JP2012054487A - Electronic device - Google Patents

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浩徳 ▲高▼北
Hironori Takagita
Takeshi Ishikawa
岳史 石川
Toru Nomura
徹 野村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure contact of a heat sink and a heat dissipation member appropriately in an electronic device having a half mold structure.SOLUTION: In an electronic device, a circuit board 10 is bonded to a first plate surface 31 of a heat sink by a first plate surface 11, all of which are sealed with a mold resin 40; and a second plate surface 32 of the heat sink 30 is exposed from the mold resin 40 to be brought into contact with one surface 71 of a heat dissipation member 70. When assuming a thickness T1 of the mold resin 40 at a part located on the other plate surface 12 side of the circuit board 10 is the mold resin thickness T1, the ratio T1/T2 of the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink 30 is 1.8 or higher.

Description

本発明は、回路基板の一面にヒートシンクを取り付け、これをモールド樹脂で封止してなるとともに、ヒートシンクにおける回路基板とは反対側の面をモールド樹脂より露出させた構成、いわゆるハーフモールド構造の電子装置に関し、例えば自動車のエンジンルーム、トランスミッション等に装着され、エンジン、自動変速機の制御を行う電子装置に好適なものである。   In the present invention, a heat sink is attached to one surface of a circuit board, and this is sealed with a mold resin, and the surface of the heat sink opposite to the circuit board is exposed from the mold resin, so-called half mold structure electronic The apparatus is suitable for an electronic apparatus that is mounted in an engine room, a transmission or the like of an automobile and controls an engine and an automatic transmission.

一般に、この種の電子装置としては、板状のヒートシンクと、一方の板面側にてヒートシンクの一方の板面に搭載された板状の回路基板と、を備え、回路基板を含むヒートシンクの一方の板面側を、モールド樹脂により封止するとともに、ヒートシンクの他方の板面をモールド樹脂より露出させたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   In general, this type of electronic device includes a plate-like heat sink and a plate-like circuit board mounted on one plate surface of the heat sink on one plate surface side, and one of the heat sinks including the circuit board. Has been proposed in which the other plate surface of the heat sink is exposed from the mold resin (see, for example, Patent Document 1).

このような電子装置は、ハーフモールド構造の電子装置と呼ばれており、モールド樹脂より露出するヒートシンクの他方の板面に、さらに筺体などの放熱部材の一面を接触させて、回路基板の熱を、ヒートシンクを介して放熱部材に放熱するようにしている。   Such an electronic device is called an electronic device having a half mold structure, and the other plate surface of the heat sink exposed from the mold resin is further brought into contact with one surface of a heat radiating member such as a casing to thereby heat the circuit board. The heat is radiated to the heat radiating member via the heat sink.

特開２００９−３０２５２６号公報JP 2009-302526 A

ここで、この種の電子装置においては、上記放熱構成を有するため、モールド樹脂より露出するヒートシンクの他方の板面と放熱部材の一面との接触が、その放熱性能に大きな影響を与え、これら両面の接触を適切に確保することが必要となる。   Here, since this type of electronic device has the above heat dissipation structure, the contact between the other plate surface of the heat sink exposed from the mold resin and one surface of the heat dissipation member has a great influence on the heat dissipation performance, and both surfaces It is necessary to ensure proper contact.

しかし、本発明者の検討によれば、筺体などの放熱部材において、ヒートシンクとの接触面である一面の反りが±５０μｍ程度の大きさで発生する。そのような放熱部材の一面の反りが発生すると、ヒートシンクの他方の板面が当該放熱部材の一面に接触しない場合が生じる。   However, according to the study of the present inventor, in a heat radiating member such as a housing, warping of one surface, which is a contact surface with the heat sink, occurs with a size of about ± 50 μm. When such warpage of one surface of the heat radiating member occurs, the other plate surface of the heat sink may not come into contact with one surface of the heat radiating member.

図１３は、一般的な電子装置において、この放熱部材７０の一面７１の反りが発生した状態を示す概略断面図である。図１３では、回路基板１０がその一方の板面１１側にてヒートシンク３０の一方の板面３１に搭載され、これらがモールド樹脂４０により封止されている。それとともに、ヒートシンク３０の他方の板面３２がモールド樹脂４０より露出している。   FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the one surface 71 of the heat radiating member 70 is warped in a general electronic device. In FIG. 13, the circuit board 10 is mounted on one plate surface 31 of the heat sink 30 on the one plate surface 11 side, and these are sealed with a mold resin 40. At the same time, the other plate surface 32 of the heat sink 30 is exposed from the mold resin 40.

ここで、放熱部材７０においては、ヒートシンク３０に対向する一面７１が、ヒートシンク３０から離れるように凹んだ反り形状とされている。このような反りが生じると、図１３に示されるように、モールド樹脂４０の端部は放熱部材７０の一面７１と接触するものの、ヒートシンク３０の他方の板面３２は放熱部材７０の一面７１から離れた状態となり、当該両面３２、７１の接触が確保されず、放熱性の悪化を招くことになる。   Here, in the heat dissipation member 70, the one surface 71 facing the heat sink 30 has a warped shape that is recessed so as to be away from the heat sink 30. When such warpage occurs, as shown in FIG. 13, the end portion of the mold resin 40 comes into contact with the one surface 71 of the heat dissipation member 70, but the other plate surface 32 of the heat sink 30 extends from the one surface 71 of the heat dissipation member 70. It will be in the separated state, the contact of the said both surfaces 32 and 71 will not be ensured, and it will cause deterioration of heat dissipation.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、上記ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保できるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to appropriately ensure contact between a heat sink and a heat radiating member in an electronic device having the half mold structure.

上記目的を達成するため、本発明者は、この種の電子装置におけるモールド樹脂の封止工程にてヒートシンクの反りが発生することに着目した。   In order to achieve the above object, the present inventor has paid attention to the fact that the heat sink warps during the molding resin sealing step in this type of electronic device.

つまり、モールド樹脂封止工程では、ヒートシンクに回路基板を搭載したものを、高温のモールド樹脂で封止し、その後、モールド樹脂の温度を下げて硬化させるが、このときモールド樹脂は硬化収縮をする。すると、このモールド樹脂の硬化収縮時には、モールド樹脂と回路基板との線膨張係数差により、ヒートシンクに反りが生じる。   That is, in the mold resin sealing step, a circuit board mounted on a heat sink is sealed with a high-temperature mold resin, and then cured by lowering the temperature of the mold resin. At this time, the mold resin is cured and contracted. . Then, when the mold resin is cured and contracted, the heat sink is warped due to a difference in linear expansion coefficient between the mold resin and the circuit board.

ここで、上記図１３に示したように、特に放熱部材７０がヒートシンク３０側に凹となるように反った場合、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触は確保しにくくなる。しかし、そのような場合でも、ヒートシンク３０の他方の板面３２を、放熱部材７０の一面７１側に凸となるように反らせた構成とすれば、ヒートシンク３０の他方の板面３２と放熱部材７０の一面７１とが接触する。   Here, as shown in FIG. 13, particularly when the heat radiating member 70 is warped so as to be concave toward the heat sink 30, it is difficult to ensure contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70. However, even in such a case, if the other plate surface 32 of the heat sink 30 is warped so as to protrude toward the one surface 71 of the heat dissipation member 70, the other plate surface 32 of the heat sink 30 and the heat dissipation member 70 are provided. One surface 71 contacts.

ただし、その場合でも、ヒートシンク３０の他方の板面３２の反りを、放熱部材７０の一面７１の反りよりも反り度合の大きなものとする必要がある。つまり、ヒートシンク３０の他方の板面３２と放熱部材７０の一面７１とが同一方向に沿った場合において、その反りによる面の曲がり度合が、放熱部材７０側の方がヒートシンク３０側よりも大きいとき、結果的に上記図１３と同様に、ヒートシンク３０の他方の板面３２と放熱部材７０の一面７１とが接触しない状態となる。   However, even in that case, the warp of the other plate surface 32 of the heat sink 30 needs to have a greater degree of warp than the warp of the one surface 71 of the heat dissipation member 70. That is, when the other plate surface 32 of the heat sink 30 and the one surface 71 of the heat radiating member 70 are along the same direction, the degree of curvature of the surface due to the warpage is larger on the heat radiating member 70 side than on the heat sink 30 side. As a result, similarly to FIG. 13, the other plate surface 32 of the heat sink 30 and the one surface 71 of the heat radiating member 70 are not in contact with each other.

そこで、本発明者は、モールド樹脂の硬化収縮によって、（ａ）ヒートシンクの他方の板面が放熱部材の一面側に凸となるように反ること、且つ、（ｂ）その反りが放熱部材の一面の反りよりも大きくなること、具体的には±５０μｍよりも大きくなること、これら（ａ）、（ｂ）の両条件を満足する構成について、試作検討を進めた。   Therefore, the present inventors have warped (a) the other plate surface of the heat sink is convex toward one surface side of the heat radiating member, and (b) the warpage of the heat radiating member due to curing shrinkage of the mold resin. Prototype studies were conducted on a structure that satisfies the above conditions (a) and (b), that it is larger than the warp of one surface, specifically, greater than ± 50 μm.

そして、後述する図３に示されるように、これら両条件を満足する構成を見出した。請求項１に記載の発明は、この検討に基づいて実験的に見出されたものである。   And the structure which satisfy | fills these both conditions was discovered as FIG. 3 mentioned later mentions. The invention described in claim 1 has been found experimentally based on this study.

すなわち、請求項１に記載の発明は、板状のヒートシンク（３０）と、一方の板面（１１）側にてヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に搭載された板状の回路基板（１０）と、を備え、回路基板（１０）を含むヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）側がモールド樹脂（４０）により封止されるとともに、ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）がモールド樹脂（４０）より露出しており、この露出するヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）に放熱部材（７０）の一面（７１）が接触し、回路基板（１０）の熱がヒートシンク（３０）を介して放熱部材（７０）に放熱されるようになっている電子装置において、
モールド樹脂（４０）のうち回路基板（１０）の他方の板面（１２）側に位置するとともに当該他方の板面（１２）が投影される部位における回路基板（１０）およびヒートシンク（３０）の積層方向に沿った厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１としたとき、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク（３０）の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上であることを特徴としている。 That is, the invention according to claim 1 is a plate-like heat sink (30) and a plate-like circuit mounted on one plate surface (31) of the heat sink (30) on one plate surface (11) side. A heat sink (30) including the circuit board (10), one plate surface (31) side of the heat sink (30) is sealed with the mold resin (40), and the other plate surface of the heat sink (30) (32) is exposed from the mold resin (40), and one surface (71) of the heat radiating member (70) comes into contact with the other plate surface (32) of the exposed heat sink (30), and the circuit board (10). In the electronic device in which the heat of heat is radiated to the heat radiating member (70) through the heat sink (30),
Of the mold resin (40), the circuit board (10) and the heat sink (30) are located on the other plate surface (12) side of the circuit board (10) and projected on the other plate surface (12). When the thickness T1 along the stacking direction is the mold resin thickness T1, the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink (30) is 1.8 or more. It is said.

このように、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク（３０）の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２を、１．８以上とすれば、後述する図３に示されるように、モールド樹脂（４０）の硬化収縮によって、ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）が放熱部材（７０）の一面（７１）側に凸となるように反り、且つ、その反りが５０μｍよりも大きくなる。よって、本発明によれば、ヒートシンク（３０）と放熱部材（７０）との接触を適切に確保することができる。   Thus, if the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink (30) is 1.8 or more, as shown in FIG. 3 to be described later, the mold resin (40) Due to the curing shrinkage, the other plate surface (32) of the heat sink (30) is warped so as to protrude toward the one surface (71) of the heat dissipation member (70), and the warpage is larger than 50 μm. Therefore, according to this invention, a contact with a heat sink (30) and a thermal radiation member (70) can be ensured appropriately.

ここで、たとえば車両に搭載される電子装置などでは、たとえば１５０℃の温度で使用されるが、本発明者の検討によれば、電子装置におけるヒートシンク（３０）、回路基板（１０）およびモールド樹脂（４０）の各部の反りは、常温から高温になるほど小さくなる。そして、１５０℃程度の高温では、常温に比べて、当該反りの大きさが３０〜４０％程度小さくなる。   Here, for example, an electronic device mounted on a vehicle is used at a temperature of 150 ° C., for example. According to the study of the present inventor, the heat sink (30), the circuit board (10) and the mold resin in the electronic device are used. The warpage of each part of (40) decreases as the temperature increases from room temperature. And at the high temperature of about 150 degreeC, the magnitude | size of the said curvature becomes small about 30 to 40% compared with normal temperature.

そこで、この１５０℃程度の高温で電子装置が使用されること、および、その使用環境によって当該反りが常温に比べて３０〜４０％小さくなることを考慮すると、上記両条件（ａ）および（ｂ）を満足するには、請求項２に記載の発明のように、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク（３０）の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、２．５以上であることが好ましい。   Therefore, considering that the electronic device is used at a high temperature of about 150 ° C. and that the warpage is 30 to 40% smaller than the normal temperature depending on the use environment, both conditions (a) and (b ), The ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink (30) is preferably 2.5 or more, as in the second aspect of the invention.

後述する図３の結果は、常温における結果であるが、この請求項２の構成であれば、ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）が放熱部材（７０）の一面（７１）側に凸となるように反り、且つ、その反りが５０μｍよりも大きくなりやすくなる。   The result of FIG. 3 to be described later is a result at room temperature. However, with the configuration of claim 2, the other plate surface (32) of the heat sink (30) is on the one surface (71) side of the heat dissipation member (70). The warp tends to be convex, and the warp tends to be larger than 50 μm.

また、請求項３に記載の発明のように、請求項１または２に記載の電子装置においては、ヒートシンク（３０）は、アルミとシリコンカーバイドとの混合物の焼成物であるＡｌＳｉＣよりなり、回路基板（１０）は、アルミナよりなり、モールド樹脂（３０）は、エポキシ樹脂よりなることが好ましい。   Further, as in the invention described in claim 3, in the electronic device described in claim 1 or 2, the heat sink (30) is made of AlSiC which is a fired product of a mixture of aluminum and silicon carbide, and is a circuit board. (10) is preferably made of alumina, and the mold resin (30) is preferably made of an epoxy resin.

さらに、請求項４に記載の発明のように、請求項３に記載の電子装置においては、ヒートシンク（３０）の線膨張係数とモールド樹脂（４０）との線膨張係数とが同じであり、ヒートシンク（３０）およびモールド樹脂（４０）の線膨張係数よりも、回路基板（１０）の線膨張係数の方が小さいことがより好ましい。   Furthermore, as in the invention according to claim 4, in the electronic device according to claim 3, the linear expansion coefficient of the heat sink (30) and the linear expansion coefficient of the mold resin (40) are the same. It is more preferable that the linear expansion coefficient of the circuit board (10) is smaller than the linear expansion coefficient of (30) and the mold resin (40).

また、本発明者は、上記各手段に示した、ヒートシンクの他方の板面を、放熱部材の一面側に凸とするように反らせるという構成に基づいて、さらに検討を進め、もともとヒートシンクの他方の板面を凸形状とすればよいことに着目し、請求項６に記載の発明を創出するに至った。   Further, the inventor has further studied based on the configuration in which the other plate surface of the heat sink shown in each of the above means is bent so as to protrude toward the one surface side of the heat radiating member. Focusing on the fact that the plate surface has a convex shape, the present invention according to claim 6 has been created.

すなわち、請求項６に記載の発明では、板状のヒートシンク（３０）と、一方の板面（１１）をヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に対向させた状態で、ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に搭載された板状の回路基板（１０）と、を備え、回路基板（１０）を含むヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）側がモールド樹脂（４０）により封止されるとともに、ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）がモールド樹脂（４０）より露出しており、この露出するヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）に放熱部材（７０）の一面（７１）が接触し、回路基板（１０）の熱がヒートシンク（３０）を介して放熱部材（７０）に放熱されるようになっている電子装置において、
ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）は、放熱部材（７０）の一面（７１）に向かう凸部（３３）を有する形状に成形されており、この凸部（３３）にてヒートシンク（３０）は放熱部材（７０）の一面（７１）に接触していることを特徴とする。 That is, in the invention described in claim 6, the plate-shaped heat sink (30) and the heat sink (30) with one plate surface (11) facing the one plate surface (31) of the heat sink (30). ) Of the heat sink (30) including the circuit board (10) on the side of the plate surface (31) of the mold resin (40). ) And the other plate surface (32) of the heat sink (30) is exposed from the mold resin (40), and the other plate surface (32) of the exposed heat sink (30) is exposed to the heat radiating member. In an electronic device in which one surface (71) of (70) contacts and heat of the circuit board (10) is radiated to the heat radiating member (70) through the heat sink (30),
The other plate surface (32) of the heat sink (30) is formed into a shape having a convex portion (33) toward the one surface (71) of the heat dissipation member (70), and the heat sink ( 30) is in contact with one surface (71) of the heat dissipating member (70).

それによれば、モールド樹脂（４０）より露出するヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）が、放熱部材（７０）の一面（７１）に向かう凸部（３３）を有する形状をなしているから、この凸部（３３）にてヒートシンク（３０）を放熱部材（７０）の一面（７１）に容易に接触させることができる。   According to this, the other plate surface (32) of the heat sink (30) exposed from the mold resin (40) has a shape having a convex portion (33) toward one surface (71) of the heat dissipation member (70). Therefore, the heat sink (30) can be easily brought into contact with the one surface (71) of the heat radiating member (70) by the convex portion (33).

また、請求項７に記載の発明では、請求項６に記載の電子装置において、ヒートシンク（３０）は、その一方の板面（３１）が平坦面であって、その他方の板面（３２）が凸部（３３）を有する形状に成形されたものであることを特徴とする。   In the electronic device according to claim 7, in the electronic device according to claim 6, the heat sink (30) has one plate surface (31) which is a flat surface and the other plate surface (32). Is formed into a shape having a convex portion (33).

それによれば、ヒートシンク（３０）において、回路基板（１０）が実装される一方の板面（３１）が平坦面であるから、回路基板（１０）の支持が極力安定となり、モールド樹脂（３０）の封止時における成型圧力によって回路基板（１０）が割れたりするのを防止するのに適した構成が実現される。   According to this, in the heat sink (30), since one plate surface (31) on which the circuit board (10) is mounted is a flat surface, the support of the circuit board (10) becomes as stable as possible, and the mold resin (30) A configuration suitable for preventing the circuit board (10) from being broken by the molding pressure at the time of sealing is realized.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は一部切り欠き概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the electronic device which concerns on 1st Embodiment of this invention, (a) is a partially notched schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 図１の電子装置における放熱部材を除くモールドパッケージの部分を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the part of the mold package except the heat radiating member in the electronic device of FIG. モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンクの板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２と反り量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between ratio T1 / T2 of mold resin thickness T1 and plate | board thickness T2 of a heat sink, and curvature amount. 第１実施形態の電子装置の他の例としての種々のバリエーションを示す図である。It is a figure showing various variations as other examples of the electronic device of a 1st embodiment. 本発明の第２実施形態に係るヒートシンクの概略断面図であるIt is a schematic sectional drawing of the heat sink which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第２実施形態のヒートシンクの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the heat sink of 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係るヒートシンクの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the heat sink which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 第３実施形態のヒートシンクの第１の作製方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the 1st manufacturing method of the heat sink of 3rd Embodiment. 第３実施形態のヒートシンクの第２の作製方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the 2nd manufacturing method of the heat sink of 3rd Embodiment. 第３実施形態の電子装置の製造方法におけるモールド工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the molding process in the manufacturing method of the electronic device of 3rd Embodiment. 本発明の第４実施形態に係るヒートシンクの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the heat sink which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係るヒートシンクを示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ視側面図である。It is a figure which shows the heat sink which concerns on 5th Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is the A view side view of (a). 一般的な電子装置における放熱部材の一面の反りの発生状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the generation | occurrence | production state of the curvature of the one surface of the heat radiating member in a common electronic device.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は一部を切り欠きした概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、図１（ｂ）においては、ボンディングワイヤ６０は省略してある。また、図２は、本電子装置のうち放熱部材７０を除く部分であるモールドパッケージを示す概略断面図であり、当該パッケージの各部の寸法を示す図である。 (First embodiment)
1A and 1B are diagrams showing an electronic device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a schematic plan view with a part cut away, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view. In FIG. 1B, the bonding wire 60 is omitted. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a mold package that is a part of the electronic device excluding the heat radiating member 70, and is a view showing dimensions of each part of the package.

本実施形態の電子装置は、大きくは、板状の回路基板１０と、回路基板１０の第２の板面（図１（ｂ）中の上面）１２に搭載された電子部品２０と、回路基板１０の第１の板面（図１（ｂ）中の下面）１１に設けられたヒートシンク３０と、これらを被覆して封止するモールド樹脂４０とを備えて構成されている。この電子装置は、たとえば車両に搭載され、車両のＥＣＵなどに組み込まれる電子装置として適用される。   The electronic device of the present embodiment is broadly divided into a plate-like circuit board 10, an electronic component 20 mounted on a second plate surface (upper surface in FIG. 1B) 12 of the circuit board 10, and a circuit board. A heat sink 30 provided on the first plate surface 10 (the lower surface in FIG. 1B) 11 and a mold resin 40 that covers and seals them are configured. This electronic apparatus is applied as, for example, an electronic apparatus mounted on a vehicle and incorporated in an ECU of the vehicle.

回路基板１０は、第２の板面（回路基板１０の他方の板面）１２と第１の板面（回路基板１０の一方の板面）１１とが表裏の関係にある板状をなすもので、一般的なアルミナなどよりなるセラミック基板が挙げられる。   The circuit board 10 has a plate shape in which a second plate surface (the other plate surface of the circuit board 10) 12 and a first plate surface (one plate surface of the circuit board 10) 11 are in a front-back relationship. And a ceramic substrate made of general alumina or the like.

ここでは、回路基板１０はアルミナよりなり典型的な矩形板状をなすものであり、たとえば図２に示される回路基板１０の板厚Ｔ３は１．２ｍｍである。なお、この回路基板１０は単層基板でも多層基板でもよい。   Here, the circuit board 10 is made of alumina and has a typical rectangular plate shape. For example, the thickness T3 of the circuit board 10 shown in FIG. 2 is 1.2 mm. The circuit board 10 may be a single layer board or a multilayer board.

電子部品２０としては、回路基板１０の第２の板面１２上に搭載可能なものであれば特に限定されないが、たとえばＩＣチップ、ミニモールド部品、コンデンサ、ダイオード、抵抗素子、さらにはワイヤなどが挙げられる。   The electronic component 20 is not particularly limited as long as it can be mounted on the second plate surface 12 of the circuit board 10. For example, an IC chip, a mini-mold component, a capacitor, a diode, a resistance element, and a wire are included. Can be mentioned.

これら電子部品２０は、一般的なダイボンド材やワイヤボンディングなどにより、回路基板１０の部品搭載面としての第２の板面１２上に搭載され、回路基板１０と電気的・機械的に接続されている。   These electronic components 20 are mounted on the second plate surface 12 as a component mounting surface of the circuit board 10 by a general die bonding material or wire bonding, and are electrically and mechanically connected to the circuit board 10. Yes.

ヒートシンク３０は、一般的な銅、鉄、アルミニウムなどの板材よりなるものが採用されるが、ここでは、アルミとシリコンカーバイドとの混合物の焼成物であるＡｌＳｉＣよりなり、回路基板１０よりも一回り大きい矩形板状をなしている。また、図２に示されるヒートシンク３０の板厚Ｔ２は、たとえば１．５ｍｍである。   The heat sink 30 is made of a general plate material such as copper, iron, or aluminum. Here, the heat sink 30 is made of AlSiC, which is a fired product of a mixture of aluminum and silicon carbide, and is slightly more than the circuit board 10. It has a large rectangular plate shape. The plate thickness T2 of the heat sink 30 shown in FIG. 2 is, for example, 1.5 mm.

ヒートシンク３０は、その一方の板面である第１の面３１を回路基板１０の第１の板面１１に対向させた状態で、回路基板１０の第１の板面１１に取り付けられている。たとえば、回路基板１０の第１の板面１１とヒートシンク３０とは、一般的なシリコーン樹脂などよりなる接着剤１３を介して重ね合わされ、当該接着剤１３により接着され固定されている。ここで、図２に示される接着剤１３の厚さＴ４は、たとえば０．２ｍｍである。   The heat sink 30 is attached to the first plate surface 11 of the circuit board 10 with the first surface 31, which is one of the plate surfaces, facing the first plate surface 11 of the circuit board 10. For example, the first plate surface 11 of the circuit board 10 and the heat sink 30 are overlapped with each other via an adhesive 13 made of a general silicone resin, and are bonded and fixed by the adhesive 13. Here, the thickness T4 of the adhesive 13 shown in FIG. 2 is, for example, 0.2 mm.

モールド樹脂４０は、一般的なエポキシ樹脂よりなるものであり、トランスファーモールド法などにより形成される。ここで、モールド樹脂４０は、回路基板１０の第２の板面１２にて電子部品２０および当該第２の板面１２を封止するとともに、回路基板１０の側面およびヒートシンク３０の側面も封止している。   The mold resin 40 is made of a general epoxy resin, and is formed by a transfer molding method or the like. Here, the mold resin 40 seals the electronic component 20 and the second plate surface 12 with the second plate surface 12 of the circuit board 10, and also seals the side surfaces of the circuit substrate 10 and the heat sink 30. is doing.

ここで、図２に示されるように、モールド樹脂４０のうち回路基板１０の第２の板面１２側に位置するとともに当該第２の板面１２が投影される部位における回路基板１０およびヒートシンク３０の積層方向に沿った厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１とする。つまり、このモールド樹脂厚さＴ１は、モールド樹脂４０の当該部位における回路基板１０およびヒートシンク３０の板厚方向に沿った厚さＴ１である。   Here, as shown in FIG. 2, the circuit board 10 and the heat sink 30 in the portion of the mold resin 40 that is located on the second plate surface 12 side of the circuit substrate 10 and on which the second plate surface 12 is projected. The thickness T1 along the stacking direction is taken as the mold resin thickness T1. That is, the mold resin thickness T1 is the thickness T1 along the plate thickness direction of the circuit board 10 and the heat sink 30 at the portion of the mold resin 40.

ここでは、モールド樹脂４０は板状、たとえば矩形板状をなしている。この場合、モールド樹脂４０のうち回路基板１０の第２の板面１２側に位置するとともに当該第２の板面１２が投影される部位とは、回路基板１０と同一形状同一サイズの矩形板をなす部分である。そして、モールド樹脂厚さＴ１とは、回路基板１０の第２の板面１２側に位置するモールド樹脂４０の板面から回路基板１０の第２の板面１２までの距離に相当する。   Here, the mold resin 40 has a plate shape, for example, a rectangular plate shape. In this case, a portion of the mold resin 40 that is located on the second plate surface 12 side of the circuit board 10 and on which the second plate surface 12 is projected is a rectangular plate that has the same shape and size as the circuit board 10. It is a part to make. The mold resin thickness T1 corresponds to the distance from the plate surface of the mold resin 40 located on the second plate surface 12 side of the circuit board 10 to the second plate surface 12 of the circuit board 10.

そして、本実施形態では、このモールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上、好ましくは２．５以上とされている。ここでは、モールド樹脂厚さＴ１は、たとえば３．８ｍｍである。   In this embodiment, the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink 30 is 1.8 or more, preferably 2.5 or more. Here, the mold resin thickness T1 is, for example, 3.8 mm.

そして、ヒートシンク３０における第１の板面３１とは反対側の他方の板面である第２の板面３２は、モールド樹脂４０より露出している。これにより、ヒートシンク３０の第２の板面３２に放熱部材７０の一面７１が接触している。   The second plate surface 32, which is the other plate surface opposite to the first plate surface 31 in the heat sink 30, is exposed from the mold resin 40. Thereby, the one surface 71 of the heat radiating member 70 is in contact with the second plate surface 32 of the heat sink 30.

この放熱部材７０は、たとえば車両ＥＣＵの筺体であり、アルミニウムや鉄、銅などよりなる。この放熱部材７０とその上部のパッケージ部分とは、ネジ止めなどにより固定されている。そして、本実施形態では、回路基板１０、ヒートシンク３０、放熱部材７０の間に放熱経路が形成され、回路基板１０の熱がヒートシンク３０を介して放熱部材７０に放熱されるようになっている。   The heat radiating member 70 is, for example, a housing of a vehicle ECU, and is made of aluminum, iron, copper, or the like. The heat radiating member 70 and the upper package portion are fixed by screws or the like. In the present embodiment, a heat dissipation path is formed between the circuit board 10, the heat sink 30, and the heat dissipation member 70, and the heat of the circuit board 10 is radiated to the heat dissipation member 70 via the heatsink 30.

このように、本実施形態の電子装置は、板状の回路基板１０の第１の板面１１をヒートシンク３０の第１の板面３１に対向させた状態で、これら両面１１、３１を、接着剤１３を介して接着し、回路基板１０を含むヒートシンク３０の第１の板面３１側をモールド樹脂４０により封止するとともに、ヒートシンク３０の第２の板面３２をモールド樹脂４０より露出させた、いわゆるハーフモールド構成を有している。   As described above, the electronic device according to the present embodiment bonds these both surfaces 11 and 31 with the first plate surface 11 of the plate-shaped circuit board 10 facing the first plate surface 31 of the heat sink 30. The first plate surface 31 side of the heat sink 30 including the circuit board 10 is sealed with the mold resin 40, and the second plate surface 32 of the heat sink 30 is exposed from the mold resin 40. It has a so-called half mold configuration.

また、図１（ａ）に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の外側にリード５０が配置されている。このリード５０は、銅などの導電性金属よりなるもので、ここでは、短冊板状をなしている。そして、リード５０における回路基板１０側の部位はモールド樹脂４０に封止されてインナーリード部とされ、それとは反対側の部位はモールド樹脂４０より突出したアウターリード部とされている。   In addition, as shown in FIG. 1A, in this embodiment, the lead 50 is disposed outside the circuit board 10. The lead 50 is made of a conductive metal such as copper, and has a strip shape here. A portion of the lead 50 on the side of the circuit board 10 is sealed with a mold resin 40 to be an inner lead portion, and a portion on the opposite side is an outer lead portion protruding from the mold resin 40.

そして、モールド樹脂４０の内部にて、リード５０のインナーリード部と回路基板１０とは、上記ボンディングワイヤ６０により結線され、電気的に接続されている。このボンディングワイヤ６０は、金やアルミニウムなどの一般的なワイヤボンディングによって形成されるものである。   In the mold resin 40, the inner lead portion of the lead 50 and the circuit board 10 are connected by the bonding wire 60 and are electrically connected. The bonding wire 60 is formed by general wire bonding such as gold or aluminum.

このような電子装置においては、リード５０のアウターリード部にて外部との電気的接続が行われ、回路基板１０は、ボンディングワイヤ６０およびリード５０を介して外部との電気信号のやり取りを行うようになっている。そして、駆動時などに電子部品２０および回路基板１０にて発生する熱は、ヒートシンク３０の第２の板面３２を介して放熱部材７０に放熱されるようになっている。   In such an electronic device, the outer lead portion of the lead 50 is electrically connected to the outside, and the circuit board 10 exchanges electric signals with the outside via the bonding wire 60 and the lead 50. It has become. Heat generated in the electronic component 20 and the circuit board 10 during driving is radiated to the heat radiating member 70 via the second plate surface 32 of the heat sink 30.

このような本実施形態の電子装置は、回路基板１０の第２の板面１２に電子部品２０を搭載し、それとは反対側の第１の板面１１にヒートシンク３０の第１の板面３１を接着剤１３によって取り付け、これらをモールド樹脂４０で封止して、ヒートシンク３０の第２の板面３２をモールド樹脂４０より露出させることで製造される。   In the electronic device of this embodiment, the electronic component 20 is mounted on the second plate surface 12 of the circuit board 10, and the first plate surface 31 of the heat sink 30 is mounted on the first plate surface 11 on the opposite side. Are attached with the adhesive 13, and these are sealed with the mold resin 40, and the second plate surface 32 of the heat sink 30 is exposed from the mold resin 40.

このような製造工程を経て製造された本実施形態の電子装置は、モールド樹脂４０の硬化収縮時には、モールド樹脂４０と回路基板１０との線膨張係数差により、ヒートシンク３０に反りが生じる。   In the electronic device of this embodiment manufactured through such a manufacturing process, the heat sink 30 is warped due to a difference in linear expansion coefficient between the mold resin 40 and the circuit board 10 when the mold resin 40 cures and shrinks.

ここで、本実施形態では、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２を、１．８以上（好ましくは２．５以上）としていることで、ヒートシンク３０の第２の板面３２が、放熱部材７０の一面７１側に凸となるように反った構成とされている。   Here, in this embodiment, the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink 30 is set to 1.8 or more (preferably 2.5 or more). The plate surface 32 is warped so as to protrude toward the one surface 71 of the heat dissipation member 70.

しかも、このヒートシンク３０の第２の板面３２反りは、放熱部材７０の一面７１の反りよりも反り度合の大きなものとなる。具体的には、ヒートシンク３０の第２の板面３２の反りは、５０μｍ以上となる。   Moreover, the warp of the second plate surface 32 of the heat sink 30 has a greater degree of warp than the warp of the one surface 71 of the heat dissipation member 70. Specifically, the warp of the second plate surface 32 of the heat sink 30 is 50 μm or more.

そのため、本実施形態では、図１（ｂ）に示されるように、ヒートシンク３０の第２の板面３２と放熱部材７０の一面７１とは、確実に接触するのである。具体的には、当該反りの凸の頂部およびその付近を中心に、ヒートシンク３０の中央部にて当該接触が行われる。なお、この反りの大きさとは、平坦面の状態から反った状態となったとき、その反り状態における板厚方向の最低点と最高点との距離である。   Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 1B, the second plate surface 32 of the heat sink 30 and the one surface 71 of the heat radiating member 70 are in reliable contact. Specifically, the contact is made at the central portion of the heat sink 30 around the top of the warped projection and the vicinity thereof. The warpage size is the distance between the lowest point and the highest point in the thickness direction in the warped state when the flat surface is warped.

このモールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２を、１．８以上（好ましくは２．５以上）とした構成は、本発明者が行った実験検討の結果得られたものである。   The configuration in which the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink 30 is set to 1.8 or more (preferably 2.5 or more) is obtained as a result of an experimental study conducted by the present inventors. It is a thing.

図３は、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２と、モールド樹脂４０の硬化収縮後におけるヒートシンク３０の第２の板面３２の反り量（単位：ｍｍ）との関係を調査した結果を示すグラフである。   FIG. 3 shows the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink 30, and the warpage amount (unit: mm) of the second plate surface 32 of the heat sink 30 after the mold resin 40 is cured and contracted. It is a graph which shows the result of having investigated the relationship.

この図３においては、ヒートシンク３０は、アルミとシリコンカーバイドとの混合物の焼成物であるＡｌＳｉＣよりなるものとし、回路基板１０は、アルミナよりなるものとし、モールド樹脂４０は、エポキシ樹脂よりなるものとした。また、これらの線膨張係数は、ヒートシンク３０およびモールド樹脂４０が同一で共に９ｐｐｍ、回路基板１０がそれらよりも小さく７ｐｐｍとした。   In FIG. 3, the heat sink 30 is made of AlSiC, which is a fired product of a mixture of aluminum and silicon carbide, the circuit board 10 is made of alumina, and the mold resin 40 is made of epoxy resin. did. These linear expansion coefficients were 9 ppm for both the heat sink 30 and the mold resin 40, and 7 ppm for the circuit board 10 smaller than them.

また、この図３においては、上記図２に示される回路基板１０の厚さＴ３を１．２ｍｍ、接着剤１３の厚さＴ４を０．２ｍｍ、また、パッケージ全体の厚さＴ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４を６．７ｍｍと一定にしたうえで、ヒートシンク３０の厚さＴ２を変えることで、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の厚さＴ２との比Ｔ１／Ｔ２を変えた。そして、異なる比Ｔ１／Ｔ２の電子装置について、上記反り量を調査した。   In FIG. 3, the thickness T3 of the circuit board 10 shown in FIG. 2 is 1.2 mm, the thickness T4 of the adhesive 13 is 0.2 mm, and the total thickness T1 + T2 + T3 + T4 is 6.7 mm. Then, the ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the thickness T2 of the heat sink 30 was changed by changing the thickness T2 of the heat sink 30. And the said curvature amount was investigated about the electronic device of different ratio T1 / T2.

また、モールド樹脂４０は、約１７０℃で封止を行い、その後、常温まで冷却することで成型した。つまり、この図３に示される反り量は、モールド樹脂４０を約１７０℃から常温まで降温して硬化収縮させたときの値であり、常温での値である。   The mold resin 40 was molded by sealing at about 170 ° C. and then cooling to room temperature. That is, the amount of warpage shown in FIG. 3 is a value when the mold resin 40 is cooled from about 170 ° C. to room temperature and cured and shrunk, and is a value at room temperature.

図３に示されるように、上記比Ｔ１／Ｔ２が１．８以上のとき、ヒートシンク３０の第２の板面３２の反りは、５０μｍ以上となり、放熱部材７０の一面７１に通常発生する反りよりも反り度合の大きなものとなる。   As shown in FIG. 3, when the ratio T1 / T2 is 1.8 or more, the warp of the second plate surface 32 of the heat sink 30 is 50 μm or more, which is caused by the warp normally generated on the one surface 71 of the heat radiating member 70. Will also have a large degree of warpage.

ここで、電子装置におけるヒートシンク３０、回路基板１０およびモールド樹脂４０の各部の反りは、常温から高温になるほど小さくなる。上述したように、たとえば車両に搭載される電子装置では、最大１５０℃程度の高温で使用されるが、本発明者の検討によれば、１５０℃程度の高温では、常温に比べて、当該反りの大きさが３０〜４０％程度小さくなる。   Here, the warp of each part of the heat sink 30, the circuit board 10, and the mold resin 40 in the electronic device becomes smaller as the temperature increases from room temperature. As described above, for example, an electronic device mounted on a vehicle is used at a high temperature of about 150 ° C., but according to the study of the present inventors, the warpage is higher at a high temperature of about 150 ° C. than at normal temperature. Is reduced by about 30 to 40%.

そこで、好ましくは、この１５０℃程度の高温で電子装置が使用されること、および、その高温での使用によって当該反りが常温に比べて３０〜４０％小さくなることを考慮することが望ましい。   Therefore, preferably, it is desirable to consider that the electronic device is used at a high temperature of about 150 ° C. and that the warpage is 30 to 40% smaller than the normal temperature due to the use at the high temperature.

図３のものは、常温の反り量であるため、ヒートシンク３０の第２の板面３２の反りを５０μｍよりも大きくするには、反り量が１００μｍ前後となる上記比Ｔ１／Ｔ２の範囲、すなわち上記比Ｔ１／Ｔ２：２．５以上の範囲が望ましい。なお、図３に示される上記比Ｔ１／Ｔ２の上限は４．５であるが、この値は、この種の電子装置における実用レベルの上限に近いものである。   3 is a warpage amount at room temperature, and in order to make the warpage of the second plate surface 32 of the heat sink 30 larger than 50 μm, the range of the ratio T1 / T2 in which the warpage amount is about 100 μm, that is, A range of the above ratio T1 / T2: 2.5 or more is desirable. The upper limit of the ratio T1 / T2 shown in FIG. 3 is 4.5, but this value is close to the upper limit of the practical level in this type of electronic device.

このような検討結果に基づいて、本実施形態では、上記比Ｔ１／Ｔ２を１．８以上としており、それによって、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を適切に確保するようにしている。また、上記比Ｔ１／Ｔ２を２．５以上とすることで、１５０℃程度の高温まで使用しても、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を適切に確保するのに適した電子装置を提供できる。   Based on such examination results, in the present embodiment, the ratio T1 / T2 is set to 1.8 or more, and thereby, the contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70 is appropriately ensured. In addition, by setting the ratio T1 / T2 to 2.5 or more, an electronic device suitable for appropriately securing the contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70 even when used at a high temperature of about 150 ° C. is provided. it can.

たとえば、パッケージ全体の厚さＴ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４を６．７ｍｍとして、上記比Ｔ１／Ｔ２を２．５とした場合、回路基板１０の厚さＴ３は１．２ｍｍ、接着剤１３の厚さＴ４は０．２ｍｍであり、ヒートシンク３０の厚さＴ２は１．５ｍｍ、モールド樹脂厚さＴ１は３．８ｍｍである。   For example, when the thickness T1 + T2 + T3 + T4 of the entire package is 6.7 mm and the ratio T1 / T2 is 2.5, the thickness T3 of the circuit board 10 is 1.2 mm, and the thickness T4 of the adhesive 13 is 0.2 mm. The heat sink 30 has a thickness T2 of 1.5 mm and a mold resin thickness T1 of 3.8 mm.

このように、従来では、好ましくないものとされてきたヒートシンク３０の反りを、本実施形態では、積極的に所定方向に所定の大きさで発生させることにより、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を確保するものであり、本実施形態は、従来の技術的思想とは全く異なる思想に基づくものである。   As described above, in the present embodiment, the warp of the heat sink 30 that has been considered to be undesirable in the related art is positively generated in a predetermined direction in a predetermined size, whereby contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70 is achieved. This embodiment is based on a completely different idea from the conventional technical idea.

また、本実施形態では、ヒートシンク３０としてＡｌ粒子とＳｉＣ粒子の焼結体であるＡｌＳｉＣよりなるものを用いているが、このＡｌＳｉＣを使用することでヒートシンク３０は低弾性率になり、反り量の増加、モールド樹脂４０との応力低減が期待される。   In this embodiment, the heat sink 30 is made of AlSiC, which is a sintered body of Al particles and SiC particles. However, by using this AlSiC, the heat sink 30 has a low elastic modulus, and the amount of warpage is reduced. An increase and a reduction in stress with the mold resin 40 are expected.

また、図４は、本実施形態の電子装置の他の例としての種々のバリエーションを示す図であり、（ａ）は電子装置の概略断面図、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれヒートシンク３０の概略平面図である。   FIG. 4 is a diagram showing various variations as other examples of the electronic device of the present embodiment. (A) is a schematic cross-sectional view of the electronic device, and (b) and (c) are diagrams of the heat sink 30. It is a schematic plan view.

上記図１（ｂ）に示されるように、ヒートシンク３０が反る場合、ヒートシンク３０とモールド樹脂４０との密着部のうちヒートシンク３０の側面部分にて、ヒートシンク３０がモールド樹脂４０によって引っ張られることにより、当該反りが大きくなる。そのため、ヒートシンク３０の側面とモールド樹脂４０との界面応力は、ヒートシンク３０が反るほど大きくなる。   As shown in FIG. 1B, when the heat sink 30 warps, the heat sink 30 is pulled by the mold resin 40 at the side surface portion of the heat sink 30 in the close contact portion between the heat sink 30 and the mold resin 40. The warpage becomes large. Therefore, the interface stress between the side surface of the heat sink 30 and the mold resin 40 increases as the heat sink 30 warps.

図４に示される例は、このことを考慮したものであり、図４の各例では、モールド樹脂４０と密着するヒートシンク３０の側面を、モールド樹脂４０との密着力を向上させる形状としている。   The example shown in FIG. 4 takes this into consideration, and in each example of FIG. 4, the side surface of the heat sink 30 that is in close contact with the mold resin 40 has a shape that improves the adhesion with the mold resin 40.

たとえば、図４（ａ）では、ヒートシンク３０の側面を、モールド樹脂４０に食い込むような尖った形状としており、図４（ｂ）、（ｃ）ではヒートシンク３０の側面に凹凸を設けてモールド樹脂４０へ食い込ませるようにしている。これらによれば、いわゆるアンカー効果による密着力の向上が図れる。   For example, in FIG. 4A, the side surface of the heat sink 30 has a sharp shape that bites into the mold resin 40, and in FIG. 4B and FIG. I'm trying to bite in. According to these, it is possible to improve the adhesion due to the so-called anchor effect.

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るヒートシンク３０の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、ヒートシンク３０の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the heat sink 30 according to the second embodiment of the present invention. The present embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the heat sink 30, and here, the difference will be mainly described.

図５に示されるように、本実施形態では、ヒートシンク３０を、線膨張係数の異なる板を貼り合わせてなるものとしている。具体的には、ヒートシンク３０の第１の板面３１側に位置する第１の板３０ａと、第２の板面３２側に位置し第１の板３１よりも線膨張係数が小さい第２の板３０ｂとを貼り合わせてなる。   As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the heat sink 30 is formed by bonding plates having different linear expansion coefficients. Specifically, the first plate 30a located on the first plate surface 31 side of the heat sink 30 and the second plate having a linear expansion coefficient smaller than that of the first plate 31 located on the second plate surface 32 side. The plate 30b is bonded together.

たとえば、第１の板３０ａ、第２の板３０ｂともにＡｌＳｉＣよりなるものとし、第２の板３０ｂは第１の板３０ａよりもＳｉＣの含有量を少ないものとすることで、第２の板３０ｂは第１の板３０ａよりも線膨張係数が小さいものとなる。   For example, both the first plate 30a and the second plate 30b are made of AlSiC, and the second plate 30b has a lower content of SiC than the first plate 30a, whereby the second plate 30b. Has a smaller linear expansion coefficient than the first plate 30a.

それによれば、温度降下時には、第１の板３０ａの方が第２の板３０ｂよりも収縮度合が大きくなるので、ヒートシンク３０は、第２の板３０ｂ側すなわち第２の板面３２が凸となるように反る。   According to this, when the temperature drops, the first plate 30a has a higher degree of shrinkage than the second plate 30b, so that the heat sink 30 has a convex side on the second plate 30b side, that is, the second plate surface 32. Warp to be.

そのため、本実施形態のヒートシンク３０を上記第１実施形態のヒートシンク３０として適用すれば、ヒートシンク３０を反らせるためにヒートシンク３０がモールド樹脂４０に引っ張られる応力を小さくすることができるという利点がある。   Therefore, if the heat sink 30 of the present embodiment is applied as the heat sink 30 of the first embodiment, there is an advantage that the stress with which the heat sink 30 is pulled by the mold resin 40 to warp the heat sink 30 can be reduced.

ここで、図６は、本実施形態のヒートシンク３０の製造方法を示す工程図である。まず、ＡｌとＳｉＣの配合比の異なる２種類の粉末を用意する。そして、図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、第２の板３０ｂとなる粉末を金型Ｋ１に注入し、これをプレスして板状に成形する。   Here, FIG. 6 is a process diagram showing a method for manufacturing the heat sink 30 of the present embodiment. First, two types of powders having different mixing ratios of Al and SiC are prepared. Then, as shown in FIGS. 6A and 6B, the powder to be the second plate 30b is poured into the mold K1, and is pressed into a plate shape.

次に、金型Ｋ１内の成形された第２の板３０ｂの上に、第１の板３０ａとなる粉末を注入し、図６（ｃ）に示されるように、これをプレスして板状に成形する。これにより、２枚の板３０ａ、３０ｂよりなるヒートシンク３０の成形体が出来上がり、次に、この成形体を焼結することにより、本実施形態のヒートシンク３０ができあがる。   Next, the powder to be the first plate 30a is injected onto the molded second plate 30b in the mold K1, and this is pressed into a plate shape as shown in FIG. 6 (c). To form. As a result, a molded body of the heat sink 30 composed of the two plates 30a and 30b is completed, and then the molded body is sintered to complete the heat sink 30 of the present embodiment.

なお、上記図６では、第２の板３０ｂを成形し、その後、第１の板３０ａを成形したが、それとは反対に、第１の板３０ａを先に成形してもよい。   In FIG. 6, the second plate 30b is formed, and then the first plate 30a is formed. However, the first plate 30a may be formed first, on the contrary.

（第３実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態に係るヒートシンク３０の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、ヒートシンク３０の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Third embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a heat sink 30 according to the third embodiment of the present invention. The present embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the heat sink 30, and here, the difference will be mainly described.

上記第１実施形態では、上記比Ｔ１／Ｔ２の構成を採用することで、モールド樹脂４０の硬化収縮後のヒートシンク３０の反りを発生させるものであったが、本実施形態は、もともとヒートシンク３０の第２の板面３２を凸形状に成型しておくことで、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を確保するものである。   In the first embodiment, the configuration of the ratio T1 / T2 is adopted to generate the warp of the heat sink 30 after the curing and shrinkage of the mold resin 40. By forming the second plate surface 32 into a convex shape, the contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70 is ensured.

つまり、図７に示されるように、本実施形態のヒートシンク３０は、パッケージに組み込む前の単品の状態で、その第２の板面３２が凸形状とされているものである。ここでは、ヒートシンク３０は、第１の板面３１の中央部が凹、第２の板面３２の中央部が凸部３３となるように反ったものとされている。この凸部３３は上記放熱部材７０の一面７１に向かって突出するものである。   That is, as shown in FIG. 7, the heat sink 30 of the present embodiment has a second plate surface 32 having a convex shape in a single product state before being incorporated into a package. Here, the heat sink 30 is warped so that the central portion of the first plate surface 31 is concave and the central portion of the second plate surface 32 is the convex portion 33. The convex portion 33 projects toward the one surface 71 of the heat radiating member 70.

そして、本実施形態は、このヒートシンク３０を上記図１に示されるように、パッケージに組み込み、放熱部材７０の一面７１に接触させることにより電子装置を構成するものである。このとき、ヒートシンク３０の凸部３３が放熱部材７０の一面７１に接触するものである。   In this embodiment, as shown in FIG. 1, the heat sink 30 is incorporated in a package and brought into contact with one surface 71 of the heat dissipation member 70 to constitute an electronic device. At this time, the convex portion 33 of the heat sink 30 is in contact with the one surface 71 of the heat dissipation member 70.

つまり、本電子装置は、一般的な構成のヒートシンク３０を反らせたものを、パッケージに組み込んでなるものであり、上記第１実施形態のような比Ｔ１／Ｔ２の構成を採用しなくてもよいものである。   That is, the electronic device is obtained by incorporating a heat sink 30 having a general configuration in a package, and the configuration of the ratio T1 / T2 as in the first embodiment may not be adopted. Is.

具体的に、図７に示されるように、反り状態のヒートシンク３０と、このヒートシンク３０を反らせずに平板としたものについて、具体的な効果の一例を示す。たとえば、パッケージ組み込み前の単品のヒートシンク３０として、反りが０μｍである比較例のものと、反りが６０μｍである本実施形態のものを用意し、それぞれについて、上記図１と同様の構成を有する電子装置を作製した。   Specifically, as shown in FIG. 7, an example of a specific effect is shown for a heat sink 30 in a warped state and a flat plate without warping the heat sink 30. For example, as a single heat sink 30 before package incorporation, a comparative example having a warp of 0 μm and a present embodiment having a warp of 60 μm are prepared, and each has an electronic configuration similar to that of FIG. A device was made.

そして、これら各電子装置について、モールド樹脂４０の硬化収縮後の反りを測定したところ、反りが０μｍである比較例では、硬化収縮後の反りは９０μｍであり、反りが６０μｍである本実施形態では、硬化収縮後の反りは１２０μｍであった。つまり、本実施形態のものは、上記した放熱部材７０の一面７１の反りよりも大きく、ヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を適切に確保できるものとなる。   And about each of these electronic devices, when the curvature after hardening shrinkage | contraction of the mold resin 40 was measured, in the comparative example whose curvature is 0 micrometer, the curvature after curing shrinkage is 90 micrometers, and in this embodiment whose curvature is 60 micrometers. The warpage after curing shrinkage was 120 μm. That is, the thing of this embodiment is larger than the curvature of the one surface 71 of the above-mentioned heat radiating member 70, and can ensure the contact with the heat sink 30 and the heat radiating member 70 appropriately.

このような本実施形態の反り状態のヒートシンク３０は、たとえば次のようにして作製される。図８は、本実施形態のヒートシンク３０の第１の作製方法を示す工程図である。図８に示されるように、ヒートシンク３０の第２の面３２を研磨石Ｋ２で研磨してやれば、その研磨応力によって、研磨されたヒートシンク３０の第２の板面３２が凸状に反りかえる。   For example, the warped heat sink 30 of the present embodiment is manufactured as follows. FIG. 8 is a process diagram showing a first method for manufacturing the heat sink 30 of the present embodiment. As shown in FIG. 8, if the second surface 32 of the heat sink 30 is polished with the polishing stone K2, the polished second plate surface 32 of the heat sink 30 is warped in a convex shape by the polishing stress.

また、図９は、本実施形態のヒートシンク３０の第２の作製方法を示す工程図である。この図９の場合、図９（ａ）に示されるように、上型Ｋ３のプレス面が凸状の球面、下型Ｋ３のプレス面が凹状の球面とされたプレス型Ｋ３を用い、上下型Ｋ３、Ｋ３間に平板状のヒートシンク３０を挟み込む。   FIG. 9 is a process diagram showing a second method for manufacturing the heat sink 30 of the present embodiment. In the case of FIG. 9, as shown in FIG. 9 (a), an upper and lower dies are used by using a press die K3 in which the press surface of the upper die K3 is a convex spherical surface and the press surface of the lower die K3 is a concave spherical surface. A flat heat sink 30 is sandwiched between K3 and K3.

そして、図９（ｂ）に示されるように、上下型Ｋ３、Ｋ３を重ね合わせることで、平板状のヒートシンク３０をプレスして変形させる。これにより、図９（ｃ）に示されるように、反り状態となった本実施形態のヒートシンク３０ができあがる。   Then, as shown in FIG. 9B, the flat plate heat sink 30 is pressed and deformed by superimposing the upper and lower molds K3 and K3. As a result, as shown in FIG. 9C, the heat sink 30 of the present embodiment in a warped state is completed.

このように、本実施形態によれば、モールド樹脂４０より露出するヒートシンク３０の第２の板面３２が、放熱部材７０の一面７１に向かう凸部３３を有する形状をなしているから、この凸部３３にてヒートシンク３０を放熱部材７０の一面７１に容易に接触させることができる。   Thus, according to the present embodiment, the second plate surface 32 of the heat sink 30 exposed from the mold resin 40 has a shape having the convex portion 33 that faces the one surface 71 of the heat dissipation member 70. The heat sink 30 can be easily brought into contact with the one surface 71 of the heat dissipation member 70 at the portion 33.

ここで、図１０は、本実施形態の電子装置の製造方法におけるモールド樹脂４０による封止工程（モールド工程）の好ましい形態を示す概略断面図である。モールド樹脂４０による封止は、一般的なものと同様、上型Ｋ４１と下型Ｋ４２とを合致させ、その間にキャビティを形成する成型金型Ｋ４１、Ｋ４２を用いる。   Here, FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a preferred form of the sealing step (molding step) with the mold resin 40 in the method for manufacturing the electronic device of the present embodiment. Sealing with the mold resin 40 is performed using molding dies K41 and K42 in which the upper die K41 and the lower die K42 are matched and a cavity is formed between them, as in a general case.

ここで、図１０に示されるように、下型Ｋ４２におけるキャビティの内面には、ヒートシンク３０の第２の板面３２の凸部３３に対応した凹形状をなす凹部Ｋ４３が、形成されている。そのため、樹脂封止時には、ヒートシンク３０の第２の板面３２は、この凹部Ｋ４３にて隙間なく密着した状態となり、当該第２の板面３２における樹脂バリを防止することができる。   Here, as shown in FIG. 10, a concave portion K43 having a concave shape corresponding to the convex portion 33 of the second plate surface 32 of the heat sink 30 is formed on the inner surface of the cavity of the lower mold K42. Therefore, at the time of resin sealing, the second plate surface 32 of the heat sink 30 is in close contact with the recess K43 without a gap, and resin burrs on the second plate surface 32 can be prevented.

（第４実施形態）
図１１は、本発明の第４実施形態に係るヒートシンク３０の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第３実施形態において、ヒートシンク３０の第１の板面３１の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Fourth embodiment)
FIG. 11 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a heat sink 30 according to the fourth embodiment of the present invention. This embodiment is different from the third embodiment in the configuration of the first plate surface 31 of the heat sink 30, and here, the difference will be mainly described.

図１１に示されるように、本実施形態では、ヒートシンク３０は、放熱部材７０の一面７１との接触側である第２の板面３２は、上記第３実施形態と同様、凸部３３を有する構成であるが、回路基板１０の搭載面である第１の板面３１は、凹面ではなく平坦面とされたものとしている。   As shown in FIG. 11, in this embodiment, the heat sink 30 has the second plate surface 32 on the contact side with the one surface 71 of the heat radiating member 70, as in the third embodiment. Although it is a structure, the 1st board surface 31 which is a mounting surface of the circuit board 10 shall be a flat surface instead of a concave surface.

このようなヒートシンク３０は、成型・焼結や切削、プレスなどにより容易に形成できる。そして、本実施形態によれば、ヒートシンク３０において、回路基板１０が実装される第１の板面３１が平坦面であるから、接着剤１３を介して対向する回路基板１０の第１の板面１１とヒートシンク３０の第１の板面３１との距離が全体で均一となる。   Such a heat sink 30 can be easily formed by molding, sintering, cutting, pressing, or the like. And according to this embodiment, in the heat sink 30, since the 1st board surface 31 in which the circuit board 10 is mounted is a flat surface, the 1st board surface of the circuit board 10 which opposes via the adhesive agent 13 is used. 11 and the first plate surface 31 of the heat sink 30 become uniform as a whole.

たとえば、上記第３実施形態のように、ヒートシンク３０の第１の板面３１が凹面であると、当該両第１の板面１１、３１の距離が、回路基板１０の中央部にて大きく周辺部にて小さくなるため、モールド樹脂４０の封止時に成型圧力が回路基板１０に加わったとき、回路基板１０がたわんで、割れに至る可能性がある。   For example, if the first plate surface 31 of the heat sink 30 is concave as in the third embodiment, the distance between the first plate surfaces 11 and 31 is greatly increased in the center of the circuit board 10. Therefore, when the molding pressure is applied to the circuit board 10 when the mold resin 40 is sealed, the circuit board 10 may bend and crack.

それに対して、本実施形態では、ヒートシンク３０の第１の板面３１における回路基板１０の支持が安定となるから、モールド樹脂３０の封止時における成型圧力によって回路基板１０が割れたりするのを極力防止できる。   On the other hand, in this embodiment, since the support of the circuit board 10 on the first plate surface 31 of the heat sink 30 is stable, the circuit board 10 may be broken by the molding pressure when the mold resin 30 is sealed. It can be prevented as much as possible.

（第５実施形態）
図１２は、本発明の第５実施形態に係るヒートシンク３０の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の矢印Ａ方向から視た側面図である。本実施形態は、上記第３実施形態において、ヒートシンク３０の第１の板面３１の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Fifth embodiment)
12A and 12B are diagrams showing a schematic configuration of a heat sink 30 according to the fifth embodiment of the present invention, where FIG. 12A is a schematic plan view, and FIG. 12B is a side view as viewed from the direction of arrow A in FIG. is there. This embodiment is different from the third embodiment in the configuration of the first plate surface 31 of the heat sink 30, and here, the difference will be mainly described.

図１２に示されるように、ヒートシンク３０の第２の板面３２に設けられる凸部３３は、部分的に設けられた複数個のものであってもよい。図１２では、３個の凸部３３が設けられている。   As shown in FIG. 12, the convex portion 33 provided on the second plate surface 32 of the heat sink 30 may be a plurality of partially provided portions. In FIG. 12, three convex portions 33 are provided.

このような複数個の凸部３３は、たとえば成型やプレス、切削などにより容易に形成できる。そして、この場合、複数個の凸部３３にて、ヒートシンク３０と放熱部材７０の一面７１との接触が実現されるから、放熱性のさらなる向上が期待できる。   Such a plurality of convex portions 33 can be easily formed by molding, pressing, cutting, or the like. In this case, since the contact between the heat sink 30 and the one surface 71 of the heat dissipation member 70 is realized by the plurality of convex portions 33, further improvement in heat dissipation can be expected.

（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態に示した上記比Ｔ１／Ｔ２の構成において、上記第２実施形態に示した凸形状のヒートシンク３０を採用してもよいことはもちろんである。それによれば、上記比Ｔ１／Ｔ２による反りの効果と、ヒートシンク３０の凸部３３による効果との両方の効果が発揮され、より確実にヒートシンク３０と放熱部材７０との接触を確保できることは明らかである。 (Other embodiments)
Of course, in the configuration of the ratio T1 / T2 shown in the first embodiment, the convex heat sink 30 shown in the second embodiment may be adopted. According to this, it is obvious that both the effect of warping due to the ratio T1 / T2 and the effect of the convex portion 33 of the heat sink 30 are exhibited, and the contact between the heat sink 30 and the heat radiating member 70 can be ensured more reliably. is there.

また、上記各実施形態において、上記各実施形態に示した構成を適切に実現し、その効果を発揮するものであるならば、回路基板１０、ヒートシンク３０、モールド樹脂４０の材質については、適宜設計変更してもよい。   Further, in each of the above-described embodiments, the material of the circuit board 10, the heat sink 30, and the mold resin 40 is appropriately designed as long as the configuration shown in each of the above-described embodiments is appropriately realized and exhibits its effect. It may be changed.

また、上記各実施形態において、モールド樹脂厚さＴ１を、さほど大きくできない制約がある場合には、モールド樹脂４０の線膨張係数をヒートシンク３０より大きくしてもよい。それによれば、パッケージの反り量が大きくなり、結果的にヒートシンク３０の反りも大きくなる。   Further, in each of the above embodiments, when there is a restriction that the mold resin thickness T1 cannot be increased so much, the linear expansion coefficient of the mold resin 40 may be made larger than that of the heat sink 30. According to this, the warpage amount of the package is increased, and as a result, the warpage of the heat sink 30 is also increased.

１０ 回路基板
１１ 回路基板の一方の板面としての第１の板面
１２ 回路基板の他方の板面としての第２の板面
３０ ヒートシンク
３１ ヒートシンクの一方の板面としての第１の板面
３２ ヒートシンクの他方の板面としての第２の板面
３３ 凸部
４０ モールド樹脂
７０ 放熱部材
７１ 放熱部材の一面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Circuit board 11 1st board surface as one board surface of a circuit board 12 2nd board surface as the other board surface of a circuit board 30 Heat sink 31 1st board surface as one board surface of a heat sink 32 Second plate surface as the other plate surface of the heat sink 33 Projection 40 Mold resin 70 Heat radiation member 71 One surface of heat radiation member

Claims (7)

板状のヒートシンク（３０）と、
一方の板面（１１）を前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に対向させた状態で、前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に搭載された板状の回路基板（１０）と、を備え、
前記回路基板（１０）を含む前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）側がモールド樹脂（４０）により封止されるとともに、前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）がモールド樹脂（４０）より露出しており、
この露出する前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）に放熱部材（７０）の一面（７１）が接触し、前記回路基板（１０）の熱が前記ヒートシンク（３０）を介して前記放熱部材（７０）に放熱されるようになっている電子装置において、
前記モールド樹脂（４０）のうち前記回路基板（１０）の他方の板面（１２）側に位置するとともに当該他方の板面（１２）が投影される部位における前記回路基板（１０）および前記ヒートシンク（３０）の積層方向に沿った厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１としたとき、
前記モールド樹脂厚さＴ１と前記ヒートシンク（３０）の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上であることを特徴とする電子装置。 A plate-shaped heat sink (30);
A plate-like circuit board mounted on one plate surface (31) of the heat sink (30) with one plate surface (11) facing one plate surface (31) of the heat sink (30). (10)
One plate surface (31) side of the heat sink (30) including the circuit board (10) is sealed with a mold resin (40), and the other plate surface (32) of the heat sink (30) is a mold resin. (40) more exposed,
One surface (71) of the heat radiating member (70) contacts the other plate surface (32) of the exposed heat sink (30), and the heat of the circuit board (10) is radiated through the heat sink (30). In an electronic device adapted to dissipate heat to the member (70),
The circuit board (10) and the heat sink at a portion of the mold resin (40) located on the other plate surface (12) side of the circuit substrate (10) and projected on the other plate surface (12). When the thickness T1 along the stacking direction of (30) is the mold resin thickness T1,
A ratio T1 / T2 between the mold resin thickness T1 and the plate thickness T2 of the heat sink (30) is 1.8 or more. 前記モールド樹脂厚さＴ１と前記ヒートシンク（３０）の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、２．５以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。   2. The electronic device according to claim 1, wherein a ratio T <b> 1 / T <b> 2 of the mold resin thickness T <b> 1 and a plate thickness T <b> 2 of the heat sink (30) is 2.5 or more. 前記ヒートシンク（３０）は、アルミとシリコンカーバイドとの混合物の焼成物であるＡｌＳｉＣよりなり、
前記回路基板（１０）は、アルミナよりなり、
前記モールド樹脂（３０）は、エポキシ樹脂よりなることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。 The heat sink (30) is made of AlSiC which is a fired product of a mixture of aluminum and silicon carbide.
The circuit board (10) is made of alumina,
The electronic device according to claim 1, wherein the mold resin is made of an epoxy resin. 前記ヒートシンク（３０）の線膨張係数と前記モールド樹脂（４０）との線膨張係数とが同じであり、
前記ヒートシンク（３０）および前記モールド樹脂（４０）の線膨張係数よりも、前記回路基板（１０）の線膨張係数の方が小さいことを特徴とする請求項３に記載の電子装置。 The linear expansion coefficient of the heat sink (30) and the linear expansion coefficient of the mold resin (40) are the same,
The electronic device according to claim 3, wherein the linear expansion coefficient of the circuit board (10) is smaller than the linear expansion coefficient of the heat sink (30) and the mold resin (40). 前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）は、前記放熱部材（７０）の一面（７１）に向かう凸部（３３）を有する形状に成形されており、
この凸部（３３）にて前記ヒートシンク（３０）は前記放熱部材（７０）の一面（７１）に接触していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。 The other plate surface (32) of the heat sink (30) is molded into a shape having a convex portion (33) toward one surface (71) of the heat dissipation member (70),
The electronic device according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat sink (30) is in contact with one surface (71) of the heat radiating member (70) at the convex portion (33). . 板状のヒートシンク（３０）と、
一方の板面（１１）を前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に対向させた状態で、前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）に搭載された板状の回路基板（１０）と、を備え、
前記回路基板（１０）を含む前記ヒートシンク（３０）の一方の板面（３１）側がモールド樹脂（４０）により封止されるとともに、前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）がモールド樹脂（４０）より露出しており、
この露出する前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）に放熱部材（７０）の一面（７１）が接触し、前記回路基板（１０）の熱が前記ヒートシンク（３０）を介して前記放熱部材（７０）に放熱されるようになっている電子装置において、
前記ヒートシンク（３０）の他方の板面（３２）は、前記放熱部材（７０）の一面（７１）に向かう凸部（３３）を有する形状に成形されており、
この凸部（３３）にて前記ヒートシンク（３０）は前記放熱部材（７０）の一面（７１）に接触していることを特徴とする電子装置。 A plate-shaped heat sink (30);
A plate-like circuit board mounted on one plate surface (31) of the heat sink (30) with one plate surface (11) facing one plate surface (31) of the heat sink (30). (10)
One plate surface (31) side of the heat sink (30) including the circuit board (10) is sealed with a mold resin (40), and the other plate surface (32) of the heat sink (30) is a mold resin. (40) more exposed,
One surface (71) of the heat radiating member (70) contacts the other plate surface (32) of the exposed heat sink (30), and the heat of the circuit board (10) is radiated through the heat sink (30). In an electronic device adapted to dissipate heat to the member (70),
The other plate surface (32) of the heat sink (30) is molded into a shape having a convex portion (33) toward one surface (71) of the heat dissipation member (70),
The electronic device, wherein the heat sink (30) is in contact with one surface (71) of the heat radiating member (70) at the convex portion (33). 前記ヒートシンク（３０）は、その一方の板面（３１）が平坦面であって、その他方の板面（３２）が前記凸部（３３）を有する形状に成形されたものであることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。   The heat sink (30) is formed such that one plate surface (31) is a flat surface and the other plate surface (32) has the convex portion (33). The electronic device according to claim 6.
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