JP2012079148A

JP2012079148A - 静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システム

Info

Publication number: JP2012079148A
Application number: JP2010224662A
Authority: JP
Inventors: Kenta Nakamura; 謙太中村
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2010-10-04
Filing date: 2010-10-04
Publication date: 2012-04-19

Abstract

【課題】導通検査機により得られた検査結果を、画像検査機による検査エリアの最小化に利用し、導通検査機及び画像検査機に掛かる検査コストの低減を図り、良品率を向上させる。
【解決手段】タッチパネルの製造工程において、導通検査機IIとカラーフィルタやフォトマスク等のパターン欠陥検査にて使用されている画像検査機III と、レビュー修正機IVとを利用した静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムであって、導通検査機IIを画像検査機III による検査エリアの最小化に利用し、レビュー修正機IVにより、タッチパネルＡの欠陥検査結果に基づく欠陥パターンの修正を行う。
【選択図】図７

Description

本発明は、現金自動支払機等のコンピュータや、通信用パソコン、ゲーム用パソコン等の電子機器のデータ入力用キーボードに使用される静電容量式タッチパネルの配線パターンの欠陥を検査するための静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムに関する。

静電容量式タッチパネルには、透過型と反射型があり、データ入力用キーボードの各キーの可視画像を、そのパネル裏面に投影してキー配列した透過型と、そのパネル面に印刷表示した反射型とがある。

静電容量式タッチパネルの構造は、図１９の組み立て斜視図に示すように、透明フィルム基板にＸ軸方向にストライプパターン状に透明導電膜（ＩＴＯ膜）をパターン形成した電極層１ａを設けたＸ軸方向電極板１と、透明フィルム基板にＹ軸方向にストライプ状に透明導電層（ＩＴＯ膜）をパターン形成した電極層３ａを設けたＹ軸方向電極板３とを、透明な絶縁層２（透明樹脂層）を挟んで、両者の基板面を内面にし、両者の電極層１ａ、３ａ面を外面にして、互いに直交方向（格子状）に配列して、両者の電極層１ａ、３ａ間（一方電極はアース接地）に微弱な電界を掛けたものである。

このストライプ状パターンの電極層１ａ、３ａを絶縁層２を挟んで直交配列した静電容量式タッチパネルＡ（キーボード用パネル）においては、絶縁層２を挟んで互いに対向するＸ方向とＹ方向の各々電極層（１ａ、３ａ）が交差する交差点のうち、任意な交差点（１点乃至複数点）のアース接地されていない側の電極層（例えば電極層３ａ）を、指先にて押圧した際には、押圧した指先を伝って、アース接地されていない側の前記電極層３ａに印加している電子が放出され、その交差点の静電容量（電圧）が変化し、パネルＡの指が押されたキー位置を、ＸＹ座標位置として検知するものである。

図２０は、このような構造から構成される微小サイズのＸ軸方向電極層１ａを、透明基板（ガラス基板、フィルム基板）面に、縦横方向に規則的に多数配列した場合のＸ軸方向電極板１の平面図であり、またこのような構造から構成される微小サイズのＹ軸方向電極層３ａを、透明基板（ガラス基板、フィルム基板）面に、縦横方向に規則的に多数配列した場合のＹ軸方向電極板３の平面図である。

特表２００６−５１１８７９号公報

このような静電容量式のタッチパネルＡの検査においては、Ｘ軸方向電極板１及びＹ軸方向電極板３にストライプ状に形成された各電極層１ａ、３ａは、正方形状（又は菱形状）の微細な各セルを、その各角部を互いに突き合わせてストライプパターン状に配列したダイヤモンド構造のパターンになっており、また極薄の導電性薄膜（ＩＴＯ等の透明薄膜）により形成されているため、タッチパネル製造工程において、その導電性薄膜のパターニング不良が発生し易い。

またパネル製造時の電極板のパターニング不良等により、導通していなければならない個所が導通していないオープン欠陥（断線）と、導通してはならない個所が導通しているショート欠陥（短絡）が発生する。

これらのオープン欠陥やショート欠陥の検出は、従来は導通検査機にて実施しており、オープン欠陥検査をする場合は、導通検査機にて、Ｘ軸方向電極板１におけるストライプ状の各々電極層１ａの始端子部と終端子部間に電圧を掛け、その間の抵抗値を測定し、抵抗値が、０に近似しているか否かを測定して、抵抗値が規定値（製造仕様により異なる値）以上である場合には、タッチパネルＡにオープン欠陥が発生していることを検出している。

同様にショート欠陥の検出をする場合は、Ｘ軸方向電極板１におけるストライプ状の各電極層１ａの始端子部と、Ｙ軸方向電極板３におけるストライプ状の各電極層３ａの始端子部又は終端子部間に電圧を掛け、その間の抵抗値を測定し、抵抗値が規定値以上であるか否かを測定して、抵抗値が規定値以下である場合には、タッチパネルＡにショート欠陥が発生していることを検出している。

そのためタッチパネルＡの全ての端子部の全数組み合わせによる欠陥検査（全数検査）を実施するには、複数基の導通検査機が必要となり、検査費用が増大する。また、この導通検査機では、いずれの端子部でＮＧ（オープン欠陥、ショート欠陥）が発生しているかの判定は可能であるが、ＮＧの発生している端子部の欠陥個所が、タッチパネルＡのストライプ状の各々電極層１ａ、３ａの始端部と終端部の間におけるいずれの位置（パネルＡのｘｙ座標位置）において発生しているのかを検出することまではできない。

このように従来のタッチパネルの検査においては、導通検査機にて欠陥発生の有無は確認できても、タッチパネルＡ面の欠陥の発生した正確な実際の位置を特定することが難しく、どのような欠陥が発生しているのかを確認するためには、顕微鏡による目視確認となり、時間が掛かっていた。

またタッチパネルの検査においては、カラーフィルタやフォトマスク等のパターン欠陥検査にて使用されている画像検査機のラインセンサ（ＣＣＤカメラ）にて画像を取り込んで、画像の比較処理を行うことも可能であるが、導通欠陥を検出するには、フォトマスクと同様の微小な欠陥（数μｍ）を検出する必要があり、カラーフィルタと同程度のエリア（３００ｍｍ×３００ｍｍ以上）を検査するには、かなりの検査時間と、膨大な装置費用が必要となる。

また、カラーフィルタ、フォトマスク等にて使用されているレビュー修正機を利用した修正作業も現在のタッチパネルの製造工程では、実施できない。

本発明は、タッチパネルの製造工程において、導通検査機と、カラーフィルタやフォトマスク等のパターン欠陥検査にて使用されている画像検査機と、レビュー修正機とを利用した静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムであって、導通検査機により得られた検査結果を、画像検査機による検査エリアの最小化に利用し、導通検査機及び画像検査機に掛かる検査コストの低減を図るとともに、さらにレビュー修正機によりタッチパネルの欠陥検査結果に基づく欠陥修正を行うことによりタッチパネルの良品率を向上させることにある。

本発明の請求項１に係る発明は、
１）直交積層配置前のタッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対
の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
２）直交積層配置前の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値、及びＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
３）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された前記始端子若しくは終端子を含む、前記Ｘ軸方向電極板のＸ軸方向電極層、又は／及び、前記Ｙ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
４）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
５）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
６）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムである。

本発明の請求項２に係る発明は、
１）製造される全数タッチパネルの中から任意に抜き取られた直交積層配置前の部分数タッチパネルのＸ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層とＹ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層とを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む抜き取りパネル画像データ撮り込み段階と、
２）撮り込まれた抜き取りパネル画像データと予め準備された基準画像データとを画像検査機にて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
３）取得された前記差分画像データに基づく差分パターン座標位置を欠陥発生位置として特定し、導通検査対象エリアとして絞り込む導通検査対象エリア絞り込み段階と、
４）直交積層配置前の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
５）直交積層配置前の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値、及びＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
６）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された前記始端子若しくは終端子を含む、前記Ｘ軸方向電極板のＸ軸方向電極層、又は／及び、前記Ｙ軸方向電極
板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
７）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
８）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
９）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムである。

本発明の請求項３に係る発明は、
１）製造される全数タッチパネルの中から任意に抜き取られた直交積層配置前の部分数タッチパネルのＸ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層とＹ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層とを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む抜き取りパネル画像データ撮り込み段階と、
２）撮り込まれた抜き取りパネル画像データと予め準備された基準画像データとを画像検査機にて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
３）取得された前記差分画像データに基づく差分パターン座標位置を欠陥発生位置として特定し、導通検査対象エリアとして絞り込む導通検査対象エリア絞り込み段階と、
４）絞り込まれた前記導通検査対象エリアについて、製造される直交積層配置前の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
５）絞り込まれた前記導通検査対象エリアについて、製造される直交積層配置前の各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
６）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された始端子若しくは終端子を含む前記Ｘ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層と、Ｙ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
７）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
８）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
９）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムである。

本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムによれば、タッチパネル本体の製造工程において、画像検査機の結果を利用して、導通検査機の検査エリアを絞り込み、最小化することにより、導通検査機に掛かる検査コストを低減することができる。

また導通検査機の結果を利用して、画像検査機の検査エリアを最小化することにより、微小な欠陥を最小の時間で検査可能とすることにより、検査コストを低減化することができ、カラーフィルタ、フォトマスク等で使用されている画像検査機、及びレビュー修正機を利用した検査・修正フローを確立し、欠陥修正することにより、タッチパネルの製造良品率を向上させることができる。

本発明の静電容量式透過型タッチパネルＡの直交積層配置後のＸＹ軸電極層の電極層パターンを説明する平面模式図。透過型タッチパネルＡのＸ軸方向電極板にパターン形成された透明導電層パターンを説明する平面図。透過型タッチパネルＡのＹ軸方向電極板にパターン形成された透明導電層パターンを説明する平面図。（ａ）は透過型タッチパネルＡの欠陥検査の方法を説明するブロック図、（ｂ）はその画像検査機の検査方法を説明するブロック図、（ｃ）は画像検査機により撮り込まれた電極層の画像パターン、（ｄ）は画像検査機により撮り込まれた電極層の画像パターンと基準画像パターンとの差分を示す差分画像バターン。画像検査機により撮り込まれた電極層の画像パターンと、設計画像パターン（基準画像パターン）と、差分を示す差分画像パターンとの関係を示す平面図。透明基板面に微小サイズのＸ軸方向電極層１ａ（電極層単位モジュール単位）を縦横方向に規則的に多数配列した状態のＸ軸方向又はＹ軸方向電極板の平面図。本発明の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムを説明するシステムブロック図。本発明の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの概要フローを説明するブロック図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの一例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの一例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの一例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの他の例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの他の例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムの他の例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムのその他の例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムのその他の例を説明するシステムフローチャート図。本発明の静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムのその他の例を説明するシステムフローチャート図。静電容量式タッチパネルＡの一般的な構造の一例の概要を説明する斜視図。本発明の検査修正システムの対象となる一般的な静電容量式の透過型タッチパネルＡを説明する組み立て斜視図。一般的な静電容量式の透過型タッチパネルＡのＸ軸方向又はＹ軸方向電極板の多面付け電極層を説明する平面図。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムを、実施の形態に基づいて以下に詳細に説明する。

まず、本発明システムにおいて、その検査、修正の対象とする静電容量式透過型タッチパネルについて以下に説明すれば、図１９は、静電容量式タッチパネルＡの一般的な構造の一例の概要を説明する斜視図であり、静電容量式タッチパネルＡの構造は、透明フィルム基板にＸ軸方向にストライプパターン状に透明導電膜（ＩＴＯ膜）をパターン形成した電極層１ａを設けたＸ軸方向電極板１と、透明フィルム基板にＹ軸方向にストライプ状に透明導電層（ＩＴＯ膜）をパターン形成した電極層３ａを設けたＹ軸方向電極板３とを、透明な絶縁層２（透明樹脂層）を挟んで、両者の基板面を内面にし、両者の電極層１ａ、３ａ面を外面にして、互いに直交方向（格子状）に配列して、両者の電極層１ａ、３ａ間（一方電極はアース接地）に微弱な電界を掛けものである。

このストライプ状パターンに配列して直交配列した電極層１ａ、３ａを備えた静電容量式タッチパネルＡのキーボードにおいては、絶縁層２を挟んで、互いに対向するＸ方向とＹ方向の各々電極層（１ａ、３ａ）が交差する交差点のうち、任意な位置にある交差点（１点乃至複数点）のアース接地されていない側の電極層（例えば電極層３ａ）を、指先にて押圧した際には、押圧した指先を伝って、アース接地されていない側の前記電極層３ａに印加している電子が放出され、その交差点の静電容量（電圧）が変化し、パネルＡの指が押されたキー位置を、ＸＹ座標位置として検知するものである。

図２０は、このような構造から構成される微小サイズの一般的な静電容量式タッチパネルＡを、ガラス基板Ｂ面上に、縦横方向に複数配列して適宜サイズに作製した静電容量式
タッチパネルＡの平面図である。

図１９、図２０に示す本発明の検査修正システムの対象となる一般的な静電容量式の透過型タッチパネルＡのＸ軸方向電極板１にパターン形成された微細なストライプパターン状の各電極層１ａ、及び、Ｙ軸方向電極板３にパターン形成された微細なストライプパターン状の各電極層３ａを、図１に示す平面模式図に基づいて以下に説明する。

静電容量式のタッチパネルＡのＸ軸方向電極板１にパターン形成された微細なストライプパターン状の各電極層１ａ、及び、Ｙ軸方向電極板３にパターン形成された微細なストライプパターン状の各電極層３ａは、図１に示すように、正方形又は長方形状（又は菱形状）の微細な各セルを、その各角部を互いに突き合わせてストライプパターン状に配列したダイヤモンド構造になっている。

図１は、このタッチパネルＡを欠陥検査する際に、欠陥検査装置（導通検査機）に端子接続した場合の平面図であり、図１９に示すように絶縁層３を介して重ね合わせ直交配置したＸ軸方向電極板１のストライプパターン状の電極層１ａ（右上から左下に傾斜するハッチング部分）と、Ｙ軸方向電極板３のストライプパターン状の電極層３ａ（左上から右下に傾斜するハッチング部分）は、そのセル状の各々電極層１ａ、３ａの全てが、互いに重なり合わない隣接した状態で直交配置されている。

図２は、静電容量式のタッチパネルＡのＸ軸方向電極板１にストライプ状にパターン形成された透明導電層（ＩＴＯ膜）から構成された各電極層１ａであり、長方形状（又は菱形状）の微細な複数の各セルが、その一対の対角の角部ＯＲを、互いに突き合わせて、縦方向（Ｘ方向）にストライプパターン状（線条）に接続し配列したダイヤモンド構造になっている。

図３は、静電容量式のタッチパネルＡのＹ軸方向電極板３にストライプ状にパターン形成された透明導電層（ＩＴＯ膜）から構成された各電極層３ａであり、長方形状（又は菱形状）の微細な複数の各セルが、その一対の対角の角部ＯＲを、互いに突き合わせて、横方向（Ｙ方向）にストライプパターン状（線条）に接続し配列したダイヤモンド構造になっている。

図１に示すように、Ｘ軸方向電極板１のストライプパターン状の電極層１ａのうち、１本の電極層１ａの一端は始端子ｘ2 であり、その末端１０（終端）は、終端子ｘ2Eであり、Ｙ軸方向電極板３のストライプパターン状の電極層３ａのうち、１本の電極層３ａの一端は、右始端子ｙ4Rであり、その末端１１（終端）は右終端子ｙ4RE である。

このように静電容量式のタッチパネルＡは、Ｘ軸方向電極板１のストライプパターン状の電極層１ａの各電極層１ａの一端は、各々始端子ｘ1 、ｘ2 、ｘ3 、ｘ4 、ｘ5 、・・・ｘn （ｎ＝端子の個数）であり、その各電極層１ａの末端１０（終端）は、終端子ｘ1E、ｘ2E、ｘ3E、ｘ4E、ｘ5E、・・・ｘnEである。

また、図１に示す静電容量式のタッチパネルＡは、Ｙ軸方向電極板３のストライプパターン状の一方側に終端部を有する各電極層３ａの一端は右始端子ｙ1R、ｙ2R、ｙ3R、ｙ4R、ｙ5R、ｙ6R、・・・ｙnR（ｎ＝端子の個数）であり、その末端１１（終端）は右終端子ｙ1RE 、ｙ2RE 、ｙ3RE 、ｙ4RE 、ｙ5RE 、ｙ6RE 、・・・ｙnRE （ｎ＝端子の個数）であり、また他方側に終端部を有する各電極層３ａの一端は、左始端子ｙ1L、ｙ2L、ｙ3L、・・・ｙnL（ｎ＝端子の個数）であり、その末端１２（終端）は、左終端子ｙ1LE 、ｙ2LE 、ｙ3LE 、・・・ｙnLE （ｎ＝端子の個数）である。

そして、図２、図３に示すように、静電容量式のタッチパネルＡのＸ軸方向電極板１にパターン形成したストライプパターン状の電極層１ａ、及び、Ｙ軸方向電極板３にパターン形成したストライプパターン状の電極層３ａの正方形状（又は菱形状）の微細な各セルを、その各角部ＯＲを互いに突き合わせてストライプパターン状に配列した微細なダイヤモンド構造のパターンにおける数μｍのパターン形状不良による電気的な導通不良を、オープン検査（断線検査）とショート検査（短絡検査）として行うものである。

Ｘ軸方向電極板１におけるストライプパターン状の各電極層１ａのオープン検査（断線有無の検査）は、図１におけるＸ軸方向電極板１における各々始端子ｘ1 、ｘ2 、ｘ3 、ｘ4 、ｘ5 、・・・ｘn （ｎ＝端子個数）と、各々終端子ｘ1E、ｘ2E、ｘ3E、ｘ4E、ｘ5E、・・・ｘn （ｎ＝端子個数）とを電気的に接続して、その間に電圧Ｖを掛け、その間の抵抗値を測定し、抵抗値が無い（抵抗値≒０）ことを確認し、通電状態、断線発生の有無を確認してオープン検査を行う。

また、Ｙ軸方向電極板３におけるストライプパターン状の電極層３ａのオープン検査（断線有無の検査）は、図１に示すようにＹ軸方向電極板３における各々左始端子ｙ1L、ｙ2L、ｙ3L、・・・ｙnL（ｎ＝端子個数）と、各々左終端子ｙ1LE 、ｙ2LE 、ｙ3LE 、・・・ｙnLE （ｎ＝端子個数）とを電気的に接続し、さらに、Ｙ軸方向電極板３における各々右始端子ｙ1R、ｙ2R、ｙ3R、・・・ｙnR（ｎ＝端子個数）と、各々右終端子ｙ1RE 、ｙ2RE 、ｙ3RE 、・・・ｙnRE （ｎ＝端子個数）とを電気的に接続して、その間に電圧Ｖを掛け、その間の抵抗値を測定し、抵抗値が略無い（抵抗値≒０）ことを確認し、通電状態、断線発生の有無を確認してオープン検査を行う。

例えば、前記Ｘ軸方向電極板１のオープン検査においては、図１に示すように、Ｘ軸方向電極板１の電極層１ａにおける始端子ｘ2 と終端子ｘ2Eとを電気的に接続して、オープン検査を行い、始端子ｘ2 と終端子ｘ2Eとの端子間の通電状態、断線発生の有無を検査するものであり、Ｙ軸方向電極板３のオープン検査においてもＹ軸方向電極板３の電極層３ａにおける始端子ｘ2 と終端子ｘ2Eとを電気的に接続して、その間に電圧Ｖを掛け、その間の抵抗値を測定し、抵抗値が略無い（抵抗値≒０）ことを確認し、通電状態、断線発生の有無を確認してオープン検査を行う。

次に、図１に基づいて、Ｘ軸方向電極板１とＹ軸方向電極板３の重ね合わせ直交配置における両電極板１、３間の短絡の発生の有無を検査するショート検査について説明すれば、Ｘ軸方向電極板１におけるストライプ状の各電極層１ａの各々始端子ｘ1 、ｘ2 、ｘ3 、ｘ4 、ｘ5 、・・・ｘn （ｎ＝端子個数）又は各々終端子ｘ1E、ｘ2E、ｘ3E、ｘ4E、ｘ5E、・・・ｘn （ｎ＝端子個数）と、絶縁層を介して、そのＸ軸方向電極板１のストライプ状の各電極層１ａに直交して重ね合わせ配置したＹ軸方向電極板３におけるストライプパターン状の各電極層３ａの各々左始端子ｙ1L、ｙ2L、ｙ3L、・・・ｙnL（ｎ＝端子個数）又は各々左終端子ｙ1LE 、ｙ2LE 、ｙ3LE 、・・・ｙnLE （ｎ＝端子個数）とを電気的に接続して、その間に電圧Ｖを掛け、その間の抵抗値を測定し、その間の抵抗値が規定値（例えば数〜数十ＭΩ）以上であることを確認し、絶縁状態、短絡発生の有無を確認してショート検査を行う。なお、本発明において云う前記規定値は、本発明におけるパネルの製造仕様等により異なるため、特に限定はしないものとする。

このような静電容量式のタッチパネルＡの検査においては、Ｘ軸方向電極板１及びＹ軸方向電極板３にストライプ状に形成された各電極層１ａ、３ａは、正方形状（又は菱形状）の微細な各セルを、その各角部を互いに突き合わせてストライプパターン状に配列したダイヤモンド構造のパターンになっており、また極薄の導電性薄膜（ＩＴＯ等の透明薄膜）により形成されているため、タッチパネル製造工程において、その導電性薄膜のパターニング不良が発生し易く、製造時のパターニング不良等により、導通していなければなら
ない個所が導通していないオープン欠陥（断線、例えば、図１に示すＸ軸方向電極板１のｘ2 〜ｘ2Eまでは導通していなくてはいけない）と、導通してはならない個所が導通しているショート欠陥（短絡、例えば図１に示すＸ軸方向電極板１のｘ2 〜ｙ4R間は導通してはならない）が発生する。

そこで、本発明においては、タッチパネルＡのオープン欠陥検査をする場合は、導通検査機にて、始端子部（例えば図１のＸ軸方向電極板１のｘ2 ）と、終端子部（例えば図１のＸ軸方向電極板１のｘ2E）間に電圧を掛け、その間の抵抗値を測定することにより、タッチパネルＡのオープン欠陥の発生を検出するものである。

また同様に、タッチパネルＡのショート欠陥の検出をする場合は、例えば図１のＸ軸方向電極板１のｘ1 と隣り合う始端子部（図１のＸ軸方向電極板１のｘ1 とｘ2 ）と、Ｙ軸方向電極板３の始端子部（例えばｙ1L〜ｙ3L、ｙ4R〜ｙ6R）との間の絶縁抵抗値を測定することにより、タッチパネルＡのショート欠陥の発生を検出する。これを全ての端子部の組み合わせにより実施し、いずれの端子部（始端部、終端部）で、ＮＧ（オープン欠陥、ショート欠陥）が発生しているかの判定を行う。

そして、その判定結果に基づいて、オープン欠陥発生端子特定段階と、ショート欠陥発生端子特定段階において、タッチパネルＡ上のＸ軸方向電極板１のストライプ状の各電極層１ａ及びＹ軸方向電極板３のストライプ状の各電極層３ａのうち、ＮＧ（オープン欠陥、ショート欠陥）が発生している端子部（始端部、終端部）に該当する電極層１ａ、３ａを、ストライプ状の電極層１ａ又は／及び３ａの線条単位にて、オープン欠陥発生部位又は／及びショート欠陥発生部位として特定する。

このようにオープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された前記始端子若しくは終端子を含むＸ軸方向電極層１ａ又は／及びＹ軸方向電極層３ａは、検査対象エリア絞り込み段階にて、タッチパネル検査対象エリア（最大３００ｍｍ×３００ｍｍ、又はそれ以上）として絞り込むものである。

前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され、絞り込まれた前記タッチパネル検査対象エリアは、画像データ撮り込み段階にて、画像検査機（ラインセンサ、エリア型センサー等のＣＣＤカメラ）を用いて、オープン欠陥又は／及びショート欠陥の発生したＸ軸方向電極層１ａのパターン又は／及びＹ軸方向電極層３ａの微小な欠陥（数μｍ）パターンを画像データとして撮り込むものである。

その後、撮り込まれた画像データと、予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データに基づき、レビュー修正機を用いて両データを比較対照し、電極層パターン修正段階にて、前記基準画像データに整合するように、前記検査対象エリアのＸ軸方向電極層１ａのパターン、又は／及び、Ｙ軸方向電極層のパターン３ａを修正するものである。

静電容量式タッチパネルＡのオープン検査とショート検査は、図４（ａ）に示すようにタッチパネルＡの製造工程ライン上にて、導通検査機を用いて、オープン検査とショート検査とを行い、両方の検査結果が欠陥無し（ＯＫ）と判定された場合には、製造されたパネルＡは、そのまま最終ラインから、良品パネルＡとして排出されるが、両方の検査結果のうちいずれか一方又は両方の検査結果が欠陥有り（ＮＧ）と判定された場合には、欠陥有り（ＮＧ）と判定された不良品パネルＡの欠陥個所（ＸＹ方向座標位置）を、基準画像データ（設計パターン画像データ）を格納している画像処理機を用いて、画像データとして撮り込み、その欠陥個所の発生場所を検索調査するものである。

画像処理機による調査は、図４（ｂ）に示すように、調査対象のパネルＡを、画像処理機Ｂのパネル搬送手段２０により矢印方向に搬送して、ラインセンサ２１の撮影位置に送り込みながら、照明手段２２により照明し、そのパネルＡの全面を、該ラインセンサ２１により撮影して、該パネルＡのＸ軸方向電極層１ａのパターンとＹ軸方向電極層３ａのパターンとを画像データとしてメモリに撮り込む。

図４（ｃ）は、画像処理機のディスプレイ画面に出力表示された画像パターンであり、パネルＡのＸ軸方向電極層１ａ又はＹ軸方向電極層３ａの撮影された画像データのパターンａであり、図４（ｄ）は、撮影された画像データのパターンと基準画像データのパターン（設計画像データによるパターン）とを比較して得られた差分データによる差分画像パターンｂ（基準画像パターンデータに対する撮影画像パターンデータの過不足パターン部分）であり、撮影画像データから消去（削除）、又は追加（補充）すべきパターン部分である。差分画像データにより表示される差分画像パターンｂには、画像処理機により撮影調査した前記パネルＡの座標（ｘk,ｙk)の位置に差分画像パターンｃが欠陥パターン及びその欠陥発生位置として検出される。

図５は、画像処理機のディスプレイ画面に出力表示された、画像処理機（ラインセンサ）により撮影調査したパネルＡの実際の撮影画像パターンａと、基準画像データの基準画像パターン（設計画像データによるパターン）ａ1 若しくは撮影画像パターンと同一形状部の基準画像データの基準画像パターン（設計画像データによるパターン）ａ1 と、撮影画像パターンａと基準画像パターンａ1 との比較により得られた差分データに基づく差分画像パターンｂである。その差分データにより得られる差分画像パターンｂには、画像処理機により撮影調査した前記パネルＡの座標（ｘk,ｙk)の位置に差分パターンｃが欠陥パターン及びその欠陥発生位置として検出される。

図６は、透明基板（ガラス基板、フィルム基板）面に、微小サイズのＸ軸方向電極層１ａ（電極層単位モジュール単位）を、縦横方向に規則的に多数配列した状態のＸ軸方向電極板１の平面図であり、また透明基板（ガラス基板、フィルム基板）面に、微小サイズのＹ軸方向電極層３ａ（電極層単位モジュール）を縦横方向に規則的に多数配列（多面付け）した状態のＹ軸方向電極板３の平面図である。そしてＸ軸又は／及びＹ軸方向電極板１、３の電極層には、欠陥パターンとして差分パターンｃが表示されている。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムについて、図７に示すシステムブロック図に基づいて、以下に詳細に説明すれば、タッチパネル製造ライン上には、上位にシステム制御手段Ｉを備え、該制御手段ＩはデータサーバーＩａ（又はデータベース）を介して、製造状況把握手段Ｉｂを備え、タッチパネル製造ライン上における各パネル搬送装置や各パネル表面処理加工装置から、制御動作状況（製造工程上を移動する各パネルの現在位置等）を信号として受信でき、その製造ライン上のパネル製造状況を把握し、管理することができるようになっている。

また、タッチパネル製造ライン上には、導通検査機IIと、画像検査機IIと、レビュー修正機IVとを備え、前記システム制御手段Ｉは、データサーバーＩａを介して、導通検査機IIと、画像検査機III と、レビュー修正機IVとに、ネットワークを介して信号接続している。

システム制御手段Ｉは、製造ライン上に併設した前記導通検査機IIに導入するための指示信号を発信できるになっていて、製造状況把握手段Ｉｂにて把握した製造工程上における検査を必要とする適宜パネル（被検査パネル、全数若しくは部分数）を、そのパネルの現在位置に隣接した導通検査機IIに導入するための指示信号を、その被検査パネルの現在位置に配置したパネル表面処理加工装置やパネル搬送装置に発信して、そのパネル搬送装
置により被検査パネルを導通検査機IIに導入して、タッチパネルＡのオープン検査やショート検査を開始し、検査結果ＯＫのパネルの場合は、次の製造工程ライン（又は出荷ライン）に搬送される。

検査結果ＮＧのパネルの場合は、続いて、画像検査機II、レビュー修正機IVに導入して、パターン画像データの撮り込み、基準画像データとの比較差分、レビュー修正、基準画像データとの比較差分を実施して、次の製造工程ライン（又は出荷ライン）に搬送されるものである。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムのシステムフローについて、図８に示すブロック図に基づいて以下に詳細に説明する。

図８に示すように、まずタッチパネルＡの製造ラインＩ上の所定の製造工程において、導通検査機IIを用いて、タッチパネルＡの１枚毎に、Ｘ軸方向電極層１ａのパターン又は／及びＹ軸方向電極層３ａのパターンのオープン検査とショート検査を実施する。

導通検査機IIによるオープン検査とショート検査により検査結果がパターン欠陥無し（良品）と判定され、検査結果がＯＫであれば、製造ラインＩにおいて製造されたタッチパネルＡは良品として、その製造ライン上の次の製造工程に搬送導入され、あるいは製造ラインから良品として排出され、出荷工程に搬送される。

導通検査機IIによるオープン検査とショート検査により検査結果がパターン欠陥有り（不良品）と判定され、導通検査結果がＮＧと判定されて、欠陥発生した個所の端子部（始端部と末端部）を含む電極層１ａ、３ａが特定される。そして導通検査結果がＮＧのタッチパネルＡは不良品として画像検査機III に搬送導入される。

画像検査機III では、検査結果がＮＧのタッチパネルＡの欠陥の発生して特定した前記個所の端子部（始端部と末端部）を含む電極層１ａ、３ａに絞り込んで、ラインセンサ（画像撮影読取手段、ＣＣＤカメラ）にて撮影し、撮影画像データとして読み取るとともに、撮影画像データによる撮影画像パターンａと、画像検査機III のメモリ（データベース）に格納されている基準画像データによる基準画像パターンａ1 とを比較して、その差分データに基づいて、差分画像パターンｂと、差分パターンｃを画像検査機III のディスプレイに出力表示するとともに、該タッチパネルＡ面における表示された差分パターンｃの座標（ｘk,ｙk)位置を欠陥発生位置として検出する。

続いて、レビュー修正機IVに前記タッチパネルＡを導入し、導通検査機IIと同様のラインセンサ手段又はスキャナー手段にて、該タッチパネルＡ面における前記差分パターンｃの座標（ｘk,ｙk)位置を欠陥発生位置として、その差分パターンｃ（余剰パターン又は／及び欠如パターン）について、そのパターン消去又はパターン書き込み等の欠陥パターンの修正を行う。

このようにレビュー修正が終了した時点で、前記レビュー修正機IV（ラインセンサ手段又はスキャナー手段）にて、修正が終了した該タッチパネルＡ面をスキャニングし、修正画像データをメモリし、該修正画像データと、前記レビュー修正機IVのメモリ（データベース）に格納されている基準画像データとを比較して、両画像データが一致していればレビュー修正ＯＫ品（良品）と判定され、総合ＯＫ品として、その製造ライン上の次の製造工程に、搬送導入されるか、あるいはその製造ラインから排出されて出荷工程に搬送される。

両画像データが不一致であればレビュー修正ＮＧ品（良品）と判定され、総合ＮＧ品（
不良品）として、製造ラインから排出され、不良品として製造ラインから除去（リジェクト）される。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムを、請求項１に係る発明に関して、図９〜図１１に示すシステムフローチャート図に基づいて、以下に詳細に説明する。

ステップＳ１：
直交積層配置前タッチパネルの各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、オープン検査を実施する。

ステップＳ２：
Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間の測定された抵抗値と、予め設定された規定値（規定値≒０Ω）とを比較し、測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であればＳ２ａに進み、規定値よりも高（ｙｅｓ）であればＳ２ｂに進む。

ステップＳ２ａ：
測定された抵抗値が規定値以下であると判定され、オープン欠陥の発生無し、オープン検査結果ＯＫと判定され、Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間に断線の発生無しと判定される。

ステップＳ２ｂ：
測定された抵抗値が規定値よりも高いと判定され、オープン欠陥の発生有り、オープン検査結果ＮＧと判定され、Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間に断線の発生有りと判定される。

ステップＳ３：
Ｘ方向電極層１ａ又は／及びＹ方向電極層３ａのオープン検査結果がＮＧ（オープン欠陥発生）と判定された直交積層配置前の電極板を、製造ラインからリジェクトするか否かをパネル製造仕様等から適宜に判断し決定する。

ステップＳ３ａ：
リジェクトしない（ｎｏ）と決定し、決定したオープン欠陥発生のパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を、レビュー修正機に導入する。又はリジェクトしない（ｎｏ）と決定し、点線に示すようにＳ１０に進む。

ステップＳ３ｂ：
リジェクトする（ｙｅｓ）と決定し、決定したパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ラインからリジェクトする。

ステップＳ３ｃ：
リジェクトする（ｙｅｓ）と決定したパネルを製造ラインからリジェクトする。

ステップＳ４：
前記検査対象エリアのオープン欠陥発生の電極板の電極層画像データと基準画像データとをレビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る。

ステップＳ５：
得られた差分画像データに基づいて、レビュー修正機のディスプレイ画面に差分画像パ
ターンを表示する。

ステップＳ６：
レビュー修正機にて、差分画像パターン部分の電極層パターンを消去又は追加して修正し、撮り込まれた画像パターンを基準画像パターンに整合させる。

ステップＳ７：
レビュー修正機にて修正した撮り込まれた画像パターンが、基準画像パターンに整合したか否かを、当該レビュー修正機の差分画像データから、又はレビュー修正機のディスプレイ画面にて確認する。

ステップＳ８：
絞り込まれた前記導通検査対象エリアにおける直交積層配置前の修正パネルを含むタッチパネルの各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値を導通検査機を用いて測定し、ショート検査する。

ステップＳ９ａ：
測定された抵抗値が規定値以下（ｎｏ）と判定され、ショート欠陥の発生有り、ショート検査結果ＮＧと判定され、各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間に短絡の発生有りと判定される。

ステップＳ９ｂ：
測定された抵抗値が規定値以上（ｙｅｓ）であると判定され、オープン欠陥発生無し、オープン検査結果ＯＫと判定され、各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間に短絡の発生無しと判定される。

ステップＳ１０：
各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の測定された抵抗値と、予め設定された規定値（規定値≒０Ω）とを比較し、測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であればＳ１０ａに進み、規定値よりも高（ｙｅｓ）であればＳ１０ｂに進む。

ステップＳ１０ａ：
リジェクトしない（ｎｏ）と決定し、決定した欠陥発生の直交積層配置前の電極板（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を、レビュー修正機に導入する。また、Ｓ３にてリジェクトしない（ｎｏ）と決定した直交積層配置前の欠陥発生の電極板もレビュー修正機に導入する。

ステップＳ１０ｂ：
リジェクトする（ｙｅｓ）と決定したパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ラインからリジェクトする。

ステップＳ１０ｃ：
リジェクトしたパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ライン外に排出する。

ステップＳ１１：
前記検査対象エリアの欠陥発生の電極板の電極層画像データと基準画像データとをレビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る。

ステップＳ１２：
電極層画像データと基準画像データとをレビュー修正機を用いて比較対照して得られた差分画像データに基づいて、レビュー修正機に修正すべき差分画像データを表示し、その修正すべき差分画像データに基づきディスプレイ画面に差分画像パターンを表示する。

ステップＳ１３：
レビュー修正機にて、差分画像パターン部分の電極層パターンを消去又は修正追加し、撮り込まれた画像パターンと基準画像パターンとを整合一致させる。

ステップＳ１４：
基準画像パターンに整合したか否かを、レビュー修正機及びそのディスプレイ画面にて確認する。

ステップＳ１５：
直交積層配置後の全数タッチパネルの各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子と各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値を、導通検査機IIを用いて測定し、ショート検査する

ステップＳ１６：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上であるか否かを確認する。

ステップＳ１６ａ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上（ｙｅｓ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）として特定されて、製造ラインにて製造されたタッチパネルは、オープン欠陥無し、ショート欠陥無しとして、総合検査（オープン検査、ショート検査）がＯＫとなり、オープン検査及びショート検査によるタッチパネルの総合検査はＯＫとなる。

ステップＳ１６ｂ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）として特定されて、製造ラインにて製造されたタッチパネルは、オープン欠陥有り、ショート欠陥有りとして、総合検査（オープン検査、ショート検査）がＮＧとなり、オープン検査及びショート検査によるタッチパネルの総合検査はＮＧとなる。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムを、請求項２に係る発明に関して、図１２〜図１４に示すシステムフローチャート図に基づいて、以下に詳細に説明する。

ステップＳ１：
製造される全数タッチパネルの中から任意に、製造される全数タッチパネルの中から任意に抜き取られた直交積層配置前の部分数タッチパネルの各Ｘ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層と各Ｘ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層とを、画像検査機111 を用いて画像データとして撮り込み、オープン検査を実施する。

ステップＳ２：
撮り込まれた抜き取りパネル画像データと予め準備された基準画像データとを、画像検査機III にて比較対照し、差分画像データを得る。

ステップＳ３：
画像検査機III による比較対照により、抜き取りＸ方向電極板１とＹ方向電極板３の差分画像データ（欠陥発生データ）が取得されない場合（ｎｏ）は、ステップＳ３ａに進み、取得された場合（ｙｅｓ）はステップＳ３ｂに進む。

ステップＳ３ａ：
撮り込まれた画像データによるパターンと基準画像データによるパターンが一致して、抜き取りＸ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３のそれぞれ差分画像データ（欠陥発生データ）が取得されず、オープン検査ＯＫと判定される。

ステップＳ３ｂ：
撮り込まれた画像データによるパターンと基準画像データによるパターンが一致せず、抜き取りＸ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３のそれぞれ差分画像データ（欠陥発生データ）が取得されて、オープン検査ＮＧと判定され、取得された差分画像データに基づく差分画像パターンの座標位置を画像検査機III にて確認し、欠陥発生位置として特定して、導通検査対象エリアとして絞り込む。

ステップＳ４：
制御手段Ｉからの指示により、製造ライン上の前記製造工程にて順次製造処理される直交積層配置前の全数タッチパネルＡ1 〜Ａn （Ｘ方向電極板１、Ｙ方向電極板３）を、製造工程間に配置されたバッファ手段（パネル分岐搬送手段、パネル待機手段等）等を用いて導通検査機IIに導入し、前記絞り込まれた導通検査対象エリアにおける直交積層配置前の全数タッチパネルの各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値を導通検査機を用いて測定し、オープン検査を実施する。

ステップＳ５：
Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間の測定された抵抗値と、予め設定された規定値（規定値≒０Ω）とを比較し、測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であればＳ５ａに進み、規定値よりも高（ｙｅｓ）であればＳ５ｂに進む。

ステップＳ５ａ：
測定された抵抗値が規定値以下であると判定され、オープン欠陥の発生無し、オープン検査結果ＯＫと判定され、Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間に断線の発生無しと判定される。

ステップＳ５ｂ：
測定された抵抗値が規定値よりも高いと判定され、オープン欠陥の発生有り、オープン検査結果ＮＧと判定され、Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終端子間に断線の発生有りと判定される。

ステップＳ６：
Ｘ方向電極層１ａ又は／及びＹ方向電極層３ａのオープン検査結果がＮＧ（オープン欠陥発生）と判定された直交積層配置前の電極板を、製造ラインからリジェクトするか否かをパネル製造仕様等から適宜に判断し決定する。

ステップＳ６ａ：
リジェクトしない（ｎｏ）と決定し、決定したオープン欠陥発生のパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を、レビュー修正機に導入する。又はリジェクトしない（ｎｏ）と決定し、点線に示すようにＳ１３ａに進む。

ステップＳ６ｂ：
リジェクトする（ｙｅｓ）と決定し、決定したパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ラインからリジェクトする。

ステップＳ６ｃ：
リジェクトされたパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ライン外に排出する。

ステップＳ７：
レビュー修正機III に導入した前記検査対象エリアのオープン欠陥発生の電極板の電極層画像データと、予め準備された基準画像データとを、該レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る

ステップＳ８：
レビュー修正機III のディスプレイ画面に、差分画像データに基づく差分画像パターンを表示する。

ステップＳ９：
レビュー修正機III にて電極板の差分画像パターン部分の電極層パターンを消去又は追加して、撮り込まれた画像パターンを基準画像パターンに整合させる。

ステップＳ１０：
撮り込まれた電極板の画像パターンが基準画像パターンに整合したか否かをレビュー修正機III によるデータの比較対照、及びそのディスプレイ画面にて確認する。

ステップＳ１１：
基準画像パターンに整合した撮り込まれた画像パターンが、絞り込まれた前記導通検査対象エリアにおける直交積層配置前の修正パネルを含むタッチパネルの各Ｘ軸方向電極層と各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値を導通検査機を用いて測定し、ショート検査する。

ステップＳ１２：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上であるか否かを確認する。

ステップＳ１２ａ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）として特定されてＳ１３に進む。

ステップＳ１２ｂ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上（ｙｅｓ）であることを確認し、ショート欠陥の発生の無い電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）としてショート検査結果ＯＫと判定されて、Ｓ１４に進む。

ステップＳ１３：
ショート欠陥の発生した電極板（Ｘ軸方向電極板１又は／及びＹ軸方向電極板３）を、製造ラインからリジェクトするか否かをパネル製造仕様等から適宜に判断し決定する。

ステップＳ１３ａ：
リジェクトしない（ｎｏ）と決定し、決定したオープン欠陥発生のパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を、レビュー修正機に導入する。

ステップＳ１３ｂ：
リジェクトする（ｙｅｓ）と決定し、決定したパネル（Ｘ方向電極板１又は／及びＹ方向電極板３）を製造ラインからリジェクトし、Ｓ１３ｃにて製造ライン外に排出する。

ステップＳ１４：
前記検査対象エリアの欠陥発生の電極板の電極層画像データと基準画像データとをレビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る。

ステップＳ１５：
レビュー修正機III のディスプレイ画面に、差分画像データに基づく差分画像パターンを表示する。

ステップＳ１６：
レビュー修正機III にて電極板の差分画像パターン部分の電極層パターンを消去又は追加して、撮り込まれた画像パターンを基準画像パターンに整合させる。

ステップＳ１７：
撮り込まれた電極板の画像パターンが基準画像パターンに整合したか否かをレビュー修正機III によるデータの比較対照、及びそのディスプレイ画面にて確認し、整合した場合は、Ｓ１８に進み、未だ整合しない場合はＳ１５に進み、再度修正した整合させる。

ステップＳ１８：
直交積層配置後の全数タッチパネルの各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子と各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値を、導通検査機IIを用いて測定し、ショート検査する

ステップＳ１９：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上であるか否かを確認する。

ステップＳ１９ａ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上（ｙｅｓ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）として特定されて、製造ラインにて製造されたタッチパネルは、オープン欠陥無し、ショート欠陥無しとして、総合検査（オープン検査、ショート検査）がＯＫとなり、オープン検査及びショート検査によるタッチパネルの総合検査はＯＫとなる。

ステップＳ１９ｂ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以下（ｎｏ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した直交積層配置後のタッチパネルＡとして特定される。

ステップＳ１９ｃ：
ショート欠陥の発生した直交積層配置後のタッチパネルＡは製造ライン外にリジェクトする。

本発明の静電容量式の透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システムを、請求項３に係る発明に関して、図１５〜図１７に示すシステムフローチャート図に基づいて、以下に詳細に説明する。

ステップＳ１：
タッチパネル製造ライン上の各製造工程（製造処理工程）における製造状況を把握する制御手段Ｉからの指示により、その製造ライン上の所定製造工程（Ｘ軸方向電極板のＸ軸方向電極層１ａパターン製造処理工程と、Ｙ軸方向電極板のＹ軸方向電極層３ａパターン製造処理工程）にて順次製造処理される直交積層配置前の全数パネルＡ1 〜ＸＡn の中から任意のパネルＡk （部分数Ａk1〜Ａkn) ［Ｘ軸方向電極板の全数パネルＸＡ1 〜ＸＡn の中から任意のパネルＸＡk （部分数ＸＡk1〜ＸＡkn) 、及びＹ軸方向電極板の全数パネルＹＡ1 〜ＹＡn の中から、任意のパネルＹＡk （部分数ＹＡk1〜ＹＡkn) ］を、検査用パネルとして、製造工程間に配置されたバッファ手段（パネル分岐搬送手段、パネル待機手段等）にて抜き取り、一旦待機させてバッファ手段から画像検査機III に導入して、オープン検査（断線有無検査）を実施する。

抜き取られ画像検査機III に導入されたパネルＡk （部分数Ａk1〜Ａkn) の全面のＸ方向電極層、Ｙ方向電極層を画像データとして撮り込み、制御手段ＩのサーバＩａに記憶収納する。

ステップＳ２：撮り込まれた画像データと予めサーバＩａに準備されている基準画像データとを画像検査機III にて比較対照し、差分画像データを得る。

ステップＳ３：画像検査機III による比較対照により、抜き取りＸ方向電極板１とＹ方向電極板３の差分画像データ（欠陥発生データ）が取得されない場合（ｎｏ）は、ステップＳ３ａに進み、取得された場合（ｙｅｓ）はステップＳ３ｂに進む。

ステップＳ５ａ：
測定された抵抗値が規定値以下であると判定され、オープン欠陥の発生無し、オープン検査結果ＯＫと判定され、Ｘ方向電極層、又は／及び、Ｙ方向電極層の各対の始端子と終
端子間に断線の発生無しと判定される。

ステップＳ１４：
直交積層配置後の全数タッチパネルの各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子と各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値を、導通検査機III を用いて測定し、ショート検査を実施する。

ステップＳ１５：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上であるか否かを確認する。

ステップＳ１５ａ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以上（ｙｅｓ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）として特定されて、製造ラインにて製造されたタッチパネルは、オープン欠陥無し、ショート欠陥無しとして、総合検査（オープン検査、ショート検査）がＯＫとなる。

ステップＳ１５ｂ：
ショート検査により測定された抵抗値が、規定値以下（ｙｅｓ）であることを確認し、ショート欠陥の発生した電極層（Ｘ軸方向電極層又は／及びＹ軸方向電極層）としてショート検査結果ＮＧと判定されて、Ｓ１５ｃに進む。

ステップＳ１５ｃ：
ショート検査結果ＮＧと判定された電極板は、製造ライン外にリジェクトされて排出される。

図１８（ａ）〜（ｅ）は、直交積層配置前のＸ軸方向電極板１又はＹ軸方向電極板３に発生した電極層のパターン欠陥個所を、レビュー修正機IVにて修正する場合の修正方法の一例を説明する修正工程図である。

図１８（ａ）に示すように、Ｘ軸方向電極板１は、透明ガラス基板の片面にＸ軸方向透明電極層１ａがパターン形成され、またＹ軸方向電極板３は、透明ガラス基板の片面にＹ軸方向透明電極層３ａがパターン形成されている。Ｘ軸方向電極板１の電極層１ａ上には透明ガラス基板上から透明性絶縁膜４がコーティングされている。またはＹ軸方向電極板３の電極層３ａ上には透明ガラス基板上から透明性絶縁膜４がコーティングされている。

そして、Ｘ軸方向電極板１の電極層１ａの一部には、ショート欠陥パターン部１ａｎが発生している。またはＹ軸方向電極板３の電極層３ａの一部には、ショート欠陥パターン部３ａｎが発生している。

図１８（ｂ）に示すように、レビュー修正機IVのレーザービーム手段IV1 にて、Ｘ軸方向電極板１（又はＹ軸方向電極板３）の電極層１ａ（又は３ａ）の一部に発生しているショート欠陥パターン部１ａｎ（又は３ａｎ）に対して、熱レーザーＬを照射する。そして欠陥パターン部１ａｎを被覆している透明性絶縁膜４と欠陥パターン部１ａｎとを焼却して除去する。

図１８（ｃ）は、欠陥パターン部１ａｎ（又は３ａｎ）を除去した後の電極層１ａ（又は３ａ）と透明性絶縁膜４の消去された消去５である。

続いて図１８（ｄ）に示すように、Ｘ軸方向電極板１（又はＹ軸方向電極板３）の電極層１ａ（又は３ａ）と透明性絶縁膜４の消去された消去部５に、透明性絶縁剤を噴射するノズル部IV2 の先端を位置決めする。

続いてノズル部IV2 を用いて、修正透明性絶縁膜６を充填塗布する。塗布方式は特に限定されない。

Ａ…タッチパネル
Ｉ…システム制御手段
ＩＩ…導通検査機
ＩＩＩ…画像検査機
ＩＶ…レビュー修正機
１…Ｘ軸方向電極板
１ａ…Ｘ軸方向電極層
１ａｎ…Ｘ軸方向電極層の欠陥パターン部
２…透明性絶縁層
３…Ｙ軸方向電極板
３ａ…Ｙ軸方向電極層
３ａｎ…Ｙ軸方向電極層の欠陥パターン部
４…透明性絶縁層
５…消去部
６…修正透明性絶縁膜

Claims

１）直交積層配置前のタッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
２）直交積層配置前の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値、及びＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
３）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された前記始端子若しくは終端子を含む、前記Ｘ軸方向電極板のＸ軸方向電極層、又は／及び、前記Ｙ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
４）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
５）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
６）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システム。
１）製造される全数タッチパネルの中から任意に抜き取られた直交積層配置前の部分数タッチパネルのＸ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層とＹ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層とを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む抜き取りパネル画像データ撮り込み段階と、
２）撮り込まれた抜き取りパネル画像データと予め準備された基準画像データとを画像検査機にて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
３）取得された前記差分画像データに基づく差分パターン座標位置を欠陥発生位置として特定し、導通検査対象エリアとして絞り込む導通検査対象エリア絞り込み段階と、
４）直交積層配置前の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
５）直交積層配置前の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値、及びＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の前記タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
６）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された前記始端子若しくは終端子を含む、前記Ｘ軸方向電極板のＸ軸方向電極層、又は／及び、前記Ｙ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
７）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
８）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
９）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正システム。
１）製造される全数タッチパネルの中から任意に抜き取られた直交積層配置前の部分数タッチパネルのＸ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層とＹ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層とを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む抜き取りパネル画像データ撮り込み段階と、
２）撮り込まれた抜き取りパネル画像データと予め準備された基準画像データとを画像検査機にて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
３）取得された前記差分画像データに基づく差分パターン座標位置を欠陥発生位置として特定し、導通検査対象エリアとして絞り込む導通検査対象エリア絞り込み段階と、
４）絞り込まれた前記導通検査対象エリアについて、製造される直交積層配置前の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の各対の始端子と終端子間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以上の抵抗値の発生した対の始端子と終端子をオープン欠陥発生部位として特定するオープン欠陥発生端子特定段階と、
５）絞り込まれた前記導通検査対象エリアについて、製造される直交積層配置前の各Ｘ軸方向電極層の互いに隣接する始端子間又は終端子間の抵抗値とＹ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の互いに隣接する終端子間又は始端子間の抵抗値と、直交積層配置後の全数タッチパネルのＸ軸方向電極板における各Ｘ軸方向電極層の始端子又は終端子と、Ｙ軸方向電極板における各Ｙ軸方向電極層の終端子又は始端子との間の抵抗値とを、導通検査機を用いて測定し、規定値以下の抵抗値の発生した端子を、ショート欠陥発生部位として特定するショート欠陥発生端子特定段階と、
６）オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定された始端子若しくは終端子を含む前記Ｘ軸方向電極板の各Ｘ軸方向電極層と、Ｙ軸方向電極板の各Ｙ軸方向電極層を、タッチパネル画像検査対象エリアとして絞り込む画像検査対象エリア絞り込み段階と、
７）前記オープン欠陥又は／及びショート欠陥発生部位として特定され絞り込まれた前記タッチパネル画像検査対象エリアを、画像検査機を用いて画像データとして撮り込む画像データ撮り込み段階と、
８）撮り込まれた画像データと予め準備された前記検査対象部位に相当する部位の基準画像データとを、レビュー修正機を用いて比較対照し、差分画像データを得る差分画像データ取得段階と、
９）前記基準画像データに整合するように、前記画像検査対象エリアのＸ軸方向電極層のパターン又は／及びＹ軸方向電極層の前記差分画像データ相当部分のパターンを修正する電極層パターン修正段階と、
を含むことを特徴とする静電容量式透過型タッチパネルの電極層パターン欠陥検査修正シ
ステム。