JP2012049579A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電層上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンの開口部に、エアロゾルの衝突によって導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。配線基板の製造方法。
【選択図】図4C
Description
(付記1)
基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、
前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、
前記導電層をパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。(1、図2A〜)
(付記2)
前記導電層はCuを主成分として形成されることを特徴とする付記1記載の配線基板の製造方法。
(付記3)
前記エアロゾル成膜工程の後に前記導電層をシード層として該導電層上に電解メッキにより上層導電層を形成する工程をさらに有し、
前記パターニング工程では、前記上層導電層と前記導電層がエッチングによりパターニングされて前記パターン配線が形成されることを特徴とする付記1または2記載の配線基板の製造方法。(2)
(付記4)
前記上層導電層はCuを主成分として形成されることを特徴とする付記3記載の配線基板の製造方法。
(付記5)
前記導電層は、前記基板上の、ビアプラグが埋設された絶縁層上に形成されることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。(3)
(付記6)
基板上に、パターン配線が形成されてなる配線基板であって、
前記パターン配線は、エアロゾルの衝突によって形成される導電層を含むことを特徴とする配線基板。
(付記7)
導電層上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの開口部に、エアロゾルの衝突によって導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。(4、図4A〜)
(付記8)
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程の後で、前記導電層をエッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とする付記7記載の配線基板の製造方法。(5)
(付記9)
前記第3の工程では、前記基板上に形成されたパターン配線と前記突起構造体が接続されるように貼り付けが行われることを特徴とする付記7または8記載の配線基板の製造方法。(6)
(付記10)
前記突起構造体は、略円錐形に形成されることを特徴とする付記7乃至9のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
(付記11)
前記突起構造体は、Cuを主成分として構成されることを特徴とする付記7乃至10のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
(付記12)
前記絶縁層はプリプレグ材料よりなることを特徴とする付記7乃至11のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
(付記13)
前記導電層は、Cuを主成分として構成されることを特徴とする付記7乃至12のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
(付記14)
前記マスクパターンは樹脂材料よりなることを特徴とする付記7乃至13のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
(付記15)
前記導電層を、エアロゾルの衝突によって形成する工程をさらに有することを特徴とする付記7乃至14のいずれか1項記載の配線基板の製造方法。
101,301 基板
102A,102B,105A,105B,106A,106B,107A,107B,110A,110B,111A,111B,112A,112B,201A,201B,302A,302B,401A,401B パターン配線
103A,103B,108A,108B,113A,113B,204A,204B,404A,404B、405A,405B 絶縁層
104A,104B,109A,109B,203A,203B,403A,403B ビアプラグ
120,410 実装部品
121,411 接続部
Claims (3)
- 導電層上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの開口部に、エアロゾルの衝突によって導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程の後で、前記導電層をエッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
- 前記第3の工程では、前記基板上に形成されたパターン配線と前記突起構造体が接続されるように貼り付けが行われることを特徴とする請求項1または2記載の配線基板の製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07115097A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001094256A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
JP2003321780A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hitachi Metals Ltd | 超微粒子の成膜方法、圧電式アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
JP2004342831A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2006131991A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-05-25 | Mikuni Kogyo:Kk | 微細金属バンプの形成方法 |
JP2006144054A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Fujitsu Ltd | エアロゾルデポジッション成膜装置 |
JP2006193785A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | エアロゾルデポジッション成膜装置 |
JP2006326572A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Fujifilm Holdings Corp | 成膜方法 |
JP2007023379A (ja) * | 2005-06-15 | 2007-02-01 | Fujifilm Corp | 成膜方法及び構造物 |
JP2007031737A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07115097A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001094256A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
JP2003321780A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hitachi Metals Ltd | 超微粒子の成膜方法、圧電式アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
JP2004342831A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2006131991A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-05-25 | Mikuni Kogyo:Kk | 微細金属バンプの形成方法 |
JP2006144054A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Fujitsu Ltd | エアロゾルデポジッション成膜装置 |
JP2006193785A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | エアロゾルデポジッション成膜装置 |
JP2006326572A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Fujifilm Holdings Corp | 成膜方法 |
JP2007023379A (ja) * | 2005-06-15 | 2007-02-01 | Fujifilm Corp | 成膜方法及び構造物 |
JP2007031737A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
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