JP2012077345A5 - - Google Patents
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Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010222767A JP5665463B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Iii族窒化物半導体素子製造用基板およびiii族窒化物半導体自立基板またはiii族窒化物半導体素子の製造方法 |
CN201610077452.9A CN105529248B (zh) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、iii族氮化物半导体自支撑基板或iii族氮化物半导体元件的制造方法、以及iii族氮化物生长用基板 |
CN201180047494.3A CN103348043B (zh) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、iii族氮化物半导体自支撑基板或iii族氮化物半导体元件的制造方法、以及iii族氮化物生长用基板 |
PCT/JP2011/073154 WO2012043885A1 (fr) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Procédé pour la production d'un substrat pour la fabrication d'un élément semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe iii, procédé pour la production d'un substrat autoporteur de semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe iii ou d'un élément semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe iii et substrat de croissance de nitrure d'élément du groupe iii |
KR1020137008856A KR101503618B1 (ko) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법, iii족 질화물 반도체 자립 기판 또는 iii족 질화물 반도체 소자의 제조 방법, 및 iii족 질화물 성장용 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010222767A JP5665463B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Iii族窒化物半導体素子製造用基板およびiii族窒化物半導体自立基板またはiii族窒化物半導体素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012077345A JP2012077345A (ja) | 2012-04-19 |
JP2012077345A5 true JP2012077345A5 (fr) | 2013-10-24 |
JP5665463B2 JP5665463B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=45893311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010222767A Active JP5665463B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Iii族窒化物半導体素子製造用基板およびiii族窒化物半導体自立基板またはiii族窒化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5665463B2 (fr) |
KR (1) | KR101503618B1 (fr) |
CN (2) | CN105529248B (fr) |
WO (1) | WO2012043885A1 (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2997557B1 (fr) | 2012-10-26 | 2016-01-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique a nanofil(s) muni d'une couche tampon en metal de transition, procede de croissance d'au moins un nanofil, et procede de fabrication d'un dispositif |
FR2997420B1 (fr) | 2012-10-26 | 2017-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de croissance d'au moins un nanofil a partir d'une couche d'un metal de transition nitrure obtenue en deux etapes |
KR102187487B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR101896364B1 (ko) * | 2015-11-11 | 2018-09-07 | 주식회사 아모텍 | 페라이트 시트의 제조방법 및 이를 이용한 페라이트 시트 |
JP6266742B1 (ja) * | 2016-12-20 | 2018-01-24 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
WO2019225112A1 (fr) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 株式会社Sumco | Substrat semi-conducteur au nitrure du groupe iii et son procédé de production |
TWI825187B (zh) * | 2018-10-09 | 2023-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 氮化物半導體膜之形成方法 |
WO2020235074A1 (fr) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 三菱電機株式会社 | Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur et procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6218207B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-04-17 | Mitsushita Electronics Corporation | Method for growing nitride semiconductor crystals, nitride semiconductor device, and method for fabricating the same |
JP3631724B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-03-23 | 日本電気株式会社 | Iii族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
JP4117156B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2008-07-16 | 日本電気株式会社 | Iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
WO2006126330A1 (fr) * | 2005-04-04 | 2006-11-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Procede de tirage d'un monocristal de gan, procede de preparation d'un substrat de gan, procede de fabrication d'un element a base de gan et element a base de gan |
JP4320380B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2009-08-26 | 株式会社 東北テクノアーチ | 構造体 |
JP4248005B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2009-04-02 | 株式会社 東北テクノアーチ | 基板の製造方法 |
JP5060875B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-10-31 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体とその製造方法 |
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010222767A patent/JP5665463B2/ja active Active
-
2011
- 2011-09-30 CN CN201610077452.9A patent/CN105529248B/zh active Active
- 2011-09-30 WO PCT/JP2011/073154 patent/WO2012043885A1/fr active Application Filing
- 2011-09-30 KR KR1020137008856A patent/KR101503618B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-30 CN CN201180047494.3A patent/CN103348043B/zh active Active
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