JP2014183146A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ドライエッチングによってP型半導体層の厚みを薄くするドライエッチング工程と;ドライエッチング工程を行った後、酸素を含有する気体の中でP型半導体層を加熱する加熱工程とを備え、加熱工程における気体の温度は、700〜1000℃である。
【選択図】図2
Description
図1は、第1実施形態における半導体装置10の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置10は、窒化ガリウム(GaN)を用いて形成されたGaN系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置10は、電力制御に用いられ、パワーデバイスまたは高周波デバイスとも呼ばれる。
図3は、第2実施形態における半導体装置50の構成を模式的に示す断面図である。図3には、図1と同様にXYZ軸が図示されている。半導体装置50は、GaN系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置50は、PINダイオード(P-Intrinsic-N Diode)である。
図4は、第3実施形態における半導体装置60の構成を模式的に示す断面図である。図4には、図1と同様にXYZ軸が図示されている。半導体装置60は、GaN系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置60は、発光素子であり、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)とも呼ばれる。
図5は、評価試験に用いた試料90の構成を模式的に示す断面図である。図5には、図1と同様にXYZ軸が図示されている。試料90は、基板910と、バッファ層920と、アンドープ半導体層930と、P型半導体層940と、電極992,994とを備える。
・活性化アニール温度:600〜1200℃
・O2/N2流量比:0%、1%、2%、5%
・活性化アニール時間:5分
・活性化アニール温度:650℃
・O2/N2流量比:1%
・活性化アニール時間:5分、10分、30分
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+BCl3、バイアスパワー:45W)
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+BCl3、バイアスパワー:20W)
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+SiCl4、バイアスパワー:45W)
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+SiCl4、バイアスパワー:20W)
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+BCl3、バイアスパワー:45W)
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:1%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチングなし
・活性化アニール処理(活性化アニール時間:5分、O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:650〜900℃)
・ICPドライエッチングなし
・活性化アニール処理なし
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+BCl3、バイアスパワー:45W)
・活性化アニール処理(O2/N2流量比:5%、活性化アニール温度:800℃、活性化アニール時間:5分、10分、30分)
・ICPドライエッチング(処理ガス:Cl2+BCl3、バイアスパワー:45W)
・活性化アニール処理(O2/N2流量比:1%、活性化アニール温度:650℃または750℃、活性化アニール時間:5分または30分)
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
50…半導体装置
60…半導体装置
90…試料
110…基板
120…N型半導体層
130…P型半導体層
135…ドライエッチング領域
140…N型半導体層
182…凹部
184…凹部
186…凹部
210…電極
230…電極
240…電極
250…電極
340…絶縁膜
520…N型半導体層
530…P型半導体層
535…ドライエッチング領域
582…凹部
583…凹部
593…電極
610…N型半導体層
620…発光層
630…P型半導体層
681…凹部
691…電極
693…電極
910…基板
920…バッファ層
930…アンドープ半導体層
940…P型半導体層
992,994…電極
Claims (7)
- 窒化ガリウム(GaN)から主に成るP型半導体層を備える半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
ドライエッチングによって前記P型半導体層の厚みを薄くするドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程を行った後、酸素(O2)を含有する気体の中で前記P型半導体層を加熱する加熱工程であって、前記気体の温度は700〜1000℃である、加熱工程と
を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記気体の温度は800〜900℃である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記気体は、酸素(O2)と窒素(N2)とから主に成り、
前記気体における窒素(N2)の流量に対する酸素(O2)の流量の割合は、1%以上である、半導体装置の製造方法。 - 前記加熱工程において前記P型半導体層を加熱する時間は、5分以上である、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドライエッチングは、塩素および塩化物の少なくとも一方を含有する気体の中で前記P型半導体層を加工する処理である、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置であって、
窒化ガリウム(GaN)から主に成るP型半導体層であって、ドライエッチングによって前記P型半導体層の厚みを薄くした領域であるドライエッチング領域を、有するP型半導体層を備え、
前記ドライエッチング領域におけるマグネシウム(Mg)の平均濃度に対する水素原子(H)の平均濃度の割合は、40%以下である、半導体装置。 - 前記ドライエッチング領域におけるマグネシウム(Mg)の平均濃度に対する水素原子(H)の平均濃度の割合は、20%以下である、請求項6に記載の半導体装置。
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