に配置され、固定照野絞り9Aは、その共役面から僅かにデフォーカスした位置に配置されている。
可動照野絞り9Bの大きさを変えることにより、投影領域PRの大きさを変えることができる。可動照野絞り9Bは、走査方向の投影領域PRの大きさHと、走査方向と交差する方向(例えば、走査方向とほぼ直交する方向)の投影領域PRの大きさとを調整することができる。可動照野絞りは、例えば、特開平6−252022号公報に開示されている。 固定照野絞り9A、及び可動照野絞り9Bを通過した露光光ELは、第2リレーレンズ8B、及びコンデンサレンズ10を経て、マスクステージ1上に保持されたマスクM上の矩形の照明領域IRを照明する。照明領域IRの照度分布はほぼ均一である。
なお、レーザ光源から射出される露光光ELをマスクMに引き回すための光学系は、上述の実施形態に限られず、米国特許出願公開第2009/0316132号明細書に一例が開示されている。
マスクステージ1は、マスクMを支持するものであって、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。
マスクステージ駆動装置1Kは、マスクステージ1が備えるリニアモータを駆動させることができる。マスクステージ駆動装置1Kは制御装置CONTにより制御される。マスクステージ駆動装置1Kは、マスクステージ1の移動速度、およびマスクステージ1の移動方向を変えることができる。マスクステージ1上には不図示の移動鏡が設けられている。また、不図示の移動鏡に対向する位置には不図示のレーザ干渉計が設けられている。マスクステージ1上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角は不図示のレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。マスクステージ制御装置1Kはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置1Kを駆動することでマスクステージ1に支持されているマスクMの位置決めを行う。
マスクステージ駆動装置1Kは、マスクステージ1が備えるリニアモータを駆動させることができる。マスクステージ駆動装置1Kは制御装置CONTにより制御される。マスクステージ駆動装置1Kは、マスクステージ1の移動速度、およびマスクステージ1の移動方向を変えることができる。マスクステージ1上には不図示の移動鏡が設けられている。また、不図示の移動鏡に対向する位置には不図示のレーザ干渉計が設けられている。マスクステージ1上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角は不図示のレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。マスクステージ制御装置1Kはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置1Kを駆動することでマスクステージ1に支持されているマスクMの位置決めを行う。
投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5または1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。投影光学系PLは、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面11aを有する終端光学素子11を備えている。終端光学素子11は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い光学素子である。
基板ステージ2は、基板Pを支持するものであって、基板Pを基板ホルダを介して保持するZステージ21と、Zステージ21を支持するXYステージ22とを備えている。Zステージ21及びXYステージ22を含む基板ステージ2はステージベースBに支持されている。基板ステージ駆動装置2Kは、基板ステージ2が備えるリニアモータを駆動させることができる。基板ステージ駆動装置2Kは、基板ステージ2の移動速度、および基板ステージ2の移動方向を変えることができる。すなわち、基板ステージ駆動装置2Kは、走査方向の基板ステージ2の移動速度V(以下、移動速度Vとする。)と、走査方向と交差する方向(例えば、走査方向とほぼ直交する方向)の移動速度とを調整することができる。基板ステージ2の移動速度を変えることで、基板ステージ2に載置される基板の所定位置が投影領域PRを通過する時間を変えることができる。
Zステージ21を駆動することにより、Zステージ21に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置が制御される。また、XYステージ22を駆動することにより、基板PのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。すなわち、Zステージ21は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ22は、基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。なお、ZステージとXYステージとを一体的に設けても構わない。
基板ステージ2には不図示の移動鏡が設けられている。また、不図示の移動鏡に対向する位置には不図示のレーザ干渉計が設けられている。基板ステージ2上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角は不図示のレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は基板ステージ駆動装置2Kに出力される。基板ステージ駆動装置2Kは、基板ステージ2に支持されている基板Pの位置決めを行う。
制御装置CONTは、マスクステージ駆動装置1Kと、基板ステージ駆動装置2Kとを制御することで、マスクステージ1の速度およびマスクステージ1の移動方向と、基板ステージ2の速度および基板ステージ2の移動方向とを同期制御することができる。本実施形態は、マスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置である。したがって、マスクMを支持するマスクステージ1と、基板Pを支持する基板ステージ2とを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動させることが可能である。
本実施形態において、基板Pは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材(フォトレジスト)の膜RGを含む。
次に、図3を用い、本実施形態における露光装置EXを用いた露光方法について説明する。図3には、本実施形態における露光装置EXにおける露光対象の基板Pに一例である。
まず、露光前の基板Pは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ2にロードされる。
図3に示すように、基板P上にはY軸方向(走査方向)及びX軸方向にそれぞれ所定間隔で複数のショット領域S1〜S32が設定されている。すなわち、基板Pには、Y軸方向(走査方向)及びX軸方向にそれぞれ所定間隔で複数(32個)の区画領域が設定されている。走査方向と交差する方向のX軸方向には、複数のショットが行毎に配置されている。本実施形態においては、走査方向とほぼ直交する方向のX軸方向に、複数のショットが配置されているショット領域S1のX軸方向には、ショット領域S2〜S4が配置されている。すなわち、ショット領域S1〜S4が同一行に配置されている。また、S5のX軸方向にはショット領域S6〜S10が、ショット領域S11のX軸方向にはショット領域S12〜S16が、S17のX軸方向にはショット領域S18〜S22が、ショット領域S23のX軸方向には、ショット領域S24〜S28が、ショット領域S29のX軸方向にはショット領域S30〜32がそれぞれ配置されている。なお、基板Pに設定される区画領域は、32個に限られない。なお、同一行において、ショット領域S1からS4がY軸方向において、同じ位置に配置されているが異なっていても構わない。レーザ光源Sより露光光ELが射出される。レーザ光源Sより射出された露光光ELは、マスクMを照明する。マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PLを介して、基板Pに照射される。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pの表面Paに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。
本実施形態において、制御装置CONTは、基板P上のショット領域S1から露光を開始し、その後ショット領域S2、S3、…、S32を順次露光する。このとき、スリット状の投影領域AR1の走査軌跡は、図3に示すように、矢印U1、U2、U3、…の順になる。なお、図3においては、投影領域PRの走査軌跡は、矢印U1〜U5まで示してある。つまり、本実施形態の露光シーケンスでは、連続した2つのショット領域を順次走査露光するときに、基板P(マスクM)が同一方向に移動しないように、各ショット領域の露光順序が決められており、制御装置CONTは、基板Pを+Y軸方向と−Y軸方向とに交互に移動しながら、基板P上の露光対象の複数のショット領域S1〜S32を順次露光する。本実施形態においては、Y軸方向に沿って、基板Pが走査される。なお実際には、基板Pが投影領域PRに対して移動しながら各ショット領域の露光が行われるので、投影領域PRの走査軌跡の矢印とは逆に基板Pが移動されることになる。すなわち、基板ステージ駆動装置2Kを制御することで、基板ステージ2を投影領域PRに対して移動させながら基板Pの各ショット領域を露光する。
また、スループットを向上させるために、所定のショット領域の露光が終了した後に、その所定のショット領域に隣りあうショット領域の露光を開始するための時間を短くすることが望ましい。すなわち、所定のショット領域の露光が終了してから、その所定のショット領域に隣りあうショット領域の露光を開始するまでの、基板ステージ2の移動動作(ステッピング動作)を短くすることが望ましい。
図4において、本実施形態における基板ステージ2のステッピング動作の一例を示している。図4においては、ショット領域S1の露光が終了した後、ショット領域S2の露光を開始するまでのステッピング動作を示している。本実施形態においては、投影領域PRの走査軌跡が曲線状になるように基板ステージ2が移動される。
ショット領域S1の走査方向(−Y軸方向)と、ショット領域S2の走査方向(+Y軸方向)とは異なるので、ショット領域S1の露光が終了した後に、ショット領域S2の露光を開始するために、走査方向において、少なくとも一度基板ステージ2の移動は零となる。また、走査方向において、基板ステージ2の移動が零となった後、所定期間助走し、ショット領域S2を所定の移動速度で露光する。一方、図4において、ショット領域S1とショット領域S2とは、X軸方向(走査方向と直交する方向)において異なる位置に配置されている。したがって、ショット領域S1の露光が終了した後から、ショット領域S2の露光が開始するまでの間に、X軸方向に移動する。また、ショット領域S1とショット領域S2とはY軸方向に沿って配置されている。したがって、ショット領域S2の露光時にはX軸方向への移動は行なわれず、ショット領域S2の露光を開始時には、X軸方向において基板ステージ2の移動は零となる。本実施形態においては、走査方向およびX軸方向の基板ステージ2の移動が同時に零とならないように移動される。これにより、ステッピング動作に必要な時間を短くすることができる。基板ステージ2のステッピング動作に関しては、例えば特開2000−106340号に開示されている。
なお、基板Pは、ショット領域S1〜S32まで順次露光したが、露光する順序はこれに限られない。例えば、図3において、ショット領域S1〜S4まで露光した後に、ショット領域S10から露光を開始、その後ショット領域S9、S8、…、S5と順次露光しても構わない。
基板Pのショット領域S1〜S32を順次露光した後に、所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Pを基板ステージ2の基板保持部5からアンロ−ドされる。以上により、基板Pの露光処理が終了する。
次に、図5を用い、露光対象の基板Pに設定されるショット領域の目標積算露光量Sが異なる場合の、露光方法について説明する。図5においては、本実施形態における露光対象の基板Pの一例である。
本実施形態において、目標積算露光量Sはパルス数Nおよびパルス当たりのエネルギーEを用い、次式1のように表すことができる。
S=N×E (1)
したがって、ショット領域毎に設定される目標積算露光量Sが異なる場合は、パルス数N、およびパルス当たりのエネルギ−Eをショット領域毎に変えることがある。パルス当たりのエネルギーEは上述したように、レーザ共振器1aに供給される電圧を制御することで、1パルス当たりのエネルギ−Eを変えることができる。
したがって、ショット領域毎に設定される目標積算露光量Sが異なる場合は、パルス数N、およびパルス当たりのエネルギ−Eをショット領域毎に変えることがある。パルス当たりのエネルギーEは上述したように、レーザ共振器1aに供給される電圧を制御することで、1パルス当たりのエネルギ−Eを変えることができる。
本実施形態において、パルス数Nは、走査方向の投影領域の大きさH、投影領域PRに対するショット領域の移動速度V(基板ステージ2の移動速度V)および周波数fを用い、次式2ように表すことができる。
N=H×f/V (2)
したがって、ショット領域毎に設定される目標積算露光量Sが異なる場合は、走査方向の投影領域の大きさH、移動速度Vおよび周波数fをショット領域S毎に変えることがある。走査方向の投影領域の大きさHは上述したように、可動野視野絞り9Bの大きさを変えることで変更することができる。基板ステージ駆動装置2Kにより基板ステージ2の移動速度を変えることで、移動速度Vを変更することができる。また、レーザ共振器1aに供給される周波数を調整するための電気信号を変えることで、周波数fを変更することができる。
したがって、ショット領域毎に設定される目標積算露光量Sが異なる場合は、走査方向の投影領域の大きさH、移動速度Vおよび周波数fをショット領域S毎に変えることがある。走査方向の投影領域の大きさHは上述したように、可動野視野絞り9Bの大きさを変えることで変更することができる。基板ステージ駆動装置2Kにより基板ステージ2の移動速度を変えることで、移動速度Vを変更することができる。また、レーザ共振器1aに供給される周波数を調整するための電気信号を変えることで、周波数fを変更することができる。
移動速度Vは、基板ステージ2が可能な移動速度の内、最高速度で移動させることが望ましい。移動速度Vを変えることで、投影領域PRに対してショット領域Sが移動する時間が変わる。少なくともショット領域Sの露光時には、ショット領域Sの露光不良を抑制するように移動させることが望ましい。例えば、基板ステージ2が備えるリニアモータ等から発生する温度もしくは振動により、基板ステージ2に保持される基板Pの平坦度が低下するもしくは、基板Pが膨張する可能性がある。そこで、本実施形態においては、基板ステージ2から発生する温度もしくは振動による基板Pの露光不良を抑制するように、制御装置CONTにより基板ステージ駆動装置2Kを制御し、基板ステージ2を移動させる。すなわち、露光不良を抑制することが可能な速度のうち、最高速度で基板Pを移動させ、基板Pを露光すると、スループット(基板Pを処理する能力)を向上させることができる。また、基板ステージ2の移動速度を最高速度にすることで、ショット領域S1を露光してから、ショット領域S32の露光を終了するまでの露光時間を短くすることができる。
図5においては、目標とする目標積算露光量Sが3種類、基板Pのショット領域S毎に設定されている。本実施形態においては、基板Pの中心部の第1領域D1(S13、S14、S19、S20の4個のショット領域)の目標積算露光量は、R1に設定されている。基板Pの中心部を囲む第2領域D2(S6〜S9、S12、S15、S18、S21、S24〜S27の12個のショット領域)の目標積算露光量は、R2に設定されている。第2領域D2を囲む第3領域D3(S1〜S5、S10、S11、S16,S17、S22、S23、S28〜S32の16個のショット領域)の目標積算露光量は、R3に設定されている。第3領域D3は、基板Pの外周部に設定されている。本実施形態においては、目標積算露光量は、基板Pの中心に対して3段階にほぼ同心円状に設定されている。また、目標積算露光量R1,R2,R3のうち、R1が最も大きく、同心円状に目標積算露光量は小さく設定されている。なお、基板Pに設定される目標積算露光量は、3段階に限られない。また、目標積算露光量は、同心円状に設定されずに、非走査方向(例えば、S10を含む行とS11を含む行とで、積算露光量が異なる)に沿って設定しても構わない。
本実施形態において、第1、第2、第3領域D1,D2,D3では、基板P上の感光材の膜RGの厚さが異なる。例えば、回転している基板Pに対して、感光材を塗布すると、基板Pの上に生成される感光材の膜RGは、基板Pの中心に対してほぼ同心円状に基板Pの厚さが異なる。本実施形態では、基板Pの中心の感光材の膜RGの厚さよりも、基板Pの外周部の感光材の膜RGの厚さが薄い。厚さの異なる感光材の膜RGに、同じ積算露光量で露光すると、感光材の膜RGに形成するパターン(例えば、線幅)が異なり、露光不良が発生する。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。したがって、本実施形態では、基板Pの中心に対して3段階にほぼ同心円状に設定されている。なお、基板Pの中心の感光材の膜RGの厚さは、基板Pの外周部の感光材の膜RGよりも厚くても構わない。
上述したように、基板ステージ2を最高速度で走査するのが最もスループットが高いため、先ず移動速度Vを移動速度Vmaxとして、設定される目標積算露光量Sが露光されるように、パルス当たりのエネルギーE、走査方向の投影領域の大きさHおよび周波数fを設定する。本実施形態において、変更できるパラメータは、パルス当たりのエネルギーEである。なお、走査方向の投影領域の大きさHおよび周波数fが変更可能であっても構わない。
本実施形態において、制御装置CONTは、基板P上のショット領域S1から露光を開始する。ショット領域S1〜S5まで順次露光する。本実施形態においては、ショット領域S6はショット領域S5とは目標積算露光量が異なるので、ショット領域S5の露光が終了した後に、ショット領域S6の露光を開始するまでに、ショット領域S1〜S5までと同様に、設定される目標積算露光量R2と移動速度Vmaxから算出されたパルス毎のエネルギーPに変える。ショット領域S6〜S9まで順次露光する。また、ショット領域S1〜S5と同様に、ショット領域S10及びショット領域S11を露光し、順次、ショット領域S12を露光する。
本実施形態において、ショット領域S13には移動速度Vmaxで露光できない目標積算露光量R1が設定されている。例えば、設定される目標積算露光量R1と移動速度Vmaxから算出されるパルス毎のエネルギーEに対応する値となるように、レーザ共振器1aに供給する電圧を制御すると、レーザ共振器1aから射出される露光光ELがばらついてしまい、露光不良が発生する可能性がある。そこで、本実施形態では、レーザ共振器1aから射出可能なパルス毎のエネルギーの最大値Emaxと、ショット領域S13に設定される積算露光量R1とに基づいて、ショット領域S13での移動速度VS13を算出する。ショット領域S13での移動速度VS13は、移動速度Vmaxとは異なる。ショット領域S13での移動速度VS13は、移動速度Vmaxよりも低い。したがって、本実施形態では、ショット領域S12で移動速度Vmaxを露光し、ショット領域S13では移動速度VS13で露光する。ショット領域S13で露光し、順次ショット領域S14を露光する。ショット領域S15〜S32までは、前述と同様に順次露光する。基板Pのショット領域S1〜S32を順次露光した後に、所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Pを基板ステージ2の基板保持部5からアンロ−ドされる。以上により、基板Pの露光処理が終了する。
ところで、基板Pのショット領域S1〜S32を露光する場合に、ショット領域S1〜S32において、隣りあうショット領域で移動速度Vを変えると、スループットが悪くなる場合がある。例えば、隣りあうショット領域で移動速度Vを変えることで、ショット領域の移動速度Vに到達するための基板ステージ2の助走区間が変わり、助走区間の算出に時間が必要になる。助走区間の算出に時間が必要となり、ステッピング動作中に、走査方向における基板ステージ2の移動と、X軸方向における基板ステージ2の移動とが同時に零となってしまう。したがって、移動速度Vを変えることに時間が必要となり、ショット領域の露光を開始するまでがかかってしまう。
そこで、本実施形態では、移動速度Vを変えることがないように、移動速度VS13で、ショット領域S1〜S32の露光を行う。すなわち、基板Pに設定された複数のショット領域の内、設定される目標積算露光量が最も高い値R1と、レーザ共振器1aから射出可能なパルス毎のエネルギーの最大値Emaxとに基づいて、移動速度VS13を算出し、算出された移動速度Vでショット領域S1〜S32の露光を行う。本実施形態においては、ショット領域S1〜S32の露光において、移動速度Vを一定にしたので、ショット領域S12の露光が終了してから、ショット領域S13の露光を開始するまでの時間(S12→S13)、S14→S15、S18→S19、S20→S21を、移動速度Vを変える場合に比べて、時間t1だけ短くすることができる。一方で、第1、第2領域、D1、D2において、最高移動速度Vmaxよりも遅い移動速度VS13で露光するので、時間t2だけ長くなってしまう。しかしながら、本実施形態において、時間t1が時間t2よりも大きいので、ショット領域S1〜S32の露光において、移動速度VS13で露光することで、ショット領域S1の露光を開始してから、ショット領域S32の露光が終了するまでの時間を短くすることができる。
以上、本実施形態では、ショット領域S1〜S32を同じ移動速度VS13で露光した。したがって、ショット領域S1の露光を開始してから、ショット領域S13の露光が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、スループットの向上を図ることができる。
なお、本実施形態では、基板Pに設定されたショット領域S1〜S32の全てを同じ移動速度で露光したが、基板Pに設定されたショット領域S1〜S32のうち一部を同じ移動速度で露光しても構わない。例えば、図5において、ショット領域S11〜S16の全てを同じ移動速度VS13で露光する場合、ショット領域S1〜S4を移動速度VS13とは異なる速度(例えば、Vmax、VmaxとVS13とも異なる速度)で露光しても構わない。
なお、本実施形態では、基板Pに設定された目標積算露光量の中で最も高い値と、レーザ共振器1aから射出可能なパルス毎のエネルギーの最大値Emaxとに基づいて、移動速度VS13を算出し、ショット領域S1〜S32の露光をしたが、この場合、移動速度Vの算出に用いられる目標積算露光量は、基板Pにおいて最も高い値に限られない。例えば、図5において、ショット領域S12に基づいて、移動速度を算出し、第2、第3領域、D2、D3を同じ移動速度V11で露光しても構わない。
なお、図5において、第1、第2、第3領域、D1、D2、D3を移動速度VS13で露光するために必要な時間と、第1、第2、第3領域、D1、D2,D3の少なくとも一部を同じ移動速度で露光するために必要な時間とを、露光前に算出し、時間が短くなる方を選択しても構わない。この場合、第1、第2、第3領域、D1、D2、D3の少なくとも一部とは、例えば、第2、第3領域D2,D3である。
なお、上述の実施形態においては、基板ステージ2とマスクステージ1とを同期して移動させるスキャナ露光装置なので、ステージ駆動装置2Kにより、基板ステージ2の移動速度を制御するのと同時に、ステージ駆動装置2Kによりマスクステージ1も同様に制御される。本実施形態では、マスクMのパターンの像を所定の縮小倍率で投影するので、例えば1/4の縮小系の場合、照明領域IRに対するマスクステージ1の速度に対して、投影領域PRに対する基板ステージ2の速度は、1/4である。
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、例えば対応米国特許第6897963号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
更に、例えば対応米国特許出願公開第2005/0219488号明細書、欧州特許出願公開第1713115号明細書、米国特許出願公開第2007/0273856号明細書、米国特許出願公開第2009/0208883号明細書等に開示されているように、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置にも適用できる。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図6に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする
P---基板、2----基板ステージ、S----ショット領域、V----移動速度
Claims (14)
- 露光光に対して、第1物体とステージに保持される第2物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記第1物体のパターンを経た露光光で前記第2物体上に配置される第1区画と第2区画とを含む複数の領域のそれぞれを走査露光する露光方法であって、
前記露光光に対して前記ステージの最高速度よりも遅い第1走査速度で前記第2物体を移動させながら前記第1区画を露光することと、
前記露光光に対して前記第1走査速度で前記第2物体を移動させながら、前記第1区画の目標積算量よりも目標積算露光量が低い前記第2区画を露光することと、を含み、
前記第2物体に対する積算露光量を調整可能な前記露光光の特性、及び前記第2物体上での走査方向の前記露光光の幅の少なくとも一方が、前記第1区画を露光するときと前記第2区画を露光するときとで異なる露光方法。 - 前記第2物体上には、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に前記第1、第2区画と共に複数の区画を含む第1領域と、前記第1領域とは異なり、前記非走査方向に複数の区画を含む第2領域とが前記走査方向に沿って配列され、
前記第1領域の全ての区画を前記第1走査速度で露光することと、
前記第2領域の全ての区画を前記第1走査速度とは異なる第2走査速度で露光することと、をさらに含む請求項1記載の露光方法。 - 前記第2走査速度は、前記最高速度である請求項2記載の露光方法。
- 前記第2物体上には、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に第1区画と共に複数の区画を含む第3領域と、前記第3領域とは異なり、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に第2区画と共に複数の区画を含む第4領域とが前記走査方向に沿って配列され、
前記第3、第4領域の全ての区画を、前記第1走査速度で露光することと、をさらに含む請求項1に記載の露光方法。 - 前記第1、第2区画が、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に関し隣接して配置され、
前記第1区画の露光が終了した後に、前記第2区画の露光を開始するまでの間に、前記走査方向の速度成分と、前記非走査方向の速度成分とが同時に零とならないように移動されることをさらに含む請求項1〜3の何れか一項記載の露光方法。 - 前記露光光はパルスエネルギー源からパルス発振され、
前記ステージの最高速度よりも遅い走査速度は、前記パルス発振される露光光の最大の周波数及び、前記バルス発振される露光光の最大のエネルギーの少なくとも一方に基づいて定められる請求項1〜5の何れか一項記載の露光方法。 - 請求項1〜6の何れか一項記載の露光方法で前記第2物体を露光することと、前記露光した第2物体を現像することとを含むデバイスの製造方法。
- 第1物体と第2物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記第1物体のパターンを経た露光光で、前記第2物体上に目標積算露光量が異なる第1区画と第2区画とを含む複数の領域のそれぞれを走査露光する露光装置であって、
前記第2物体を保持して移動可能なステージと、
前記第2物体に対する積算露光量を調整可能な前記露光光の特性、及び前記第2物体上での走査方向の前記露光光の幅、及び前記ステージの走査速度の少なくとも一つを、変える変更装置と、を備え、
前記露光光に対して前記ステージの最高速度よりも遅い第1走査速度で前記第2物体を移動させながら前記第1、第2区画を露光するときの、前記露光光の特性、及び前記第2物体での前記走査方向の前記露光光の幅の少なくとも一方を、前記変更装置により異ならせる露光装置。 - 前記第2物体上には、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に前記第1、第2区画と共に複数の区画含む第1領域と、前記第1領域とは異なり、前記非走査方向に複数の区画を含む第2領域とが前記走査方向に沿って配列され、
前記第1領域の全ての区画を前記第1走査速度で露光するとともに、前記変更装置により、前記第1走査速度とは異なる第2走査速度に変更し、前記第2領域の全ての区画を前記第2走査速度で露光する請求項8記載の露光装置。 - 前記第2走査速度は、前記最高速度である請求項9記載の露光装置。
- 前記第2物体上には、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に第1区画と共に複数の区画を含む第3領域と、前記第3領域とは異なり、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に第2区画と共に複数の区画を含む第4領域とが前記走査方向に沿って配列され、
前記第3、第4領域の全ての区画を、前記第1走査速度で露光することと、をさらに含む請求項8に記載の露光装置。 - 前記第1、第2区画が、前記走査方向とほぼ直交する非走査方向に関し隣接して配置され、
前記第1区画の露光が終了した後に、前記第2区画の露光を開始するまでの間に、前記走査方向の速度成分と、前記非走査方向の速度成分とが同時に零とならないように、前記ステージを移動させる請求項8〜10の何れか一項記載の露光装置。 - さらに、前記露光光をパルス発振するパルスエネルギー源を備え、
前記ステージの最高速度よりも遅い走査速度は、前記パルス発振される露光光の最大の周波数及び、前記バルス発振される露光光の最大のエネルギーの少なくとも一方に基づいて定められる請求項8〜12の何れか一項記載の露光装置。 - 請求項8〜13の何れか一項記載の露光装置で前記第2物体を露光することと、前記露光した第2物体を現像することとを含むデバイスの製造方法。
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