JP2012091352A - 親水性薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材上に設けられた、Si−O結合を主としたSiに直接接合された疎水性置換基を有する親水性薄膜であって、1回の励起光の照射で、OH基と前記疎水性置換基とを有し、前記励起光の照射から30日後に純水で測定した接触角が10°未満であるようにする。
【選択図】図4
Description
図1は、インクジェット記録装置の構成図である。このインクジェット記録装置100は、描画部116の圧胴(描画ドラム170)に保持された記録媒体124(便宜上「用紙」と呼ぶ場合がある。)にインクジェットヘッド172M,172K,172C,172Yから複数色のインクを打滴して所望のカラー画像を形成する圧胴直描方式のインクジェット記録装置であり、インクの打滴前に記録媒体124上に処理液(ここでは凝集処理液)を付与し、処理液とインク液を反応させて記録媒体124上に画像形成を行う2液反応(凝集)方式が適用されたオンデマンドタイプの画像形成装置である。
給紙部112は、記録媒体124を処理液付与部114に供給する機構であり、当該給紙部112には、枚葉紙である記録媒体124が積層されている。給紙部112には、給紙トレイ150が設けられ、この給紙トレイ150から記録媒体124が一枚ずつ処理液付与部114に給紙される。
処理液付与部114は、記録媒体124の記録面に処理液を付与する機構である。処理液は、描画部116で付与されるインク中の色材(本例では顔料)を凝集させる色材凝集剤を含んでおり、この処理液とインクとが接触することによって、インクは色材と溶媒との分離が促進される。
描画部116は、描画ドラム(第2の搬送体)170、用紙抑えローラ174、及びインクジェットヘッド172M,172K,172C,172Yを備えている。描画ドラム170は、処理液ドラム154と同様に、その外周面に爪形状の保持手段(グリッパー)171を備える。描画ドラム170に固定された記録媒体124は、記録面が外側を向くようにして搬送され、この記録面にインクジェットヘッド172M,172K,172C,172Yからインクが付与される。
乾燥部118は、色材凝集作用により分離された溶媒に含まれる水分を乾燥させる機構であり、図1に示すように、乾燥ドラム176、及び溶媒乾燥装置178を備えている。
定着部120は、定着ドラム184、ハロゲンヒータ186、定着ローラ188、及びインラインセンサ190で構成される。定着ドラム184は、処理液ドラム154と同様に、その外周面に爪形状の保持手段(グリッパー)185を備え、この保持手段185によって記録媒体124の先端を保持できるようになっている。
図1に示すように、定着部120に続いて排出部122が設けられている。排出部122は、排出トレイ192を備えており、この排出トレイ192と定着部120の定着ドラム184との間に、これらに対接するように渡し胴194、搬送ベルト196、張架ローラ198が設けられている。記録媒体124は、渡し胴194により搬送ベルト196に送られ、排出トレイ192に排出される。
次に、インクジェットヘッド172M、172K、172C、172Yの構造について説明する。なお、各インクジェットヘッド172M、172K、172C、172Yの構造は共通しているので、以下では、これらを代表して符号250によってヘッドを示すものとする。
本発明の親水性薄膜について説明する。
(サンプルA)
cat−CVD法によりSiOC膜の作製を行った。
プラズマ重合によりSiOC膜の作製を行った。
塗布法によりSiOC膜の作製を行った。
TEOSを原料としてSiO2膜の作製を行った。
Si基板単体で実験を行った。
Claims (9)
- 基材上に設けられた、Si−O結合を主としたSiに直接接合された疎水性置換基を有する親水性薄膜であって、
1回の励起光の照射で、OH基と前記疎水性置換基とを有し、
前記励起光の照射から30日後に純水で測定した接触角が10°未満であることを特徴とする親水性薄膜。 - 前記疎水性置換基は、メチル基であることを特徴とする請求項1に記載の親水性薄膜。
- 前記基材の材質は、シリコン、ガラス、金属、セラミック、高分子フィルムの何れかであることを特徴とする請求項1又は2に記載の親水性薄膜。
- 前記基材は、インクジェットヘッドの流路であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1に記載の親水性薄膜。
- 前記インクジェットヘッドの流路上に設けた場合には、前記疎水性置換基をSiに直接接合する方法がCVDであり、前記励起光の照射がプラズマ処理であることを特徴とする請求項4に記載の親水性薄膜。
- 基材上に、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程で得られた薄膜に励起光を照射し、前記薄膜にOH基と前記疎水性置換基とを有するようにする照射工程と、を備えたことを特徴とする親水性薄膜の製造方法。 - 前記疎水性置換基は、メチル基であることを特徴とする請求項6に記載の親水性薄膜の製造方法。
- 前記薄膜形成工程は、cat−CVD、プラズマCVD、又は、塗布して焼成することを特徴とする請求項6又は7に記載の親水性薄膜の製造方法。
- 前記励起光は、紫外線又はプラズマであることを特徴とする請求項6〜8の何れか1に記載の親水性薄膜の製造方法。
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