JP2012071325A - 基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板に多数の貫通孔や非貫通孔を形成する場合に、その作成時間を大幅に短縮できる基板の加工方法の提供。
【解決手段】本発明は、レーザー光に透過性のあるプリント基板1に対して貫通孔などを形成する基板の加工方法である。まず、プリント基板1の第1の深さの各位置にレーザー光を集光させて一度に複数の変質部71を形成する。次に、プリント基板1の第1の深さより浅い第2の深さの各位置に、レーザー光を集光させて一度に複数の変質部72をそれぞれ形成する。そして、このような処理を繰り返して変質部71、72、73、74を積み上げていく。その後、変質部71、72、73、74をエッチングして複数の貫通孔41〜46を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明は、レーザー光に透過性のあるプリント基板1に対して貫通孔などを形成する基板の加工方法である。まず、プリント基板1の第1の深さの各位置にレーザー光を集光させて一度に複数の変質部71を形成する。次に、プリント基板1の第1の深さより浅い第2の深さの各位置に、レーザー光を集光させて一度に複数の変質部72をそれぞれ形成する。そして、このような処理を繰り返して変質部71、72、73、74を積み上げていく。その後、変質部71、72、73、74をエッチングして複数の貫通孔41〜46を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、シリコン基板などレーザー光に透過性を有する基板に貫通孔または非貫通孔を形成する基板の加工方法に関する。
従来、この種の基板の加工方法としては、例えば特許文献1に記載の発明が知られている。
この特許文献1に記載の加工方法は、被加工物であるシリコン基板の内部にレーザーを集光させて変質部を形成し、その後に、変質部をエッチングすることにより貫通孔または非貫通孔を形成するようにしている。
この特許文献1に記載の加工方法は、被加工物であるシリコン基板の内部にレーザーを集光させて変質部を形成し、その後に、変質部をエッチングすることにより貫通孔または非貫通孔を形成するようにしている。
次に、このような加工方法を適用し、レーザー光に透過性のあるシリコン基板に多数の貫通孔を形成する場合の従来の加工方法について、図3を説明する。
まず、図3(A)に示すように、表面と裏面のそれぞれにエッチング保護膜2、3が形成されたシリコン基板1を用意する。エッチング保護膜2、3の所定の位置には、図3(E)に示すような複数の貫通孔4を形成するための孔5、6が形成されている。
まず、図3(A)に示すように、表面と裏面のそれぞれにエッチング保護膜2、3が形成されたシリコン基板1を用意する。エッチング保護膜2、3の所定の位置には、図3(E)に示すような複数の貫通孔4を形成するための孔5、6が形成されている。
次に、シリコン基板1の貫通孔4が形成される位置に、シリコン基板1の貫通孔4を形成する経路(厚さ方向)に沿ってレーザー光を照射する(図3(B)参照)。レーザー光の照射は、レーザー光をレンズを用いて集光し、集光点が厚さ方向に沿って走査(移動)することにより行う。その後、レーザー光による照射(走査)が終了すると、3(C)に示すように、シリコン基板1の貫通孔4が形成される部分(領域)に1つ目の変質部(改質部)7が形成される。
そして、シリコン基板1の複数の貫通孔4が形成される各位置において、上記のレーザー光の照射を繰り返すと、図3(C)に示すように、その各位置において2つ目から6つ目の変質部7が形成される。
ここで、シリコン基板1に形成される変質部7は、例えばシリコン基板1の密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なって変質が生じた部分をいい、エッチングで他の部分より容易に除去できる部分をいう。
ここで、シリコン基板1に形成される変質部7は、例えばシリコン基板1の密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なって変質が生じた部分をいい、エッチングで他の部分より容易に除去できる部分をいう。
次に、シリコン基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行うと、複数の変質部7はそれに係る部位が除去されていく。そして、エッチングが終了すると、シリコン基板1に複数の貫通孔4が形成される(図3(D)参照)。その後、図3(D)の状態からエッチング保護膜2、3をそれぞれ除去すると、図3(E)の状態になる。
ところで、上記のような従来の基板の加工方法では、シリコン基板1の任意の位置に複数の貫通孔(または非貫通孔)を形成するのに先立ち、複数の変質部7を形成する。
しかし、この場合には、シリコン基板1を固定してレーザー光の集光位置を上下方向(X軸方向)に移動させ、その後、シリコン基板1を移動させてさらにレーザー光の集光位置を上下方向に移動させるということを、何回も繰り返す必要がある。
しかし、この場合には、シリコン基板1を固定してレーザー光の集光位置を上下方向(X軸方向)に移動させ、その後、シリコン基板1を移動させてさらにレーザー光の集光位置を上下方向に移動させるということを、何回も繰り返す必要がある。
このため、従来の基板の加工方法では、シリコン基板1の任意の位置に数10個、数100個のように、多数の貫通孔4などを形成する場合には、レーザーヘッドおよびシリコン基板1を載せるテーブルなどの加減速や停止を繰り返すために、相当な形成時間が必要となり、実用性に乏しいという不具合がある。
そこで、本発明の幾つかの態様の目的は、基板に多数の貫通孔や非貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる基板の加工方法を提供することにある。
そこで、本発明の幾つかの態様の目的は、基板に多数の貫通孔や非貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる基板の加工方法を提供することにある。
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明は、以下のように構成される。
本発明の態様の1つは、レーザー光に透過性のある基板に対して非貫通孔または貫通孔を形成する基板の加工方法であって、前記基板の第1の深さの各位置にレーザー光を順次集光させて複数の第1の変質部を形成する第1のステップと、前記基板の第1の深さの位置から該第1の深さの位置よりも浅い第2の深さの位置にレーザー光の集光位置を移動させる第2のステップと、前記基板の第2の深さの各位置に前記レーザー光を順次集光させて複数の第2の変質部を形成する第3のステップと、前記第1および第2の変質部をエッチングして非貫通孔または貫通孔を形成する第4のステップと、を含む。
この方法によれば、レーザー光に透過性のある基板に多数の貫通孔や非貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる。また、この方法は、例えば公知のレーザー加工装置により実現できる。
本発明の態様の1つは、レーザー光に透過性のある基板に対して非貫通孔または貫通孔を形成する基板の加工方法であって、前記基板の第1の深さの各位置にレーザー光を順次集光させて複数の第1の変質部を形成する第1のステップと、前記基板の第1の深さの位置から該第1の深さの位置よりも浅い第2の深さの位置にレーザー光の集光位置を移動させる第2のステップと、前記基板の第2の深さの各位置に前記レーザー光を順次集光させて複数の第2の変質部を形成する第3のステップと、前記第1および第2の変質部をエッチングして非貫通孔または貫通孔を形成する第4のステップと、を含む。
この方法によれば、レーザー光に透過性のある基板に多数の貫通孔や非貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる。また、この方法は、例えば公知のレーザー加工装置により実現できる。
また、前記第2のステップにおいて、前記第1の深さの位置から前記第2の深さの位置に前記レーザー光の集光位置を移動させる場合に、前記レーザー光の集光位置を基板面に垂直な方向および基板面と平行な方向に移動させるようにした。
この方法によれば、公知のレーザー加工装置を適用する場合に、それを活用して貫通孔や非貫通孔の形成時間の短縮を図ることができる。
さらに、前記レーザー光を集光させる光学系にアキシコン素子を使用し、前記第2のステップにおいて、前記レーザー光の集光位置は、前記光学系の焦点深度に対応する長さを単位として、前記基板面に垂直な方向に移動される。
この方法によれば、公知のレーザー加工装置を適用する場合に、それを活用して貫通孔や非貫通孔の形成時間の短縮を図ることができる。
さらに、前記レーザー光を集光させる光学系にアキシコン素子を使用し、前記第2のステップにおいて、前記レーザー光の集光位置は、前記光学系の焦点深度に対応する長さを単位として、前記基板面に垂直な方向に移動される。
この方法によれば、レーザー光の照射により基板の厚さ方向に長い集光状態を形成できるので、変質部を短時間に多数形成できる。
また、前記レーザー光は、YAGレーザー、YVO4レーザー、およびYLFレーザーうちのいずれかの基本波を使用するようにした。そして、前記レーザー光の波長は、900〜1400〔nm〕の範囲とした。
さらに、前記基板は、例えば単結晶シリコン基板である。そして、その単結晶シリコン基板は、面方位が<110>である。
また、前記レーザー光は、YAGレーザー、YVO4レーザー、およびYLFレーザーうちのいずれかの基本波を使用するようにした。そして、前記レーザー光の波長は、900〜1400〔nm〕の範囲とした。
さらに、前記基板は、例えば単結晶シリコン基板である。そして、その単結晶シリコン基板は、面方位が<110>である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(実施形態の工程)
本発明の基板の加工方法に係る実施形態の工程について、図1を参照して説明する。
この実施形態の工程は、シリコン基板のようにレーザー光に透過性のある基板に対して、例えば一列に多数の貫通孔を形成する場合である。
ここで、上記の基板(シリコン基板)としては、単結晶シリコン基板が使用される。そして、その単結晶シリコン基板は、面方位が<110>である。
(実施形態の工程)
本発明の基板の加工方法に係る実施形態の工程について、図1を参照して説明する。
この実施形態の工程は、シリコン基板のようにレーザー光に透過性のある基板に対して、例えば一列に多数の貫通孔を形成する場合である。
ここで、上記の基板(シリコン基板)としては、単結晶シリコン基板が使用される。そして、その単結晶シリコン基板は、面方位が<110>である。
まず、図1(A)に示すように、表面と裏面のそれぞれにエッチング保護膜2、3が形成されたシリコン基板1を用意する。エッチング保護膜2、3の所定の位置には、図2(F)に示すような複数の貫通孔4を形成するための孔5、6が形成されている。
ここで、エッチング保護膜2、3は、シリコン基板1のエッチングのときに溶出せず、レーザー光に透過性を有するものであれば良い。エッチング保護膜2、3としては、酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコン(SiN)などを使用する。
ここで、エッチング保護膜2、3は、シリコン基板1のエッチングのときに溶出せず、レーザー光に透過性を有するものであれば良い。エッチング保護膜2、3としては、酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコン(SiN)などを使用する。
次に、例えば公知のレーザー加工装置を用いて、シリコン基板1に対して以下のようなレーザー光による照射処理を行なう。
ここで、レーザー加工装置は、例えばシリコン基板1を載せる加工テーブル10と、レーザー光を出射するとともにそのレーザー光を集光するレーザーヘッド20と、を少なくとも備えている。そして、加工テーブル10はX軸およびY軸方向に移動できるようになっており、レーザーヘッド20はZ軸方向に移動できるようになっている。
ここで、レーザー加工装置は、例えばシリコン基板1を載せる加工テーブル10と、レーザー光を出射するとともにそのレーザー光を集光するレーザーヘッド20と、を少なくとも備えている。そして、加工テーブル10はX軸およびY軸方向に移動できるようになっており、レーザーヘッド20はZ軸方向に移動できるようになっている。
まず、レーザー加工装置の加工テーブル10にシリコン基板1を載せた後、加工テーブル10の移動を開始させる。そして、図1(B)に示すように、シリコン基板1の1つ目の貫通孔41(図2(H)参照)が形成される位置に、レーザーヘッド20の位置が対向するようになったときに、加工テーブル10の移動を停止させる。
次に、レーザーヘッド20の位置を固定のままとし、加工テーブル10を図1(B)の位置からX軸方向(図の左の方向)に移動させることにより、シリコン基板1のX軸方向の移動を開始させる。
次に、レーザーヘッド20の位置を固定のままとし、加工テーブル10を図1(B)の位置からX軸方向(図の左の方向)に移動させることにより、シリコン基板1のX軸方向の移動を開始させる。
この移動の開始と同時に、レーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、1つ目の貫通孔41が形成される領域内(経路内)の第1の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部71が形成される。ここで、第1の深さの位置は、シリコン基板1の厚さ方向の一番深い位置である。
さらに、シリコン基板1の2つ目〜5つ目の貫通孔42〜45が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向するたびに、レーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、2つ目〜5つ目の貫通孔42〜45が形成される各領域内の第1の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部71がそれぞれ形成される。
さらに、シリコン基板1の2つ目〜5つ目の貫通孔42〜45が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向するたびに、レーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、2つ目〜5つ目の貫通孔42〜45が形成される各領域内の第1の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部71がそれぞれ形成される。
その後、6つ目の貫通孔46が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向したときにレーザーヘッド20からレーザー光を出射させ、これと同時に加工テーブル10の移動を停止させる。これにより、6つ目の貫通孔46が形成される領域内(経路内)の第1の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部71が形成される。
この結果、図1(C)に示すように、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内の第1の深さの各位置に、1つ目の変質部71がそれぞれ形成される。
この結果、図1(C)に示すように、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内の第1の深さの各位置に、1つ目の変質部71がそれぞれ形成される。
次に、加工テーブル10を停止させたままとし、レーザーヘッド20をZ軸方向に所定量だけ移動させたのち停止せると、図1(D)の状態になる。レーザーヘッド20の移動量は、レーザー光を集光させる光学系の焦点深度の長さに対応する値である。
ここで、レーザー光を集光させる光学系にアキシコン素子などを使用する場合には、レーザーヘッド20の移動量(移動単位)は、そのアキシコン素子を含む光学系の焦点深度に対応する長さである。
ここで、レーザー光を集光させる光学系にアキシコン素子などを使用する場合には、レーザーヘッド20の移動量(移動単位)は、そのアキシコン素子を含む光学系の焦点深度に対応する長さである。
その後、レーザーヘッド20の位置を固定のままとし、加工テーブル10をX軸方向(図の右の方向)に移動させることにより、シリコン基板1のX軸方向の移動を開始させる。
この移動の開始と同時に、レーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、貫通孔41が形成される領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部72が形成される。ここで、第2の深さは、上記の第1の深さよりも浅い。
この移動の開始と同時に、レーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、貫通孔41が形成される領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部72が形成される。ここで、第2の深さは、上記の第1の深さよりも浅い。
さらに、シリコン基板1の貫通孔42〜45が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向するたびにレーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、貫通孔42〜45が形成される各領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部72がそれぞれ形成される。
その後、貫通孔46が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向したときにレーザーヘッド20からレーザー光が出射され、これと同時に加工テーブル10の移動を停止させる。これにより、貫通孔46が形成される領域内の第2の深さの位置にレーザー光を集光させて、変質部72を形成させる。
その後、貫通孔46が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向したときにレーザーヘッド20からレーザー光が出射され、これと同時に加工テーブル10の移動を停止させる。これにより、貫通孔46が形成される領域内の第2の深さの位置にレーザー光を集光させて、変質部72を形成させる。
この結果、図1(E)に示すように、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内の第2の深さの各位置に、1つ目の各変質部71に連なる2つ目の変質部72がそれぞれ形成される。
さらに、上記のように、レーザーヘッド20のZ軸方向の移動、加工テーブル10のX軸方向の移動、およびレーザーヘッド20からのレーザー光の照射などの一連の処理(制御)を繰り返す。
さらに、上記のように、レーザーヘッド20のZ軸方向の移動、加工テーブル10のX軸方向の移動、およびレーザーヘッド20からのレーザー光の照射などの一連の処理(制御)を繰り返す。
そして、その処理が終了すると、図2(F)に示すように、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内の第3および第4の深さ各位置に、3つ目の変質部73と4つ目の変質部74がそれぞれ形成される。
この結果、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内には、4つの変質部71〜74が積み上げられた状態になる(図2(F)参照)。
この結果、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される各領域内には、4つの変質部71〜74が積み上げられた状態になる(図2(F)参照)。
ここで、変質部71〜74をシリコン基板1内に形成し得る限り、レーザー光としては種々のものを採用することが可能である。上記のレーザー光の例としては、シリコンに対して透過性のある近赤外光レーザー光を使用する。
そして、レーザー光は、波長が900〜1400〔nm〕の範囲のものが使用される。具体的には、波長が914、1064、1319、又は1342〔nm〕であるYAGレーザー光とVYO4レーザー光、および波長が1047、1053、又は1313〔nm〕であるYLFレーザー光などを使用する。
また、レーザー光を使用して変質部71〜74をより短時間に多数形成するためには、上記のように、深さ方向に長い集光状態を形成できるアキシコン素子を光学系に使用すれば良い。
そして、レーザー光は、波長が900〜1400〔nm〕の範囲のものが使用される。具体的には、波長が914、1064、1319、又は1342〔nm〕であるYAGレーザー光とVYO4レーザー光、および波長が1047、1053、又は1313〔nm〕であるYLFレーザー光などを使用する。
また、レーザー光を使用して変質部71〜74をより短時間に多数形成するためには、上記のように、深さ方向に長い集光状態を形成できるアキシコン素子を光学系に使用すれば良い。
次に、シリコン基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件(時間、温度、濃度)で異方性エッチングを行うと、変質部71〜74に係る部位が除去されていく。そして、エッチングが終了すると、シリコン基板1に複数の貫通孔41〜46が形成される(図2(G)参照)。
なお、上記のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム溶液(KOH溶液)を使用するが、シリコン基板1がエッチング可能であれば良い。
なお、上記のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム溶液(KOH溶液)を使用するが、シリコン基板1がエッチング可能であれば良い。
その後、図2(G)の状態からエッチング保護膜2、3をそれぞれ除去すると、図2(H)の状態になる。
以上のように、この実施形態では、まず、シリコン基板1の複数の貫通孔41〜46を形成すべき各領域内であって、その各領域内の第1の深さの各位置に、レーザー光を順に照射して一度に複数の変質部71をそれぞれ形成するようにした。
以上のように、この実施形態では、まず、シリコン基板1の複数の貫通孔41〜46を形成すべき各領域内であって、その各領域内の第1の深さの各位置に、レーザー光を順に照射して一度に複数の変質部71をそれぞれ形成するようにした。
次に、その貫通孔41〜46を形成すべき各領域内であって、第1の深さよりも浅い第2の深さの各位置に、レーザー光を順に照射して一度に複数の変質部72をそれぞれ形成するようにした。
さらに、上記の処理を繰り返すことにより、シリコン基板1の貫通孔41〜46を形成すべき各領域内には、例えば4つの変質部71〜74が積み上げられるようにした。
このため、この実施形態によれば、シリコン基板1に多数の貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる。また、この方法は、例えば公知のレーザー加工装置により実現できる。
さらに、上記の処理を繰り返すことにより、シリコン基板1の貫通孔41〜46を形成すべき各領域内には、例えば4つの変質部71〜74が積み上げられるようにした。
このため、この実施形態によれば、シリコン基板1に多数の貫通孔を形成する場合に、その形成時間を大幅に短縮できる。また、この方法は、例えば公知のレーザー加工装置により実現できる。
(その他の実施形態)
(1)上記の実施形態では、図1(B)〜(E)に示すような手順により、シリコン基板1に対してレーザー光の照射処理を行なうようにした。
しかし、以下のような手順により、シリコン基板1に対してレーザー光の照射処理を行なうようにしても良い。
まず、図1(C)に示すように、第1の深さの各位置において一度に複数の変質部71を形成する場合に、最後の変質部71の形成の終了後に、さらに加工テーブル10は移動を継続させて停止させるようにする。
(1)上記の実施形態では、図1(B)〜(E)に示すような手順により、シリコン基板1に対してレーザー光の照射処理を行なうようにした。
しかし、以下のような手順により、シリコン基板1に対してレーザー光の照射処理を行なうようにしても良い。
まず、図1(C)に示すように、第1の深さの各位置において一度に複数の変質部71を形成する場合に、最後の変質部71の形成の終了後に、さらに加工テーブル10は移動を継続させて停止させるようにする。
その状態から、図1(E)に示すように、第2の深さの各位置において一度に複数の変質部72を形成するには、レーザーヘッド20をZ軸方向に第1の深さ位置から第2の深さ位置まで移動させるとともに、加工テーブル10をX軸方向に移動させる(図1(D)参照)。
その後、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向するたびにレーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、貫通孔41〜46が形成される各領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部72がそれぞれ形成される(図1(E)参照)。最後の変質部72の形成の終了後に、さらに加工テーブル10は移動を継続させて停止させるようにする。
その後、シリコン基板1の貫通孔41〜46が形成される位置が、レーザーヘッド20と対向するたびにレーザーヘッド20からレーザー光を出射させる。これにより、貫通孔41〜46が形成される各領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光されて、変質部72がそれぞれ形成される(図1(E)参照)。最後の変質部72の形成の終了後に、さらに加工テーブル10は移動を継続させて停止させるようにする。
(2)上記の実施形態では、シリコン基板1に複数の貫通孔41〜46を形成する場合について説明した。
しかし、本発明は、複数の貫通孔41に代えて複数の非貫通孔を形成する場合にも適用できる。この場合には、レーザー光の照射による変質部71などの形成が不要となる(図1(C)および図2(F)参照)。
また、複数の非貫通孔を形成する場合には、シリコン基板1の表面および裏面のうちのいずれか一方に形成しても良く、またはその双方に形成しても良い。
しかし、本発明は、複数の貫通孔41に代えて複数の非貫通孔を形成する場合にも適用できる。この場合には、レーザー光の照射による変質部71などの形成が不要となる(図1(C)および図2(F)参照)。
また、複数の非貫通孔を形成する場合には、シリコン基板1の表面および裏面のうちのいずれか一方に形成しても良く、またはその双方に形成しても良い。
(3)上記の実施形態では、シリコン基板1に複数の貫通孔41〜46を一列に配列して形成する場合について説明した。
しかし、本発明は、複数の貫通孔は任意の位置に複数列の配列でも良く、その複数列の配列方向なども問わない。この点は、複数の貫通孔に代えて複数の非貫通孔を形成する場合も同様である。
(4)上記の実施形態では、加工テーブル10をX軸およびY軸方向に移動させ、レーザーヘッド20をZ軸方向に移動させる場合について説明した。しかし、これに代えて、加工テーブル10をZ軸方向に移動させ、レーザーヘッド20をX軸およびY軸方向に移動させるようにしても良い。
しかし、本発明は、複数の貫通孔は任意の位置に複数列の配列でも良く、その複数列の配列方向なども問わない。この点は、複数の貫通孔に代えて複数の非貫通孔を形成する場合も同様である。
(4)上記の実施形態では、加工テーブル10をX軸およびY軸方向に移動させ、レーザーヘッド20をZ軸方向に移動させる場合について説明した。しかし、これに代えて、加工テーブル10をZ軸方向に移動させ、レーザーヘッド20をX軸およびY軸方向に移動させるようにしても良い。
1・・・シリコン基板、2、3・・・エッチング保護膜、5、6・・・孔、10・・・加工テーブル、20・・・レーザーヘッド、41〜46・・・貫通孔、71〜74・・・変質部(改質部)
Claims (7)
- レーザー光に透過性のある基板に対して非貫通孔または貫通孔を形成する基板の加工方法であって、
前記基板の第1の深さの各位置にレーザー光を順次集光させて複数の第1の変質部を形成する第1のステップと、
前記基板の第1の深さの位置から該第1の深さの位置よりも浅い第2の深さの位置にレーザー光の集光位置を移動させる第2のステップと、
前記基板の第2の深さの各位置に前記レーザー光を順次集光させて複数の第2の変質部を形成する第3のステップと、
前記第1および第2の変質部をエッチングして非貫通孔または貫通孔を形成する第4のステップと、
を含むことを特徴とする基板の加工方法。 - 前記第2のステップにおいて、前記第1の深さの位置から前記第2の深さの位置に前記レーザー光の集光位置を移動させる場合に、前記レーザー光の集光位置を基板面に垂直な方向および基板面と平行な方向に移動させるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。
- 前記レーザー光を集光させる光学系にアキシコン素子を使用し、
前記第2のステップにおいて、前記レーザー光の集光位置は、前記光学系の焦点深度に対応する長さを単位として、前記基板面に垂直な方向に移動されることを特徴とする請求項2に記載の基板の加工方法。 - 前記レーザー光は、YAGレーザー、YVO4レーザー、およびYLFレーザーのうちのいずれかの基本波であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれか1項に記載の基板の加工方法。
- 前記レーザー光の波長は、900〜1400nmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちのいずれか1項に記載の基板の加工方法。
- 前記基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちのいずれか1項に記載の基板の加工方法。
- 前記単結晶シリコン基板は、面方位が<110>であることを特徴とする請求項6に記載の基板の加工方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072449A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 大日本印刷株式会社 | 導電材充填貫通電極基板及びその製造方法 |
JP2018015798A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
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CN109483059A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 汉民科技股份有限公司 | 激光加工方法 |
-
2010
- 2010-09-28 JP JP2010217878A patent/JP2012071325A/ja active Pending
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