JP2012064702A - Die bonder and semiconductor manufacturing method - Google Patents
Die bonder and semiconductor manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012064702A JP2012064702A JP2010206836A JP2010206836A JP2012064702A JP 2012064702 A JP2012064702 A JP 2012064702A JP 2010206836 A JP2010206836 A JP 2010206836A JP 2010206836 A JP2010206836 A JP 2010206836A JP 2012064702 A JP2012064702 A JP 2012064702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- static electricity
- amount
- collet
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 141
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 141
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000009474 immediate action Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Abstract
Description
本発明は、ダイボンダ及び半導体製造方法に係わり、特に、電子部品組立工程において、ダイのピックアップ時に発生するチャージアップに起因した電子部品の破壊を防止する信頼性の高いダイボンダ及び半導体製造方法に関する。 The present invention relates to a die bonder and a semiconductor manufacturing method, and more particularly, to a highly reliable die bonder and a semiconductor manufacturing method for preventing destruction of an electronic component due to charge-up that occurs when a die is picked up in an electronic component assembly process.
ダイ(半導体チップ)(以下、単にダイという)を配線基板やリードフレームなどの基板に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ(以下、単にウエハという)からダイを分割する工程と、分割したダイを基板上に搭載するダイボンディング工程とがある。 A part of the process of assembling a package by mounting a die (semiconductor chip) (hereinafter simply referred to as a die) on a substrate such as a wiring board or a lead frame, and a step of dividing the die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) And a die bonding step of mounting the divided dies on the substrate.
ダイボンディング工程の中には、ウエハから分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、これらダイをピックアップ装置に保持されたダイシングテープから1個ずつ剥離し、コレットと呼ばれる吸着治具を使って基板上に搬送する。 In the die bonding process, there is a peeling process for peeling the divided dies from the wafer. In the peeling process, these dies are peeled one by one from the dicing tape held by the pickup device, and conveyed onto a substrate using a suction jig called a collet.
ダイボンディング工程、特に剥離工程において、ダイをダイシングテープから剥離する際に、静電気がチャージアップし、その静電気が接地電位に流れる際にダイに形成されている電子部品が静電破壊されることがある。 In the die bonding process, especially in the peeling process, when the die is peeled from the dicing tape, static electricity is charged up, and when the static electricity flows to the ground potential, the electronic components formed on the die may be electrostatically destroyed. is there.
この静電気に起因する電子部品の静電破壊の防止策として、例えば、特許文献1には、試験を行う半導体素子の近傍に静電気量を測定する静電気測定器と、該静電気測定器の上下限値を設定するマークセンサ部と、上記上下限値を超えた場合に半導体素子の試験を停止する技術が開示されている。
As measures for preventing electrostatic breakdown of electronic components caused by static electricity, for example,
また、特許文献2には、ダイが有する容量値より大きなコンデンサを用いて電荷量を算出する計測装置において、イオナイザー雰囲気におかれた被測定物の帯電量を計測するために、イオナイザーにより生成されるコンデンサのオフセット電流をキャンセルするためのオフセット電流キャンセル手段を設けた計測装置が開示されている。
Further, in
従来は、上記のダイボンディング工程などの電子部品組立工程において、チャージアップした静電気量の測定は、異常が発生したと判断された場合に、ハンディタイプの簡易な測定器により静電気量を測定し、静電気量の状態を把握していた。その際、静電気量の測定には、主に非接触式が使用されていた。 Conventionally, in the electronic component assembly process such as the die bonding process described above, the charged amount of static electricity is measured by using a handy type simple measuring device when it is determined that an abnormality has occurred. I knew the state of static electricity. At that time, the non-contact type was mainly used for measuring the amount of static electricity.
この非接触式による測定は、広い範囲の静電気量を測定してしまうために、静電気の放電が発生する所望の狭い範囲での静電量を正確に把握できずに誤検出したり、あるいは測定値が不安定になる不具合があった。 This non-contact type measurement measures the amount of static electricity in a wide range, so that it is not possible to accurately grasp the electrostatic amount in the desired narrow range where static electricity discharge occurs, or it is erroneously detected, or the measured value There was a problem that became unstable.
また、異常が発生したと判断された場合にのみ測定が行われるのが通常であったために、作業中に連続して静電気量をモニタできず、異常値をリアルタイムに判定し、異常がある場合に即時に対処することができないという課題があった。 In addition, since measurements were normally made only when it was determined that an abnormality occurred, the amount of static electricity could not be monitored continuously during work, and abnormal values were judged in real time and there was an abnormality. There was a problem that it was not possible to deal with it immediately.
そこで、本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、本発明の第1の目的は、非接触方式による測定誤差や誤検出を低減する接触方式によるダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a contact bond die bonder and a semiconductor manufacturing method that reduce measurement errors and false detections due to a contactless process. is there.
また、第2の目的は、電子部品ハンドリング時に連続して静電気量のモニタができ、異常値をリアルタイムに判定し、異常がある場合に即時に対処することができるダイボンダおよび半導体製造方法を提供することである。 A second object of the present invention is to provide a die bonder and a semiconductor manufacturing method that can continuously monitor the amount of static electricity during electronic component handling, determine an abnormal value in real time, and take immediate action when there is an abnormality. That is.
上記目的を達成するために、本発明になるダイボンダの主な一つは、ダイをピックアップするコレットを有するピックアップ部と、前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、ダイに帯電する静電気をダイに接触して測定する静電気測定用センサと、静電気測定用センサがダイに所定の圧力で押圧されるように静電気測定用センサの一部に取り付けられた押圧付与部材とを有し、ピックアップ作業の間、静電気測定用センサを用いてダイの静電気量を測定することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the main one of the die bonders according to the present invention is a pickup unit having a collet for picking up a die, a die bonding unit for bonding the die conveyed by the collet to a frame, and a die A static electricity measuring sensor for measuring static electricity charged on the die by contacting the die, and a pressing member attached to a part of the static electricity measuring sensor so that the electrostatic measurement sensor is pressed against the die at a predetermined pressure. And measuring the amount of static electricity of the die using a sensor for measuring static electricity during the pick-up operation.
また、本発明になるダイボンダの別な一つは、ダイをピックアップするコレットを有するピックアップ部と、前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、ダイに生じる静電気をダイに接触して測定する静電気測定用センサと、静電気測定用センサで測定した静電気量を表示する帯電量表示装置と、ダイに生じた静電気を低減するイオンを照射するイオナイザーと、帯電量表示装置からの信号を送受信しイオナイザーを制御する制御手段とを有し、ピックアップ作業の間、ダイの静電気量を測定し、測定した静電気量が規定量を超えている場合に、制御手段は前記イオナイザーにダイに対してイオン照射を指示する手段を有することを特徴とする。 Another die bonder according to the present invention includes a pick-up unit having a collet for picking up a die, a die bonding unit for bonding the die conveyed by the collet to a frame, and static electricity generated in the die. A sensor for measuring static electricity that is measured by contact, a charge amount display device that displays the amount of static electricity measured by the sensor for electrostatic measurement, an ionizer that irradiates ions that reduce static electricity generated on the die, and a charge amount display device Control means for transmitting and receiving signals and controlling the ionizer, and during the pick-up operation, the amount of static electricity of the die is measured, and when the measured amount of static electricity exceeds a specified amount, the control means sends the ionizer to the die. It has the means to instruct | indicate ion irradiation with respect to it.
さらに、本発明になるダイボンダの別な一つは、ダイをピックアップするコレットを有するピックアップ部と、前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、フレームに生じる静電気をフレームに接触して測定する静電気測定用センサと、静電気測定用センサで測定した静電気量を表示する帯電量表示装置と、フレームに生じた静電気を低減するイオンを照射するイオナイザーと、帯電量表示装置からの信号を送受信しイオナイザーを制御する制御手段とを有し、フレーム搬送作業の間、フレームの静電気量を測定し、測定した静電気量が規定量を超えている場合に、制御手段はイオナイザーにフレームに対してイオン照射を指示する手段を有することを特徴とする。 Furthermore, another die bonder according to the present invention includes a pickup unit having a collet for picking up a die, a die bonding unit for bonding the die conveyed by the collet to the frame, and static electricity generated in the frame to the frame. A sensor for measuring static electricity that is measured by contact, a charge amount display device that displays the amount of static electricity measured by the sensor for electrostatic measurement, an ionizer that irradiates ions that reduce static electricity generated in the frame, and a charge amount display device Control means for transmitting and receiving signals and controlling the ionizer. During the frame transport operation, the amount of static electricity of the frame is measured, and when the measured amount of static electricity exceeds the specified amount, the control means is attached to the ionizer on the frame. It has the means to instruct | indicate ion irradiation with respect to it.
また、本発明になる半導体製造方法の一つは、ダイシングテープに貼り付けられた複数のダイのうち剥離対象とするダイをコレットで吸着するステップと、ダイシングテープの所定の位置を突き上げてダイをダイシングテープから剥離するステップと、剥離されたダイをピックアップする工程とを有し、少なくとも剥離するステップにおいて、静電気測定用センサをダイに接触させて測定し、ダイに帯電する静電気量をリアルタイムで測定することを特徴とする。 One of the semiconductor manufacturing methods according to the present invention includes a step of adsorbing a die to be peeled out of a plurality of dies attached to a dicing tape with a collet, and pushing up a predetermined position of the dicing tape. It has a step of peeling from the dicing tape and a step of picking up the peeled die. At least in the peeling step, the sensor for measuring static electricity is brought into contact with the die for measurement, and the amount of static electricity charged on the die is measured in real time. It is characterized by doing.
本発明によれば、測定誤差や誤検出を低減した接触方式によるダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the die bonder and semiconductor manufacturing method by a contact system which reduced the measurement error and the false detection can be provided.
また、電子部品ハンドリング時に連続して静電気量のモニタができ、異常値をリアルタイムに判定し、異常がある場合に即時に対処することができるダイボンダおよび半導体製造方法を提供できる。これにより、多量の不良発生を防止することができる。 In addition, it is possible to provide a die bonder and a semiconductor manufacturing method that can continuously monitor the amount of static electricity during electronic component handling, determine an abnormal value in real time, and take immediate action when there is an abnormality. Thereby, a large amount of defects can be prevented.
以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の一実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダ10は大別してウエハ供給部1と、ワーク供給・搬送部2と、ダイボンディング部3とを有する。
ワーク供給・搬送部2はスタックローダ13と、フレームフィーダ14と、ローダ15とを有する。スタックローダ13は、ダイを接着するワーク(リードフレーム)をフレームフィーダ14に供給する。フレームフィーダ14は、ワークをフレームフィーダ14上の2箇所の処理位置を介してアンローダ18に搬送する。アンローダ18は、搬送されたワークを保管する。
ダイボンディング部3は、プリフォーム部16とボンディングヘッド部17とを有する。プリフォーム部16は、フレームフィーダ14により搬送されてきたワークにダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部17は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイを水平移動してフレームフィーダ14上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部17はボンディングポイントでダイを下降させ、ダイ接着剤が塗布されたワーク上にダイをボンディングする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a conceptual view of a
The workpiece supply /
The die bonding unit 3 includes a
ウエハ供給部1は、ウエハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウエハカセットリフタ11は、ウエハリングが充填されたウエハカセット(図示せず)を有し,順次ウエハリングをピックアップ装置12に供給する。ピックアップ装置12は、所望するダイをウエハリングからピックアップできるように、ウエハリングを移動する。
The
次に、図2および図3を用いてピックアップ装置12の構成を説明する。図2は、ピックアップ装置12の外観斜視図を示す図である。図3は、ピックアップ装置12の主要部を示す概略断面図である。図2、図3に示すように、ピックアップ装置12はウエハリング7を保持するエキスパンドリング6と、ウエハリング7に保持され複数のダイ(チップ)4が接着されたダイシングテープ8を水平に位置決めする支持リング9と、支持リング9の内側に配置されダイ4を上方に突き上げるための突き上げユニット30とを有する。突き上げユニット30は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはピックアップ装置12が移動するようになっている。
Next, the configuration of the
ピックアップ装置12は、ダイ4の突き上げ時に、ウエハリング7を保持しているエキスパンドリング6を下降させる。その結果、ウエハリング7に保持されているダイシングテープ8が引き伸ばされダイ4の間隔が広がり、突き上げユニット30によりダイ下方よりダイ4を突き上げ、ダイ4のピックアップ性を向上させている。なお、ダイの薄型化に伴い接着剤は液状からフィルム状となり、ウエハとダイシングテープ8との間にダイアタッチフィルム5と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム5を有するウエハでは、ダイシングはウエハとダイアタッチフィルム5に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウエハとダイアタッチフィルム5をダイシングテープ8から剥離する。
<実施例1>
図4は、本発明の一実施形態であるダイボンダの要部を示す概略側面図である。
本図で示すダイボンダは、ダイ4のピックアップ部を中心に示している。機能としては、ダイシングテープ43を突き上げ駒44により突上げ、次に、突き上げ針にて再度突上げる。コレット42が上方に突き出たダイ4をピックアップし、ピックアップされたダイ4は、収納容器(図示せず)に一時保管される。保管されたダイ4を取り出して、図1で示すボンディング部3に移送して、ダイ4をフレーム(基板)上にボンディングする。
The
<Example 1>
FIG. 4 is a schematic side view showing a main part of a die bonder according to an embodiment of the present invention.
The die bonder shown in this figure is shown centering on the pickup portion of the
図4は、静電気測定センサ45がコレット42に取り付けられている例を図示している。なお、本実施例1では、コレットは袖なしコレットの場合を説明する。袖つきコレットを適用する場合は、実施例2で述べることにする。
FIG. 4 illustrates an example in which the static
静電気測定センサ45は、コレット42に取り付けられ、ボンディングヘッド先端41に固定された支持部47を介して設けられた信号線49の一端に接続されている。静電気測定センサ45には、バネ46が取り付けられている。バネ46を用いる理由は、静電気測定センサ45が、ダイ(電子部品)4に接触した時に、バネ46により静電気測定センサ45を低荷重で押圧し、測定の際にダイ4との接触面における接触不安定性に起因するチャタリングなどを防止するためである。なお、本実施例では、バネ46を用いた場合を示すが、静電気測定センサ45に低荷重を加える機能を有する押圧付与部材なら、他のものでも良い。
The
ここで、静電気測定センサ45には、市販の接触型表面電位計を用いている。例えば、Trek社製の接触型表面電位計を用いることができる。本電位計は、1013Ω以上、10-13F以下の高い入力インピーダンスを備え、測定範囲は0〜±2000Vで、被測定体に接触して、微小な領域の帯電電位を測定できる特徴を備えている。
Here, a commercially available contact type surface potential meter is used for the static
なお、本実施例では、コレット42は、ゴムを材料とし、突き上げ駒は、樹脂を材料とし、ダイは主にシリコンなどの半導体材料である。コレット、突き上げ駒、ダイはこれに特に拘るものではなく、例えば、ダイは静電破壊の影響を受ける電子部品なら、他のものに適用できることは言うまでもない。
In this embodiment, the
一方、信号線49の他端は、帯電量リアルタイム表示装置40に接続されている。帯電量リアルタイム表示装置40は、さらに制御処理部に信号線を介して接続される。静電気測定センサ45で測定された静電気量は、信号線49を介して帯電量リアルタイム表示装置40に伝達される。帯電量リアルタイム表示装置40は、伝達された静電気量を目視できるように表示する機能を有するとともに、その静電気量を制御処理部へ伝送する。本図では、静電気の帯電量を矢印の針で示している。この場合は、帯電量がない場合は、上方を向いている。帯電量が増加するに連れて、右回りに矢印の針が回転していくものとする。
On the other hand, the other end of the
制御処理部では、伝送された静電気量が規格値内にあるか否かの判定を行う。その判定の結果に基づいて、イオナイザーの照射を開始するか否かを決定する。静電気量の規格値は、事前に制御処理部内のメモリ部に保存されている。 The control processing unit determines whether or not the transmitted static electricity amount is within a standard value. Based on the result of the determination, it is determined whether or not to start the ionizer irradiation. The standard value of the static electricity amount is stored in advance in the memory unit in the control processing unit.
本実施例では、イオナイザーを用いる場合を示すが、他の方法を用いることもできる。例えば、ダイ4のピックアップ作業を停止し、ダイ4とコレット42との接触による放電を事前に阻止することもできる。
In this embodiment, an ionizer is used, but other methods can be used. For example, the pick-up operation of the
図5は、図4で示すダイボンダを用いて、ダイとダイシングテープとの剥離を行うピックアップ工程における静電気量測定の概要を示すフロー図である。
図5のa)からd)までに順に剥離工程を示し、各工程で測定された静電気量を帯電量リアルタイム表示装置40に示し、工程ごとの変化の様子を示している。なお、本図は、突き上げ駒44が既にダイシングテープ43を突き上げ開始し、突き上げ針はまだ突き上げを開始していない状態から図示しているものとする。
FIG. 5 is a flowchart showing an outline of the measurement of the amount of static electricity in a pickup process in which the die and the dicing tape are separated using the die bonder shown in FIG.
The peeling process is shown in order from a) to d) in FIG. 5, the amount of static electricity measured in each process is shown in the charge amount real-
先ず、図5a)では、静電気測定センサ45がダイ4に接する前の状態を示している。この状態においては、ダイ4の測定はまだ実施されないので、帯電量リアルタイム表示装置40の矢印の針は、上方、即ちゼロを示している。
First, FIG. 5 a) shows a state before the
次に、図5b)では、静電気測定センサ45がダイ4に接した状態を示している。この状態では、帯電量リアルタイム表示装置40は、矢印の針は、右周りに多少回転していることが分かる。この時点では、帯電量は、規格値内にあることを示している。
Next, FIG. 5 b) shows a state where the
次に、図5c)では、突き上げ駒の内部から突き上げ針51が上昇し、ダイシングテープを突上げて、ダイとダイシングテープとの剥離が開始されている。帯電量リアルタイム表示装置40は、矢印の針は、右周りにさらに大きく回転していることが分かる。この時点では、帯電量は、まだ規格値内にあることを示している。
Next, in FIG. 5c), the push-up
最後に、図5d)においては、コレット42によりダイ4は、真空装置(図示せず)による真空吸引により吸着され、ボンディングヘッド部41は、上昇を開始している。この際に、ダイ4とダイシングテープ43との剥離は完全に行われ、剥離の際に発生する静電気量は通常、最大に達すると考えられる。この時、帯電量リアルタイム表示装置40において、矢印の針は、右周りに大きく回転し、下方まで来ていることが分かる。本図では規格値を図示していないが、例えば、図5c)で示す帯電量リアルタイム表示装置40の矢印の針の位置を越える位置を規格値とすると、図5d)においては、規格値を十分超えていることが見て取れる。
Finally, in FIG. 5d), the
ここで、制御処理部は、帯電量リアルタイム表示装置40で表示された静電気量が規格内にあるか否かの判定作業を図5c)の段階から開始し、図5d)の段階まで継続する。
また、静電気測定センサ45による静電気量の測定は、ダイ4に静電気測定センサ45が接触している間、連続してリアルタイムに測定が行われている。
Here, the control processing unit starts the determination work of whether or not the static electricity amount displayed on the charge amount real-
In addition, the measurement of the amount of static electricity by the static
なお、本図では、図示の都合上、制御処理部は図示していないが、図4と同様な制御処理部が備えられているものとする。 In this figure, for convenience of illustration, the control processing unit is not shown, but it is assumed that the same control processing unit as that in FIG. 4 is provided.
図5のc)、d)において、帯電量が規格を超えていると制御処理部で判定した場合は、イオナイザー48に指令を発して、イオンの照射を開始する。このイオン照射条件、即ち、イオンの照射量は、予めメモリに保存されている帯電量と照射量との相関表に基づいて決定される。
In c) and d) of FIG. 5, when the control processing unit determines that the charge amount exceeds the standard, a command is issued to the
イオン照射が完了すると、帯電量リアルタイム表示装置40aに示すように、矢印の針は、ほぼ図5b)のレベル、即ち、規格内に十分戻っていることがわかる。
なお、本図では、イオナイザーによる照射は、図5d)の場合を代表して図示しているが、図5c)で照射が行われる場合もある。
When the ion irradiation is completed, as shown in the charge amount real-
In this figure, the irradiation by the ionizer is shown as representative of the case of FIG. 5d), but the irradiation may be performed in FIG. 5c).
図6は、静電気量の異常判定と異常時の対処を示すフローチャートである。
この判定作業は、図5のc)、d)の段階で制御処理部にて行われる。
まず、ダイ4の表面に接触された静電気測定センサ45により、ダイ4の静電気量が測定される(ステップ60)。次に、測定された静電気量の情報は制御処理部へ伝送され、静電気量が規格内にあるか、規格を超えているかを制御処理部にて判定する(ステップ61)。
規格内にあれば、コレット42によりダイ4のピックアップを開始する(ステップ62)。
もし、規格を超えていれば、静電気量の情報を受信した制御処理部は、イオナイザー48に照射の指令を出し、イオナイザー48よりイオンの照射が行われる(ステップ63)。照射条件は、上述したように既にメモリに記憶された条件を用いる。
FIG. 6 is a flowchart showing abnormality determination of the static electricity amount and coping with the abnormality.
This determination work is performed by the control processing unit in the steps c) and d) of FIG.
First, the static electricity amount of the
If it is within the standard, pickup of the
If it exceeds the standard, the control processing unit that has received the information on the amount of static electricity issues an irradiation command to the
静電気量が、静電気測定センサ45によりリアルタイムで測定されているので、イオンの照射により、静電気量が低下していく様子が帯電量リアルタイム表示装置40でモニタされ、同時に制御処理部にその低下した静電気量の情報がリアルタイムで伝達される。
Since the static electricity amount is measured in real time by the static
測定された静電気量の情報は制御処理部へ伝送され、静電気量が規格内にあるか、規格を超えているかを制御処理部にて判定する(ステップ64)。
伝達された静電気量が規格内に戻ったと判定した時点で、照射は停止される。その後、コレット42によりダイ4のピックアップを開始する(ステップ62)。規格を超えていれば、制御処理部は、イオナイザー48に照射の指令を出し、イオナイザー48よりイオンの照射が行われる(ステップ63)。
Information on the measured static electricity amount is transmitted to the control processing unit, and the control processing unit determines whether the static electricity amount is within the standard or exceeds the standard (step 64).
Irradiation is stopped when it is determined that the amount of static electricity transferred has returned to the standard. Thereafter, pickup of the
以上、本実施例1では接触式を用いることにより、特定の範囲内に発生した静電気量を測定することを可能にした。このために、従来よりも精度の高い異常判定が可能となっている。 As described above, in the first embodiment, it is possible to measure the amount of static electricity generated within a specific range by using the contact type. For this reason, it is possible to perform abnormality determination with higher accuracy than in the past.
また、作業中に連続してリアルタイムに測定するので、異常発生後に即座に対応ができるために、大量に不良品を作りこむ、いわゆる、ドカ不良の防止が可能となる。これにより、計画した数量の生産が可能となると同時に、不良を作りこむことが低減できるので、生産コスト面でも有利となる。 Further, since the measurement is continuously performed in real time during the work, it is possible to respond immediately after the occurrence of an abnormality, so that it is possible to prevent a so-called doka defect in which a large number of defective products are created. As a result, it is possible to produce the planned quantity, and at the same time, it is possible to reduce the production of defects, which is advantageous in terms of production cost.
また、本実施例で示す方法は、特定な領域を、リアルタイムに測定するので、チャージアップした静電気量を空間的にも時間的に精度良く測定できるので、イオナイザーで照射する照射条件を適格に決定できる。そのために、照射するイオン量など必要なだけ照射し、不足したり、過剰すぎて二次的な不良を発生させることも少なくできる。
<実施例2>
図7は、コレットが異なる場合のセンサの取り付け方を説明するものである。
図5では、図7a)で示す袖なしコレットの場合を説明したが、ここでは、図7b)で示す袖付きコレット場合について説明する。
In addition, since the method shown in this embodiment measures a specific area in real time, the charged-up static electricity amount can be measured with high accuracy in terms of space and time, so the irradiation conditions for irradiation with an ionizer are appropriately determined. it can. For this reason, it is possible to reduce the amount of ions to be irradiated as much as necessary, resulting in shortage or excessive generation of secondary defects.
<Example 2>
FIG. 7 explains how to install the sensor when the collet is different.
In FIG. 5, the case of the sleeveless collet shown in FIG. 7a) has been described. Here, the case of the sleeved collet shown in FIG. 7b) will be described.
図7b)において、袖付きコレット71とダイ吸着体72が図示されている。袖付きコレットの断面形状は、コの字型をしていて、その内側にダイ吸着体72が収まるような構造となっている。ダイ吸着体72は、ダイ4を吸着するのに用いるもので、吸着の際に真空吸引が均一に行われるように設けるものである。ダイ吸着体72の内部には、細かな吸引孔が多数設けられている。この吸引孔を介して真空引きが行われ、ダイ4が吸着される。
In FIG. 7b) a
静電気測定センサ45の取り付けについて説明する。ダイ吸着体72の一部に貫通孔を設け、この孔に静電気測定センサ45とそれに低荷重を加えるバネ46を収める。静電気測定センサ45とバネ46とは、それぞれの動きが、貫通孔の側面に制約されずに、自由に動ける状態に保持されている。
The attachment of the
静電気測定センサ45からの信号線およびそれを支持する部材は、袖付きコレット71の一部に設けられた貫通孔を通して、外部に引き出される。なお、当該貫通孔は、真空吸引時に気密状態を保持する必要があるので、真空シーリングが施されている。
A signal line from the
袖付きコレット71の外部に引き出された信号線49は、支持部47を介して、帯電量リアルタイム表示装置40に接続される。
The
袖付きコレットを使用する場合は、ダイ4の吸着がより安定して確実に吸着できる効果が期待できる。
<実施例3>
図8は、静電気測定センサ85を突上げ駒84に取り付けた場合の例を示す。
実施例1と異なる点を中心にして以下に、本実施例を説明する。
When using a collet with a sleeve, the effect that the adsorption | suction of die | dye 4 can adsorb | suck more stably and reliably can be anticipated.
<Example 3>
FIG. 8 shows an example in which the
The present embodiment will be described below with a focus on differences from the first embodiment.
静電気測定センサ85は、突上げ駒84に取り付けられ、突上げ駒84に固定された支持部87を介して設けられた信号線89の一端に接続されている。静電気測定センサ85には、バネ86が取り付けられている。バネ86を用いる理由は、実施例1の場合と同様である。但し、本実施例の場合は、静電気測定センサ85は、ダイシングテープ83に接触して測定を行う。この点が、実施例1の場合はダイ(電子部品)4に接触するのと異なる。このように接触する対象が異なることにより、測定する静電気の極性は、実施例1の場合と異なる。
また、本実施例では、バネ86を用いた場合を示すが、静電気測定センサ85に低荷重を加える機能を有するものなら、他のものでも良い。
The
In this embodiment, the case where the
ここで、静電気測定センサ85は、実施例1の静電気測定センサ45と同様なものを用いる。
Here, the static
一方、信号線89の他端は、帯電量リアルタイム表示装置80に接続されている。帯電量リアルタイム表示装置80は、さらに制御処理部に信号線89を介して接続され、静電気測定センサ85で測定された静電気量は、信号線89を介して帯電量リアルタイム表示装置80に伝達される。帯電量リアルタイム表示装置80は、伝達された静電気量を目視できるように表示する機能を有するとともに、その静電気量を制御処理部へ伝送する。本図では、静電気の帯電量を矢印の針で示している。この場合は、帯電量がない場合は、上方を向いている。帯電量が増加するに連れて、右回りに矢印の針が回転していくものとする。
On the other hand, the other end of the
制御処理部では、伝送された静電気量が規格値内にあるか否かの判定を行う。その判定の結果に基づいて、イオナイザーの照射を開始するか否かを決定する。静電気量の規格値は、事前に制御処理部内のメモリ部に保存されている。本実施例で測定される静電気は、実施例1の場合と極性が異なることは、上述したが、イオナイザーの照射対象であるダイ4にチャージアップしている静電気の極性は同じであるので、イオナイザーの照射条件は、実施例1と同様である。
The control processing unit determines whether or not the transmitted static electricity amount is within a standard value. Based on the result of the determination, it is determined whether or not to start the ionizer irradiation. The standard value of the static electricity amount is stored in advance in the memory unit in the control processing unit. As described above, the polarity of the static electricity measured in this embodiment is different from that in the first embodiment. However, since the polarity of the static electricity charged up to the
本実施例では、イオナイザーを用いる場合を示すが、他の方法を用いることもできる。例えば、ダイ4のピックアップ作業を停止し、ダイ4とコレット42との接触による放電を事前に阻止することもできる。
In this embodiment, an ionizer is used, but other methods can be used. For example, the pick-up operation of the
図9は、図8で示すダイボンダを用いて、ダイとダイシングテープとの剥離を行うピックアップ工程における静電気量測定の概要を示すフロー図である。
図9のa)からd)までに順に剥離工程を示し、各工程で測定された静電気量を帯電量リアルタイム表示装置80に示し、工程ごとの変化の様子を示している。なお、本図は、突き上げ駒84が既にダイシングテープ83を突き上げ開始し、突き上げ針はまだ突き上げを開始していない状態から図示しているものとする。
図9a)から図9d)までの動作フロー及び帯電量リアルタイム表示装置80の表示の説明に関しては、実施例1と同様であるので、省略する。
FIG. 9 is a flowchart showing an outline of the measurement of the amount of static electricity in a pickup process in which the die and the dicing tape are separated using the die bonder shown in FIG.
The peeling process is shown in order from a) to d) in FIG. 9, and the static electricity amount measured in each process is shown in the charge amount real-
Since the operation flow from FIG. 9a) to FIG. 9d) and the description of the display of the charge amount real-
ここで、制御処理部は、帯電量リアルタイム表示装置80で表示された静電気量が規格内にあるか否かの判定作業を図9c)の段階から開始し、図9d)の段階まで継続する。
また、静電気測定センサ85による静電気量の測定は、ダイシングテープ83に静電気測定センサ85が接触している間、連続してリアルタイムに測定が行われている。
なお、本図では、図示の都合上、制御処理部は図示していないが、図8と同様な制御処理部が備えられているものとする。
Here, the control processing unit starts the determination work as to whether or not the static electricity amount displayed on the charge amount real-
In addition, the measurement of the amount of static electricity by the static
In this figure, for convenience of illustration, the control processing unit is not shown, but it is assumed that the same control processing unit as that in FIG. 8 is provided.
以上、本実施例3では接触式を用いることにより、特定の範囲内に発生した静電気量を測定することを可能にした。このために、従来よりも精度の高い異常判定が可能となっている。 As described above, in Example 3, it was possible to measure the amount of static electricity generated within a specific range by using the contact type. For this reason, it is possible to perform abnormality determination with higher accuracy than in the past.
また、作業中に連続してリアルタイムに測定するので、異常発生後に即座に対応ができるために、大量に不良品を作りこむ、いわゆる、ドカ不良の防止が可能となる。これにより、計画した数量の生産が可能となると同時に、不良を作りこむことが低減できるので、生産コスト面でも有利となる。
<実施例4>
図10乃至図12は、フレーム搬送に適用した場合を示す。
図1で示すように、ピックアップ装置12でピックアップされたダイ4は、ダイボンディング部3に移送され、フレーム(基板)上にダイ4はボンディングされる。ダイボンディング完了したフレームは、ワーク供給・搬送部2に搬送される。
Further, since the measurement is continuously performed in real time during the work, it is possible to respond immediately after the occurrence of an abnormality, so that it is possible to prevent a so-called doka defect in which a large number of defective products are created. As a result, it is possible to produce the planned quantity, and at the same time, it is possible to reduce the production of defects, which is advantageous in terms of production cost.
<Example 4>
10 to 12 show a case where the present invention is applied to frame conveyance.
As shown in FIG. 1, the
本実施例は、ダイボンディング完了したフレームを、ワーク供給・搬送部2に搬送する工程に適用した例を示すものである。
The present embodiment shows an example in which the die-bonded frame is applied to the process of transporting the frame to the workpiece supply /
実施例1、3では、ダイ4のピックアップを行う剥離工程に、本発明を適用した場合を示したが、静電気が発生するのは、別な作業工程でも起こり得る。例えば、ダイを搭載したフレーム(基板)の搬送作業中にも静電気は発生する場合がある。
In the first and third embodiments, the case where the present invention is applied to the peeling process for picking up the
図10は、ダイ4が複数ボンディングされたフレーム104を吸着パッド103で真空吸着し、空中にリフティングされている状態を示す。フレームの真空吸着は、真空装置VACからの真空吸引がパイプ110を通して、吸着パッド103に伝わり、フレームを吸着することで行われる。
FIG. 10 shows a state where the
静電気測定センサ105は、吸着機構108に固定された支持部107を介して設けられた信号線109の一端に接続されている。静電気測定センサ105には、バネ106が取り付けられている。バネ106を用いる理由は、実施例1の場合と同様である。
The
静電気測定センサ105に用いる接触型表面電位計も実施例1で示すものと同様である。
The contact-type surface potential meter used for the
一方、信号線109の他端は、帯電量リアルタイム表示装置100に接続されている。帯電量リアルタイム表示装置100は、さらに制御処理部(図示せず)に信号線109を介して接続され、静電気測定センサ105で測定された静電気量は、信号線109を介して帯電量リアルタイム表示装置100に伝達される。帯電量リアルタイム表示装置100は、伝達された静電気量を目視できるように表示する機能を有するとともに、その静電気量を制御処理部へ伝送する。本図では、静電気の帯電量を矢印の針で示している。この場合は、帯電量がない場合は、上方を向いている。帯電量が増加するに連れて、右回りに矢印の針が回転していくものとする。
On the other hand, the other end of the
制御処理部では、伝送された静電気量が規格値内にあるか否かの判定を行う。その判定の結果に基づいて、イオナイザーの照射を開始するか否かを決定する。静電気量の規格値は、事前に制御処理部内のメモリ部に保存されている。 The control processing unit determines whether or not the transmitted static electricity amount is within a standard value. Based on the result of the determination, it is determined whether or not to start the ionizer irradiation. The standard value of the static electricity amount is stored in advance in the memory unit in the control processing unit.
図10a)では、静電気測定センサ105はフレーム101に接触して測定が開始された状態を示している。帯電量リアルタイム表示装置100は、矢印の針が右斜め上を示し、静電気量が規格内にあることを示している。
In FIG. 10 a), the
図10b)では、測定の結果、静電気量が規定内にあるので、フレームガイド104にフレーム101を降下させ、フレームガイド上に載せた場合を示している。
FIG. 10B) shows the case where the
一方、図11a)では、帯電量リアルタイム表示装置100は、矢印の針が右横を示し、静電気量が規格を超えていることを示している。
図11b)では、測定の結果、静電気量が規格を超えているので、そのままフレームガイド104にフレーム101を降下させ、フレームガイド104上に載せると、図に示すように、フレーム101に蓄積された静電気が放電120を起こし、搭載されたダイ(電位部品)4が破壊される恐れがあることを示している。
On the other hand, in FIG. 11 a), in the charge amount real-
In FIG. 11b), as a result of the measurement, the amount of static electricity exceeds the standard. Therefore, when the
図12には、本発明を適用した例を示す。図11に示すような静電気量が規格を超えている場合(図12a)参照)は、フレームガイド104にフレーム101を降下させ、フレームガイド104上に載せる前に、イオナイザー111を用いて、イオンをフレーム101に照射して、静電気量を低減または、消去する(図12b)参照)。図に示すように帯電量リアルタイム表示装置100の矢印の針は、ゼロレベルに戻っていることが分かる。
その後に、フレームガイド104にフレーム101を降下させ、フレームガイド104上に載せている(図12c)参照)。
FIG. 12 shows an example to which the present invention is applied. When the amount of static electricity as shown in FIG. 11 exceeds the standard (see FIG. 12A), the
Thereafter, the
本実施例では、複数のダイがボンディングに搭載されたフレームに適用した場合を示したが、本工程で静電破壊が発生すると、多数のダイが搭載されたフレーム全体が不良となる。従って、その損失はダイ単独の不良発生の場合に比べて大きなものとなる。本発明をこのような工程に適用することにより、損失低減に大いに貢献できる。 In the present embodiment, a case where a plurality of dies are applied to a frame mounted for bonding is shown. However, when electrostatic breakdown occurs in this process, the entire frame on which a large number of dies are mounted becomes defective. Therefore, the loss is larger than that in the case where a single die failure occurs. By applying the present invention to such a process, the loss can be greatly reduced.
1…ウエハ供給部、2…ワーク供給・搬送部、3…ダイボンディング部、4…ダイ(半導体チップ)、5…ダイアタッチフィルム、6…エキスパンドリング、7…ウエハリング、8…ダイシングテープ、9…支持リング、10…ダイボンダ、11…ウエハカセットリフタ、12…ピックアップ装置、13…スタックローダ、14…フレームフィーダ、15…ローダ、16…プリフォーム部、17…ボンディングヘッド部、18…アンローダ、30…突き上げユニット、40,80,100…帯電量リアルタイム表示装置、41,81…ボンディングヘッド先端、42,82…コレット、43,83…ダイシングテープ、44,84…突き上げ駒、45,85,105…静電気測定センサ、46,86,106…バネ、47,87,107…支持部、48,88,106,111…イオナイザー、49,89,109…信号線、51,91…突き上げ針、71…袖付きコレット、72…ダイ吸着体、101…フレーム(基板)、102…スプリング、103…吸着パッド、104…フレームガイド、108…吸着機構、110…真空用パイプ、120…放電。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、
前記ダイに帯電する静電気を前記ダイに接触して測定する静電気測定用センサと、
前記静電気測定用センサが前記ダイに所定の圧力で押圧されるように前記静電気測定用センサの一部に取り付けられた押圧付与部材と、を有し、
前記ピックアップ作業の間、前記静電気測定用センサを用いて前記ダイの静電気量を測定することを特徴とするダイボンダ。 A pickup section having a collet for picking up a die;
A die bonding part for bonding the die conveyed by the collet to a frame;
A static electricity measuring sensor for measuring static electricity charged on the die in contact with the die; and
A pressing member attached to a part of the electrostatic measurement sensor so that the electrostatic measurement sensor is pressed against the die at a predetermined pressure,
A die bonder that measures the static electricity amount of the die using the static electricity measuring sensor during the pick-up operation.
前記静電気測定用センサが、前記突き上げ駒に設置されていることを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。 The pick-up unit has a push-up piece that pushes up the dicing tape when peeling the dicing tape and the dicing tape to which a wafer composed of a plurality of dies is attached,
The die bonder according to claim 1, wherein the static electricity measuring sensor is installed on the push-up piece.
前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、
前記ダイに生じる静電気を前記ダイに接触して測定する静電気測定用センサと、
前記静電気測定用センサで測定した静電気量を表示する帯電量表示装置と、
前記ダイに生じた静電気を低減するイオンを照射するイオナイザーと、
前記帯電量表示装置からの信号を送受信し前記イオナイザーを制御する制御手段と、
を有し、
前記ピックアップ作業の間、前記ダイの静電気量を測定し、前記測定した静電気量が規定量を超えている場合に、前記制御手段は前記イオナイザーに前記ダイに対してイオン照射を指示する手段を有することを特徴とするダイボンダ。 A pickup section having a collet for picking up a die;
A die bonding part for bonding the die conveyed by the collet to a frame;
A static electricity measuring sensor for measuring static electricity generated in the die in contact with the die;
A charge amount display device for displaying the amount of static electricity measured by the static electricity measuring sensor;
An ionizer that irradiates ions that reduce static electricity generated in the die;
Control means for transmitting and receiving signals from the charge amount display device and controlling the ionizer;
Have
During the pick-up operation, the amount of static electricity of the die is measured, and when the measured amount of static electricity exceeds a specified amount, the control means has means for instructing the ionizer to perform ion irradiation on the die. A die bonder characterized by that.
前記静電気測定用センサには前記ダイに所定の圧力で押圧されるように前記静電気測定用センサの一部に取り付けられた押圧付与部材を有することを特徴とする請求項4に記載のダイボンダ。 The electrostatic measurement sensor is installed in the collet,
The die bonder according to claim 4, wherein the electrostatic measurement sensor has a pressing member attached to a part of the electrostatic measurement sensor so as to be pressed against the die with a predetermined pressure.
前記静電気測定用センサが、前記突き上げ駒に設置され、
前記静電気測定用センサは、前記ダイに所定の圧力で押圧されるように前記静電気測定用センサの一部に取り付けられた押圧付与部材を有することを特徴とする請求項4に記載のダイボンダ。 The pick-up unit has a push-up piece that pushes up the dicing tape when peeling the dicing tape and the dicing tape to which a wafer composed of a plurality of dies is attached,
The electrostatic measurement sensor is installed on the push-up piece,
5. The die bonder according to claim 4, wherein the static electricity measuring sensor includes a pressing member attached to a part of the static electricity measuring sensor so as to be pressed against the die with a predetermined pressure.
前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、
前記フレームに生じる静電気を前記フレームに接触して測定する静電気測定用センサと、
前記静電気測定用センサで測定した静電気量を表示する帯電量表示装置と、
前記フレームに生じた静電気を低減するイオンを照射するイオナイザーと、
前記帯電量表示装置からの信号を送受信し前記イオナイザーを制御する制御手段と、
を有し、
前記フレーム搬送作業の間、前記フレームの静電気量を測定し、前記測定した静電気量が規定量を超えている場合に、前記制御手段は前記イオナイザーに前記フレームに対してイオン照射を指示する手段を有することを特徴とするダイボンダ。 A pickup section having a collet for picking up a die;
A die bonding part for bonding the die conveyed by the collet to a frame;
A static electricity measuring sensor for measuring static electricity generated in the frame in contact with the frame;
A charge amount display device for displaying the amount of static electricity measured by the static electricity measuring sensor;
An ionizer that irradiates ions that reduce static electricity generated in the frame;
Control means for transmitting and receiving signals from the charge amount display device and controlling the ionizer;
Have
During the frame transport operation, the amount of static electricity of the frame is measured, and when the measured amount of static electricity exceeds a specified amount, the control means includes means for instructing the ionizer to perform ion irradiation on the frame. A die bonder comprising:
前記ダイシングテープの所定の位置を突き上げて前記ダイを前記ダイシングテープから剥離するステップと、
剥離された前記ダイをピックアップするステップと、を有し、
少なくとも前記剥離するステップにおいて、静電気測定用センサを前記ダイに接触させて測定し、前記ダイに帯電する静電気量をリアルタイムで測定することを特徴とする半導体製造方法。 A step of adsorbing a die to be peeled among a plurality of dies attached to a dicing tape with a collet;
Pushing up a predetermined position of the dicing tape and peeling the die from the dicing tape;
Picking up the peeled die, and
At least in the step of peeling, a semiconductor manufacturing method characterized by measuring a static electricity measurement sensor in contact with the die and measuring the amount of static electricity charged on the die in real time.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206836A JP5718601B2 (en) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | Die bonder and semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206836A JP5718601B2 (en) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | Die bonder and semiconductor manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012064702A true JP2012064702A (en) | 2012-03-29 |
JP5718601B2 JP5718601B2 (en) | 2015-05-13 |
Family
ID=46060126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010206836A Active JP5718601B2 (en) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | Die bonder and semiconductor manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5718601B2 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197557A (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method of measuring potential of semiconductor element |
JP2014116480A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing device |
KR20170039836A (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-12 | 세메스 주식회사 | Die bonding apparatus |
JP2018186186A (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ヤマハ発動機株式会社 | Component mounting device |
CN110007161A (en) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 国网浙江省电力有限公司舟山供电公司 | A kind of method of direct current cables insulating space distribution of charges under measurement different temperatures |
KR102096567B1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for picking up semiconductor devices |
KR102096570B1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for picking up semiconductor devices |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197360A (en) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | Method and device for manufacturing component |
JPH0272638A (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH02138755A (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0449632A (en) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Toshiba Seiki Kk | Charging monitoring system in inner lead bonding device |
JP2006086338A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Juki Corp | Apparatus for mounting electronic component |
JP2007220769A (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermocompression bonding device of semiconductor component |
JP2007240573A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Japan Science & Technology Agency | Minute tip transfer method and apparatus, and mother board fixing mechanism |
JP2009129920A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Komatsu Denshi Kk | Static electricity monitoring apparatus |
JP2010098178A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Device and method for contactless carrying wiring board, and method of manufacturing resinous wiring board |
-
2010
- 2010-09-15 JP JP2010206836A patent/JP5718601B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197360A (en) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | Method and device for manufacturing component |
JPH0272638A (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH02138755A (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0449632A (en) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Toshiba Seiki Kk | Charging monitoring system in inner lead bonding device |
JP2006086338A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Juki Corp | Apparatus for mounting electronic component |
JP2007220769A (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermocompression bonding device of semiconductor component |
JP2007240573A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Japan Science & Technology Agency | Minute tip transfer method and apparatus, and mother board fixing mechanism |
JP2009129920A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Komatsu Denshi Kk | Static electricity monitoring apparatus |
JP2010098178A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Device and method for contactless carrying wiring board, and method of manufacturing resinous wiring board |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197557A (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method of measuring potential of semiconductor element |
JP2014116480A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing device |
KR20170039836A (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-12 | 세메스 주식회사 | Die bonding apparatus |
KR102391430B1 (en) * | 2015-10-02 | 2022-04-27 | 세메스 주식회사 | Die bonding apparatus |
JP2018186186A (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ヤマハ発動機株式会社 | Component mounting device |
KR102096567B1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for picking up semiconductor devices |
KR102096570B1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for picking up semiconductor devices |
CN110007161A (en) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 国网浙江省电力有限公司舟山供电公司 | A kind of method of direct current cables insulating space distribution of charges under measurement different temperatures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5718601B2 (en) | 2015-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5718601B2 (en) | Die bonder and semiconductor manufacturing method | |
KR102329117B1 (en) | Manufacturing apparatus of semiconductor and manufacturing method of semiconductor device | |
CN108364880B (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
TW201639045A (en) | Bonding apparatus and bonding method | |
JP5931772B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP2019075446A5 (en) | ||
JP6661169B2 (en) | System with repair unit | |
JP5045010B2 (en) | Conveying device with positioning means | |
JP2009059808A (en) | Positioning device and positioning method, and semiconductor manufacturing device having the same | |
JP2016139629A (en) | Bonding device and bonding method | |
KR20180017594A (en) | Apparatus for testing semiconductor devices | |
JP5913876B2 (en) | Die bonder | |
TWI395648B (en) | Manipulator | |
KR102096567B1 (en) | Apparatus for picking up semiconductor devices | |
JP2015169589A (en) | Semiconductor testing device | |
KR102096570B1 (en) | Apparatus for picking up semiconductor devices | |
JP2014076519A (en) | Component transport device, electronic component inspection device, and component transport method | |
TWI710034B (en) | Semiconductor manufacturing device and semiconductor device manufacturing method | |
JP2003198193A (en) | Electronic component conveying apparatus | |
JP2012069627A (en) | Die bonder and bonding method | |
KR101291579B1 (en) | Device Inspection Apparatus | |
WO2015063950A1 (en) | Circuit substrate support system | |
JP4712766B2 (en) | Parts transfer device | |
JP6390465B2 (en) | Prober and wafer peeling method | |
JP2013197278A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5718601 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |