JP2012049202A - トンネル接合素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層10の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層10の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層10の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層10の前記表面上にトンネル絶縁膜12を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜12上に強磁性体層14を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。
【選択図】図1
Description
供給ガス:トリメチルアルミニウム(TMA)
ガス流量:200sccm
ガスフロー時間:0.1秒
ガスパージ時間:4秒
ガスフロー回数:30回
ガスパージとして、TMAを供給する(ガスフローする)間にN2ガスを流してTMAガスを置換した。すなわち、0.1秒のTMAのガスフローを30回行ない、ガスフローの間に4秒間のN2によるガスパージを行なった。
原料ガス:トリメチルアルミニウム(TMA)、水
ガス流量:TMAが200sccm、水が200sccm
ガスフロー時間:TMAが0.1秒、水が0.1秒
ガスパージ時間:4秒
ガスフロー回数:TMA、水を交互に10回
膜厚 :1nm
ガスパージとして、TMAと水を交互に供給する間にN2ガスを流してガスを置換した。
蒸着レート:0.2nm/秒
真空度 :6.0×10−7Torr
膜厚 :20nm
Fe層の酸化防止のため、Fe層上にAu層を形成した。Au層の形成条件は以下である。
蒸着レート:0.4nm/秒
真空度 :6.0×10−7Torr
膜厚 :10nm
P=(I+−I−)/(I++I−)×100 %
12 トンネル絶縁膜
14 強磁性体層
Claims (8)
- 半導体層の表面を大気に曝す工程と、
前記半導体層の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、
前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層の前記表面上にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記トンネル絶縁膜上に強磁性体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするトンネル接合素子の製造方法。 - 前記トンネル絶縁膜と前記半導体層との界面は、前記表面を前記還元性ガスに曝す前の前記表面より平坦であることを特徴とする請求項1記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記還元性ガスは、前記トンネル絶縁膜を形成する際に用いる金属化合物ガスであることを特徴とする請求項1または2記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記トンネル絶縁膜を形成する工程は、ALD法を用い前記トンネル絶縁膜を形成する工程であることを特徴とする請求項3記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記表面を還元性ガスに曝す工程は、前記トンネル絶縁膜を形成する工程と同じチャンバ内で行なうことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記半導体層を大気に曝す工程は、前記半導体層に半導体装置の製造工程の少なくとも一部を施す工程であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記還元性ガスはトリメチルアルミニウムであることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載のトンネル接合素子の製造方法。
- 前記トンネル絶縁膜は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載のトンネル接合素子の製造方法。
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