JP2009064870A - Mold package - Google Patents

Mold package Download PDF

Info

Publication number
JP2009064870A
JP2009064870A JP2007229962A JP2007229962A JP2009064870A JP 2009064870 A JP2009064870 A JP 2009064870A JP 2007229962 A JP2007229962 A JP 2007229962A JP 2007229962 A JP2007229962 A JP 2007229962A JP 2009064870 A JP2009064870 A JP 2009064870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
plate member
heat sink
mold package
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007229962A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5018355B2 (en
Inventor
Yasutomi Asai
浅井  康富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2007229962A priority Critical patent/JP5018355B2/en
Publication of JP2009064870A publication Critical patent/JP2009064870A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5018355B2 publication Critical patent/JP5018355B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent warp and crack in a ceramic substrate even when the ceramic substrate is pressed to a heat sink owing to molding pressure while resin is sealed, in a mold package that is formed by attaching the ceramic substrate to a metallic heat sink and by half-molding these elements with a molding resin. <P>SOLUTION: When a force is applied to the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 which are mutually attached with each other with each one plate surface 11, 21 in the direction orthogonal to one plate surface 11 of the ceramic substrate 10, the heat sink 20 is bent easier than the ceramic substrate 10 regarding bending where displacement occurs in the relevant orthogonal direction. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、脆性材料よりなる第1の板材を第2の板材に貼り合わせたものを、モールド樹脂によりハーフモールドしてなるモールドパッケージに関する。   The present invention relates to a mold package in which a first plate made of a brittle material is bonded to a second plate and half-molded with a mold resin.

従来より、この種のモールドパッケージとしては、セラミック基板などよりなる第1の板材とアイランドやヒートシンクなどよりなる第2の板材と備え、これら両板材の互いの一方の板面同士を接着により貼り合わせるとともに、第2の板材のうち貼り合わせ面である一方の板面とは反対側の他方の板面が露出するように、これら両板材をモールド樹脂で封止したものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   Conventionally, as this type of mold package, a first plate material made of a ceramic substrate or the like and a second plate material made of an island, a heat sink or the like are provided, and one of the two plate materials is bonded together by bonding. At the same time, a material in which both plate materials are sealed with a mold resin so as to expose the other plate surface opposite to the one plate surface that is the bonding surface of the second plate materials has been proposed (for example, , See Patent Document 1).

このようなモールドパッケージは、リードフレームでは配線できないような回路規模を保ったり、セラミックコンデンサなどの受動部品を複数内蔵するようなモールドICにおいて、ベアのICや電子部品を実装したセラミック基板をモールドする構成として適している。   Such a mold package molds a ceramic substrate on which a bare IC or electronic component is mounted in a mold IC that maintains a circuit scale that cannot be wired with a lead frame or that includes a plurality of passive components such as ceramic capacitors. Suitable as a configuration.

ここで、第1の板材はたとえばセラミックなどの脆性材料よりなる。また、第2の板材は、特に限定されないが、金属などの延性材料よりなる。このような材料の異なる両板材を貼り合わせる場合、両板材の熱膨張係数の差から発生する応力などを吸収するため、通常は、可撓性の接着剤、たとえばシリコーン接着剤などを用いて接着するのが一般的である。   Here, the first plate is made of a brittle material such as ceramic. The second plate material is not particularly limited, but is made of a ductile material such as metal. When two plate materials of different materials are bonded together, in order to absorb the stress generated from the difference in thermal expansion coefficient of both plate materials, it is usually bonded using a flexible adhesive such as a silicone adhesive. It is common to do.

また、この種のモールドパッケージにおいては、上述したように、第2の板材の一方の板面とは反対側の他方の板面が、モールド樹脂から露出することで、放熱性の向上が図られている。   In this type of mold package, as described above, the other plate surface opposite to the one plate surface of the second plate material is exposed from the mold resin, so that the heat dissipation is improved. ing.

そして、このモールドパッケージは、通常のトランスファーモールド法によるモールド樹脂の封止が行われるが、大型モールド構造であることから、第2の板材の露出面にレジンフラッシュと呼ばれる樹脂膜が残りやすい。そこで、上記特許文献1では、モールド型に特殊なクランプ構造を設けることで対処している。
特開平8−139218号公報
The mold package is sealed with a mold resin by a normal transfer mold method, but since it has a large mold structure, a resin film called a resin flash tends to remain on the exposed surface of the second plate. Therefore, in Patent Document 1 described above, this is dealt with by providing a special clamp structure in the mold.
JP-A-8-139218

しかしながら、上述したように、モールド型に特殊なクランプ構造を設けることは、たとえばできあがったパッケージにおいて当該クランプ部分の形状が残るなどの問題がある。そこで、本発明者は、一般的なモールド型で樹脂封止を行うことが望ましいと考え、鋭意検討を行った。   However, as described above, providing a special clamp structure in the mold has a problem that, for example, the shape of the clamp portion remains in the completed package. Therefore, the present inventor considered that it is desirable to perform resin sealing with a general mold, and conducted intensive studies.

上述したが、この種のモールドパッケージは、セラミック基板などを含む大型モールド構造である。このことから、本発明者の検討によれば、モールド樹脂の未充填部分が無いように樹脂注入を行うためには、比較的大きな圧力により、樹脂を注入する(たとえば7〜20MPa)必要がある。   As described above, this type of mold package has a large mold structure including a ceramic substrate and the like. Therefore, according to the study of the present inventors, in order to inject the resin so that there is no unfilled portion of the mold resin, it is necessary to inject the resin with a relatively large pressure (for example, 7 to 20 MPa). .

この樹脂封止時には、貼り合わせられた両板材のうち第2の板材はモールド型に押し付けられており、第1の板材の上方から樹脂による圧力すなわち成型圧が加わる。この成型圧は、両板材の貼り合わせの板面と直交する方向へ加わる外力である。つまり、第1の板材について言えば、当該第1の板材の上記一方の板面と直交する方向に沿って各板材に加わる荷重が、成型圧である。   At the time of this resin sealing, the second plate member out of both the bonded plate members is pressed against the mold, and pressure from the resin, that is, molding pressure is applied from above the first plate member. This molding pressure is an external force applied in a direction perpendicular to the plate surfaces of the two plate members to be bonded. In other words, for the first plate member, the load applied to each plate member along the direction orthogonal to the one plate surface of the first plate member is the molding pressure.

ここで、ヒートシンクなどの第2の板材は、比較的安価なプレス加工などにより成形するため、たとえば50μm程度の反りが発生している。一方、セラミック基板などの第1の板材も、たとえば50μm程度の反りが発生している。このような反りを有する両板材を貼り合わせた場合、当該反りによって両板材の貼り合わせ面同士は平行にならない可能性が多くなる。   Here, since the second plate material such as a heat sink is formed by a relatively inexpensive press process or the like, warping of, for example, about 50 μm occurs. On the other hand, the first plate material such as a ceramic substrate is also warped by about 50 μm, for example. When both plate materials having such warpage are bonded together, there is a high possibility that the bonded surfaces of both plate materials are not parallel to each other due to the warpage.

そのため、これら両板材を貼り合わせて樹脂封止を行うと、上記成型圧により、脆性の大きな第1の板材が第2の板材に押しつけられ、第2の板材の反り形状に倣って第1の板材が反る。   Therefore, when these two plate materials are bonded together and resin sealing is performed, the first plate material having high brittleness is pressed against the second plate material by the molding pressure, and the first plate material follows the warped shape of the second plate material. The board is warped.

すなわち、本発明者の検討によれば、第1の板材の貼り合わせである一方の板面と直交する方向へ第1の板材が曲がることにより、当該第1の板材の割れを引き起こすことがわかった。特に、両板材の互いの反りの方向が反対である場合には、第1の板材の上記曲げ変位はより大きなものとなる。   That is, according to the study of the present inventor, it is found that the first plate member is bent in the direction orthogonal to the one plate surface where the first plate member is bonded, thereby causing the first plate member to crack. It was. In particular, when the directions of warpage of both plate materials are opposite, the bending displacement of the first plate material becomes larger.

なお、上記した問題は、脆性材料よりなる第1の板材を第2の板材に貼り合わせ、これらをモールド樹脂によりハーフモールドしてなるモールドパッケージについては、共通して発生するものと考えられる。   In addition, it is thought that the above-mentioned problem occurs in common with respect to a mold package in which a first plate made of a brittle material is bonded to a second plate and these are half-molded with a mold resin.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなる第1の板材が第2の板材に押し付けられても、第1の板材が反って割れるのを防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and even when the first plate material made of a brittle material is pressed against the second plate material by the molding pressure at the time of resin sealing, the first plate material is warped and cracked. The purpose is to prevent this.

上記目的を達成するため、本発明は、従来のモールドパッケージでは、第2の板材の方が第1の板材よりも厚いなどの理由により、樹脂封止時の成型圧が加わったときに、第1の板材の方が、第2の板材に存在する反り形状に倣って反りやすくなっていることに着目した。   In order to achieve the above object, according to the present invention, in the conventional mold package, the second plate material is thicker than the first plate material. It was noted that the first plate material is more likely to warp following the warp shape present in the second plate material.

すなわち、本発明は、互いの一方の板面(11、21)にて貼り合わされている第1の板材(10)おとび第2の板材(20)に対して第1の板材(10)の一方の板面(11)と直交する方向へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることを特徴とする。   That is, according to the present invention, the first plate member (10) is bonded to the first plate member (10) and the second plate member (20) which are bonded to each other on one plate surface (11, 21). When bending is applied in a direction orthogonal to one plate surface (11), the second plate (20) is more easily bent than the first plate (10). It is characterized by things.

それによれば、樹脂封止時には、貼り合わせられた両板材(10、20)のうち第1の板材(10)の上方から成型圧が加わるが、このとき、成型圧により先に変形するのは第2の板材(20)であり、この変形により第2の板材(20)に反りが存在していても、第2の板材(20)はモールド型に押し付けられて平坦な形状に近づく。そのため、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなる第1の板材(10)が第2の板材(20)に押し付けられても、第1の板材(10)が反って割れるのを防止することができる。   According to that, at the time of resin sealing, a molding pressure is applied from above the first plate material (10) of the two plate materials (10, 20) bonded together. Even if the second plate member (20) is warped due to this deformation, the second plate member (20) is pressed against the mold and approaches a flat shape. Therefore, even if the first plate member (10) made of a brittle material is pressed against the second plate member (20) by the molding pressure during resin sealing, the first plate member (10) is prevented from being warped and cracked. be able to.

ここで、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、第2の板材(20)に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部(23、24、25)を設けることによりなすことができる(後述の図9〜図12参照)。   Here, the second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10). The thickness of the second plate member (20) is partially reduced. This can be achieved by providing thin-walled portions (23, 24, 25) (see FIGS. 9 to 12 described later).

それによれば、この薄肉部(23〜25)により第2の板材(20)を部分的に薄くしてやることで、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも上記曲がりやすい構成とできる。   According to this, the second plate member (20) is bent more than the first plate member (10) by partially thinning the second plate member (20) by the thin wall portions (23 to 25). Easy configuration.

そして、このような薄肉部は、第2の板材(20)の厚さ方向に凹んだスリット(23)とすることができる(後述の図6〜図8参照)。また、このスリット(23)には、モールド樹脂(60)よりも熱伝導率の高い樹脂(70、71)が充填されていてもよい(後述の図7、図8参照)。それによれば、第1の板材(10)の第2の板材(20)を介した放熱性を向上させるうえで好ましい。   And such a thin part can be made into the slit (23) dented in the thickness direction of the 2nd board | plate material (20) (refer below-mentioned FIGS. 6-8). The slit (23) may be filled with a resin (70, 71) having a higher thermal conductivity than the mold resin (60) (see FIGS. 7 and 8 to be described later). According to it, it is preferable when improving the heat dissipation through the 2nd board | plate material (20) of a 1st board | plate material (10).

また、上記薄肉部は、第2の板材(20)の厚さ方向に凹んだザグリ(25)であってもよい(後述の図10〜図12参照)。   Moreover, the counterbore (25) dented in the thickness direction of the 2nd board | plate material (20) may be sufficient as the said thin part (refer below-mentioned FIGS. 10-12).

ここで、第1の板材(10)に、駆動時に発熱する発熱素子(30)が設けられ、第2の板材(20)が、第1の板材(10)から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されている場合、上記ザグリ(25)は、第2の板材(20)のうち発熱素子(30)から外れた部位に設けられているものとしてもよい(後述の図11、図12参照)。   Here, the first plate member (10) is provided with a heating element (30) that generates heat during driving, and the second plate member (20) serves as a heat radiating plate that radiates heat transmitted from the first plate member (10). When configured, the counterbore (25) may be provided in a portion of the second plate member (20) that is separated from the heating element (30) (see FIGS. 11 and 12 described later). .

それによれば、発熱素子(30)の直下ではザグリ(25)を設けないことにより、放熱板としての第2の板材(20)の厚さを確保することができ、放熱性を確保するうえで好ましい。   According to this, by not providing the counterbore (25) immediately below the heat generating element (30), the thickness of the second plate (20) as the heat radiating plate can be ensured, and in order to ensure heat dissipation. preferable.

さらに、このザグリ(25)においても、当該ザグリ(25)に、モールド樹脂(60)よりも熱伝導率の高い樹脂(70、71)を充填すれば(後述の図12参照)、第1の板材(10)の第2の板材(20)を介した放熱性を向上させるうえで好ましい。   Further, in this counterbore (25), if the counterbore (25) is filled with a resin (70, 71) having a higher thermal conductivity than the mold resin (60) (see FIG. 12 described later), It is preferable when improving the heat dissipation through the 2nd board | plate material (20) of a board | plate material (10).

また、第2の板材(20)の内部に空洞部(24)を設け、第2の板材(20)の厚さ方向において空洞部(24)を含む部位を、上記薄肉部として構成してもよい(後述の図9参照)。   Alternatively, the cavity (24) may be provided inside the second plate (20), and the portion including the cavity (24) in the thickness direction of the second plate (20) may be configured as the thin portion. Good (see FIG. 9 described later).

また、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、第2の板材(20)を、ヤング率の異なる材料よりなる複数の層(2a、2b)が厚さ方向に積層されたものとすることにより、なすことができる(後述の図13参照)。ヤング率の小さい材料よりなるものを組み込むことで、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも上記曲がりやすい構成とできる。   In addition, the second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10). The second plate member (20) is made of a plurality of layers made of materials having different Young's moduli. This can be achieved by assuming that (2a, 2b) are laminated in the thickness direction (see FIG. 13 described later). By incorporating a material made of a material having a low Young's modulus, the second plate (20) can be bent more easily than the first plate (10).

また、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、第2の板材(20)を、複数の層(2c)が厚さ方向に積層されたものとし、且つ、これら複数の層同士を層の周辺部では接合せずに中央部で接合したものとすることにより、なすこともできる(後述の図14参照)。こうすることで、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも上記曲がりやすい構成とできる。   In addition, the second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10). The second plate member (20) has a plurality of layers (2c) in the thickness direction. In addition, the plurality of layers may be laminated at the central portion instead of being joined at the peripheral portion of the layers (see FIG. 14 described later). By doing so, the second plate member (20) can be bent more easily than the first plate member (10).

さらに、この場合、複数の層(2c)の平面サイズを互いに異ならせることで、第2の板材(20)の端面を、複数の層の端部により凹凸形状とすれば(後述の図15参照)、第2の板材(20)の端面におけるモールド樹脂(60)との密着性を向上させることが可能となる。   Further, in this case, by making the plane sizes of the plurality of layers (2c) different from each other, the end surface of the second plate (20) is made uneven by the end portions of the plurality of layers (see FIG. 15 described later). ), The adhesion with the mold resin (60) on the end face of the second plate member (20) can be improved.

また、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、第2の板材(20)を平面的に分割した複数個の分割部(2d)の集合体として、第2の板材(20)を構成することにより、なすことも可能である(後述の図16参照)。こうすることで、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも上記曲がりやすい構成とできる。   In addition, the second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10) because the second plate member (20) is divided into a plurality of divided portions ( It can also be made by configuring the second plate member (20) as the aggregate 2d) (see FIG. 16 described later). By doing so, the second plate member (20) can be bent more easily than the first plate member (10).

また、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、第1の板材(10)の厚さをT1、ヤング率をE1とし、第2の板材(20)の厚さをT2、ヤング率をE2としたとき、T1 3×E1>T2 3×E2、の関係が成立していることにより、なすこともできる。 In addition, the second plate (20) is more easily bent than the first plate (10) because the thickness of the first plate (10) is T 1 and the Young's modulus is E 1. and then, T 2 the thickness of the second plate (20), when the Young's modulus and E 2, by T 1 3 × E 1> T 2 3 × E 2, the relationship is established, eggplant You can also.

この関係を満足すれば、第2の板材(20)の方が第1の板材(10)よりも上記曲がりやすい構成としやすい。   If this relationship is satisfied, the second plate (20) can be easily bent more easily than the first plate (10).

この場合、第1の板材(10)および第2の板材(20)が、ともに平面四角形をなすものであって、互いの1辺の方向が同一方向に沿った配置となっているものである場合、第1の板材(10)における当該1辺と隣接する他辺の長さをW1、第2の板材(20)における当該1辺と隣接する他辺の長さをW2としたとき、T1 3×E1×W1>T2 3×E2×W2、の関係が成立していることが好ましい。 In this case, both the first plate member (10) and the second plate member (20) form a plane quadrangle, and the directions of one side of each other are arranged along the same direction. In this case, when the length of the other side adjacent to the one side in the first plate member (10) is W 1 and the length of the other side adjacent to the one side in the second plate member (20) is W 2. T 1 3 × E 1 × W 1 > T 2 3 × E 2 × W 2 is preferably satisfied.

さらに、第1の板材(10)における当該1辺の長さをL1、第2の板材(20)における当該1辺の長さをL2としたとき、(T1 3×E1×W1)/L1>(T2 3×E2×W2)/L2、の関係が成立していることが好ましい。 Furthermore, when the length of the one side in the first plate member (10) is L 1 and the length of the one side in the second plate member (20) is L 2 , (T 1 3 × E 1 × W 1 ) / L 1 > (T 2 3 × E 2 × W 2 ) / L 2 is preferably satisfied.

また、上記の各手段においては、第1の板材(10)と第2の板材(20)とは、両板材(10、20)よりもヤング率が低い可とう性接着剤もしくははんだよりなり且つ両板材(10、20)よりも厚さの小さい接着部材(70)を介して、貼り合わせられていることが好ましく、その接着部材(70)は、ヤング率が10MPa以下の熱硬化性接着剤であることがより好ましい。それによれば、第1の板材(10)と第2の板材(20)との間の接着部材(70)の存在を実質的に無視できる。   In each of the above means, the first plate member (10) and the second plate member (20) are made of a flexible adhesive or solder having a Young's modulus lower than both plate members (10, 20), and The adhesive members (70) are preferably bonded to each other via an adhesive member (70) having a thickness smaller than that of the two plate members (10, 20). The adhesive member (70) is a thermosetting adhesive having a Young's modulus of 10 MPa or less. It is more preferable that According to this, the presence of the adhesive member (70) between the first plate (10) and the second plate (20) can be substantially ignored.

また、第1の板材(10)は脆性材料としてのセラミック、第2の板材(20)は延性材料としての金属よりなるものにできる。   The first plate (10) can be made of ceramic as a brittle material, and the second plate (20) can be made of metal as a ductile material.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージ100を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。なお、(a)は(b)の上視図であり、モールド樹脂60を透過してモールド樹脂60の内部構成を示してある。
(First embodiment)
1A and 1B are views showing a mold package 100 according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a schematic plan view, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view. Note that (a) is a top view of (b), and shows the internal configuration of the mold resin 60 through the mold resin 60.

本実施形態のモールドパッケージ100は、大きくは第1の板材としてのセラミック基板10と、第2の板材としてのヒートシンク20と、セラミック基板10上に搭載された各種の電子部品30、31、32と、セラミック基板10とワイヤ40を介して接続されたリードフレーム50と、これら各部10〜50を封止するモールド樹脂60とを備えている。   The mold package 100 of the present embodiment is broadly divided into a ceramic substrate 10 as a first plate material, a heat sink 20 as a second plate material, and various electronic components 30, 31, 32 mounted on the ceramic substrate 10. A lead frame 50 connected to the ceramic substrate 10 via the wire 40 and a mold resin 60 for sealing these portions 10 to 50 are provided.

セラミック基板10は、典型的な脆性材料であるセラミックよりなる板であり、ここでは平面四角形をなすアルミナ積層基板である。このセラミック基板10は、図示しない配線を有する配線基板として構成されている。   The ceramic substrate 10 is a plate made of ceramic, which is a typical brittle material, and here is an alumina laminated substrate having a planar square shape. The ceramic substrate 10 is configured as a wiring substrate having wiring (not shown).

ヒートシンク20は、金属などの延性材料よりなる。ここではヒートシンク20は放熱板として放熱性に優れたCuやFeなどの金属よりなる板であり、平面四角形をなす。そして、セラミック基板10とヒートシンク20とは、互いの一方の板面11、21を対向させて配置され、これら一方の板面11、21にて接着部材としての接着剤70を介して接着されている。   The heat sink 20 is made of a ductile material such as metal. Here, the heat sink 20 is a plate made of a metal such as Cu or Fe, which is excellent in heat dissipation as a heat radiating plate, and has a planar square shape. The ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are disposed so that one of the plate surfaces 11 and 21 faces each other, and are bonded to each other through the adhesive 70 as an adhesive member. Yes.

この接着剤70は、シリコ−ン樹脂を主剤とする可撓性の接着剤であり、これによりセラミック基板10とヒートシンク20とは固定され、セラミック基板10からの熱がヒートシンク20へ放熱されるようになっている。   The adhesive 70 is a flexible adhesive mainly composed of a silicone resin, whereby the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are fixed, and heat from the ceramic substrate 10 is dissipated to the heat sink 20. It has become.

電子部品30、31、32は、セラミック基板10の他方の板面12上に搭載され、AlやAuなどのボンディングワイヤや図示しないはんだ、導電性接着剤などのダイマウント材を介して、セラミック基板10と電気的に接続されている。   The electronic components 30, 31, and 32 are mounted on the other plate surface 12 of the ceramic substrate 10, and are bonded to the ceramic substrate via a bonding wire such as Al or Au, or a die mount material such as solder (not shown) or conductive adhesive. 10 is electrically connected.

ここでは、電子部品は、アナログICやMOSトランジスタなどの駆動時に発熱する発熱素子30、マイコンなどの比較的発熱の少ないICチップ31、セラミックコンデンサ、振動子、チップ抵抗器、コイルなどの受動部品32が示されている。   Here, the electronic component is a heating element 30 that generates heat when driving an analog IC or MOS transistor, an IC chip 31 that generates relatively little heat such as a microcomputer, and a passive component 32 such as a ceramic capacitor, a vibrator, a chip resistor, and a coil. It is shown.

また、リードフレーム50は、一般的なリードフレーム材料よりなり、セラミック基板10の外側に複数本配置されている。ここでは、リードフレーム50はCuよりなる板材であり、その厚みはたとえば0.25mm程度である。   The lead frame 50 is made of a general lead frame material, and a plurality of lead frames 50 are arranged outside the ceramic substrate 10. Here, the lead frame 50 is a plate material made of Cu, and its thickness is, for example, about 0.25 mm.

そして、リードフレーム50とセラミック基板10とは、AuやAlよりなるボンディングワイヤ40によって結線されて電気的に接続されている。そして、これらセラミック基板10、ヒートシンク20、各電子部品30〜32、ボンディングワイヤ40、リードフレーム50が、モールド樹脂60により封止されている。   The lead frame 50 and the ceramic substrate 10 are connected and electrically connected by a bonding wire 40 made of Au or Al. The ceramic substrate 10, the heat sink 20, the electronic components 30 to 32, the bonding wires 40, and the lead frame 50 are sealed with a mold resin 60.

このモールド樹脂60は、電子装置の分野で一般的に用いられるエポキシ樹脂などよりなるモールド材料であり、トランスファーモールド法により形成されるものである。ここで、リードフレーム50の一部は、アウターリードとしてモールド樹脂60から突出しており、このアウターリードにより、モールドパッケージ100と外部との電気的な接続がなされるようになっている。   The mold resin 60 is a mold material made of an epoxy resin or the like generally used in the field of electronic devices, and is formed by a transfer mold method. Here, a part of the lead frame 50 protrudes from the mold resin 60 as an outer lead, and the outer lead leads to an electrical connection between the mold package 100 and the outside.

また、図1(a)に示されるように、ヒートシンク20にはリードフレーム50の吊りリード51がかしめなどで固定されている。これは、モールド前の状態においてヒートシンク20とリードフレーム50とを一体化しておくためである。   Further, as shown in FIG. 1A, a suspension lead 51 of a lead frame 50 is fixed to the heat sink 20 by caulking or the like. This is because the heat sink 20 and the lead frame 50 are integrated in a state before molding.

また、ヒートシンク20においてセラミック基板10に貼り合わせられている一方の板面21とは反対側の他方の板面22は、モールド樹脂60から露出している。これにより、セラミック基板10上の発熱素子30などから発生する熱は、ヒートシンク20を介して当該ヒートシンク20の他方の板面22から外部へ逃がされるようになっている。   In addition, the other plate surface 22 opposite to the one plate surface 21 bonded to the ceramic substrate 10 in the heat sink 20 is exposed from the mold resin 60. As a result, heat generated from the heating elements 30 on the ceramic substrate 10 is released from the other plate surface 22 of the heat sink 20 to the outside via the heat sink 20.

ここにおいて、本実施形態では、両板材10、20に対してセラミック基板10の一方の板面11と直交する方向(図1(b)中の上下方向)へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっている。   Here, in this embodiment, when the force is applied to both plate members 10 and 20 in a direction orthogonal to one plate surface 11 of the ceramic substrate 10 (vertical direction in FIG. 1B), the two orthogonally intersect. Regarding the bending that is displaced in the direction, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10.

つまり、セラミック基板10の貼り合わせ側の板面11と直交する方向への力、すなわち後述する成型圧が、両板材10、20に対して加わったとき、ヒートシンク20の方が、セラミック基板10よりも当該直交する方向へ曲がりやすくなっている。   That is, when a force in a direction perpendicular to the plate surface 11 on the bonding side of the ceramic substrate 10, that is, a molding pressure described later, is applied to both the plate materials 10 and 20, the heat sink 20 is more than the ceramic substrate 10. Is easily bent in the orthogonal direction.

さらに言うならば、「当該直交する方向へ変位する曲がりについてヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっていること」とは、セラミック基板10単体およびヒートシンク20単体について、当該単体の板材の一方の板面に直交する方向に一定の荷重(つまり圧力)を加えたときに当該単体の板材が同方向に曲がる度合を、単体の板材の曲がり度合としたとき、この単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいことである。   Furthermore, “the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10 with respect to the bending that is displaced in the orthogonal direction” means that the single ceramic substrate 10 and the single heat sink 20 When the degree to which a single plate is bent in the same direction when a certain load (that is, pressure) is applied in a direction perpendicular to one plate surface of the plate is defined as the degree of bending of the single plate, The degree of bending is that the heat sink 20 is larger than the ceramic substrate 10.

具体的に、本実施形態では、第1の板材であるセラミック基板10の厚さをT1、ヤング率をE1とし、第2の板材であるヒートシンク20の厚さをT2、ヤング率をE2としたとき、T1 3×E1>T2 3×E2、の関係式が成立している。以下、この関係式を関係式Aという。 Specifically, in this embodiment, the thickness of the ceramic substrate 10 that is the first plate material is T 1 , the Young's modulus is E 1 , the thickness of the heat sink 20 that is the second plate material is T 2 , and the Young's modulus is When E 2 is satisfied, the relational expression T 1 3 × E 1 > T 2 3 × E 2 is established. Hereinafter, this relational expression is referred to as relational expression A.

本実施形態では、この関係式Aが成立するように、セラミック基板10やヒートシンク20の厚さを決めたり、セラミック基板10およびヒートシンク20の材料を選定してこれら両板材10、20のヤング率を決定している。そして、この関係式Aが成立していることにより、上記単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きい構成となっている。   In the present embodiment, the thicknesses of the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are determined so that this relational expression A is established, or the materials of the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are selected, and the Young's modulus of both the plate materials 10 and 20 is determined. Has been decided. Since this relational expression A is established, the heat sink 20 has a larger degree of bending of the single plate material than the ceramic substrate 10.

たとえば、セラミック基板10は、5シートを積み重ねて焼成してなる長方形板状のアルミナ積層基板であり、全体の厚さは0.8mm、平面寸法は10mm×20mm、ヤング率は330GPaである。また、ヒートシンク20は長方形板状のCuよりなる板であり、厚さは0.6mm 寸法は12mm×22mm、ヤング率は120GPaである。各寸法値やヤング率は、これ限定するものではないが、このような各値を採用することにより、上記関係式Aが成立する。   For example, the ceramic substrate 10 is a rectangular plate-shaped alumina laminated substrate obtained by stacking and firing five sheets, and has an overall thickness of 0.8 mm, a planar dimension of 10 mm × 20 mm, and a Young's modulus of 330 GPa. The heat sink 20 is a rectangular plate made of Cu and has a thickness of 0.6 mm, a size of 12 mm × 22 mm, and a Young's modulus of 120 GPa. Although each dimension value and Young's modulus are not limited to this, the above relational expression A is established by adopting each value.

次に、本実施形態のモールドパッケージ100の製造方法について述べる。まず、セラミック基板10に上記電子部品30〜32を実装し、セラミック基板10とヒートシンク20とを接着剤70を介して貼り合わせ、さらに、セラミック基板10とリードフレーム50とをボンディングワイヤ40により電気的に接続する。   Next, a method for manufacturing the mold package 100 of this embodiment will be described. First, the electronic components 30 to 32 are mounted on the ceramic substrate 10, the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are bonded together with an adhesive 70, and the ceramic substrate 10 and the lead frame 50 are electrically connected by the bonding wires 40. Connect to.

次に、このものをモールド樹脂60で封止する。図2は、このモールド工程を示す概略断面図である。このモールド工程は図2に示されるモールド型としての金型200にワークを設置した状態で行う。この金型200は一般的なものと同様である。   Next, this is sealed with a mold resin 60. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing this molding process. This molding process is performed in a state in which a work is placed on a mold 200 as a mold shown in FIG. The mold 200 is the same as a general one.

金型200のキャビティにワークを設置し、プランジャ201によってモールド樹脂60に圧力を加えると、ゲート202よりモールド樹脂60がキャビティに注入され、ワークの樹脂封止がなされ、モールド樹脂60はエアベント203へ流れ出る。こうして、モールド樹脂60による封止がなされ、上記図1に示されるような本実施形態のモールドパッケージ100ができあがる。   When a workpiece is placed in the cavity of the mold 200 and pressure is applied to the mold resin 60 by the plunger 201, the mold resin 60 is injected into the cavity from the gate 202, the workpiece is sealed with resin, and the mold resin 60 is fed to the air vent 203. Flows out. Thus, sealing with the mold resin 60 is performed, and the mold package 100 of this embodiment as shown in FIG. 1 is completed.

ここで、モールド工程において、モールド樹脂60がエアベント203に到達すると、キャビティ内の圧力が高くなる。すなわち、プランジャ201の圧力が成型圧Fとなる。このとき、ヒートシンク20は、金型200の下型により押さえられており、成型圧Fは、図2に示されるように、セラミック基板10の他方の板面12からヒートシンク20の方向に加わる。   Here, in the molding process, when the mold resin 60 reaches the air vent 203, the pressure in the cavity increases. That is, the pressure of the plunger 201 becomes the molding pressure F. At this time, the heat sink 20 is pressed by the lower mold of the mold 200, and the molding pressure F is applied in the direction of the heat sink 20 from the other plate surface 12 of the ceramic substrate 10, as shown in FIG.

ここで、図3は、両板材10、20における各部寸法を示すための板材10、20のモデル的な斜視図である。図3では、2個の支点K1に両端を支持された1枚の板材10、20が、セラミック基板20単体、ヒートシンク20単体として模式的に表されており、その板材10、20の中央部に上方から成型圧に相当する荷重Fが印加された状態となっている。   Here, FIG. 3 is a model perspective view of the plate members 10 and 20 for showing the dimensions of the respective portions of the both plate members 10 and 20. In FIG. 3, one plate material 10, 20 supported at both ends by two fulcrums K 1 is schematically represented as a single ceramic substrate 20 and a single heat sink 20, and at the center of the plate material 10, 20. A load F corresponding to the molding pressure is applied from above.

図3では、平面長方形状をなす両板材10、20の各部寸法として、長辺の長さL、厚さT、短辺の長さWが示されている。また、ヤング率をEとする。なお、本実施形態および後述の各実施形態において、これらの記号L、T、WおよびEは、共通であり、セラミック基板10とヒートシンク20とで区別するときは、これら記号L、T、WおよびEについて、セラミック基板10のものには添字「1」、ヒートシンク20のものには添字「2」を付けることとする。   In FIG. 3, the length L of the long side, the thickness T, and the length W of the short side are shown as the dimensions of the two plate members 10 and 20 having a planar rectangular shape. The Young's modulus is E. In this embodiment and each of the embodiments described later, these symbols L, T, W, and E are common, and when distinguishing between the ceramic substrate 10 and the heat sink 20, these symbols L, T, W, and Regarding E, the suffix “1” is attached to the ceramic substrate 10 and the suffix “2” is attached to the heat sink 20.

この場合、荷重Fによる板材10、20の反り量すなわち上記単体の板材の曲がり度合は、(F×L3)/(T3×W×E)に比例する。そして、モールド工程では、ヒートシンク20およびセラミック基板10にはほぼ同じ成型圧Fが加わるが、従来の構成では、ヒートシンク20よりもセラミック基板10の方が反りやすいものであった。 In this case, the warpage amount of the plate members 10 and 20 due to the load F, that is, the degree of bending of the single plate member is proportional to (F × L 3 ) / (T 3 × W × E). In the molding process, almost the same molding pressure F is applied to the heat sink 20 and the ceramic substrate 10, but in the conventional configuration, the ceramic substrate 10 is more likely to warp than the heat sink 20.

たとえば、従来では、ヒートシンク20がFeを主とする材料の場合、ヤング率:約220GPa、寸法が、厚さ:1.6mm、短辺の長さ:12mm、長辺の長さ:22mmであり、セラミック基板10がアルミナを主とする材料の場合、ヤング率:約330GPa、寸法が、厚さ:0.8mm、短辺の長さ:10mm、長辺の長さ:10mmである。このように従来では、上記関係式Aを満足しておらず、ヒートシンク20よりもセラミック基板10の方が反りやすい。   For example, conventionally, when the heat sink 20 is a material mainly made of Fe, Young's modulus: about 220 GPa, dimensions are thickness: 1.6 mm, short side length: 12 mm, and long side length: 22 mm. When the ceramic substrate 10 is a material mainly composed of alumina, the Young's modulus is about 330 GPa, the dimensions are thickness: 0.8 mm, short side length: 10 mm, and long side length: 10 mm. Thus, conventionally, the relational expression A is not satisfied, and the ceramic substrate 10 is more likely to warp than the heat sink 20.

また、このとき、シリコーン接着剤70は大変柔らかく(たとえばヤング率:8MPa)、成型圧がかかったときはほぼ圧縮されていると考えられ、ヒートシンク20とセラミック基板10が押しつけられた状態であると考えられる。   At this time, the silicone adhesive 70 is very soft (for example, Young's modulus: 8 MPa) and is considered to be almost compressed when a molding pressure is applied, and the heat sink 20 and the ceramic substrate 10 are pressed. Conceivable.

そして、従来では、実際には、ヒートシンク20の初期的な反りと成型圧による反り、さらにはセラミック基板10の初期的な反りの合計が、セラミック基板10の最大の反り量となる。そして、セラミックのような脆性材料の場合は少しでも反ると割れやすいものである。このことを図4によって具体的に示す。   Conventionally, the total warpage of the ceramic substrate 10 is actually the sum of the initial warpage of the heat sink 20 and the warpage due to the molding pressure, and further the initial warpage of the ceramic substrate 10. In the case of a brittle material such as ceramic, it is easy to crack if warped even a little. This is specifically shown in FIG.

図4は、従来において、ヒートシンク20の反りによってセラミック基板10が反ることによる基板割れの様子を示す図である。図4において、(a)はヒートシンク20がセラミック基板10とは反対側に凸となるように反っている例、(b)は基板10側に凸となるように反っている例である。   FIG. 4 is a diagram showing a state of substrate cracking due to warping of the ceramic substrate 10 due to warpage of the heat sink 20 in the related art. 4A is an example in which the heat sink 20 is warped so as to be convex on the side opposite to the ceramic substrate 10, and FIG. 4B is an example in which the heat sink 20 is warped so as to be convex on the substrate 10 side.

いずれの例においても、セラミック基板10はヒートシンク20の反り形状に倣って曲がり、割れに至る。さらに、セラミック基板10がヒートシンク20と反対方向に凸となるように反っていた場合は、セラミック基板10の反り量がより多くなり、基板割れが発生しやすい。   In any example, the ceramic substrate 10 bends and follows a warp shape of the heat sink 20. Further, when the ceramic substrate 10 is warped so as to protrude in the opposite direction to the heat sink 20, the amount of warpage of the ceramic substrate 10 is increased, and the substrate is likely to be cracked.

このような従来の問題に対して、本実施形態では、上記単体の板材の曲がり度合が(F×L3)/(T3×W×E)に比例することに着目し、当該曲がり度合に対して最も支配的な板材の厚さTおよびヤング率Eについて、上記関係式Aを成立させている。それにより、上記単体の板材の曲がり度合を、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいものとしている。 With respect to such a conventional problem, the present embodiment pays attention to the fact that the bending degree of the single plate material is proportional to (F × L 3 ) / (T 3 × W × E). On the other hand, the above relational expression A is established for the most dominant thickness T and Young's modulus E of the plate material. Accordingly, the degree of bending of the single plate material is set so that the heat sink 20 is larger than the ceramic substrate 10.

そして、本実施形態によれば、上記モールド工程時には、貼り合わせられた両板材10、20のうちセラミック基板10の上方から成型圧Fが加わるが、このとき、成型圧Fによって先に変形するのはヒートシンク20の方であり、この変形によりヒートシンク20に反りが存在していても、ヒートシンク20は金型200の下型に押し付けられて平坦な形状になる。   And according to this embodiment, at the time of the said molding process, although the molding pressure F is applied from the upper part of the ceramic substrate 10 among the both board | plate materials 10 and 20 bonded together, at this time, it deform | transforms previously with the molding pressure F. Is the heat sink 20, and even if the heat sink 20 is warped due to this deformation, the heat sink 20 is pressed against the lower mold of the mold 200 to become a flat shape.

そのため、当該成型圧Fが、脆性材料よりなるセラミック基板10に加わるときには、ヒートシンク20は平らになっており、セラミック基板10がヒートシンク20に押し付けられても、セラミック基板10が反る力が発生しにくい。そのため、基板割れを防止することができる。   Therefore, when the molding pressure F is applied to the ceramic substrate 10 made of a brittle material, the heat sink 20 is flat, and even if the ceramic substrate 10 is pressed against the heat sink 20, a force that warps the ceramic substrate 10 is generated. Hateful. Therefore, substrate cracking can be prevented.

また、実際には、セラミック基板10とヒートシンク20との間に介在する接着剤70の影響も考えられるが、この影響を実質的に無くすため、本実施形態では、接着剤70として、両板材10、20よりもヤング率が低く且つ両板材10、20よりも厚さの小さい可とう性接着剤、たとえばシリコーン樹脂よりなる接着剤を用いている。   In practice, the influence of the adhesive 70 interposed between the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 can be considered, but in order to substantially eliminate this influence, in the present embodiment, the two plate members 10 are used as the adhesive 70. A flexible adhesive having a Young's modulus lower than 20 and a thickness smaller than both plate members 10 and 20, for example, an adhesive made of a silicone resin is used.

このような接着剤はヤング率が10MPa以下の熱硬化性接着剤であり、厚さは、たとえば100μm程度である。それによれば、セラミック基板10とヒートシンク20との間にて、接着剤70の存在を実質的に無視することができる。   Such an adhesive is a thermosetting adhesive having a Young's modulus of 10 MPa or less, and has a thickness of, for example, about 100 μm. Accordingly, the presence of the adhesive 70 can be substantially ignored between the ceramic substrate 10 and the heat sink 20.

また、本実施形態において、上記関係式Aを実現するための好ましいヒートシンク20の材質について、さらに述べておく。関係式Aを満足するヒートシンク20の寸法については、上述した例のように、厚さ:0.6mm、平面寸法:12mm×22mmのものとできる。   Further, in the present embodiment, a preferable material of the heat sink 20 for realizing the relational expression A will be further described. About the dimension of the heat sink 20 which satisfies the relational expression A, it can be made into the thing of thickness: 0.6mm and a plane dimension: 12 mm * 22 mm like the example mentioned above.

このようなヒートシンク20として、たとえば、AlとSiCの混合物でありヤング率が120GPaであるAlSiCよりなるものを採用できる。また、ヒートシンク20としては、他に、Co、Fe、Ni、W、Mo、Al、Tiなどが挙げられる。望ましくは、ヤング率が低いCu、Alなどがよい。また、ヤング率を下げるため、金属やセラミックなどをポーラスに焼結させることによって、見かけ上、ヤング率を下げてもよい。   As such a heat sink 20, what consists of AlSiC which is a mixture of Al and SiC and whose Young's modulus is 120 GPa, for example is employable. Other examples of the heat sink 20 include Co, Fe, Ni, W, Mo, Al, and Ti. Desirably, Cu, Al, etc. with low Young's modulus are good. Moreover, in order to lower the Young's modulus, the Young's modulus may be apparently lowered by sintering metal or ceramic into a porous material.

(第2実施形態)
上記図3のモデルによれば、実際には、上記単体の板材の曲がり度合すなわち荷重Fによる板材10、20の反り量は、当該反り量をMとすると、M=(F×L3)/(4×T3×W×E)で表される。以下、この関係式を関係式Bということにする。
(Second Embodiment)
According to the model of FIG. 3, the bending degree of the single plate material, that is, the warpage amount of the plate materials 10 and 20 due to the load F is actually M = (F × L 3 ) / where M is the warpage amount. (4 × T 3 × W × E). Hereinafter, this relational expression is referred to as relational expression B.

そして、実際には、上記関係式Bがあるため、長方形板状をなすヒートシンク20の短辺の長さW2、長辺の長さL2を小さくすること、逆に言えば、長方形板状をなすセラミック基板10の短辺の長さW1、長辺の長さL1を大きくすることで、セラミック基板10をヒートシンク20よりも反りにくくしてもよい。 In fact, since there is the above relational expression B, the length W 2 and the length L 2 of the short side of the heat sink 20 having the rectangular plate shape are reduced. The ceramic substrate 10 may be less warped than the heat sink 20 by increasing the short side length W 1 and the long side length L 1 of the ceramic substrate 10.

ここで、上記図1(a)に示されるように、両板材10、20は、ともに平面長方形をなすものであって、互いの長辺の方向が同一方向に沿った配置となっている。つまり、平面長方形をなす両板材10、20の長辺同士が平行となっている。そして、上記図3にも示されているように、両板材10、20の曲がりとは、この長辺方向における曲がりである。   Here, as shown in FIG. 1A, both the plate members 10 and 20 form a planar rectangle, and their long sides are arranged along the same direction. That is, the long sides of both plate members 10 and 20 forming a planar rectangle are parallel to each other. As shown in FIG. 3, the bending of both plate members 10 and 20 is the bending in the long side direction.

このような両板材10、20の配置においては、セラミック基板10の厚さをT1、ヤング率をE1、短辺の長さをW1とし、ヒートシンク20の厚さをT2、ヤング率をE2、短辺の長さをW2としたとき、T1 3×E1×W1>T2 3×E2×W2、の関係式が成立していることが望ましい。以下、この関係式を関係式Cということにする。 In such an arrangement of two plate members 10 and 20, the thickness T 1 of the ceramic substrate 10, E 1 and Young's modulus, the length of the short side as W 1, T 2 the thickness of the heat sink 20, the Young's modulus the E 2, when the length of the short side was set to W 2, T 1 3 × E 1 × W 1> T 2 3 × E 2 × W 2, it is desirable that the relational expression is satisfied. Hereinafter, this relational expression is referred to as relational expression C.

さらに、セラミック基板10の長辺の長さをL1、ヒートシンク20の長辺の長さをL2としたとき、(T1 3×E1×W1)/L1>(T2 3×E2×W2)/L2、の関係が成立していることが望ましい。以下、この関係式を関係式Dということにする。 Further, when the length of the long side of the ceramic substrate 10 is L 1 and the length of the long side of the heat sink 20 is L 2 , (T 1 3 × E 1 × W 1 ) / L 1 > (T 2 3 × It is desirable that the relationship E 2 × W 2 ) / L 2 is established. Hereinafter, this relational expression is referred to as relational expression D.

なお、これら関係式C、Dは、両板材10、20が、平面長方形である場合に限らず、正方形、平行四辺形などであってもよい。つまり、両板材10、20が、ともに平面四角形をなすものであって、セラミック基板10のある1辺とヒートシンク20のある1辺とが同一方向に沿った配置となっていればよい。上記長方形の場合には、この平行な関係にある1辺とは長辺であり、短辺とは、当該平行な関係にある1辺と隣接する他辺である。   Note that these relational expressions C and D are not limited to the case where the two plate members 10 and 20 are planar rectangles, but may be squares, parallelograms, or the like. That is, it is only necessary that both plate members 10 and 20 form a planar square, and one side of the ceramic substrate 10 and one side of the heat sink 20 are arranged in the same direction. In the case of the rectangle, the one side in the parallel relationship is the long side, and the short side is the other side adjacent to the one side in the parallel relationship.

そして、上記関係式CにおけるW1は、セラミック基板10における上記平行な関係にある1辺と隣接する他辺の長さであり、W2は、ヒートシンク20における上記平行な関係にある1辺と隣接する他辺の長さである。また、上記関係式DにおけるL1、L2は、セラミック基板10における上記平行な関係にある1辺の長さ、ヒートシンク20における上記平行な関係にある1辺の長さである。 W 1 in the relational expression C is the length of the other side adjacent to the one side in the parallel relation in the ceramic substrate 10, and W 2 is one side in the parallel relation in the heat sink 20. It is the length of the adjacent other side. Further, L 1 and L 2 in the relational expression D are the length of one side in the parallel relation in the ceramic substrate 10 and the length of one side in the parallel relation in the heat sink 20.

図5は、本第2実施形態において、上記関係式C、Dを満足するために、セラミック基板10の長辺および短辺を、ヒートシンク20のそれよりも大きくしたモールドパッケージの例を示す概略平面図である。なお、このこと以外は、この図5に示されるパッケージも上記図1に示されるものと同様である。   FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of a mold package in which the long side and the short side of the ceramic substrate 10 are larger than that of the heat sink 20 in order to satisfy the relational expressions C and D in the second embodiment. FIG. Except for this, the package shown in FIG. 5 is the same as that shown in FIG.

そして、本実施形態によっても、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板10がヒートシンク20に押し付けられても、セラミック基板10が反って割れるのを防止することができる。   Even in this embodiment, even when the ceramic substrate 10 made of a brittle material is pressed against the heat sink 20 by the molding pressure during resin sealing, the ceramic substrate 10 can be prevented from warping and cracking.

(第3実施形態)
また、セラミック基板10としては、表層のみに厚膜導体などによって回路形成した単層基板でも、内層に配線を形成したシートを複数枚、積層し、焼成した積層基板でもよいが、一般的に積層基板の方が強度が弱い。
(Third embodiment)
Further, the ceramic substrate 10 may be a single-layer substrate in which a circuit is formed only on the surface layer by a thick film conductor or the like, or a multilayer substrate obtained by laminating and firing a plurality of sheets in which wiring is formed in the inner layer. The substrate is weaker.

たとえば、アルミナ積層基板は、一般的に1μm/mmの歪み(反り)で基板が割れることがある。また、一般に、30mm程度の長さの鉄材などの金属材料をプレスにて打ち抜く場合、60μm程度の反りが発生することから、ヒートシンク20には、1μm/mmよりも大きな反りが初期的に発生する可能性は大きい。   For example, an alumina laminated substrate may generally be broken by a strain (warp) of 1 μm / mm. Further, generally, when a metal material such as an iron material having a length of about 30 mm is punched out by a press, a warp of about 60 μm is generated, so that a warp larger than 1 μm / mm is initially generated in the heat sink 20. The potential is great.

たとえば、10mm×20mm、厚さ0.8mm、ヤング率330GPaである長方形板状のセラミック基板10に対して、製造ばらつきによって発生するヒートシンク20の反りによって、上記図3に示されるように、セラミック基板10への支点ができる場合を考えてみる。   For example, with respect to the rectangular plate-shaped ceramic substrate 10 having a size of 10 mm × 20 mm, a thickness of 0.8 mm, and a Young's modulus of 330 GPa, as shown in FIG. Consider the case where a fulcrum to 10 is possible.

モールド工程時の成型圧は、通常5MPa〜20MPaであり、この場合、基板の反り量を計算すると、1mm以上の反りが発生する。実際には、ヒートシンク20が初期的に数10μmしか反っていないので、セラミック基板10も数10μmしか反らないが、基板を割るには十分な変形量が発生する。   The molding pressure during the molding process is usually 5 MPa to 20 MPa. In this case, when the amount of warpage of the substrate is calculated, warpage of 1 mm or more occurs. Actually, since the heat sink 20 is initially warped only a few tens of μm, the ceramic substrate 10 is also warped only a few tens of μm, but a sufficient amount of deformation occurs to break the substrate.

このことは、逆に言えば、セラミック基板10が数10μm程度しか反らないような成型圧、たとえば、0.05MPa程度の成型圧であっても、基板割れに至るということである。つまり、上記各実施形態は、0.05MPaという従来よりも大幅に低い成型圧でモールド樹脂60の封止を行うようなモールドパッケージであっても、適用が可能であり、基板割れを防止できるということである。   In other words, even if the molding pressure is such that the ceramic substrate 10 warps only about several tens of micrometers, for example, the molding pressure is about 0.05 MPa, the substrate is cracked. That is, each of the above embodiments can be applied even to a mold package that seals the mold resin 60 with a molding pressure of 0.05 MPa, which is significantly lower than the conventional pressure, and can be prevented from cracking the substrate. That is.

上述したように、アルミナ積層基板は、一般的に1μm/mmの反りで割れる可能性があることから、上記関係式A(T1 3×E1>T2 3×E2)よりも、さらに、T1 3×E1>2×T2 3×E2、の関係式(関係式E)とすることが望ましい。この関係式Eであれば、セラミック基板10の変形量を1μm/mm以下にできる。 As described above, since the alumina laminated substrate may generally be cracked by a warp of 1 μm / mm, the relational expression A (T 1 3 × E 1 > T 2 3 × E 2 ) is further exceeded. , T 1 3 × E 1 > 2 × T 2 3 × E 2 is desirable. With this relational expression E, the deformation amount of the ceramic substrate 10 can be reduced to 1 μm / mm or less.

(第4実施形態)
図6は、本発明の第4実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、両板材10、20に対してセラミック基板10の一方の板面11と直交する方向(図6中の上下方向)へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっている。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a mold package according to the fourth embodiment of the present invention. Also in this mold package, when a force is applied to the two plate members 10 and 20 in a direction perpendicular to the one plate surface 11 of the ceramic substrate 10 (vertical direction in FIG. 6), the bending is displaced in the perpendicular direction. As for, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10.

ここで、本実施形態では、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいことは、ヒートシンク20に対して、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部23を設けることにより、なされている。   Here, in the present embodiment, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10, that is, the bending degree of a single plate material is larger than that of the ceramic substrate 10. The heat sink 20 is formed by providing a thin portion 23 having a partially reduced thickness.

具体的に、この薄肉部23は、ヒートシンク20の厚さ方向、つまりセラミック基板10の一方の板面11と実質的に直交する方向にて凹んだスリット23である。ここでは、スリット23は、ヒートシンク20においてモールド樹脂60から露出する他方の板面22にて凹んだ溝である。   Specifically, the thin portion 23 is a slit 23 that is recessed in the thickness direction of the heat sink 20, that is, in a direction substantially orthogonal to one plate surface 11 of the ceramic substrate 10. Here, the slit 23 is a groove recessed in the other plate surface 22 exposed from the mold resin 60 in the heat sink 20.

このようなスリット23は、切削加工やプレス加工などにより形成することができる。そして、この薄肉部としてのスリット23により、ヒートシンク20を部分的に薄くできるため、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも上記曲がりやすい構成とすることができる。   Such a slit 23 can be formed by cutting or pressing. Since the heat sink 20 can be partially thinned by the slit 23 as the thin portion, the heat sink 20 can be configured to bend more easily than the ceramic substrate 10.

そして、本実施形態によっても、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板10がヒートシンク20に押し付けられても、セラミック基板10が反って割れるのを防止することができる。   Even in this embodiment, even when the ceramic substrate 10 made of a brittle material is pressed against the heat sink 20 by the molding pressure during resin sealing, the ceramic substrate 10 can be prevented from warping and cracking.

なお、スリット23を深くしすぎると、ヒートシンク20の放熱性が下がるため、曲がりやすさを考慮して、スリット23の深さを選定することが必要である。本実施形態および後述の実施形態のうち、このような薄肉部を作る場合には、ヒートシンク20はFeなどよりなるものが好ましい。   If the slit 23 is made too deep, the heat dissipation performance of the heat sink 20 is lowered. Therefore, it is necessary to select the depth of the slit 23 in consideration of ease of bending. In the present embodiment and the later-described embodiments, when making such a thin portion, the heat sink 20 is preferably made of Fe or the like.

また、図7は、本第4実施形態のもう1つの例としてのモールドパッケージを示す概略断面図である。このものでは、上記図6に示されるモールドパッケージにおいて、スリット23内に、モールド樹脂60よりも熱伝導率の高い樹脂71、すなわち高熱伝導樹脂71を充填している。この場合、モールド樹脂60による封止を行った後、当該高熱伝導樹脂71を充填すればよい。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a mold package as another example of the fourth embodiment. 6, in the mold package shown in FIG. 6, the slit 23 is filled with a resin 71 having a higher thermal conductivity than the mold resin 60, that is, a high thermal conductive resin 71. In this case, after sealing with the mold resin 60, the high thermal conductive resin 71 may be filled.

このような高熱伝導樹脂71としては、たとえば、シリコーンゴムや熱伝導性グリスなどが挙げられる。また、高熱伝導樹脂71としては、モールド樹脂60よりも熱伝導率が高いものであるならば、上記接着剤70であってもよい。   Examples of such a high thermal conductive resin 71 include silicone rubber and thermal conductive grease. Further, as the high thermal conductive resin 71, the adhesive 70 may be used as long as the thermal conductivity is higher than that of the mold resin 60.

また、この図7に示される例では、この高熱伝導樹脂71を介して、ヒートシンク20を冷却部材300に接触させ、ヒートシンク20の放熱性の向上を図っている。この冷却部材300としては、たとえばAlなどよりなるブロック体などが挙げられる。このように、スリット23に上記高熱伝導樹脂71を充填すれば、セラミック基板10からヒートシンク20を介した放熱性を向上させるうえで好ましい構成となる。   In the example shown in FIG. 7, the heat sink 20 is brought into contact with the cooling member 300 through the high thermal conductive resin 71 to improve the heat dissipation of the heat sink 20. Examples of the cooling member 300 include a block body made of Al or the like. In this way, if the slit 23 is filled with the high thermal conductive resin 71, it is preferable to improve heat dissipation from the ceramic substrate 10 through the heat sink 20.

(第5実施形態)
図8は、本発明の第5実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も上記第4実施形態と同様に薄肉部としてのスリット23を備える。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a schematic sectional view showing a mold package according to the fifth embodiment of the present invention. Similarly to the fourth embodiment, the present embodiment also includes a slit 23 as a thin portion.

ここで、上記第4実施形態では、ヒートシンク20の他方の板面22にスリット23を設けたが、本実施形態では、ヒートシンク20におけるセラミック基板10の搭載面である一方の板面21にスリット23を設けている。   Here, in the fourth embodiment, the slit 23 is provided on the other plate surface 22 of the heat sink 20, but in this embodiment, the slit 23 is formed on the one plate surface 21 that is the mounting surface of the ceramic substrate 10 in the heat sink 20. Is provided.

図8(a)では、スリット23に接着剤70を充填しており、接着剤70を介してセラミック基板10とヒートシンク20とを接着している。この場合、接着剤70は、モールド樹脂60よりも熱伝導率が高いものであることが好ましい。また、図8(b)では、スリット23に、接着剤70とは別の上記高熱伝導樹脂71を予め充填しておき、その後、接着剤70を介してセラミック基板10とヒートシンク20とを接着している。   In FIG. 8A, the slit 70 is filled with an adhesive 70, and the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are bonded via the adhesive 70. In this case, it is preferable that the adhesive 70 has a higher thermal conductivity than the mold resin 60. In FIG. 8B, the slit 23 is filled with the high thermal conductive resin 71 different from the adhesive 70 in advance, and then the ceramic substrate 10 and the heat sink 20 are bonded via the adhesive 70. ing.

さらに、図8(c)では、図8(b)に示されるものにおいて、さらにヒートシンク20の他方の板面22にもスリット23を設けている。つまり、ヒートシンク20の両板面21、22にスリット23を設けている。なお、図8(c)において、ヒートシンク20の他方の板面22のスリット23にも、上記高熱伝導樹脂71を充填してもよい。   Further, in FIG. 8C, a slit 23 is also provided on the other plate surface 22 of the heat sink 20 in the case shown in FIG. 8B. That is, the slits 23 are provided on both plate surfaces 21 and 22 of the heat sink 20. In FIG. 8C, the high thermal conductive resin 71 may be filled in the slit 23 on the other plate surface 22 of the heat sink 20.

これら図8に示される本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としてのスリット23により、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも上記曲がりやすい構成とすることができる。そのため、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板10がヒートシンク20に押し付けられても、セラミック基板10が反って割れるのを防止することができる。   Also with the mold package of this embodiment shown in FIG. 8, the heat sink 20 can be configured to bend more easily than the ceramic substrate 10 due to the slits 23 as thin portions. Therefore, even if the ceramic substrate 10 made of a brittle material is pressed against the heat sink 20 by the molding pressure at the time of resin sealing, the ceramic substrate 10 can be prevented from warping and cracking.

(第6実施形態)
図9は、本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態においても、ヒートシンク20に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部を設けることによって、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとしている。
(Sixth embodiment)
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a mold package according to the sixth embodiment of the present invention. Also in this embodiment, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10 by providing the heat sink 20 with a thin portion that is partially thin.

ここで、本実施形態では、図9に示されるように、ヒートシンク20の内部に空洞部24を設けることで、ヒートシンク20の厚さ方向において空洞部24を含む部位が薄肉部として構成されるようにしている。つまり、空洞部24の分だけヒートシンク20の厚さが薄くなり、薄肉部が構成されている。   Here, in this embodiment, as shown in FIG. 9, by providing the cavity portion 24 inside the heat sink 20, the portion including the cavity portion 24 in the thickness direction of the heat sink 20 is configured as a thin portion. I have to. That is, the thickness of the heat sink 20 is reduced by an amount corresponding to the hollow portion 24, and a thin portion is configured.

たとえば、この空洞部24は、図9中の紙面垂直方向に延びる孔であって、当該紙面垂直方向に位置するヒートシンク20の両端面の一方もしくは両方に開口するものであり、切削などで作製可能なものである。   For example, the cavity 24 is a hole extending in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 9 and opens to one or both of the both end surfaces of the heat sink 20 located in the direction perpendicular to the paper surface, and can be produced by cutting or the like. It is a thing.

また、空洞部24には何も充填しなくてもよいが、ここでは、上記同様の高熱伝導樹脂71を空洞部24に充填している。それにより、上記同様、ヒートシンク20の放熱性を向上させている。なお、この空洞部24を、図9中の紙面垂直方向に位置するヒートシンク20の両端面の両方に開口する貫通穴とすることで、空洞部24に水などの冷媒を循環させれば、冷却性能の向上につながる。   The hollow portion 24 may not be filled with anything, but here, the high thermal conductive resin 71 similar to the above is filled in the hollow portion 24. Thereby, like the above, the heat dissipation of the heat sink 20 is improved. In addition, if this cavity part 24 is made into the through-hole opened to both the both end surfaces of the heat sink 20 located in the paper surface perpendicular | vertical direction in FIG. 9, if coolant, such as water, is circulated through the cavity part 24, it will cool This leads to improved performance.

そして、本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としての空洞部24により、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすい構成とされ、上記同様に、セラミック基板10の割れを防止することができる。   The mold package of this embodiment also has a configuration in which the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10 due to the hollow portion 24 as a thin-walled portion, and similarly to the above, it is possible to prevent the ceramic substrate 10 from cracking. it can.

(第7実施形態)
図10は、本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態では、ヒートシンク20に設ける薄肉部として、ヒートシンク20の厚さ方向に凹んだザグリ25を設けることによって、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとしている。
(Seventh embodiment)
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a mold package according to the seventh embodiment of the present invention. In the present embodiment, the heat sink 20 is bent more easily than the ceramic substrate 10 by providing a counterbore 25 that is recessed in the thickness direction of the heat sink 20 as a thin portion provided in the heat sink 20.

このザグリ25は、切削やプレスなどにより形成される凹部であり、図10において、(a)はヒートシンク20の他方の板面22にザグリ25を形成した例を示し、(b)はこのザグリ25にさらに上記したモールド樹脂60よりも熱伝導率が高熱伝導樹脂71を充填した例を示している。   The counterbore 25 is a recess formed by cutting or pressing. In FIG. 10, (a) shows an example in which the counterbore 25 is formed on the other plate surface 22 of the heat sink 20, and (b) shows the counterbore 25. Further, an example in which the thermal conductivity higher than that of the mold resin 60 described above is filled with the heat conductive resin 71 is shown.

そして、本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としてのザグリ25により、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすい構成とされ、上記同様に、セラミック基板10の割れを防止することができる。また、高熱伝導樹脂71をザグリ25に充填した例では、ヒートシンク20の放熱性向上が期待できる。   And also with the mold package of this embodiment, the heat sink 20 is configured to bend more easily than the ceramic substrate 10 due to the counterbore 25 as a thin portion, and the crack of the ceramic substrate 10 can be prevented in the same manner as described above. . Further, in the example in which the counterbore 25 is filled with the high thermal conductive resin 71, the heat dissipation of the heat sink 20 can be expected to be improved.

(第8実施形態)
図11は、本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も、上記第7実施形態と同様に、ヒートシンク20の他方の板面22に薄肉部としてのザグリ25を設け、同様の効果が期待できるものである。
(Eighth embodiment)
FIG. 11 is a schematic sectional view showing a mold package according to the eighth embodiment of the present invention. In the present embodiment, similarly to the seventh embodiment, a counterbore 25 as a thin portion is provided on the other plate surface 22 of the heat sink 20, and the same effect can be expected.

ここで、本実施形態のモールドパッケージでは、上記図1に示されるものと同様に、第1の板材であるセラミック基板10には、駆動時に発熱する発熱素子30が設けられており、第2の板材であるヒートシンク20は、セラミック基板10から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されている。   Here, in the mold package of the present embodiment, similarly to the one shown in FIG. 1, the ceramic substrate 10 that is the first plate member is provided with a heating element 30 that generates heat during driving. The heat sink 20, which is a plate material, is configured as a heat radiating plate that radiates heat transmitted from the ceramic substrate 10.

そして、本実施形態では、ザグリ25を、ヒートシンク20のうち発熱素子30から外れた部位に設けている。つまり、図11に示されるように、発熱素子30の直下ではザグリ25を設けず、それ以外の発熱の小さな電子部品31、32の直下ではザグリ25を設けないことにより、放熱板としてのヒートシンク20の厚さを確保している。   In this embodiment, the counterbore 25 is provided in a portion of the heat sink 20 that is separated from the heat generating element 30. That is, as shown in FIG. 11, the counterbore 25 is not provided immediately below the heat generating element 30, and the counterbore 25 is not provided immediately below the other electronic components 31, 32 with small heat generation, so that the heat sink 20 as a heat radiating plate is provided. The thickness is secured.

本実施形態によれば、上記したザグリ25によるセラミック基板10の割れ防止効果を発揮できるとともに、発熱素子30については放熱性を損なわないようにでき、ヒートシンク20の放熱性を確保するうえで好ましい構成にできる。なお、本実施形態においても、図示しないが、ザグリ25にはモールド樹脂60よりも熱伝導率の高い樹脂を充填してもよく、その場合には当該樹脂による上記効果が期待できる。   According to the present embodiment, the above-described counterbore 25 can exhibit the effect of preventing cracking of the ceramic substrate 10, and the heat generating element 30 can be prevented from losing heat dissipation, which is preferable for ensuring heat dissipation of the heat sink 20. Can be. Also in this embodiment, although not shown, the counterbore 25 may be filled with a resin having a higher thermal conductivity than the mold resin 60, and in this case, the above-described effect of the resin can be expected.

(第9実施形態)
図12は、本発明の第9実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も上記第7、第8実施形態と同様に薄肉部としてのザグリ25を備える。
(Ninth embodiment)
FIG. 12 is a schematic sectional view showing a mold package according to the ninth embodiment of the present invention. This embodiment also includes a counterbore 25 as a thin-walled portion as in the seventh and eighth embodiments.

ここで、上記第7、第8実施形態では、ヒートシンク20の他方の板面22にザグリ25を設けたが、本実施形態では、ヒートシンク20におけるセラミック基板10の搭載面である一方の板面21にザグリ25を設けている。   Here, in the seventh and eighth embodiments, the counterbore 25 is provided on the other plate surface 22 of the heat sink 20, but in this embodiment, one plate surface 21 that is the mounting surface of the ceramic substrate 10 in the heat sink 20. Counterbore 25 is provided on the surface.

図12(a)は、ヒートシンク20の一方の板面21の略全面にザグリ25を設けた例であり、図12(b)および(c)は、ヒートシンク20の一方の板面21において発熱素子30から外れた部位に、ザグリ25を設けることで、上記第8実施形態と同様の効果を狙ったものである。   FIG. 12A is an example in which counterbore 25 is provided on substantially the entire surface of one plate surface 21 of the heat sink 20, and FIGS. 12B and 12C are heating elements on one plate surface 21 of the heat sink 20. By providing the counterbore 25 at a part off 30, the same effect as in the eighth embodiment is aimed.

(第10実施形態)
図13は、本発明の第10実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、両板材10、20に対してセラミック基板10の一方の板面11と直交する方向(図13中の上下方向)へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっている。
(10th Embodiment)
FIG. 13 is a schematic sectional view showing a mold package according to the tenth embodiment of the present invention. Also in this mold package, when a force is applied to both plate members 10 and 20 in a direction orthogonal to one plate surface 11 of the ceramic substrate 10 (vertical direction in FIG. 13), the bending is displaced in the orthogonal direction. As for, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10.

ここで、本実施形態では、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいことは、図13に示されるように、ヒートシンク20を、ヤング率の異なる材料よりなる複数の層2a、2bが厚さ方向に積層されたものとすることにより、なされている。   Here, in the present embodiment, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10, that is, the bending degree of a single plate material is larger than that of the ceramic substrate 10. As shown in FIG. 13, the heat sink 20 is formed by laminating a plurality of layers 2a and 2b made of materials having different Young's moduli in the thickness direction.

たとえば、図13(a)では、2層よりなるヒートシンク20において一方の板面21側にCuよりなる第1の層2a、他方の板面22側にFeよりなる第2の層2bを配置している。この場合、もし、ヒートシンク20のすべてをFeで構成した場合、十分な熱容量があるが、ヤング率が220MPaと堅いため、熱膨張係数差などによりセラミック基板10が割れる可能性が高い。   For example, in FIG. 13A, in the heat sink 20 consisting of two layers, the first layer 2a made of Cu is arranged on one plate surface 21 side, and the second layer 2b made of Fe is arranged on the other plate surface 22 side. ing. In this case, if all of the heat sink 20 is made of Fe, there is a sufficient heat capacity, but since the Young's modulus is stiff as 220 MPa, the ceramic substrate 10 is likely to break due to a difference in thermal expansion coefficient.

そこで、図13(a)のように、ヒートシンク20の半分をCuで構成することで、熱容量は若干減るものの、熱伝導性が向上することで、放熱性を確保し、なお且つ、ヒートシンク20全体として曲がりやすくなるため、セラミック基板10の割れを抑制することができる。   Therefore, as shown in FIG. 13A, although the heat capacity is slightly reduced by constituting half of the heat sink 20 with Cu, the heat conductivity is improved, thereby ensuring heat dissipation and the heat sink 20 as a whole. Therefore, the ceramic substrate 10 can be prevented from cracking.

このとき、第1の層2aと第2の層2bとは、ヤング率の異なるものであればよく、FeとCuに限定されるものではない。本実施形態によれば、ヤング率の小さい材料よりなるものを組み込むことで、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすい構成とすることができる。そのため、本実施形態によっても、上記同様に、セラミック基板10の割れを防止することができる。   At this time, the 1st layer 2a and the 2nd layer 2b should just have a different Young's modulus, and are not limited to Fe and Cu. According to the present embodiment, by incorporating a material made of a material having a low Young's modulus, the heat sink 20 can be configured to bend more easily than the ceramic substrate 10. Therefore, according to the present embodiment as well, cracking of the ceramic substrate 10 can be prevented in the same manner as described above.

ここで、ヒートシンク20における第1の層2aと第2の層2bとは、溶接、はんだ付け、接着剤などにより予め接続されてもよいし、各々リードフレームとのかしめにより、固定されたものであってもよい。また、第1の層2aと第2の層2bとは積層された構成でなくてもよく、たとえば図13(b)に示されるように、一方が他方を包み込むような構成であってもよい。   Here, the first layer 2a and the second layer 2b in the heat sink 20 may be connected in advance by welding, soldering, adhesive, or the like, or fixed by caulking with each lead frame. There may be. Further, the first layer 2a and the second layer 2b do not have to be laminated, and for example, as shown in FIG. 13B, one may wrap the other. .

(第11実施形態)
図14は、本発明の第11実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、上記同様に、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっている。
(Eleventh embodiment)
FIG. 14 is a schematic sectional view showing a mold package according to the eleventh embodiment of the present invention. Also in this mold package, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10 as described above.

ここで、本実施形態では、図14に示されるように、ヒートシンク20を、複数の層2cが厚さ方向に積層されたものとし、且つ、これら複数の層2c同士を層の周辺部では接合せずに中央部で接合したものとしている。   Here, in this embodiment, as shown in FIG. 14, the heat sink 20 is formed by laminating a plurality of layers 2 c in the thickness direction, and the plurality of layers 2 c are bonded to each other at the periphery of the layers. It is assumed that they are joined at the center without.

それにより、ヒートシンク20が曲がろうするときに複数の層2cの周辺部では層2c同士がずれるため、曲がりやすい。そのため、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいものとなっている。   Thereby, when the heat sink 20 is bent, the layers 2c are shifted in the peripheral portion of the plurality of layers 2c, so that the heat sink 20 is easily bent. Therefore, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10, that is, the degree of bending of a single plate material is larger in the heat sink 20 than in the ceramic substrate 10.

このとき、各層2cはFeなどよりなり、たとえば抵抗溶接やレーザ溶接などの溶接により中央部で接続されている。図14では、溶接された部位は溶接部Mとして示してある。こうすることで、ヒートシンク20をFeの1層で構成する場合に比べて、ヒートシンク20をセラミック基板20よりも曲がりやすい構成とできる。   At this time, each layer 2c consists of Fe etc., for example, is connected in the center part by welding, such as resistance welding and laser welding. In FIG. 14, the welded part is shown as a welded part M. By doing so, the heat sink 20 can be bent more easily than the ceramic substrate 20 as compared with the case where the heat sink 20 is composed of one layer of Fe.

なお、図14では積層数は3層であるが、2層あるいは4層以上でもよい。また、複数の層2c同士はモールド樹脂60で固定されているため、溶接などで接合されていなくてもよく、その場合にも、同様の効果が期待できる。   In FIG. 14, the number of layers is three, but it may be two or four or more. Further, since the plurality of layers 2c are fixed by the mold resin 60, they may not be joined by welding or the like, and in that case, the same effect can be expected.

(第12実施形態)
図15は、本発明の第12実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態は、ヒートシンク20を、中央部で溶接された複数の層2cよりなるものとした上記第11実施形態を一部変形したものである。
(Twelfth embodiment)
FIG. 15 is a schematic sectional view showing a mold package according to the twelfth embodiment of the present invention. The present embodiment is a partial modification of the eleventh embodiment in which the heat sink 20 is composed of a plurality of layers 2c welded at the center.

すなわち、本モールドパッケージでは、図15に示されるように、複数の層2cの平面サイズを互いに異ならせることで、ヒートシンク20の端面を、複数の層2cの端部により凹凸形状としている。こうすることで、アンカー効果により、ヒートシンク20の端面におけるモールド樹脂60との密着性が向上し、モールド樹脂60の剥離が防止されるという利点がある。   That is, in this mold package, as shown in FIG. 15, the end surface of the heat sink 20 is made uneven by the end portions of the plurality of layers 2c by making the plane sizes of the plurality of layers 2c different from each other. By carrying out like this, there exists an advantage that the adhesiveness with the mold resin 60 in the end surface of the heat sink 20 improves by the anchor effect, and peeling of the mold resin 60 is prevented.

(第13実施形態)
図16は、本発明の第13実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。なお、(a)は(b)の上視図であり、モールド樹脂60を透過してモールド樹脂60の内部構成を示してある。このモールドパッケージにおいても、上記同様に、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっている。
(13th Embodiment)
16A and 16B are views showing a mold package according to a thirteenth embodiment of the present invention, in which FIG. 16A is a schematic plan view, and FIG. 16B is a schematic cross-sectional view. Note that (a) is a top view of (b), and shows the internal configuration of the mold resin 60 through the mold resin 60. Also in this mold package, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10 as described above.

ここで、本実施形態では、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク20の方がセラミック基板10よりも大きいことは、図16に示されるように、ヒートシンク20を、平面的に分割された複数個(図16では3個)の分割部2dの集合体として構成することにより、なされている。   Here, in the present embodiment, the heat sink 20 is more easily bent than the ceramic substrate 10, that is, the bending degree of a single plate material is larger than that of the ceramic substrate 10. As shown in FIG. 16, the heat sink 20 is configured as an aggregate of a plurality of divided portions 2 d (three in FIG. 16) divided in a plane.

ここで、各々の分割部2dは、たとえば、リードフレームとかしめによって固定されている。このように分割することで、分割部2dの集合体であるヒートシンク20は、分離している部位にて曲がりやすいものとなり、見かけ上、セラミック基板10よりも曲がりやすい構成となるため、上記したセラミック基板10の割れを防止できる。   Here, each divided portion 2d is fixed by, for example, a lead frame and caulking. By dividing in this way, the heat sink 20 that is an aggregate of the divided portions 2d becomes easy to bend at the separated portion, and apparently has a configuration that is easier to bend than the ceramic substrate 10, so that the above-described ceramic The crack of the substrate 10 can be prevented.

(他の実施形態)
なお、第1の板材としては、脆性材料よりなるものであればよく、典型的には上記したセラミックが挙げられるが、可能ならばそれ以外の脆性材料であってもよい。また、第2の板材としては、上記した金属に代表される延性材料以外のものであってもよい。つまり、第2の板材は、上記曲がりやすさが第1の板材よりも大きいものであれば、特に材料を限定するものではない。
(Other embodiments)
Note that the first plate member may be made of a brittle material, and typically includes the above-described ceramic, but other brittle materials may be used if possible. Further, the second plate material may be other than the ductile material represented by the metal described above. That is, the material of the second plate material is not particularly limited as long as the above-described bendability is larger than that of the first plate material.

また、第2の板材としてのヒートシンク20は、リードフレーム50とは別体のものであったが、リードフレーム50と一体であるアイランドを、ヒートシンクに代えて第2の板材としてもよい。この場合も、当該アイランドについて、上記曲がりやすさが第1の板材よりも大きいものであればよい。   Further, although the heat sink 20 as the second plate material is separate from the lead frame 50, an island integrated with the lead frame 50 may be used as the second plate material instead of the heat sink. Also in this case, it is sufficient if the island is more easily bent than the first plate.

また、第1の板材と第2の板材との間に介在し、これらを接着する接着部材としては、両板材よりもヤング率が低く且つ両板材よりも厚さの小さいものであれば、シリコーン樹脂などの可撓性接着剤以外にも、はんだなどであってもよい。   In addition, as an adhesive member that is interposed between the first plate material and the second plate material and adheres them, if the Young's modulus is lower than both plate materials and the thickness is smaller than both plate materials, silicone Solder etc. may be sufficient besides flexible adhesives, such as resin.

本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。It is a figure which shows the mold package which concerns on 1st Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第1実施形態に係るモールド工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold process which concerns on the said 1st Embodiment. 両板材における各部寸法を示すための板材のモデル的な斜視図である。It is a model-like perspective view of the board | plate material for showing each part dimension in both board | plate materials. 従来においてヒートシンクの反りによってセラミック基板が反ることによる基板割れの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the board | substrate crack by the ceramic board | substrate warping conventionally by the curvature of a heat sink. 本発明の第2実施形態に係るモールドパッケージの概略平面図である。It is a schematic plan view of the mold package which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 4th Embodiment of this invention. 上記第4実施形態のもう1つの例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the said 4th Embodiment. 本発明の第5実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 8th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 9th Embodiment of this invention. 本発明の第10実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 10th Embodiment of this invention. 本発明の第11実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 11th Embodiment of this invention. 本発明の第12実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mold package which concerns on 12th Embodiment of this invention. 本発明の第13実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。It is a figure which shows the mold package which concerns on 13th Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

2a…ヒートシンクの第1の層、2b…ヒートシンクの第2の層、2c…複数の層、
2d…分割部、10…第1の板材としてのセラミック基板、
11…セラミック基板の一方の板面、12…セラミック基板の他方の板面、
20…第2の板材としてのヒートシンク、21…ヒートシンクの一方の板面、
22…ヒートシンクの他方の板面、23…薄肉部としてのスリット、
24…薄肉部としての空洞部、25…薄肉部としてのザグリ、30…発熱素子、
60…モールド樹脂、70…接着剤、71…高熱伝導樹脂。
2a ... first layer of heat sink, 2b ... second layer of heat sink, 2c ... multiple layers,
2d-division part, 10-ceramic substrate as the first plate material,
11: One plate surface of the ceramic substrate, 12 ... The other plate surface of the ceramic substrate,
20 ... a heat sink as a second plate material, 21 ... one plate surface of the heat sink,
22 ... the other plate surface of the heat sink, 23 ... a slit as a thin part,
24 ... hollow portion as thin portion, 25 ... counterbore as thin portion, 30 ... heating element,
60 ... mold resin, 70 ... adhesive, 71 ... high thermal conductive resin.

Claims (18)

第1の板材(10)と第2の板材(20)とを備え、
前記第1の板材(10)は脆性材料よりなり、
前記第1の板材(10)の一方の板面(11)と前記第2の板材(20)の一方の板面(21)とが貼り合わせられており、
前記両板材(10、20)はモールド樹脂(60)で封止されるとともに、前記第2の板材(20)において前記第1の板材(10)に貼り合わせられている一方の板面(21)とは反対側の他方の板面(22)は前記モールド樹脂(60)から露出しているモールドパッケージにおいて、
前記両板材(10、20)に対して前記第1の板材(10)の前記一方の板面(11)と直交する方向へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることを特徴とするモールドパッケージ。
Comprising a first plate (10) and a second plate (20);
The first plate (10) is made of a brittle material,
One plate surface (11) of the first plate member (10) and one plate surface (21) of the second plate member (20) are bonded together,
The two plate members (10, 20) are sealed with a mold resin (60), and one plate surface (21) bonded to the first plate member (10) in the second plate member (20). In the mold package in which the other plate surface (22) opposite to () is exposed from the mold resin (60),
For the bending that is displaced in the orthogonal direction when a force is applied in the direction orthogonal to the one plate surface (11) of the first plate material (10) with respect to the both plate materials (10, 20), The mold package, wherein the second plate (20) is more easily bent than the first plate (10).
前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、
前記第2の板材(20)に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部(23、24、25)を設けることによりなされていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
The second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10).
The mold package according to claim 1, wherein the second plate member (20) is provided with a thin portion (23, 24, 25) having a partially reduced thickness.
前記薄肉部は、前記第2の板材(20)の厚さ方向に凹んだスリット(23)であることを特徴とする請求項2に記載のモールドパッケージ。 The mold package according to claim 2, wherein the thin portion is a slit (23) recessed in the thickness direction of the second plate (20). 前記スリット(23)には、前記モールド樹脂(60)よりも熱伝導率の高い樹脂(70、71)が充填されていることを特徴とする請求項3に記載のモールドパッケージ。 The mold package according to claim 3, wherein the slit (23) is filled with a resin (70, 71) having a higher thermal conductivity than the mold resin (60). 前記薄肉部は、前記第2の板材(20)の厚さ方向に凹んだザグリ(25)であることを特徴とする請求項2に記載のモールドパッケージ。 The mold package according to claim 2, wherein the thin portion is a counterbore (25) recessed in a thickness direction of the second plate member (20). 前記第1の板材(10)には、駆動時に発熱する発熱素子(30)が設けられており、
前記第2の板材(20)は、前記第1の板材(10)から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されており、
前記ザグリ(25)は、前記第2の板材(20)のうち前記発熱素子(30)から外れた部位に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のモールドパッケージ。
The first plate (10) is provided with a heating element (30) that generates heat during driving,
The second plate (20) is configured as a heat radiating plate that radiates heat transmitted from the first plate (10),
6. The mold package according to claim 5, wherein the counterbore (25) is provided in a portion of the second plate member (20) that is detached from the heating element (30).
前記ザグリ(25)には、前記モールド樹脂(60)よりも熱伝導率の高い樹脂(70、71)が充填されていることを特徴とする請求項5または6に記載のモールドパッケージ。 The mold package according to claim 5 or 6, wherein the counterbore (25) is filled with a resin (70, 71) having a higher thermal conductivity than the mold resin (60). 前記第2の板材(20)の内部には空洞部(24)が設けられており、前記第2の板材(20)の厚さ方向において前記空洞部(24)を含む部位が前記薄肉部として構成されていることを特徴とする請求項2に記載のモールドパッケージ。 A cavity (24) is provided inside the second plate (20), and a portion including the cavity (24) in the thickness direction of the second plate (20) serves as the thin portion. It is comprised, The mold package of Claim 2 characterized by the above-mentioned. 前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、
前記第2の板材(20)を、ヤング率の異なる材料よりなる複数の層(2a、2b)が厚さ方向に積層されたものとすることによりなされていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
The second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10).
The said 2nd board | plate material (20) is made | formed by making the several layer (2a, 2b) which consists of a material from which Young's modulus differs in the thickness direction, It is made | formed. The mold package described.
前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、
前記第2の板材(20)を、複数の層(2c)が厚さ方向に積層されたものとし、且つ、これら複数の層同士を層の周辺部では接合せずに中央部で接合したものとすることによりなされていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
The second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10).
The second plate member (20) is formed by laminating a plurality of layers (2c) in the thickness direction, and the plurality of layers are joined at the central portion without being joined at the periphery of the layers. The mold package according to claim 1, wherein the mold package is formed by:
前記複数の層(2c)の平面サイズを互いに異ならせることで、前記第2の板材(20)の端面は、前記複数の層の端部により凹凸形状となっていることを特徴とする請求項10に記載のモールドパッケージ。 The planar surfaces of the plurality of layers (2c) are different from each other, whereby the end surface of the second plate member (20) has an uneven shape due to the end portions of the plurality of layers. The mold package according to 10. 前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、
前記第2の板材(20)を平面的に分割した複数個の分割部(2d)の集合体として、前記第2の板材(20)を構成することによりなされていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
The second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10).
The said 2nd board | plate material (20) is made | formed by comprising the said 2nd board | plate material (20) as an aggregate | assembly of the some division | segmentation part (2d) which divided | segmented planarly. The mold package according to 1.
前記第2の板材(20)の方が前記第1の板材(10)よりも曲がりやすいものとなっていることは、
前記第1の板材(10)の厚さをT1、ヤング率をE1とし、前記第2の板材(20)の厚さをT2、ヤング率をE2としたとき、T1 3×E1>T2 3×E2、の関係が成立していることによりなされていることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
The second plate member (20) is more easily bent than the first plate member (10).
Said first plate (10) having a thickness of the T 1, the Young's modulus and E 1, the thickness T 2 of the second plate (20), when the Young's modulus and E 2, T 1 3 × 2. The mold package according to claim 1, wherein the mold package is formed by satisfying a relationship of E 1 > T 2 3 × E 2 .
前記第1の板材(10)および前記第2の板材(20)は、ともに平面四角形をなすものであって、互いの1辺の方向が同一方向に沿った配置となっているものであり、
前記第1の板材(10)における前記1辺と隣接する他辺の長さをW1、前記第2の板材(20)における前記1辺と隣接する他辺の長さをW2としたとき、T1 3×E1×W1>T2 3×E2×W2、の関係が成立していることを特徴とする請求項13に記載のモールドパッケージ。
The first plate member (10) and the second plate member (20) both form a plane quadrangle, and the directions of one side of each other are arranged along the same direction,
W 1 the length of the other side adjacent to the one side in the first plate (10), when the length of the other side adjacent to the one side in the second plate member (20) has a W 2 The mold package according to claim 13, wherein a relationship of T 1 3 × E 1 × W 1 > T 2 3 × E 2 × W 2 is established.
前記第1の板材(10)における前記1辺の長さをL1、前記第2の板材(20)における前記1辺の長さをL2としたとき、(T1 3×E1×W1)/L1>(T2 3×E2×W2)/L2、の関係が成立していることを特徴とする請求項14に記載のモールドパッケージ。 When the length of the one side in the first plate member (10) is L 1 and the length of the one side in the second plate member (20) is L 2 , (T 1 3 × E 1 × W The mold package according to claim 14, wherein a relationship of 1 ) / L 1 > (T 2 3 × E 2 × W 2 ) / L 2 is established. 前記第1の板材(10)と前記第2の板材(20)とは、前記両板材(10、20)よりもヤング率が低い可とう性接着剤もしくははんだよりなり且つ前記両板材(10、20)よりも厚さの小さい接着部材(70)を介して、貼り合わせられていることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。 The first plate member (10) and the second plate member (20) are made of a flexible adhesive or solder having a Young's modulus lower than that of the two plate members (10, 20) and the both plate members (10, The mold package according to any one of claims 1 to 15, wherein the mold package is bonded through an adhesive member (70) having a thickness smaller than that of 20). 前記接着部材(70)は、ヤング率が10MPa以下の熱硬化性接着剤であることを特徴とする請求項16に記載のモールドパッケージ。 The mold package according to claim 16, wherein the adhesive member (70) is a thermosetting adhesive having a Young's modulus of 10 MPa or less. 前記第1の板材(10)は脆性材料としてのセラミック、前記第2の板材(20)は延性材料としての金属よりなることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。 The mold according to any one of claims 1 to 17, wherein the first plate (10) is made of ceramic as a brittle material, and the second plate (20) is made of metal as a ductile material. package.
JP2007229962A 2007-09-05 2007-09-05 Mold package Expired - Fee Related JP5018355B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007229962A JP5018355B2 (en) 2007-09-05 2007-09-05 Mold package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007229962A JP5018355B2 (en) 2007-09-05 2007-09-05 Mold package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009064870A true JP2009064870A (en) 2009-03-26
JP5018355B2 JP5018355B2 (en) 2012-09-05

Family

ID=40559220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007229962A Expired - Fee Related JP5018355B2 (en) 2007-09-05 2007-09-05 Mold package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5018355B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054487A (en) * 2010-09-03 2012-03-15 Denso Corp Electronic device
JP2012064864A (en) * 2010-09-17 2012-03-29 Denso Corp Mounting structure of electronic module
JP2013074010A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Semiconductor device
JP2015126168A (en) * 2013-12-27 2015-07-06 三菱電機株式会社 Power module
US9324630B2 (en) 2012-02-14 2016-04-26 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP2016076727A (en) * 2015-12-24 2016-05-12 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
JPWO2014141346A1 (en) * 2013-03-15 2017-02-16 三菱電機株式会社 Semiconductor device
JP2019149514A (en) * 2018-02-28 2019-09-05 三菱マテリアル株式会社 Insulation circuit board with heat radiation plate, and method of manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297898A (en) * 1998-04-07 1999-10-29 Denso Corp Circuit board

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297898A (en) * 1998-04-07 1999-10-29 Denso Corp Circuit board

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054487A (en) * 2010-09-03 2012-03-15 Denso Corp Electronic device
JP2012064864A (en) * 2010-09-17 2012-03-29 Denso Corp Mounting structure of electronic module
JP2013074010A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Semiconductor device
US9324630B2 (en) 2012-02-14 2016-04-26 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JPWO2014141346A1 (en) * 2013-03-15 2017-02-16 三菱電機株式会社 Semiconductor device
JP2015126168A (en) * 2013-12-27 2015-07-06 三菱電機株式会社 Power module
JP2016076727A (en) * 2015-12-24 2016-05-12 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
JP2019149514A (en) * 2018-02-28 2019-09-05 三菱マテリアル株式会社 Insulation circuit board with heat radiation plate, and method of manufacturing the same
JP7087446B2 (en) 2018-02-28 2022-06-21 三菱マテリアル株式会社 A method for manufacturing an insulated circuit board with a heat radiating plate and an insulated circuit board with a heat radiating plate.

Also Published As

Publication number Publication date
JP5018355B2 (en) 2012-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6655221B2 (en) Semiconductor package with double-sided heat dissipation structure
JP5018355B2 (en) Mold package
US9911715B2 (en) Three-dimensional package structure and the method to fabricate thereof
US8358514B2 (en) Electronic control device
JP2007173680A (en) Semiconductor device
JP5096094B2 (en) Circuit equipment
JP2010073851A (en) Semiconductor device
JP5098239B2 (en) Mold package and manufacturing method thereof
JP2008300663A (en) Lead frame, semiconductor device using the lead frame and its manufacturing method
JP2008251671A (en) Heat dissipating substrate, manufacturing method therefor, and electronic component module
JP2008198921A (en) Module component and manufacturing method
JP4766087B2 (en) Electronic equipment
JP2012009609A (en) Multi-layer circuit board
JP2013258354A (en) Mold package and manufacturing method of the same
JP5691794B2 (en) Electronic control unit
JP6131875B2 (en) Semiconductor package
JP2007184424A (en) Semiconductor device
JP4556732B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013229369A (en) Mold package
JP2018006377A (en) Composite substrate, electronic device, and electronic module
JP2005311214A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5146016B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
JP5987665B2 (en) Semiconductor device
JP2015106682A (en) Mold package
JP2011029518A (en) Flexible printed wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090910

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120515

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120528

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5018355

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees