JP2012084595A - 脱磁装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】強磁性体磁石の脱磁を効率よく行うことができる脱磁装置及び方法を提供すること。
【解決手段】強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる脱磁コイル３２と、連続する複数のパルス信号により構成される交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する脱磁インバータ（交番減衰電流供給部）３１と、複数のパルス信号それぞれと、複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔Ｔ２を所定時間以上あけて、次のパルス信号を脱磁コイル３２に印加するように脱磁インバータ（交番減衰電流供給部）３１を制御する脱磁制御部４２と、を備える脱磁装置。
【選択図】図２

Description

本発明は、強磁性体磁石を脱磁する脱磁装置及び方法に関する。

従来技術として、例えば、交番減衰電界により磁石を脱磁させる脱磁装置がある。
交番減衰電界により磁石を脱磁させる脱磁装置においては、保磁力が比較的小さい磁石の場合には、良好に脱磁をすることができるが、保磁力が高いネオジウム磁石（希土類磁石）などの強磁性体磁石の場合には、磁束が残留してしまって良好に脱磁することができないという問題があった。

これに対し、交番減衰電界を発生させる脱磁コイルを備え、脱磁効果の結果に基づいて交番減衰電界の大きさや向きを変化させることで磁石を脱磁する脱磁装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００−３４８９３８号公報

しかし、特許文献１に記載の脱磁装置は、脱磁効果の結果を検知する検知部が必要であるため構成が複雑となる。また、脱磁の効果の結果に基づいて交番減衰電界の大きさや向きを変化させる制御を行うため、制御が複雑であると共に、効率よく磁石の脱磁を行うことができない可能性がある。

本発明は、強磁性体磁石の脱磁を効率よく行うことができる脱磁装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明は、強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる脱磁コイルと、連続する複数のパルス信号により構成される交番減衰電流を前記脱磁コイルに供給する交番減衰電流供給部と、前記複数のパルス信号それぞれと、前記複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、前記次のパルス信号を前記脱磁コイルに印加するように前記交番減衰電流供給部を制御する制御部と、を備える脱磁装置に関する。

また、前記パルス間隔の前記所定時間は、前記複数のパルス信号それぞれのパルス幅の１／２以上の時間であることが好ましい。

また、本発明は、交番減衰電流を構成する複数のパルス信号それぞれと、前記複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、前記次のパルス信号を印加することにより、交番減衰電流を脱磁コイルに供給する第１工程と、前記第１工程により前記交番減衰電流が供給された前記脱磁コイルが交番減衰磁界を発生させて強磁性体磁石を脱磁する第２工程と、を備える脱磁方法に関する。

また、前記パルス間隔の前記所定時間は、前記複数のパルス信号それぞれのパルス幅の１／２以上の時間であることが好ましい。

本発明によれば、強磁性体磁石の脱磁を効率よく行うことができる脱磁装置及び方法を提供することができる。

本発明の脱磁装置１の全体構成を示すブロック図である。 本発明の脱磁装置１の脱磁コイル３２に印加される交番減衰電圧波形及び交番減衰電流波形を示す図である。 （ａ）は、本発明の脱磁装置１により強磁性体磁石を脱磁した場合の測定結果を示す図であり、（ｂ）は、従来の脱磁装置により強磁性体磁石を脱磁した場合の測定結果を示す図である。 本発明の他の実施形態であって、図１の第５のＩＧＢＴ３１ａ及び第６のＩＧＢＴ３１ｂに代えて２つのサイリスタを使用した場合における脱磁コイル３２に印加される交番減衰電圧波形及び交番減衰電流波形を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１及び図２により、本実施形態における脱磁装置１を説明する。図１は、本発明の脱磁装置１の全体構成を示すブロック図である。図２は、本発明の脱磁装置１の脱磁コイル３２に印加される交番減衰電圧波形及び交番減衰電流波形を示す図である。
図１に示すように、脱磁装置１は、昇圧充電回路部１０と、脱磁回路部３０と、メイン制御部５０と、表示部５１と、入力部５２と、スイッチ部５３と、を備える。

まず、昇圧充電回路部１０について説明する。昇圧充電回路部１０は、商用交流電圧を昇圧した充電電圧により第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６を充電する。そして、昇圧充電回路部１０は、後述する脱磁回路部３０へ所定電圧を出力する。

昇圧充電回路部１０は、第１の整流回路１１と、昇圧インバータ１２と、昇圧トランス１３と、第１の電流検出コイル１８と、第２の整流回路１４と、第１の充電コンデンサ１５と、第２の充電コンデンサ１６と、放電回路１７と、昇圧充電回路部制御ユニット２０と、を有する。
第１の整流回路１１は、不図示の商用交流電源に接続され、商用交流電源からの交流電流を直流電流に整流する回路である。第１の整流回路１１は、その出力電流を平滑する平滑用コンデンサＣを有している。

昇圧インバータ１２は、第１の整流回路１１の出力端子に接続されており、第１の整流回路１１により整流された直流電流から交流電流を生成する。昇圧インバータ１２は、後述する第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６に充電電圧を印加する。昇圧インバータ１２は、後述する昇圧充電制御部２２に制御されたＰＷＭ出力回路２１からの入力信号によりスイッチング制御される。

昇圧インバータ１２は、スイッチング素子としての第１〜４のＩＧＢＴ１２ａ〜１２ｄを有する。昇圧インバータ１２は、第１のＩＧＢＴ１２ａのエミッタ（Ｅ）に第２のＩＧＢＴ１２ｂのコレクタ（Ｃ）が接続された直列回路、及び、第３のＩＧＢＴ１２ｃのエミッタ（Ｅ）に第４のＩＧＢＴ１２ｄのコレクタ（Ｃ）が接続された直列回路が、第１の整流回路１１の平滑用コンデンサＣに並列接続されている。ここで、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、ゲート・エミッタ間の電圧で駆動される。ＩＧＢＴは、ゲート（Ｇ）への入力信号によってオン・オフ制御ができ、大電力の高速スイッチングが可能な半導体素子である。

昇圧トランス１３は、昇圧インバータ１２及び第２の整流回路１４に接続されている。昇圧トランス１３は、電磁誘導を利用して電圧を昇圧させる。昇圧トランス１３の一次側の一方の端子は、第１のＩＧＢＴ１２ａと第２のＩＧＢＴ１２ｂとの接続点に接続され、他方の端子は、第３のＩＧＢＴ１２ｃと第４のＩＧＢＴ１２ｄとの接続点に接続されている。また、昇圧トランス１３の二次側の端子は、第２の整流回路１４に接続されている。

第１の電流検出コイル１８は、昇圧トランス１３の一次側に流れる電流を検出する。

第２の整流回路１４は、昇圧トランス１３の二次側に設けられ、昇圧トランス１３で発生した交流電流を直流電流に整流する回路である。第２の整流回路１４は、昇圧トランス１３の正極出力端子１３Ａ及び負極出力端子１３Ｂに接続されている。

第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６は、直列に接続された状態で、第２の整流回路１４の出力端子１４Ａ、１４Ｂに接続されている。第１の充電コンデンサ１５と第２の充電コンデンサ１６との接続点は、昇圧トランス１３の中間端子１３Ｔに接続されている。第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６は、第２の整流回路１４で整流された直流電流により脱磁用の電気的エネルギーを充電するコンデンサである。

第１の充電コンデンサ１５は、正方向の電圧が充電されるコンデンサである。第１の充電コンデンサ１５の一端側の端子は、第２の整流回路１４の正極出力端子１４Ａに接続され、他端側の端子は、昇圧トランス１３の二次側の中間端子１３Ｔに接続されている。

また、第２の充電コンデンサ１６は、負方向の電圧が充電されるコンデンサである。第２の充電コンデンサ１６の一端側の端子は、昇圧トランス１３の二次側の中間端子１３Ｔに接続されると共に、第１の充電コンデンサ１５の他端側の端子に接続されている。第２の充電コンデンサ１６の他端側の端子は、第２の整流回路１４の負極出力端子１４Ｂに接続されている。

放電回路１７は、第２の整流回路１４の正極出力端子１４Ａと負極出力端子１４Ｂとの間に接続される。放電回路１７の一端側は、第２の整流回路１４の正極出力端子１４Ａ及び第１の充電コンデンサ１５の一端側の端子に接続される。放電回路１７の他端側は、第２の整流回路１４の負極出力端子１４Ｂ及び第２の充電コンデンサ１６の他端側の端子に接続されている。

放電回路１７は、放電スイッチ１７ａと、放電抵抗１７ｂとを有する。放電回路１７は、例えば脱磁装置１の動作終了後に、放電抵抗７ｂを介して第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６の残留電圧を放電させる。放電回路１７は、放電スイッチ１７ａが後述する昇圧充電回路部制御ユニット２０の昇圧充電制御部２２の指示により放電動作を行う。

昇圧充電回路部制御ユニット２０は、ＰＷＭ出力回路２１と、昇圧充電制御部２２と、Ａ／Ｄコンバータ２３とを有する。
昇圧充電回路部制御ユニット２０のＰＷＭ出力回路２１は、昇圧充電制御部２２からの指示により、昇圧インバータ１２にスイッチング信号（パルス幅変調信号）を送信するパルス幅変調回路である。

昇圧充電制御部２２は、昇圧充電回路部１０を制御する制御部である。具体的には、昇圧充電制御部２２は、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６に印加する充電電圧を制御する。例えば、昇圧充電制御部２２は、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６に印加する充電電圧を、設定値に応じて、２０００Ｖ〜５０００Ｖ程度になるように制御する。

昇圧充電制御部２２は、ＰＷＭ出力回路２１と、Ａ／Ｄコンバータ２３と、放電回路１７と、後述するメイン制御部５０と、に接続されている。
昇圧充電回路部制御ユニット２０のＡ／Ｄコンバータ２３は、第１の電流検出コイル１８、第２の整流回路１４の正極出力端子１４Ａ及び負極出力端子１４Ｂに接続されている。Ａ／Ｄコンバータ２３は、第１の電流検出コイル１８により検出された電流値と、第２の整流回路１４の出力電圧値とを、アナログ信号からデジタル信号へ変換する変換器である。Ａ／Ｄコンバータ２３は、第１の電流検出コイル１８により検出された電流値と、第２の整流回路１４の出力電圧値とから変換されたデジタル信号を、昇圧充電制御部２２へ出力する。

次に、脱磁回路部３０について説明する。脱磁回路部３０は、脱磁コイル３２に交番減衰電流を供給して、脱磁コイル３２に強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる。脱磁回路部３０は、交番減衰電流供給部としての脱磁インバータ３１と、脱磁コイル３２と、第２の電流検出コイル３３と、脱磁回路部制御ユニット４０と、を有する。

脱磁インバータ３１は、第２の整流回路１４、第１の充電コンデンサ１５、第２の充電コンデンサ１６及び後述する脱磁コイル３２に接続されている。脱磁インバータ３１は、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６の充電電圧により、脱磁コイル３２に交番減衰電流を供給する。脱磁インバータ３１は、後述する脱磁制御部４２に制御されたＰＷＭ出力回路４１からの入力信号によりスイッチング制御される。

脱磁インバータ３１は、スイッチング素子としての第５のＩＧＢＴ３１ａ及び第６のＩＧＢＴ３１ｂを有する。第５のＩＧＢＴ３１ａのエミッタ（Ｅ）に第６のＩＧＢＴ３１ｂのコレクタ（Ｃ）が接続された直列回路が第２の整流回路１４の出力端子１４Ａ、１４Ｂに接続されている。

脱磁インバータ３１は、ＩＧＢＴにより構成されることで、高速スイッチングが可能なため、交番減衰電流を構成する複数のパルス信号の信号波形を、所定の矩形形状又は略台形状に形成することができる。

具体的には、脱磁インバータ３１により供給された交番減衰電流は、所定のパルス幅を有して構成された連続する複数のパルス信号が極性を正負に交互に変化されながら、その絶対値が徐々に小さくなるように構成され、全体として減衰する波形である。
脱磁インバータ３１は、例えば、図２に示すように、同一形状の略台形状の複数の矩形パルス信号により構成される交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する。そして、脱磁インバータ３１により供給された交番減衰電流は、交番電流が時間を経るにしたがって減衰している。

なお、交番電流には、時間方向の波形が正弦波となるいわゆる交流電流のみならず、極性が時間的に変化する電流全体が含まれる。従って、時間方向の波形が、電流値が基準電位を境にして正負の値を取る矩形波等の波形（後述するパルス等）を有する電流であれば、交番電流である。

また、交番減衰電流は、脱磁コイル３２に供給される電流であるため、脱磁コイル３２に印加される電圧波形と対応している。そのため、図２に示すように、脱磁コイル３２に供給される交番減衰電流は、脱磁コイル３２に印加される電圧と同じタイミングで極性を正負に交互に変化され、パルス幅、パルス間隔及び減衰割合が同じである。

脱磁コイル３２は、一端側が昇圧トランス１３の二次側の中間端子１３Ｔに接続され、他端側が第５のＩＧＢＴ３１ａと第６のＩＧＢＴ３１ｂとの接続点に接続されている。脱磁コイル３２は、交番減衰電流が供給されることにより、強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる。
脱磁コイル３２により発生される交番減衰磁界は、脱磁コイル３２に供給される交番減衰電流により発生されるため、交番減衰電流のパルス波形と対応している。そのため、脱磁コイル３２により発生される交番減衰磁界は、脱磁コイル３２に供給される交番減衰電流と同じタイミングで極性を正負に交互に変化され、パルス幅、パルス間隔及び減衰割合が同じである。
また、脱磁コイル３２の内部には、脱磁するための磁石を配置することができる。

第２の電流検出コイル３３は、脱磁コイル３２に流れる電流を検出する。

脱磁回路部制御ユニット４０は、ＰＷＭ出力回路４１と、制御部としての脱磁制御部４２と、Ａ／Ｄコンバータ４３とを有する。
脱磁回路部制御ユニット４０のＰＷＭ出力回路４１は、脱磁制御部４２からの指示により、脱磁インバータ３１にスイッチング信号（パルス幅変調信号）を送信するパルス幅変調回路である。

脱磁制御部４２は、脱磁回路部３０を制御する制御部である。詳細には、脱磁制御部４２は、ＰＷＭ出力回路４１により脱磁インバータ３１を制御することで、脱磁コイル３２に印加する電圧及び電流の周期（パルス幅やパルス間隔等）を制御する。具体的には、脱磁制御部４２は、複数のパルス信号それぞれと、複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、次のパルス信号を脱磁コイルに印加するように脱磁インバータ３１を制御する。
本実施形態においては、パルス間隔Ｔ２は、交番減衰電流の複数のパルス信号のパルス幅Ｔ１の１／２以上であることが好ましい。例えば、複数の交番減衰電流のパルス幅Ｔ１は、２ｍＳであり、パルス間隔Ｔ２は、１ｍＳ以上である。

脱磁制御部４２は、ＰＷＭ出力回路４１と、Ａ／Ｄコンバータ４３と、後述するメイン制御部５０と、に接続されている。
脱磁回路部制御ユニット４０のＡ／Ｄコンバータ４３は、第２の電流検出コイル３３に接続されている。Ａ／Ｄコンバータ４３は、第２の電流検出コイル３３により検出された電流値を、アナログ信号からデジタル信号へ変換する変換器である。Ａ／Ｄコンバータ４３は、第２の電流検出コイル３３により検出された電流値から変換されたデジタル信号を、脱磁制御部４２へ出力する。

次に、メイン制御部５０の周辺に関連する構成について説明する。メイン制御部５０は、脱磁装置１を統括して制御する制御部である。メイン制御部５０は、昇圧充電制御部２２と、脱磁制御部４２と、表示部５１と、入力部５２と、スイッチ部５３とに接続されている。

メイン制御部５０は、昇圧充電制御部２２と脱磁制御部４２とを制御する。
表示部５１は、脱磁装置１の各種波形パターンや、脱磁装置１の各種波形パターンの各種パラメータの設定値などを表示する。
入力部５２は、脱磁装置１の脱磁波形パターンの各種パラメータなどを入力可能に構成される。
スイッチ部５３は、充電開始スイッチや、脱磁開始スイッチや、非常放電スイッチなどを有しており、脱磁装置１の各種動作の開始時や終了時に操作される。

次に、本実施形態の脱磁装置１の動作について説明する。
図１に示すように、脱磁装置１は、脱磁する強磁性体磁石を脱磁コイル３２の内部にセットした状態で、入力部５２に脱磁パターンとしての、初期電圧値Ｖ１、減圧ステップ電圧、パルス信号のパルス幅Ｔ１、パルス間隔Ｔ２などが入力される。例えば、本実施形態においては、初期電圧値Ｖ１を２５００Ｖ、減圧ステップ電圧を所定値に設定し、パルス信号のパルス幅Ｔ１を２ｍＳ、パルス間隔Ｔ２をパルス幅Ｔ１の１／２以上である１ｍＳ以上に設定する。

そして、スイッチ部５３の充電スイッチがオンされると、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６への充電が開始される。

ここで、昇圧充電回路部制御ユニット２０のＰＷＭ出力回路２１が昇圧充電制御部２２からの指示により制御されて、昇圧インバータ１２は、ＰＷＭ出力回路２１に出力されるスイッチング信号によりインバータとして機能する。

そのため、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６の充電電圧値は、ＰＷＭ出力回路２１に出力されるスイッチング信号により制御される。
初期電圧値に達した時点で、ＰＷＭ出力回路２１のスイッチング信号の出力が停止されて、第１の充電コンデンサ１５及び第２の充電コンデンサ１６の充電が完了する。

そして、スイッチ部５３の脱磁スイッチをオンにすると、脱磁動作が開始される。
具体的には、図２に示すように、メイン制御部５０は、脱磁制御部４２を制御する。脱磁制御部４２は、脱磁インバータ３１をスイッチング制御することで、所定の脱磁パターンで構成される交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する。ここで、脱磁コイル３２に供給される交番減衰電流は、脱磁コイル３２に印加される電圧と同じタイミングで極性を正負に交互に変化され、パルス幅Ｔ１、パルス間隔Ｔ２及び減衰割合が同じである。

これにより、脱磁インバータ３１は、例えば、図２に示すように、略台形状に形成された複数の矩形パルス信号により構成される交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する。
そして、脱磁制御部４２は、パルス幅Ｔ１の１／２以上のパルス間隔Ｔ２をあけて、次のパルス信号を脱磁コイル３２に印加して交番減衰電流を供給するようにＰＷＭ出力回路４１を介して脱磁インバータ３１を制御する（第１工程）。
これにより、脱磁コイル３２には、交番減衰電流が供給されて、交番減衰磁界が発生する。そして、脱磁コイル３２の内部に配置された強磁性体磁石は、交番減衰磁界により脱磁される（第２工程）。なお、脱磁コイル３２により発生される交番減衰磁界は、脱磁コイル３２に供給される交番減衰電流と同じタイミングで極性を正負に交互に変化され、パルス幅Ｔ１、パルス間隔Ｔ２及び減衰割合が同じである。

ここで、実施例により、本発明の脱磁装置１により強磁性体磁石を脱磁した場合の測定結果について説明する。
実施例について図３を参照しながら説明する。図３（ａ）は、本発明の脱磁装置１により強磁性体磁石を脱磁した場合の測定結果を示す図であり、図３（ｂ）は、従来の脱磁装置により強磁性体磁石を脱磁した場合の測定結果を示す図である。

実施例における本発明の脱磁装置１の脱磁パターンを、初期電圧値Ｖ１を２５００Ｖとして、減圧ステップ幅を、１００Ｖ（電圧印加条件Ａ）、５０Ｖ（電圧印加条件Ｂ）、１０Ｖ（電圧印加条件Ｃ）に設定した。また、パルス信号のパルス幅Ｔ１を２ｍＳ、パルス間隔Ｔ２をパルス幅Ｔ１の１／２以上の時間に設定した。

図３（ａ）に示すように、本発明の脱磁装置１により初期電圧値Ｖ１を２５００Ｖから１００Ｖずつ下げること（電圧印加条件Ａ）により強磁性体磁石を脱磁した結果、磁石の磁束密度は、Ｎ極については、脱磁前において６３２ｍＴであるのに対して、脱磁後において２８．３７ｍＴとなった。また、磁石の磁束密度は、Ｓ極については、脱磁前において６７１ｍＴであるのに対して、脱磁後において２５．７６ｍＴとなった。
つまり、電圧印加条件Ａにおいては、残留磁束割合は、Ｎ極については、４．４９％であり、Ｓ極については、３．８４％である。

また、本発明の脱磁装置１により初期電圧値Ｖ１を２５００Ｖから５０Ｖずつ下げること（電圧印加条件Ｂ）により強磁性体磁石を脱磁した結果、磁石の磁束密度は、Ｎ極については、脱磁前において６６８ｍＴであるのに対して、脱磁後において１４．１ｍＴとなった。また、磁石の磁束密度は、Ｓ極については、脱磁前において６６８ｍＴであるのに対して、脱磁後において１９．８ｍＴとなった。
つまり、電圧印加条件Ｂにおいては、残留磁束割合は、Ｎ極については、２．０５％であり、Ｓ極については、２．９６％である。

また、本発明の脱磁装置１により初期電圧値Ｖ１を２５００Ｖから１０Ｖずつ下げること（電圧印加条件Ｃ）により強磁性体磁石を脱磁した結果、磁石の磁束密度は、Ｎ極については、脱磁前において６４６ｍＴであるのに対して、脱磁後において６．３３ｍＴとなった。また、磁石の磁束密度は、Ｓ極については、脱磁前において６４３ｍＴであるのに対して、脱磁後において１０．４２ｍＴとなった。
つまり、電圧印加条件Ｃにおいては、残留磁束割合は、Ｎ極については、０．９８％であり、Ｓ極については、１．６２％である。

以上の結果により、本発明の脱磁装置１においては、電圧印加条件ＡからＣのいずれの場合においても、残留磁束割合は、５％以下である。従って、本発明の脱磁装置１によれば、強磁性体磁石であっても、残留磁束割合を５％以下まで良好に、効率よく脱磁を行うことができる。

一方、パルス間隔がパルス幅の１／２未満である従来の脱磁装置を使用した場合には、印加電圧を２５００Ｖから所定電圧ずつ下げることにより強磁性体磁石を脱磁した結果、図３（ｂ）に示すように、磁石の磁束密度は、Ｎ極については、脱磁前において６３５ｍＴであるのに対して、脱磁後において５３．３ｍＴとなった。また、磁石の磁束密度は、Ｓ極については、脱磁前において６４５ｍＴであるのに対して、脱磁後において４６．８ｍＴとなった。
つまり、従来の脱磁装置においては、残留磁束割合は、Ｎ極については、８．３９％であり、Ｓ極については、７．２９％であり、残留磁束割合は、本発明の脱磁装置１における残留磁束割合よりも高い。
以上により、本発明の脱磁装置１によれば、従来の脱磁装置により脱磁を行う場合よりも、効率よく脱磁を行うことができる。

本実施形態の脱磁装置１によれば、例えば、次のような効果が奏される。
本実施形態の脱磁装置１においては、強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる脱磁コイル３２と、連続する複数のパルス信号により構成される交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する脱磁インバータ３１と、複数のパルス信号それぞれと、複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、次のパルス信号を脱磁コイル３２に印加するように脱磁インバータ３１を制御する脱磁制御部４２と、を備える。そのため、パルス間隔を所定時間以上あけることで、強磁性体磁石の脱磁を効率よく行うことができる。
特に、パルス間隔Ｔ２が複数のパルス信号それぞれのパルス幅Ｔ１の１／２以上である場合には、強磁性体磁石の脱磁をより効率よく行うことができる。

また、本実施形態の脱磁装置１においては、交番減衰電流を構成する複数のパルス信号それぞれと、複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、次のパルス信号を印加することにより、交番減衰電流を脱磁コイル３２に供給する第１工程と、第１工程により交番減衰電流が供給された脱磁コイル３２が交番減衰磁界を発生させて強磁性体磁石を脱磁する第２工程と、を備える。そのため、パルス間隔を所定時間以上あけることで、強磁性体磁石の脱磁を効率よく行うことができる。
特に、パルス間隔Ｔ２が複数のパルス信号それぞれのパルス幅Ｔ１の１／２以上の時間である場合には、強磁性体磁石の脱磁をより効率よく行うことができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の形態で実施することができる。例えば、図４に示すように、他の実施形態として構成することもできる。図４は、本発明の他の実施形態であって、図１の第５のＩＧＢＴ３１ａ及び第６のＩＧＢＴ３１ｂに代えて２つのサイリスタを使用した場合における脱磁コイル３２に印加される交番減衰電圧波形及び交番減衰電流波形を示す図である。

例えば、前記実施形態においては、脱磁インバータ３１を第５のＩＧＢＴ３１ａ及び第６のＩＧＢＴ３１ｂで構成したが、これに制限されない。例えば、第５のＩＧＢＴ３１ａ及び第６のＩＧＢＴ３１ｂに代えて、２つのサイリスタで構成してもよい。この場合、図４に示すように、脱磁インバータ３１は、例えば、同一形状の正弦波形状の複数のパルス信号により構成される交番減衰電流を、複数のパルス信号のパルス幅をＴ１Ａとして、パルス間隔Ｔ２Ａをパルス幅Ｔ１Ａの１／２以上となるように構成する。この場合においても、前記実施形態と同様の作用及び効果が得られる。また、サイリスタにより構成されるため、ＩＧＢＴにより構成されるよりもコストを低減することができる。

また、前記実施形態におけるパルス間隔は、制限されない。
また、前記実施形態において、電圧値及び電流値、その減少幅及びパルス幅などは、特に制限はない。

１ 脱磁装置
３１ 脱磁インバータ（交番減衰電流供給部）
３２ 脱磁コイル
４２ 脱磁制御部（制御部）
Ｔ１ パルス幅
Ｔ２ パルス間隔

Claims (4)

1. 強磁性体磁石を脱磁させるための交番減衰磁界を発生させる脱磁コイルと、
   連続する複数のパルス信号により構成される交番減衰電流を前記脱磁コイルに供給する交番減衰電流供給部と、
   前記複数のパルス信号それぞれと、前記複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、前記次のパルス信号を前記脱磁コイルに印加するように前記交番減衰電流供給部を制御する制御部と、
   を備える脱磁装置。
2. 前記パルス間隔の前記所定時間は、前記複数のパルス信号それぞれのパルス幅の１／２以上の時間である
   請求項１に記載の脱磁装置。
3. 交番減衰電流を構成する複数のパルス信号それぞれと、前記複数のパルス信号それぞれの次のパルス信号との間隔であるパルス間隔を所定時間以上あけて、前記次のパルス信号を印加することにより、交番減衰電流を脱磁コイルに供給する第１工程と、
   前記第１工程により前記交番減衰電流が供給された前記脱磁コイルが交番減衰磁界を発生させて強磁性体磁石を脱磁する第２工程と、
   を備える脱磁方法。
4. 前記パルス間隔の前記所定時間は、前記複数のパルス信号それぞれのパルス幅の１／２以上の時間である
   請求項３に記載の脱磁方法。

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