JP6424573B2 - Semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子と放熱部材とを封止したパワーモジュールと、当該半導体素子を冷却する冷却器とを備えた、半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device provided with a power module in which a semiconductor element and a heat dissipation member are sealed, and a cooler for cooling the semiconductor element.

例えば、特許文献１および２に半導体装置が記載されている。これらの特許文献に記載された半導体装置は、半導体素子と放熱部材（放熱板）とを封止してモールドパッケージ化されたパワーモジュールの外側に、放熱部材の一部が露出している。そして、半導体装置は、パワーモジュールの放熱部材が露出した箇所に、冷却器（ヒートシンク）が絶縁樹脂シートを介して接合された構造をしている。   For example, Patent Documents 1 and 2 describe semiconductor devices. In the semiconductor devices described in these patent documents, a part of the heat dissipation member is exposed to the outside of the molded power package in which the semiconductor element and the heat dissipation member (heat dissipation plate) are sealed. Then, the semiconductor device has a structure in which a cooler (heat sink) is joined via an insulating resin sheet to a portion where the heat dissipation member of the power module is exposed.

特開２０１３−２１１９４２号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-211942 国際公開第２０１３／０９９５４５号International Publication No. 2013-0995545

上記特許文献に記載された構造のような半導体装置では、パワーモジュール（モールドパッケージ）から露出した放熱部材の箇所と冷却器との接合を、例えばヒータープレス処理で行っている。このヒータープレス処理では、例えば図８（ａ）に示すように、絶縁樹脂シート１１４を挟んで、パワーモジュールの放熱部材１１３と冷却器１１５とを合わせ、この間に熱および圧力を加える。これにより、絶縁樹脂シート１１４が接着硬化し、放熱部材１１３と冷却器１１５とが接合される。   In a semiconductor device such as the structure described in the above-mentioned patent documents, bonding between the portion of the heat dissipation member exposed from the power module (mold package) and the cooler is performed by, for example, a heater press process. In this heater pressing process, for example, as shown in FIG. 8A, the heat dissipation member 113 of the power module and the cooler 115 are combined with the insulating resin sheet 114 interposed therebetween, and heat and pressure are applied therebetween. Thereby, the insulating resin sheet 114 is adhesively cured, and the heat radiating member 113 and the cooler 115 are joined.

しかしながら、このヒータープレス処理の際、加圧によって冷却器１１５が受ける荷重が冷却器１１５の端部に集中してしまう現象が生じる。この冷却器１１５の端部に荷重が集中した状態でヒータープレス処理を行うと、図８（ｂ）に示すように、冷却器１１５の端部がパワーモジュール側（内側）に曲げられて内部応力を蓄積した状態で変形する。このため、ヒータープレス処理後の冷却器１１５には、内側に変形した形状を元に戻そうとする外側への内部応力が働くことになる（図８（ｂ）中の矢印）。また、加熱された冷却器１１５の温度低下によって生じる熱応力も、冷却器１１５を外側に反らせる方向に働く。従って、この冷却器１１５の内部応力および熱応力によって、絶縁樹脂シート１１４の端部が冷却器１１５から剥離するおそれがある。   However, during this heater pressing process, a phenomenon occurs in which the load received by the cooler 115 due to pressurization is concentrated at the end of the cooler 115. When the heater pressing process is performed in a state where the load is concentrated on the end of the cooler 115, as shown in FIG. 8B, the end of the cooler 115 is bent toward the power module (inward) to cause internal stress In the accumulated state of For this reason, in the cooler 115 after the heater pressing process, an internal stress to the outside to restore the shape deformed inward acts on the cooler 115 (arrow in FIG. 8B). In addition, the thermal stress generated by the temperature decrease of the heated cooler 115 also acts in the direction of bending the cooler 115 outward. Therefore, the internal stress and thermal stress of the cooler 115 may cause the end of the insulating resin sheet 114 to peel off from the cooler 115.

本発明は、上記課題に鑑みて、絶縁樹脂シートの端部が冷却器から剥離するおそれを減少させた半導体装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the semiconductor device which reduced the possibility that the edge part of the insulated resin sheet will peel from a cooler in view of the said subject.

上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、少なくとも１つの主面に放熱部材が接合された半導体素子を、放熱部材の一部を露出させて封止したパワーモジュールと、放熱部材の露出面を含むパワーモジュールの放熱領域面に、絶縁樹脂シートを介して接合された冷却器とを備え、冷却器は、放熱領域面内においてパワーモジュールと接合されかつ接合方向の平面視が放熱領域面よりも小さい中央部と、中央部の端部から外縁へ延びた側部とを含み、側部が中央部の端部を折り曲げ位置としてパワーモジュール側に曲がっている、ことを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor device according to the present invention includes a power module in which a semiconductor element having a heat dissipation member joined to at least one main surface is sealed by exposing a part of the heat dissipation member; The heat dissipation area of the power module including the exposed surface is provided with a cooler joined via the insulating resin sheet, and the cooler is joined to the power module in the heat dissipation area and the plan view of the joining direction is the heat dissipation area It is characterized by including a central portion smaller than the surface and a side portion extending from the end of the central portion to the outer edge, and the side portion is bent toward the power module with the end of the central portion folded.

この本発明の半導体装置によれば、パワーモジュールには、曲げ加工が施された冷却器（例えば、ヒートシンクなど）が接合されている。冷却器は、放熱部材の露出面を含むパワーモジュールの放熱領域面内においてパワーモジュールと接合される中央部と、この中央部の端部から外縁へ延びた側部とを、含んでいる。冷却器の曲げは、側部が中央部の端部を折り曲げ位置としてパワーモジュール方向の内側に曲がるように施されている。この内側に曲げられた側部には、ヒータープレス処理においてパワーモジュールと冷却器とを接合する際、パワーモジュールの放熱領域面の外縁（モールドパッケージの角または面）による圧力がかかる。このため、冷却器の側部が、パワーモジュール方向とは反対の外側に押されて弾性変形する。この側部１５ｓが外側へ弾性変形した状態で絶縁樹脂シートを硬化させて、冷却器をパワーモジュールに接合すると、ヒータープレス処理後の冷却器には、内側に変形しようとする応力が常に働くことになる。この応力は、冷却器を絶縁樹脂シートへ押し付ける方向の力であるため、冷却器における絶縁樹脂シートを引き剥がす方向への応力が減少することになる。よって、本発明の半導体装置は、冷却器が有する応力（内部応力、熱応力など）によって絶縁樹脂シートの端部が剥離することを抑制できる（剥離耐久性の向上、冷熱耐久性の向上）。   According to the semiconductor device of the present invention, a cooler (for example, a heat sink or the like) subjected to bending processing is joined to the power module. The cooler includes a central portion joined to the power module within the heat dissipation area of the power module including the exposed surface of the heat dissipation member, and a side portion extending from the end of the central portion to the outer edge. Bending of the cooler is performed such that the side portion is bent in the direction of the power module with the end of the central portion as a bending position. When the power module and the cooler are joined in the heater pressing process, pressure applied by the outer edge (the corner or the surface of the mold package) of the heat dissipation area of the power module is applied to the inwardly bent side. For this reason, the side of the cooler is pushed outward to the side opposite to the power module direction to be elastically deformed. When the insulating resin sheet is cured with the side portions 15s elastically deformed outward, and the cooler is joined to the power module, a stress that tends to deform inward always acts on the cooler after the heater pressing process. become. Since this stress is a force in the direction of pressing the cooler against the insulating resin sheet, the stress in the direction of peeling off the insulating resin sheet in the cooler is reduced. Therefore, the semiconductor device of the present invention can suppress peeling of the end of the insulating resin sheet due to stress (internal stress, thermal stress, etc.) of the cooler (improvement of peeling durability, improvement of cold-heat durability).

以上述べたように、本発明の半導体装置によれば、絶縁樹脂シートの端部が絶縁樹脂シートから剥離するおそれを低減できる。   As described above, according to the semiconductor device of the present invention, the risk that the end of the insulating resin sheet peels from the insulating resin sheet can be reduced.

本発明の一実施形態に係る半導体装置１の全体構造の断面を示す概略図Schematic which shows the cross section of the whole structure of the semiconductor device 1 which concerns on one Embodiment of this invention. 半導体装置１を製造する手法の一例を説明する図A diagram for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor device 1 半導体装置１の変形例を説明する図The figure explaining the modification of semiconductor device 1 本発明に関わる参考例１の半導体装置２を説明する図The figure explaining the semiconductor device 2 of reference example 1 concerning the present invention 半導体装置２の変形例を説明する図A diagram for explaining a modification of the semiconductor device 2 本発明に関わる参考例２の半導体装置３を説明する図The figure explaining the semiconductor device 3 of reference example 2 concerning the present invention 本発明に関わる参考例３の半導体装置４を説明する図The figure explaining the semiconductor device 4 of reference example 3 concerning the present invention 従来の半導体装置の一例を説明する断面図Cross-sectional view for explaining an example of a conventional semiconductor device

以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体装置の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of a semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明に係る半導体装置は、冷却器を特徴的な形状とすることによって、ヒータープレス処理後の冷却器における絶縁樹脂シートを剥離させる方向に働く内部応力を、減少させる。この形状により、本発明に係る半導体装置は、絶縁樹脂シートの端部が冷却器から剥離するおそれを低減できる。   The semiconductor device according to the present invention reduces the internal stress acting in the direction of peeling the insulating resin sheet in the cooler after the heater pressing process by making the cooler have a characteristic shape. With this shape, the semiconductor device according to the present invention can reduce the risk of the end of the insulating resin sheet peeling from the cooler.

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１の全体構造の断面を示す概略図である。図２は、本実施形態に係る半導体装置１を製造する手法の一例を説明する図である。   FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of the entire structure of a semiconductor device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor device 1 according to the present embodiment.

［半導体装置の全体構造］
図１（ａ）を参照する。本実施形態に係る半導体装置１は、半導体素子１０、リード端子１２、放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、およびヒートシンク１５を備えている。この半導体装置１のうち半導体素子１０、リード端子１２、および放熱板１３の構成は、例えばエポキシ樹脂などの材料からなる樹脂部材１６によって封止されて、モールドパッケージ化されている。このモールドパッケージ化された構成部分を、パワーモジュール１７という。 [Overall structure of semiconductor device]
Please refer to FIG. 1 (a). The semiconductor device 1 according to the present embodiment includes a semiconductor element 10, lead terminals 12, a heat sink 13, an insulating resin sheet 14, and a heat sink 15. The configuration of the semiconductor element 10, the lead terminal 12, and the heat sink 13 in the semiconductor device 1 is sealed by a resin member 16 made of a material such as an epoxy resin, for example, and molded and packaged. The component part molded into a mold is referred to as a power module 17.

半導体素子１０は、例えばパワートランジスタなどの、動作時に発熱する発熱性を持った電力用半導体素子である。半導体素子１０の一方の主面（図１では上面）の端子は、例えば半田などの接合部材１１ａによって、リード端子１２の一方端と電気的に接合されている。リード端子１２は、導電性を有する材料で構成されている。このリード端子１２の他方端は、樹脂部材１６からパワーモジュール１７（モールドパッケージ）の外部に突出している。この外部に突出したリード端子１２の他方端が、例えば外部回路基板（図示せず）と電気的に接続されることで、半導体素子１０に通電が行われる。半導体素子１０の他方の主面（図１では下面）は、例えば半田などの接合部材１１ｂによって、放熱板１３と接合されている。   The semiconductor element 10 is, for example, a power semiconductor element such as a power transistor, which has heat generating property to generate heat during operation. The terminal on one main surface (upper surface in FIG. 1) of the semiconductor element 10 is electrically bonded to one end of the lead terminal 12 by a bonding member 11 a such as solder, for example. The lead terminal 12 is made of a conductive material. The other end of the lead terminal 12 protrudes from the resin member 16 to the outside of the power module 17 (mold package). The other end of the lead terminal 12 protruding to the outside is electrically connected to, for example, an external circuit board (not shown), whereby the semiconductor element 10 is energized. The other main surface (the lower surface in FIG. 1) of the semiconductor element 10 is bonded to the heat sink 13 by a bonding member 11 b such as solder.

放熱板１３は、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導性に優れた材料で構成される、放熱部材である。この放熱板１３は、半導体素子１０で発生した熱をヒートシンク１５に逃がす、いわゆるヒートスプレッダーとしての役割を有する。放熱板１３の半導体素子１０が接合されていない面は、樹脂部材１６で覆われておらず、パワーモジュール１７の外部に露出している。この放熱板１３のパワーモジュール１７の外部に露出している面（以下、露出面という）には、絶縁樹脂シート１４を挟んでヒートシンク１５が接合されている。   The heat sink 13 is a heat radiating member which is made of, for example, a material excellent in thermal conductivity such as copper (Cu) or aluminum (Al). The heat sink 13 has a role as a so-called heat spreader for releasing the heat generated in the semiconductor element 10 to the heat sink 15. The surface of the heat sink 13 to which the semiconductor element 10 is not bonded is not covered with the resin member 16 and is exposed to the outside of the power module 17. The heat sink 15 is joined to the surface (hereinafter referred to as an exposed surface) of the heat sink 13 exposed to the outside of the power module 17 with the insulating resin sheet 14 interposed therebetween.

ヒートシンク１５は、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導性に優れた材料で構成される、冷却器である。ヒートシンク１５は、接合される放熱板１３から絶縁樹脂シート１４を介して伝わる熱を、パワーモジュール１７の外部に放出させる役割を有する。図１（ｂ）に例示するように、本実施形態のヒートシンク１５は、略平板形状である中央部１５ｃと、中央部１５ｃの端部から外縁まで延びる側部１５ｓと、複数のフィン１５ｆと、で構成される。側部１５ｓは、中央部１５ｃの全周に設けられてもよいし、一部に設けられてもよい。複数のフィン１５ｆは、中央部１５ｃのパワーモジュール１７の露出面が接合されていない面に設けられる。なお、複数のフィン１５ｆは、ヒートシンク１５になくてもよい。   The heat sink 15 is a cooler made of, for example, a material having excellent thermal conductivity such as copper (Cu) or aluminum (Al). The heat sink 15 has a role of releasing the heat transmitted from the heat radiation plate 13 to be joined through the insulating resin sheet 14 to the outside of the power module 17. As illustrated in FIG. 1B, the heat sink 15 according to this embodiment includes a central portion 15c having a substantially flat plate shape, side portions 15s extending from an end of the central portion 15c to the outer edge, and a plurality of fins 15f. It consists of The side portion 15s may be provided on the entire circumference of the central portion 15c or may be provided on a part thereof. The plurality of fins 15f are provided on the central portion 15c on the surface to which the exposed surface of the power module 17 is not joined. The plurality of fins 15 f may not be provided in the heat sink 15.

本実施形態に係る半導体装置１の特徴は、ヒートシンク１５の形状にある。図１（ｂ）に示すように、ヒートシンク１５は、所定の位置Ｐからパワーモジュール１７側（以下、内側という）に、側部１５ｓが曲げられている。位置Ｐは、図１（ｂ）のＡ方向から半導体装置１を平面視したときに、ヒートシンク１５と対向するパワーモジュール１７の放熱領域面Ｂに含まれる位置である。つまり、ヒートシンク１５の中央部１５ｃは、放熱領域面Ｂ内でパワーモジュール１７と接合される。よって、ヒートシンク１５は、中央部１５ｃの端部（位置Ｐ）を折り曲げ位置として、パワーモジュール１７側に曲がっている。側部１５ｓの厚み、曲げ形状、および曲げ量などは、特に限定されない。しかし、機能的には、半導体装置１のパワーモジュール１７とヒートシンク１５とを合わせたときに、パワーモジュール１７（モールドパッケージの角または面）が、最初にヒートシンク１５の側部１５ｓに当たるように設計される。詳細は、図２を用いた製造過程において説明する。この機能的な構造を実現できる形状に、半導体装置１のパワーモジュール１７（放熱領域面Ｂ）、およびヒートシンク１５（位置Ｐ、側部１５ｓ）がそれぞれ形成される。   The feature of the semiconductor device 1 according to the present embodiment is the shape of the heat sink 15. As shown in FIG. 1B, the heat sink 15 has a side portion 15s bent from the predetermined position P to the power module 17 side (hereinafter referred to as the inner side). The position P is a position included in the heat radiation area surface B of the power module 17 facing the heat sink 15 when the semiconductor device 1 is viewed in plan from the A direction in FIG. 1B. That is, the central portion 15 c of the heat sink 15 is joined to the power module 17 in the heat radiation area plane B. Accordingly, the heat sink 15 is bent toward the power module 17 with the end (position P) of the central portion 15 c as a bending position. The thickness, bending shape, bending amount, and the like of the side portion 15s are not particularly limited. However, functionally, when the power module 17 of the semiconductor device 1 and the heat sink 15 are combined, the power module 17 (the corner or face of the mold package) is designed to first hit the side 15s of the heat sink 15 Ru. Details will be described in the manufacturing process using FIG. The power module 17 (heat radiation area surface B) of the semiconductor device 1 and the heat sink 15 (position P, side portion 15s) are respectively formed in a shape that can realize this functional structure.

絶縁樹脂シート１４は、例えば高い熱伝導性を有した熱硬化樹脂材料で構成され、放熱板１３の熱をヒートシンク１５に伝える役割を担う。加えて、絶縁樹脂シート１４は、放熱板１３とヒートシンク１５とを電気的に絶縁する役割をも担う。高い熱伝導性を有した樹脂としては、高熱伝導セラミックを含有したアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などが挙げられる。この絶縁樹脂シート１４は、図１に示す完成後の半導体装置１では、すでに硬化している状態である。硬化前の絶縁樹脂シート１４は、後述する製造過程におけるヒータープレス処理にて、放熱板１３とヒートシンク１５との間に挿入された状態で加熱しながら圧力がかけられ、硬化することにより放熱板１３とヒートシンク１５とを接着させる。絶縁樹脂シート１４は、パワーモジュール１７の放熱領域面Ｂをカバーする大きさを有している。 The insulating resin sheet 14 is made of, for example, a thermosetting resin material having high thermal conductivity, and plays a role of transferring the heat of the heat sink 13 to the heat sink 15. In addition, the insulating resin sheet 14 also plays a role of electrically insulating the heat sink 13 and the heat sink 15. Examples of the resin having high thermal conductivity include alumina (Al 2 O 3 ) containing high thermal conductivity ceramic, boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN) and the like. The insulating resin sheet 14 is already in a cured state in the completed semiconductor device 1 shown in FIG. The insulating resin sheet 14 before curing is applied with pressure while being heated in a state of being inserted between the heat dissipation plate 13 and the heat sink 15 in a heater press process in a manufacturing process described later, thereby curing the heat dissipation plate 13 And the heat sink 15 are bonded. The insulating resin sheet 14 has a size that covers the heat radiation area surface B of the power module 17.

［半導体装置の製造方法］
図２を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法の一例を説明する。まず、半導体素子１０、リード端子１２、および放熱板１３を樹脂部材１６で封止して、放熱板１３の露出面１３ａがモールドパッケージの外部に露出したパワーモジュール１７を作成する（図２（ａ））。次に、側部１５ｓを複数のフィン１５ｆが設けられていない内側に曲げたヒートシンク１５を作成する（図２（ｂ））。そして、絶縁樹脂シート１４を挟んで、パワーモジュール１７の露出面１３ａとヒートシンク１５の内側とを合わせて、ヒータープレス処理にて加熱および加圧する（図２（ｃ））。このヒータープレス処理では、パワーモジュール１７（モールドパッケージの角または面）によってまずヒートシンク１５の側部１５ｓに圧力がかかり、側部１５ｓが内側とは逆の外側に押されて変形が始まる（図２（ｃ）中の矢印）。そして、ここからさらなる圧力の印加によって、側部１５ｓをさらに弾性変形させる（図２（ｄ）中の矢印）。この側部１５ｓをさらに弾性変形させた状態で絶縁樹脂シート１４を硬化させて、パワーモジュール１７の露出面１３ａとヒートシンク１５とを接合する（図２（ｄ））。以上の処理により、本実施形態に係る半導体装置１が完成する。 [Method of Manufacturing Semiconductor Device]
An example of a method of manufacturing the semiconductor device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. First, the semiconductor element 10, the lead terminals 12, and the heat sink 13 are sealed with the resin member 16 to form the power module 17 in which the exposed surface 13a of the heat sink 13 is exposed to the outside of the mold package (FIG. 2 (a )). Next, the heat sink 15 which bent the side 15s in the inside in which several fins 15f are not provided is produced (FIG.2 (b)). Then, with the insulating resin sheet 14 interposed, the exposed surface 13a of the power module 17 and the inside of the heat sink 15 are combined, and heating and pressing are performed by heater press processing (FIG. 2C). In this heater pressing process, pressure is first applied to the side 15s of the heat sink 15 by the power module 17 (corner or surface of the mold package), and the side 15s is pushed outward from the inside, and deformation starts (FIG. 2) (C) arrow). Then, by applying further pressure from here, the side portion 15s is further elastically deformed (arrow in FIG. 2 (d)). The insulating resin sheet 14 is cured in a state where the side portions 15s are further elastically deformed, and the exposed surface 13a of the power module 17 and the heat sink 15 are joined (FIG. 2 (d)). The semiconductor device 1 according to the present embodiment is completed by the above processing.

［半導体装置の作用および効果］
上述したヒータープレス処理においてヒートシンク１５は、側部１５ｓが外側へ弾性変形した状態で絶縁樹脂シート１４に接着される（図２（ｄ）を参照）。従って、ヒータープレス処理による加熱および加圧が終わった後のヒートシンク１５には、内側に変形しようとする（スプリングバックによる）応力が常に働く（図１（ａ）中の矢印）。この応力は、ヒートシンク１５を絶縁樹脂シート１４へ押し付ける方向の力であるため、ヒートシンク１５における絶縁樹脂シート１４を引き剥がす方向への応力が減少することになる。以上のことにより、本実施形態に係る半導体装置１は、ヒートシンク１５が有する応力（内部応力、熱応力など）によって絶縁樹脂シート１４の端部が剥離することを抑制できる（剥離耐久性の向上、冷熱耐久性の向上）。 [Operation and Effect of Semiconductor Device]
In the above-described heater pressing process, the heat sink 15 is bonded to the insulating resin sheet 14 in a state where the side portion 15s is elastically deformed outward (see FIG. 2 (d)). Therefore, a stress (due to spring back) always tends to be deformed (the arrow in FIG. 1A) on the heat sink 15 after heating and pressurization by the heater pressing process are finished. Since this stress is a force in the direction of pressing the heat sink 15 against the insulating resin sheet 14, the stress in the heat sink 15 in the direction of peeling off the insulating resin sheet 14 is reduced. As described above, the semiconductor device 1 according to the present embodiment can suppress peeling of the end portion of the insulating resin sheet 14 due to stress (internal stress, thermal stress, etc.) of the heat sink 15 (improvement of peeling durability, Cold heat durability improvement).

なお、発明者が行った実験では、本実施形態に係る半導体装置１の構造において、ヒートシンク１５による絶縁樹脂シート１４を引き剥がす方向への応力を、従来と比べて１／４程度に低減できることが確認できた。   In the experiment conducted by the inventor, in the structure of the semiconductor device 1 according to the present embodiment, the stress in the direction of peeling off the insulating resin sheet 14 by the heat sink 15 can be reduced to about 1/4 compared to the conventional case. It could be confirmed.

また、上記実施形態では、半導体素子１０の片側だけに放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、およびヒートシンク１５の構成を有する構造を説明した。しかし、この構造以外に、半導体素子１０の両側にそれぞれ放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、およびヒートシンク１５の構成を有した構造（図３）であってもよい。この構造の場合、放熱効果がさらに向上する。   Further, in the above-described embodiment, the structure in which the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, and the heat sink 15 are provided only on one side of the semiconductor element 10 has been described. However, in addition to this structure, the structure of the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, and the heat sink 15 may be provided on both sides of the semiconductor element 10 (FIG. 3). In the case of this structure, the heat dissipation effect is further improved.

［本発明に関わる参考例］
上述した実施形態とは異なる手法を用いて、ヒータープレス処理後のヒートシンクにおいて、絶縁樹脂シートを剥離させる方向に働く内部応力が減少させた参考例を、図面を参照してさらに説明する。 [Reference Example of the Present Invention]
A reference example in which the internal stress acting in the direction of peeling the insulating resin sheet in the heat sink after the heater pressing process is reduced will be further described with reference to the drawings, using a method different from the embodiment described above.

［参考例１］
図４は、参考例１の半導体装置２の全体構造の断面を示す概略図、および半導体装置２を製造する手法の一例を説明する図である。この参考例１では、ヒートシンク２５の構成が、上記実施形態の構成と異なる。以下、上記実施形態と異なる構成を中心に参考例１の説明を行う。 [Reference Example 1]
FIG. 4 is a schematic view showing a cross section of the entire structure of the semiconductor device 2 of the first reference example, and a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor device 2. In the reference example 1, the configuration of the heat sink 25 is different from the configuration of the above embodiment. Hereinafter, reference example 1 will be described focusing on a configuration different from the above embodiment.

ヒートシンク２５は、図４（ａ）に例示するように、平板２５ｃと、平板２５ｃの外側に設けられた複数のフィン２５ｆと、で構成される。複数のフィン２５ｆは、端部にある最も外側のフィンだけが短く形成されている。なお、短く形成する端部にあるフィンの数は、２つ以上であってもよい。   The heat sink 25 is comprised by the flat plate 25c and the some fin 25f provided in the outer side of the flat plate 25c so that it may illustrate to Fig.4 (a). In the plurality of fins 25f, only the outermost fins at the end are formed short. In addition, the number of fins at the end to be formed short may be two or more.

製造過程においては、絶縁樹脂シート１４を挟んで、パワーモジュール１７の露出面１３ａとヒートシンク２５の内側とを合わせて、ヒータープレス処理にて加熱および加圧する（図４（ｂ））。ヒートシンク２５の複数のフィン２５ｆは最端側のフィンだけが短いため、ヒータープレス処理によってヒートシンク２５の全体を加圧すると、ヒートシンク２５の端部が外側に反って変形する（図４（ｃ））。この端部を外側に反らせて変形させた状態で絶縁樹脂シート１４を硬化させて、パワーモジュール１７の露出面１３ａとヒートシンク１５とを接合する。以上の処理により、参考例１の半導体装置２が完成する。   In the manufacturing process, the exposed surface 13a of the power module 17 and the inner side of the heat sink 25 are put together with the insulating resin sheet 14 interposed therebetween, and heating and pressing are performed by the heater pressing process (FIG. 4B). Since the plurality of fins 25f of the heat sink 25 is short only at the endmost side, when the whole of the heat sink 25 is pressurized by the heater pressing process, the end of the heat sink 25 warps outward and deforms (FIG. 4 (c)) . The insulating resin sheet 14 is cured in a state in which the end is warped and deformed outward, and the exposed surface 13 a of the power module 17 and the heat sink 15 are joined. The semiconductor device 2 of the reference example 1 is completed by the above processing.

上述したヒータープレス処理においてヒートシンク２５は、端部が外側へ反って弾性変形した状態で絶縁樹脂シート１４に接着される（図４（ｃ）を参照）。従って、ヒータープレス処理による加熱および加圧が終わった後のヒートシンク２５には、内側に変形しようとする（スプリングバックによる）応力が常に働く（図４（ａ）中の矢印）。この応力は、ヒートシンク２５を絶縁樹脂シート１４へ押し付ける方向の力であるため、ヒートシンク２５における絶縁樹脂シート１４を引き剥がす方向への応力が減少することになる。以上のことにより、参考例１の半導体装置２は、ヒートシンク２５が有する応力（内部応力、熱応力）によって絶縁樹脂シート１４の端部が剥離することを抑制できる（剥離耐久性の向上、冷熱耐久性の向上）。   In the above-described heater pressing process, the heat sink 25 is bonded to the insulating resin sheet 14 in a state in which the end portion is elastically deformed to the outside (see FIG. 4C). Therefore, after the heating and pressing by the heater pressing process, a stress (springback) always tends to be applied to the heat sink 25 (arrow in FIG. 4A) which tends to deform inward. Since this stress is a force in the direction of pressing the heat sink 25 against the insulating resin sheet 14, the stress in the direction of peeling the insulating resin sheet 14 in the heat sink 25 is reduced. By the above, the semiconductor device 2 of the reference example 1 can suppress peeling of the end portion of the insulating resin sheet 14 due to the stress (internal stress, thermal stress) of the heat sink 25 (improvement of peeling durability, cold heat durability Improved).

なお、発明者が行った実験では、参考例１の半導体装置２の構造において、ヒートシンク２５による絶縁樹脂シート１４を引き剥がす方向への応力を、従来と比べて１／４程度に低減できることが確認できた。   In the experiment conducted by the inventor, it is confirmed that in the structure of the semiconductor device 2 of the first embodiment, the stress in the direction of peeling off the insulating resin sheet 14 by the heat sink 25 can be reduced to about 1/4 compared to the conventional case. did it.

また、上記参考例１では、半導体素子１０の片側だけに放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、およびヒートシンク２５を有する構造を説明した。しかし、この構造以外に、半導体素子１０の両側にそれぞれ放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、およびヒートシンク２５の構成を有した構造（図５（ａ））であってもよい。この構造の場合、放熱効果がさらに向上する。さらに、上述したヒートシンク２５に替えて、フィンを持たず厚みを中央部よりも外周部を薄くした別のヒートシンク２５を用いてもよい（図５（ｂ））。この別のヒートシンク２５によっても、ヒータープレス処理によって全体を加圧すると、ヒートシンク２５の端部を外側に反って変形させることができるので、同様の効果が期待できる。   In the first embodiment, the structure in which the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, and the heat sink 25 are provided only on one side of the semiconductor element 10 has been described. However, in addition to this structure, it may be a structure (FIG. 5A) having the configurations of the heat dissipation plate 13, the insulating resin sheet 14 and the heat sink 25 on both sides of the semiconductor element 10. In the case of this structure, the heat dissipation effect is further improved. Furthermore, instead of the heat sink 25 described above, another heat sink 25 may be used which has no fin and has a thickness thinner than that of the central part (FIG. 5B). The other heat sink 25 can also deform the end of the heat sink 25 outward when it is entirely pressurized by the heater pressing process, so that the same effect can be expected.

［参考例２］
図６（ａ）は、参考例２の半導体装置３の全体構造の断面を示す概略図を説明する図である。この参考例２では、ヒートシンク３５の構成が、上記実施形態の構成と異なる。以下、上記実施形態と異なる構成を中心に変形例２の説明を行う。 [Reference Example 2]
FIG. 6A is a view for explaining a schematic view showing a cross section of the entire structure of the semiconductor device 3 of the second embodiment. In the reference example 2, the configuration of the heat sink 35 is different from the configuration of the above embodiment. Hereinafter, Modification 2 will be described focusing on a configuration different from the above embodiment.

ヒートシンク３５は、図６（ａ）に例示するように、平板３５ｃと、平板３５ｃの外側に設けられた複数のフィン３５ｆと、で構成される。なお、複数のフィン３５ｆは、ヒートシンク３５になくてもよい。ヒートシンク３５の内側における平板３５ｃの表面には、硬化済み樹脂層３４が所定の位置に設けられている。硬化済み樹脂層３４は、例えば絶縁樹脂シート１４よりも、熱伝導性が低く、フィラー含有量が少なく、低ヤング率である、低弾性樹脂材料で構成されている。この硬化済み樹脂層３４は、ヒートシンク３５の平板３５ｃの表面において、放熱板１３の端部に対向する位置から外縁の位置までの外周部に設けられる。   The heat sink 35 is comprised by the flat plate 35c and several fins 35f provided in the outer side of the flat plate 35c so that it may illustrate to Fig.6 (a). The plurality of fins 35 f may not be provided in the heat sink 35. A cured resin layer 34 is provided at a predetermined position on the surface of the flat plate 35 c inside the heat sink 35. The cured resin layer 34 is made of, for example, a low elastic resin material having lower thermal conductivity, lower filler content, and lower Young's modulus than the insulating resin sheet 14. The cured resin layer 34 is provided on the surface of the flat plate 35 c of the heat sink 35 at the outer periphery from the position facing the end of the heat sink 13 to the position of the outer edge.

上記構成による参考例２の半導体装置３では、ヒートシンク３５の内側表面の外周部に硬化済み樹脂層３４を設ける。このため、熱応力が高くなるパワーモジュール１７（モールドパッケージ）の端部での樹脂の厚みを増やすことができ、応力を低減させることができる。また、パワーモジュール１７の端部に低ヤング率の硬化済み樹脂層３４を設けるので、見かけ上のヤング率が低くなり、絶縁樹脂シート１４の剥離耐久性が向上する。なお、低ヤング率である硬化済み樹脂層３４は、熱伝導性および絶縁性が低い。しかし、硬化済み樹脂層３４をヒートシンク３５の外周部だけに設けることで、半導体装置３の放熱性能および絶縁性能を確保している。   In the semiconductor device 3 of the second embodiment according to the above configuration, the cured resin layer 34 is provided on the outer peripheral portion of the inner surface of the heat sink 35. Therefore, the thickness of the resin at the end of the power module 17 (mold package) where the thermal stress is high can be increased, and the stress can be reduced. In addition, since the cured resin layer 34 with a low Young's modulus is provided at the end of the power module 17, the apparent Young's modulus becomes low, and the peeling durability of the insulating resin sheet 14 is improved. The cured resin layer 34 having a low Young's modulus has low thermal conductivity and insulation. However, by providing the cured resin layer 34 only on the outer peripheral portion of the heat sink 35, the heat dissipation performance and the insulation performance of the semiconductor device 3 are secured.

なお、発明者が行った実験では、参考例２の半導体装置３の構造における絶縁樹脂シート１４を引き剥がす方向への応力が、硬化済み樹脂層３４の厚さが１００μｍでは従来の１／２程度に、２００μｍでは従来の１／３程度に、４００μｍでは従来の１／５程度に、低減できることが確認できた。   In the experiment conducted by the inventor, the stress in the direction of peeling off the insulating resin sheet 14 in the structure of the semiconductor device 3 of the reference example 2 is about half of the conventional stress when the thickness of the cured resin layer 34 is 100 μm. In addition, it has been confirmed that it can be reduced to about 1/3 of the conventional one at 200 μm and to about 1/5 of the conventional one at 400 μm.

また、上記参考例２では、半導体素子１０の片側だけに放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、ヒートシンク３５、および硬化済み樹脂層３４を有する構造を説明した。しかし、この構造以外に、半導体素子１０の両側にそれぞれ放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、ヒートシンク３５、および硬化済み樹脂層３４の構成を有した構造（図６（ｂ））であってもよい。この構造の場合、放熱効果がさらに向上する。さらに、硬化済み樹脂層３４を設ける位置を、ヒートシンク３５の内側表面に代えて、パワーモジュール１７側に設けても（図６（ｃ））、同様の効果が期待できる。   In the second embodiment, the structure in which the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, the heat sink 35, and the cured resin layer 34 are provided only on one side of the semiconductor element 10 has been described. However, in addition to this structure, the semiconductor device 10 may have a structure in which the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, the heat sink 35, and the cured resin layer 34 are provided on both sides (FIG. 6B). . In the case of this structure, the heat dissipation effect is further improved. Furthermore, even if the position where the cured resin layer 34 is provided is replaced with the inner surface of the heat sink 35 and provided on the side of the power module 17 (FIG. 6C), the same effect can be expected.

［参考例３］
図７（ａ）は、参考例３の半導体装置４の全体構造の断面を示す概略図を説明する図である。この参考例３では、ヒートシンク４５およびパワーモジュール４７の構成が、上記実施形態と異なる。以下、上記実施形態と異なる構成に着目して参考例３の説明を行う。 [Reference Example 3]
FIG. 7A is a view for explaining a schematic view showing a cross section of the entire structure of the semiconductor device 4 of the third embodiment. In the third embodiment, the configurations of the heat sink 45 and the power module 47 are different from those in the above embodiment. Hereinafter, Reference Example 3 will be described focusing on a configuration different from the above embodiment.

ヒートシンク４５は、図７（ａ）に例示するように、平板４５ｃと、平板４５ｃの外側に設けられた複数のフィン４５ｆと、で構成される。なお、複数のフィン４５ｆは、ヒートシンク４５になくてもよい。パワーモジュール４７の露出面を含む平面には、放熱板１３の端部から外縁に向かって、モールドパッケージの厚みが薄くなっていく勾配４７ａがつけられている。すなわち、パワーモジュール４７は、露出面を含む平面とヒートシンク４５の平板４５ｃとの間が、徐々に増加する形状を有している。   The heat sink 45 is comprised by the flat plate 45c and the some fin 45f provided in the outer side of the flat plate 45c so that it may illustrate to Fig.7 (a). The plurality of fins 45 f may not be provided in the heat sink 45. On a plane including the exposed surface of the power module 47, a slope 47a is provided such that the thickness of the mold package becomes thinner from the end of the heat sink 13 to the outer edge. That is, the power module 47 has a shape in which the space between the plane including the exposed surface and the flat plate 45c of the heat sink 45 gradually increases.

上記構成による参考例３の半導体装置４は、露出面を含む平面とヒートシンク４５の平板４５ｃとの間が徐々に増加する形状を有しているので、ヒータープレス処理時にヒートシンク４５に加えられる圧力を分散できる。よって、ヒートシンク４５にかかる荷重が端部に集中することを抑制でき、ヒートシンク４５の変形も抑制することができる。また、ヒータープレス処理後の絶縁樹脂シート１４の厚みは、パワーモジュール４７の露出面よりも勾配４７ａの部分が厚くなる。このため、ヒートシンク４５の端部にかかる熱応力および内部応力を吸収でき、絶縁樹脂シート１４の剥離耐久性が向上する。なお、勾配４７ａの部分だけ絶縁樹脂シート１４の厚みを増やしているので、露出面における放熱性能は低下しない。   The semiconductor device 4 according to the third embodiment has the shape in which the distance between the flat surface including the exposed surface and the flat plate 45c of the heat sink 45 gradually increases. Therefore, the pressure applied to the heat sink 45 during the heater pressing process It can be distributed. Therefore, the load applied to the heat sink 45 can be suppressed from being concentrated at the end, and the deformation of the heat sink 45 can also be suppressed. Further, the thickness of the insulating resin sheet 14 after the heater pressing process is thicker at the portion of the slope 47 a than the exposed surface of the power module 47. Therefore, thermal stress and internal stress applied to the end of the heat sink 45 can be absorbed, and the peeling durability of the insulating resin sheet 14 is improved. Since the thickness of the insulating resin sheet 14 is increased by the portion of the gradient 47a, the heat radiation performance on the exposed surface does not decrease.

なお、上記参考例３では、半導体素子１０の片側だけに放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、ヒートシンク４５、および勾配４７ａを有する構造を説明した。しかし、この構造以外に、半導体素子１０の両側にそれぞれ放熱板１３、絶縁樹脂シート１４、ヒートシンク４５、および勾配４７ａを有した構造（図７（ｂ））であってもよい。この構造の場合、放熱効果がさらに向上する。また、参考例３の構造は、パワーモジュール４７の露出面を含む平面とヒートシンク４５の平板４５ｃとの間が徐々に増加する形状であればよいため、ヒートシンク４５の平板４５ｃ側に、外縁に向かって厚みが薄くなる勾配がつけられていてもよいし、パワーモジュール４７の露出面を含む平面とヒートシンク４５の平板４５ｃとの両側に、勾配がつけられていてもよい。   In the third embodiment described above, the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, the heat sink 45, and the slope 47a are provided only on one side of the semiconductor element 10. However, in addition to this structure, the heat sink 13, the insulating resin sheet 14, the heat sink 45, and the slope 47a may be provided on both sides of the semiconductor element 10 (FIG. 7B). In the case of this structure, the heat dissipation effect is further improved. In addition, the structure of the third embodiment is only required to gradually increase the distance between the flat surface including the exposed surface of the power module 47 and the flat plate 45c of the heat sink 45. The thickness may be sloped down, or sloped on both sides of the plane including the exposed surface of the power module 47 and the flat plate 45 c of the heat sink 45.

本発明は、半導体素子と放熱部材とを封止したパワーモジュールに、当該半導体素子を冷却する冷却器を備えた、半導体装置などに利用可能である。   The present invention is applicable to a semiconductor device or the like provided with a power module in which a semiconductor element and a heat dissipation member are sealed, and a cooler for cooling the semiconductor element.

１、２、３、４ 半導体装置
１１ａ、１１ｂ 接合部材
１０ 半導体素子
１２ リード端子
１３ 放熱板（放熱部材）
１３ａ 露出面
１４、２４ 絶縁樹脂シート
１５、２５、３５、４５ ヒートシンク（冷却器）
１５ｃ 中央部
１５ｆ フィン
１５ｓ 側部
１６ 樹脂部材
１７、４７ パワーモジュール
３４ 硬化済み樹脂層
４７ａ 勾配 1, 2, 3, 4 semiconductor devices 11a, 11b bonding members 10 semiconductor elements 12 lead terminals 13 heat dissipation plate (heat dissipation member)
13a exposed surface 14, 24 insulating resin sheet 15, 25, 35, 45 heat sink (cooler)
15c central part 15f fin 15s side 16 resin member 17, 47 power module 34 hardened resin layer 47a gradient

Claims (1)

半導体装置であって、
少なくとも１つの主面に放熱部材が接合された半導体素子を、当該放熱部材の一部を露出させて封止したパワーモジュールと、
前記放熱部材の露出面を含む前記パワーモジュールの放熱領域面に、絶縁樹脂シートを介して接合された冷却器とを備え、
前記冷却器は、前記放熱領域面内において前記パワーモジュールと接合されかつ接合方向の平面視が前記放熱領域面よりも小さい中央部と、当該中央部の端部から外縁へ延びた側部とを含み、当該側部が当該中央部の端部を折り曲げ位置として前記パワーモジュール側に曲がっている、半導体装置。 A semiconductor device,
A power module in which a semiconductor element having a heat dissipating member bonded to at least one main surface is sealed by exposing a part of the heat dissipating member;
The heat dissipation area surface of the power module including the exposed surface of the heat dissipation member is provided with a cooler joined via an insulating resin sheet,
The cooler is joined to the power module in the surface of the heat dissipation area, and has a central portion smaller than the heat dissipation area in plan view in the joining direction, and a side portion extending from the end of the central portion to the outer edge The semiconductor device containing the said side part is bent to the said power module side by making the edge part of the said center part into a bending position.
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JP6710163B2 (en) * 2017-01-12 2020-06-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 Power semiconductor device
JP6767898B2 (en) * 2017-02-28 2020-10-14 日立オートモティブシステムズ株式会社 Power semiconductor device
JP6762271B2 (en) * 2017-06-26 2020-09-30 三菱電機株式会社 Semiconductor device
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JP7171516B2 (en) * 2019-06-28 2022-11-15 日立Astemo株式会社 Power semiconductor module, power converter, and method for manufacturing power semiconductor module
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4604954B2 (en) * 2005-10-13 2011-01-05 株式会社デンソー Insulation structure of semiconductor module
JP5588895B2 (en) * 2011-02-28 2014-09-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 Power semiconductor module, power semiconductor module manufacturing method, and power conversion device
JP6139342B2 (en) * 2013-09-06 2017-05-31 株式会社Ｓｏｋｅｎ Laminated unit

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