JP2012044232A

JP2012044232A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JP2012044232A
Application number: JP2011265300A
Authority: JP
Inventors: Yuko Kato; 夕子加藤; Hidefumi Yasuda; 秀文安田; Kazuyoshi Furukawa; 和由古川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2011-12-02
Filing date: 2011-12-02
Publication date: 2012-03-01

Abstract

【課題】構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、透明層１上に縦横に列設される複数の発光部２と、これ
ら発光部２とは反対側の透明層１上に配置される複数のコンタクト部３とを備えている。
複数の発光部２のそれぞれは、光を発光する活性層５と、この活性層５から発光された光
の一部を反射するテーパ状に加工されたテーパ部７と、テーパ部７の底面に設けられる平
坦部８とを有する。コンタクト部３を発光部２からの光の通過を妨げない場所に配置する
ため、発光効率の向上が図れる。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の発光部を備えた半導体発光装置に関する。

発光強度を高めるために、基板上に縦横に複数の発光部を配置し、発光部が配置された面
とは反対側の基板面方向から光を取り出す半導体発光装置が提案されている。発光部の形
状を工夫したり、基板上に配置する発光部の数を増やすことにより、光取り出し面側に取
り出される光強度をより向上できる。

この種の半導体発光装置では、基板の両面に電極が設けられるが、電極材料は一般に不透
明であるため、電極により光が遮断され、光の強度が弱められるという問題がある。

この問題を解消するために、例えば発光部の面積に対して電極面積を小さくすることが考
えられるが、その場合、発光部に流れる電流も制限され、結果として発光強度も弱くなっ
てしまう。また、電極材料としてITO（Indium Tin Oxide）等の透明電極を用いることも
可能であるが、一般には透明電極は抵抗値が大きく、透明電極で電圧降下が生じてしまう
ため、やはり発光部の発光強度を向上できない。

一方、Ｖ字型のダイシングブレードを用いて側面が傾斜した溝を形成することで、光出
射面上の電極の対向位置に、電極に向かって進行する発光光の量を大幅に減少させ、電極
形成箇所以外の光出射面に入射する光の割合を増加させる半導体発光装置が提案されてい
る（特許文献１の段落0073〜0075、図１３）。

特許文献１では、光出射面上の電極とダイシングブレードを用いて形成した溝とを対向
配置しているが、発光部の種類により光出射面上での光強度にばらつきがあるはずであり
、もともと光強度の高い場所に電極を配置してしまうと、その電極にダイシングブレード
による溝を対向配置させても、発光効率がそれほど向上しない可能性がある。
特許第3312049号公報

本発明は、構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供す
るものである。

本発明の一態様によれば、第１の主面と、第１の主面と反対側に位置する第２の主面とを
有する透明層と、第１の主面の側に設けられた第１クラッド層と、光を発する活性層と、
活性層を介して第１クラッド層の反対側に設けられた第２クラッド層とを有し、側壁にテ
ーパ部を含む複数の発光部と、前記第２の主面上に配置されたパッド部と、前記透明層側
における光強度が前記発光部の中央部と周縁部のうちいずれか小さい方に対向するよう前
記パッド部から延出して配置され、前記発光部の発光波長に対して不透明な複数のコンタ
クト部と、を備えることを特徴とする半導体発光装置が提供される。

本発明によれば、半導体発光装置の構造を複雑化することなく、光取り出し効率を向上
できる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。

（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による半導体発光装置の要部の断面図である。図１の半
導体発光装置は、透明層１の主面である下面上に縦横に列設される複数の発光部２と、こ
れら発光部２とは反対側の透明層１の主面である上面上に配置される複数のコンタクト部
３と、これらコンタクト部３と電気的に導通するパッド４とを備えている。

複数の発光部２のそれぞれは、図２に拡大して示すように、光を発光する活性層５と、
活性層５を挟んで両側に配置される第１および第２のクラッド層６，９とを有する。発光
部２の側壁部分にはテーパ状に加工されたテーパ部７が形成され、発光部２の底面には平
坦部８が形成されている。この平坦部８には電極が形成される。

活性層５から出射した光は、四方に拡散するが、テーパ部７に到達した光はテーパ部７
で反射されて透明層１の上面にほぼ垂直方向から入射し、大部分が外部に取り出される。
仮に発光部２の側壁がテーパ状でなく基板面に対して垂直であるとすると、側壁で反射さ
れた光は透明層１の上面に斜め方向から入射して全反射された後、さらに内部で全反射を
繰り返して外部に取り出すことができなくなる。このように、発光部２の側壁をテーパ状
に加工することにより、透明層１上面での光の全反射を防止でき、活性層５から出射した
光を効率よく透明層１を通して外部に導出できる。

発光部２から出射される光の強度は場所によって異なる。光強度分布は、テーパ部７の
角度（以下、テーパ角度）、テーパ部７の加工深さ（以下、テーパ深さ）、隣り合う発光
部２間の距離、および発光部２の水平方向長さに対する平坦部８の長さの比などに依存す
る。

図３は、隣り合う発光部２間の間隔が０の場合に、テーパ角度とテーパ深さが光強度分
布に与える影響を示す図である。一方、図４は、隣り合う発光部２間の間隔が１μmの場
合に、テーパ角度とテーパ深さが光強度分布に与える影響を示す図である。図３および図
４は３種類のテーパ角度と３種類のテーパ深さについての光強度分布を示している。図３
および図４では、テーパ部７を形成するために、第１のクラッド層６と透明層１との界面
までエッチングが行われた場合をジャストエッチングと定義し、この界面よりも透明層１
側までエッチングが行われた場合をオーバーエッチングと定義し、この界面よりも第１ク
ラッド層６側までしかエッチングが行われなかった場合をアンダーエッチングと定義して
いる。

図３および図４では、透明層１の法線方向（深さ方向）に対する傾き角度をテーパ角度
と定義している。テーパ部７は後述するようにエッチングにより形成されるが、エッチン
グ時間が短いほどテーパ深さは浅くなる。

図３からわかるように、テーパ角度が小さいほど、すなわちテーパ部７が透明層１に対
して垂直な方向に近づくほど、発光部２内の全域にわたって光強度のばらつきが少なくな
る傾向にある。テーパ角度が大きくなると、テーパ深さにより光強度分布が変化する。

また、図４からわかるように、隣り合う発光部２が離れて配置されている場合には、発
光部２の中央に光が集光する傾向がある。ただし、テーパ深さが浅いと、発光部２の中央
に集光する度合いが低くなり、テーパ角度によって光強度分布が変化する。

このように、発光部２内での光強度は一様ではなく、テーパ角度、テーパ深さ、隣り合
う発光部２間の距離、発光部２の水平方向長さに対する平坦部８の長さの比などの条件に
よって変化するが、一般的な傾向として、発光部２内の中央部で周縁部の同等以上の光強
度分布を有する場合と、発光部２内の周縁部で中央部の同等以上の光強度分布を有する場
合の２つの場合に分けられる。いずれの場合でも、透明層１の上面側に配置されるコンタ
クト部３を、発光部２の周縁部および中央部のうち透明層１側に出射される光強度が他方
の同等以下である一方と対向する場所に配置することにより、光を効率的に外部に取り出
すことができる。

本実施形態は、発光部２内の周縁部がより光強度が高い場合を想定している。この場合
、コンタクト部３は発光部２の中央部に対向する位置に配置される。これにより、発光部
２から出射した光の大部分はコンタクト部３で遮られることなく、外部に取り出される。

発光部２を形成する際にオーバーエッチングを行うと、個々の発光部２の間に隙間がで
きるが、この隙間が広すぎると、光の強さにムラが生じたり、光の強さが弱くなったりす
るため望ましくない。例えば、発光部２の透明層１との接触面の長さは約10μm、平坦部
８の長さは約５μm、テーパ部７の長さは約５μmである。また、個々の発光部２の隙間は
約0.3μm以下に留めるのが望ましい。

図５は本実施形態による半導体発光装置の上面図である。図５では、発光部２を点線で
図示している。ｙ方向（図１における紙面の表裏方向）に帯状のコンタクト部３が複数列
設され、各コンタクト部３は発光部２の中央部に対向する位置に配置されている。透明層
１の中央部にはコンタクト部３と導通されるパッド４が形成されている。パッド４と帯状
のコンタクト部３とは、直接接続されるか、あるいはｘ方向に延びるコンタクト部３を介
して電気的に接続されている。ｘ方向に延びるコンタクト部３も発光部２の中央部に対向
する箇所に配置されている。

図５では、二次元方向（ｘｙ方向）に発光部２を列設する例を示しているが、図６に示
すように、ライン状の発光部２を並列に配置してもよい。また、コンタクト部３の配置は
図５に示したものに限定されない。例えば図７は発光部２の並ぶ方向に対して対角線の方
向に複数のコンタクト部３を配置した例を示す上面図である。この場合も、各コンタクト
部３は発光部２の中央部に対向する箇所に配置され、いずれのコンタクト部３も透明層１
中央のパッド４と導通している。

あるいは、図８に示すように、各発光部２内の中央部に対向する箇所に、それぞれ分離
独立したコンタクト部３を配置してもよい。図８の場合、パッド４と各コンタクト部３と
は、両者の間に配置される不図示の透明電極により導通が図られる。

各コンタクト部３の長さや幅は発光部２の発光特性に応じて設定するのが望ましい。コ
ンタクト部３の幅が広すぎると、発光部２からの光を遮る領域が増大するおそれがあり、
逆に幅が狭すぎると、電極部分の抵抗が上がるおそれがある。図５では、透明層１のｙ方
向に沿って各列一続きのコンタクト部３を形成しているが、各列のコンタクト部３を複数
に分割して配置し、不図示の透明電極等によりパッド４との導通を図ってもよい。図６や
図７についても同様である。また、図８では、各発光部２の中央部に矩形状の短サイズの
コンタクト部３を配置しているが、各コンタクト部３の長さや形状は適宜変更すればよい
。

コンタクト部３はGaAsのような化合物半導体でもよいし、メタルでもよい。メタルは通
常、発光部２の発光波長に対して不透明であるが、本実施形態では発光部２内の光強度が
高い場所にはコンタクト部３を配置しないため、メタルを用いても発光効率はさほど下が
らない。ただし、可能な限りメタルのサイズを小さくするのが望ましい。あるいは、図９
に示すように、GaAs等によるコンタクト部３とメタル２３とを積層してもよい。この場合
、コンタクト部３の抵抗を下げることができる。メタル２３は、AuGe、Ni/Au/Geのような
GaAsとオーミック接続を取り得る材料であることが最低限必要である。メタル２３の材料
としては、Au, Ge, Ni, Pt, Pd, Mo, Ti, Zn, In, Al, Ag, Cuなどが考えられる。

あるいは、コンタクト部３の形成された透明層１の全体に透明電極層を形成し、この透
明電極層の上にパッド４を形成してもよい。この場合の断面構造は図１０のようになる。
透明電極層１０を配置する場合、その下面に密着性に優れたメタルを配置するのが望まし
い。この場合、メタルの最上層に、TiやMo等の密着性を改善可能なメタルを積層してもよ
い。あるいは、Au、Pt、Pdなどのメタルを積層してもよい。

透明層１の材料としてInGaAlPを採用した場合、透明電極層１０と透明層１とを電気的
に導通させるのが困難になるが、コンタクト部３を間に配置することで透明電極層１０と
透明層１との間の抵抗を低減できる。

上述した図１〜図１０では、発光部２内の活性層５がテーパ部７により分断されている
例を説明したが、活性層５がテーパ部７により分断されていなくても、活性層５からの光
をテーパ部７で反射させて発光効率を向上できる。図１１は活性層５を分断しない程度に
浅めにテーパ部７を加工形成したアンダーエッチングの一例を示す半導体発光装置の要部
の断面図である。図１１の場合も、コンタクト部３は各発光部２の光強度が弱い場所に対
向して配置される。これにより、光の取り出し効率を向上できる。

図１と図２では、ｘｙ方向にそれぞれ数個の発光部２を配置する例を説明したが、発光
部２の数には特に制限はない。例えば、ｘｙ方向にそれぞれ数十個の発光部２を形成した
ものを１個のチップとしてパッケージングすることにより、輝度の高い半導体発光装置を
実現できる。

このように、第１の実施形態では、発光部２の発光波長に対して不透明なコンタクト部
３を、発光部２からの光の強度の弱い場所、具体的には発光部２内の中央部に対向する箇
所に配置するため、コンタクト部３が光取り出しの障害にならなくなり、発光効率の向上
が図れる。

（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、発光部２内の周縁部が中央部よりも光強度が高い場合の
コンタクト部３の形成箇所を説明したが、以下に説明する第２の実施形態は、発光部２内
の中央部が周縁部よりも光強度が強い場合を対象とする。

図１２は本発明の第２の実施形態による半導体発光装置の要部の断面図である。図１２
の半導体発光装置は、コンタクト部３の形成箇所が異なる他は図１と同様の構造をもつ。
本実施形態の発光部２は、第１の実施形態とは逆に、発光部２内の中央付近が周縁部より
も光強度が高い。発光部２がこのような光強度特性を示すのは、図３および図４を用いて
先に説明したように、例えば、隣り合う発光部２が間隔を隔てて配置されている場合であ
る。あるいは、テーパ角度やテーパ深さを調整し、例えば発光部２を形成する際にオーバ
ーエッチングを行うことによっても、発光部２内の中央付近の光強度を高くすることがで
きる。

図１２からわかるように、発光部２内の中央付近の光強度が高い場合には、発光部２の
周縁部または隣り合う発光部２の間に対向する透明層１上面側にコンタクト部３が配置さ
れる。これにより、発光部２から出射された光の大部分はコンタクト部３で遮られること
なく外部に放射され、光の取り出し効率を向上できる。

図１３は本実施形態の上面図である。図示のように、ｘ方向に隣接する発光部２の間に
、ｙ方向に延びる帯状のコンタクト部３が複数形成されている。矩形状の透明層１の中央
部にはパッド４が配置され、このパッド４はｙ方向に延びるコンタクト部３とｘ方向に延
びるコンタクト部３に接続されている。ｘ方向に延びるコンタクト部３は、他のｙ方向に
延びるコンタクト部３と接続されており、これにより、すべてのコンタクト部３はパッド
４と電気的に導通している。いずれのコンタクト部３も、隣接する発光部２の間に配置さ
れるため、発光部２内の中央部から主に出射される光を遮るおそれは少ない。

コンタクト部３の配置形態は、必ずしも図１３に示したものに限定されない。例えば、
図１４に示すように発光部２の並ぶ方向の対角線方向に複数のコンタクト部３を形成して
もよい。この場合、図７と異なり、コンタクト部３は発光部２の中央部に対向する箇所を
通過しないように配置される。あるいは、図１５に示すように各発光部２の角部に対向す
る位置に個別独立した複数のコンタクト部３を配置してもよい。この場合、後述するよう
にコンタクト部３はその上に配置される透明電極等を介してパッド４との導通が図られる
。

コンタクト部３は、第１の実施形態と同様の材料で形成され、GaAs、メタル、GaAsとメ
タルの積層構造など、種々の材料が適用可能である。

各コンタクト部３の長さや幅は発光部２の発光特性に応じて設定するのが望ましい。コ
ンタクト部３の幅が広すぎると、発光部２からの光を遮る領域が増えるため望ましくない
し、逆に幅が狭すぎると、電極部分の抵抗が上がるため望ましくない。図１３では、透明
層１のｙ方向に沿って各列一続きのコンタクト部３を形成しているが、各列のコンタクト
部３を複数に分割して配置してもよい。図１４についても同様である。また、図１５では
、各発光部２の角部に対向して矩形状の短サイズのコンタクト部３を配置しているが、各
コンタクト部３の長さや形状は任意に設定可能である。

図１６は、コンタクト部３の形成された透明層１の全面に透明電極を形成し、その上に
パッド４を形成した場合の半導体発光装置の要部の断面図である。図１６の場合、コンタ
クト部３は透明電極層１０を介してパッド４と電気的に導通する。

本実施形態の場合も、発光部２のテーパ部７は必ずしも活性層５を分断する深さまで形
成する必要はない。図１７は活性層５を分断しない浅さのテーパ部７を有する半導体発光
装置の要部の断面図である。図１７の場合も、活性層５から出射された光の一部はテーパ
部７で反射されて透明層１の方向に進行するため、光の取り出し効率を向上できる。

図４に示したように、隣接する発光部２の間隔が広がると、発光部２の中央部に光が集
まる傾向にあるため、本実施形態のように、発光部２の周縁部に対向してコンタクト部３
を配置するのが望ましいが、隣接する発光部２の間隔は約0.3μm以上に設定するのがより
望ましい。

次に、第２の実施形態による半導体発光装置の製造工程について説明する。なお、第１
の実施形態による半導体発光装置の製造工程も基本的には第２の実施形態と同様である。

図１８〜図２０は本実施形態による半導体発光装置の製造工程を説明する図であり、隣
接する２つの発光部２の間に平坦な隙間がある場合の製造工程を示している。以下、これ
らの図に沿って製造工程を説明する。

まず、GaAs基板２０上に、MOCVD法により、InGaAlPエッチングストップ層１１、n-GaAs
コンタクト層１２、InGaAlP電流拡散層１３、n-InAlPクラッド層１４、複数のInGaAlPとI
nGaPが交互に積層されたInGaAlP／InGaP活性層５、p-InAlPクラッド層１５、およびp-GaA
sコンタクト層１６を順に形成する（図１８（ａ））。InGaAlP電流拡散層１３が図１等の
透明層１に相当する。

次に、GaAs基板２０上にレジスト１７を付着して、発光部２の位置に合わせてレジスト
１７をパターニングする（図１８（ｂ））。次に、熱処理により、レジスト１７のエッジ
部分をテーパ状に加工する（図１８（ｃ））。図１８（ｃ）では、隣り合うレジスト同士
が分離しているが、レジスト１７のパターンの形状や熱処理時間を変更することで、テー
パ状に加工したときに、隣り合うレジスト１７間の距離をゼロにすることができる。

次に、レジスト１７をマスクとしてRIE（Reactive Ion Etching）を行い、レジスト１
７の形状に沿ってp-GaAsコンタクト層１６、p-InAlPクラッド層１５、InGaAlP／InGaP活
性層５、n-InAlPクラッド層１４をテーパ状に加工する（図１８（ｄ））。ここでは、レ
ジスト形状を転写するために、レジスト１７とその下面側の各層がほぼ等速でエッチング
されるような条件を設定する。

なお、図１や図２等に示す第１のクラッド層６はn-InAlPクラッド層１４に相当し、第
２のクラッド層９はp-InAlPクラッド層１５とp-GaAsコンタクト層１６に相当する。

次に、基板全面にSiO₂膜１８を形成する（図１９（ａ））。次に、SiO₂膜１８の上面に
レジストを付着してパターニングし、レジストをマスクとしてSiO₂膜１８を部分的にエッ
チング除去して電極形成用のコンタクトホールを形成する。

次に、基板全面にｐ電極用のメタル１９を形成する（図１９（ｂ））。このメタル１９
はテーパ部７にも形成され、活性層５からの光を反射する反射膜として作用する。メタル
１９は積層膜でもよいが、メタル１９の最表面は導電性に優れたAu厚膜（１μm）を形成
しておく。

次に、メタル１９の形成面にSiウェハ２１を接着する（図１９（ｃ））。より具体的に
は、Siウェハ２１の表面に予めAu厚膜２２を形成しておき、このAu厚膜２２とメタル１９
の最表面のAu厚膜とを接着する。次に、接着面の反対側のGaAs基板２０をアンモニア／過
酸化水素水を用いたエッチングによりエッチング除去し、続いて、InGaAlPエッチングス
トップ層１１を塩素を用いたエッチングによりエッチング除去する。

次に、n-GaAsコンタクト層１２上にレジストを付着してパターニングした後、n-GaAsコ
ンタクト層１２を部分的にエッチング除去してコンタクト部３を形成する（図１９（ｄ）
）。コンタクト部３は、光強度の弱い領域、すなわち本実施形態の場合は発光部２の周縁
部または隣接する発光部２の間に対向する位置に形成される。

コンタクト部３をパッド４に直接接続する場合には、次にパッド４を形成して製造工程
が終了する。コンタクト部３の上に透明電極を形成する場合は、透明層１全面に透明電極
層１０を形成する（図２０（ａ））。その後、透明電極層１０の上にパッド４を形成する
。

一方、コンタクト部３の上にメタルを形成する場合には、図１９（ｃ）の工程の後、Ga
As基板２０およびInGaAlPエッチングストップ層１１のエッチング除去に引き続いて、n-G
aAsコンタクト層１２の上にリフトオフ法によりメタル２３を形成する（図２０（ｂ））
。次に、メタル２３をマスクとしてn-GaAsコンタクト層１２を部分的にエッチング除去す
る（図２０（ｃ））。

このように、第２の実施形態では、発光部２の中央付近の光強度が周縁部よりも高い場
合には、発光部２の周縁部または隣り合う発光部２の間に対向する箇所にコンタクト部３
を配置するため、発光部２から発光された光の大部分をコンタクト部３が遮らなくなり、
光の取り出し効率を向上できる。

本発明の第１の実施形態による半導体発光装置の要部の断面図。複数の発光部２の拡大図。隣り合う発光部２間の間隔が０の場合に、テーパ角度とテーパ深さが光強度分布に与える影響を示す図。隣り合う発光部２間の間隔が１μmの場合に、テーパ角度とテーパ深さが光強度分布に与える影響を示す図。第１の実施形態の上面図。ライン状の発光部２を並列に配置する例を示す上面図。発光部２の並ぶ方向に対する対角線方向に複数のコンタクト部３を配置した例を示す上面図。各発光部２内の中央部に対向する箇所に、それぞれ分離独立したコンタクト部３を配置する例を示す上面図。 GaAs等によるコンタクト部３とメタルとを積層する場合の半導体発光装置の要部の断面図。透明電極層１０の上にパッド４を形成する場合の半導体発光装置の要部の断面図。活性層５を分断しない程度に浅めにテーパ部７を加工形成した例を示す半導体発光装置の要部の断面図。本発明の第２の実施形態による半導体発光装置の要部の断面図。第２の実施形態の上面図。発光部２の並ぶ方向に対する対角線方向に複数のコンタクト部３を形成する場合の上面図。各発光部２の角部に矩形状の短サイズのコンタクト部３を配置する場合の上面図。コンタクト部３の形成された透明層１の全面に透明電極を形成し、その上にパッド４を形成した場合の半導体発光装置の要部の断面図。活性層５を分断しない浅さのテーパ部７を有する半導体発光装置の要部の断面図。本実施形態による半導体発光装置の製造工程を説明する図。図１８に続く工程図。図１９に続く工程図。

１透明層
２発光部
３コンタクト部
４パッド
５活性層
６、９クラッド層
７テーパ部
８平坦部
１０透明電極層

Claims

第１の主面と、第１の主面と反対側に位置する第２の主面とを有する透明層と、
第１の主面の側に設けられた第１クラッド層と、光を発する活性層と、活性層を介して第
１クラッド層の反対側に設けられた第２クラッド層とを有し、側壁にテーパ部を含む複数
の発光部と、
前記第２の主面上に配置されたパッド部と、
前記透明層側における光強度が前記発光部の中央部と周縁部のうちいずれか小さい方に対
向するよう前記パッド部から延出して配置され、前記発光部の発光波長に対して不透明な
複数のコンタクト部と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
前記複数の発光部は、前記透明層側における光強度が前記周縁部で前記中央部の同等以上
である光強度分布を有し、前記複数のコンタクト部は、前記中央部に対向して配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
前記複数の発光部は、前記透明層側における光強度が前記中央部で前記周縁部の同等以上
である光強度分布を有し、前記複数のコンタクト部は、前記周縁部または隣り合う２つの
前記発光部の間に対向して配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置
。
前記側壁は前記第２クラッド層から前記第１クラッド層と前記透明層との界面まで傾斜し
たテーパ部を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装
置。
前記側壁は前記第２クラッド層から前記透明層まで傾斜したテーパ状であることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記複数の発光部は、ｘｙ方向に並列して配置され、
前記コンタクト部は、前記パッド部から前記ｘｙ方向のうち少なくともいずれかの方向に
延出した帯状であることを特徴とする請求項１ないし５に記載の半導体発光装置。