JP2012049376A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012049376A true JP2012049376A (ja) | 2012-03-08 |
JP2012049376A5 JP2012049376A5 (ru) | 2013-09-05 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010190969A Pending JP2012049376A (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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JP (1) | JP2012049376A (ru) |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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