JP2012044173A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ＬＥＤ中の電流密度の不均一性により引き起こされる光の輝度（強度）を改善した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。前記発光装置は、前記発光領域に形成され、ｐ型半導体層に電気的に結合されたｐ電極と、前記非発光領域に形成され、ｎ型半導体層に電気的に結合されたｎ電極と、も備える。更に、前記発光装置は、前記非発光領域の第１の部分中の前記ｎ電極と前記ｎ型半導体層との間に形成され、少なくとも１つのオーム性接触を画定する絶縁体も備えて、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極が、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
【選択図】図３

Description

（関連出願の相互参照）
本発明の叙述では、特許、特許出願及び多様な公報を含んでよい参照を引用して論議を行った。これらの参照の引用及び／又は論議を提供する原因は、本発明の叙述を明確にすることだけにあり、前記いずれか１つの参照を本文で叙述された発明の「先行技術」とすることを許可するというわけではない。本明細書で引用して論議を行った参照のすべては、引用の方式で本文に編入され、且つ各参照を別々に引用の方式で本文に編入することと同様な程度に達する。
（技術分野）
本発明は、一般に、発光装置に関し、特に、前記発光装置の電流密度中の均一性を改良するために、絶縁体及び／又はｎ電極において形成されたエピタキシャル構造を利用した発光装置に関する。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ：ＬＥＤ）は、高輝度照明に広く使われている。一般に、ＬＥＤは、表面にｐ電極、ｎ電極及びｐ電極とｎ電極の接続パッドが配置された多層構造の半導体を備える。操作中、接続パッドに接続された外部端子を介して、電流をＬＥＤに注入する。注入された電流は、ｐ電極及びｎ電極から、各半導体層に分散される。電流が順方向におけるｐ−ｎ接合部を横切って流れて前記ｐ−ｎ接合部における少数のキャリアが再結合させた場合、光が発生する。代表的な操作条件において、ＬＥＤの発生した光の強度が電流密度に比例している。与えられた電流密度に対して、ｐ−ｎ接合部の面積が大きければ大きいほど、ＬＥＤによって発生された強度が大きい。
伝統的に、ＬＥＤにより明るい光を出力させるには、ＬＥＤの発光領域を最大化して、ＬＥＤの操作電流の流れ方向を増進することによって、実現できる。大電流で操作される大型ＬＥＤに対して、ＬＥＤの発光領域における電流密度の分布が不均一である場合に、順電圧とインタフェースにおける温度の増加を引き起こしてしまい、ＬＥＤの光学性能及び電気的性能の低下に至る。大きいサイズを有し高電流密度の条件で操作されるＬＥＤに対しては、特に前記のようになる。なお、発光効率における不可逆の劣化は、電流密度の増加に従って増加する際、電流密度における不均一性によって全体の劣化速度が増加されたので、更にＬＥＤの寿命を減らす。
図８Ａに示すように、Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ等による米国特許第６，３０７，２１８号に、平行なｐ電極及びｎ電極を利用して、ＬＥＤの電流密度における不均一性を改良したＬＥＤ設計が開示された。Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ等による特許において、ｎ接続パッド１４ａからの遠いｐ電極フィンガー１３の領域から垂直に下に向かってｎ型半導体層に流れる電流が、ｐ−ｎ接合部を通すと、この電流は、ｎ型半導体層中の電流経路を横断してｎ電極フィンガー１４に達しなければならない。しかし、前記電流経路は、電流がｎ接続パッド１４ａに隣接するｐ電極フィンガー１３の領域から垂直に下に向かってｎ型半導体層に流れてｎ電極１４ａに達する場合のｎ型半導体層における横断距離と異なる。電流経路における差異によって、ｎ接続パッド１４ａの周りに電流の不均一な分布が発生された。従って、図８Ｂに示すように、ｎ電極１４の端部に近い領域１５におけるＬＥＤの光の輝度（強度）が、他の発光領域における光の輝度（強度）より不均一である。光の輝度における不均一性は、ＬＥＤ中の電流密度の不均一性により引き起こされる。
従って、本分野には、前記欠陥及び不足の点を解決する要求があり、この要求が今まで解決されていない。
一態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、基板と、第１の端部及び反対的な第２の端部を有する多層構造とを備え、第１の端部及び相対的な第２の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から発光領域に延伸した第２の部分を有する。多層構造は、基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上の発光領域に形成された活性層と、活性層上の発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を含む。
発光装置は、発光領域に形成され、ｐ型半導体層に電気的に結合されたｐ電極と、及び非発光領域に形成され、ｎ型半導体層に電気的に結合されたｎ電極とも備える。
さらに、発光装置は、非発光領域の第１の部分中のｎ電極とｎ型半導体層との間に形成され、少なくとも１つのオーム性接触を画定する絶縁体も備えて、非発光領域の第１の部分中のｎ電極が、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
発光装置は、発光領域におけるｐ型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、ｐ電極が、前記透明導電層を介して、ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
一実施例において、絶縁体は、少なくとも１つの層を有する。絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成され、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２又はその組み合わせによって形成される。絶縁体は、エピタキシャル構造を含んでよい。
一実施例において、ｎ電極は、非発光領域の第１の部分中の絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び非発光領域の第２の部分中のｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。各ｎ電極フィンガーは、ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第２の端を有する。ｐ電極は、多層構造の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有する。各ｐ電極フィンガーは、ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の第１の端部に延伸し、ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有する。複数のｐ電極フィンガー及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
一実施例において、ｎ電極ブリッジは、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも１つのオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。
一実施例において、ｎ電極とｐ電極は、それぞれ透明導電材料によって形成される。ｎ電極は、ｐ電極、透明導電層、ｐ型半導体層、活性層と電気絶縁である。
他の態様において、本発明は、発光装置の製造方法に関する。一実施例において、前記方法は、基板を提供するステップと、基板に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたｐ型半導体層とを有する多層構造を基板に形成するステップと、を含む。前記多層構造は、第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、第１の端部及び反対的な第２の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から発光領域に延伸した第２の部分を有する。
前記方法は、非発光領域で、ｎ型半導体層を露出するように、多層構造のｐ型半導体層及び活性層をエッチングするステップと、露出されたｎ型半導体層上の非発光領域の第１の部分に、少なくとも１つのオーム接触性を画定する絶縁体を形成するステップと、も備える。
なお、前記方法は、非発光領域にｎ電極を形成して、非発光領域の第１の部分中のｎ電極が少なくとも１つのオーム接触性を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合され、非発光領域の第２の部分中のｎ電極がｎ型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、発光領域におけるｐ型半導体層に、透明導電層を形成するステップと、透明導電層にｐ電極を形成して、ｐ電極が透明導電層を介して、ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を備える。
一実施例において、絶縁体は、少なくとも１つの層を含む。絶縁体１５０は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、エピタキシャル構造を有する。
一実施例において、ｎ電極は、非発光領域の第１の部分中の絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び非発光領域の第２の部分中のｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。各ｎ電極フィンガーは、ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第２の端を有する。ｐ電極は、多層構造の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有する。各ｐ電極フィンガーは、ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の第１の端部に延伸し、ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有する。複数のｐ電極フィンガー及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
一実施例において、ｎ電極ブリッジは、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも１つのオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。
もう１つの態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、基板と、第１の端部及び反対的な第２の端部を有する多層構造とを備え、第１の端部及び相対的な第２の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から発光領域に延伸した第２の部分を有する。多層構造は、基板に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたｐ型半導体層と、を有する。
多層構造は、非発光領域の第１の部分にエピタキシャル構造を有して、少なくとも１つのオーム性接触を画定するように形成される。一実施例において、エピタキシャル構造は、少なくとも１つの層を含む。エピタキシャル構造は、ｐ層／活性層／ｎ層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びｐ型半導体層から隔離される。
発光装置は、非発光領域の第１の部分中のｎ電極が少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合されるように、非発光領域に形成され、ｎ型半導体層に電気的に結合されるｎ電極と、発光領域に形成され、ｐ型半導体層に電気的に結合されるｐ電極とも備える。
発光装置は、発光領域におけるｐ型半導体層に形成された透明導電層を有してもよく、ｐ電極が、前記透明導電層を介して、ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
一実施例において、ｎ電極は、非発光領域の第１の部分中の絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び非発光領域の第２の部分中のｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。各ｎ電極フィンガーは、ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第２の端を有する。ｐ電極は、多層構造の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有する。各ｐ電極フィンガーは、ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の第１の端部に延伸し、ｎ電極ブリッジに大体に近づいた相対的な第２の端を有する。複数のｐ電極フィンガー及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
一実施例において、ｎ電極ブリッジは、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも１つのオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。
ｎ電極はｐ電極、透明導電層、ｐ型半導体層、活性層と電気絶縁である。
他の態様において、本発明は、発光装置の製造方法に関する。一実施例において、前記方法は、基板を提供するステップと、基板に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたｐ型半導体層とを有する多層構造を基板に形成するステップと、を含む。多層構造は、第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、前記第１の端部及び前記反対的な第２の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定する。非発光領域は、第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び第１の部分から発光領域に延伸した第２の部分を有する。
前記方法は、非発光領域の第１の部分に、少なくとも１つのオーム性接触をその中に画定するエピタキシャル構造を形成し、非発光領域の第２の部分でｎ型半導体層を露出するように、非発光領域で多層構造をエッチングするステップも含む。
一実施例において、エピタキシャル構造は、少なくとも１つの層を含む。エピタキシャル構造は、ｐ層／活性層／ｎ層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びｐ型半導体層から隔離される。
前記方法は、非発光領域にｎ電極を形成して、非発光領域の第１の部分中のｎ電極が少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合され、かつ非発光領域の第２の部分中のｎ電極がｎ型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、発光領域におけるｐ型半導体層に透明導電層を形成するステップと、透明導電層にｐ電極を形成して、ｐ電極が透明導電層を介して、ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を更に含む。
一実施例において、ｎ電極は、非発光領域の第１の部分中の絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び非発光領域の第２の部分中のｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。各ｎ電極フィンガーは、ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第２の端を有する。ｐ電極は、多層構造の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有する。各ｐ電極フィンガーは、ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の第１の端部に延伸し、ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有する。複数のｐ電極フィンガー及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
一実施例において、ｎ電極ブリッジは、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも１つのオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。
他の態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、発光領域及び一部が発光領域に延伸した非発光領域を有し、ｎ型半導体層と、ｎ型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたｐ型半導体層とを含む多層構造と、発光領域に形成され、ｐ型半導体層に電気的に結合されたｐ電極と、非発光領域に形成され、ｎ型半導体層に電気的に結合されたｎ電極と、を備える。
前記多層構造は、第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、その間で発光領域及び非発光領域を画定させ、前記非発光領域は、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から発光領域に延伸した第２の部分を有する。
発光装置は、少なくとも１つのオーム性接触を画定し、非発光領域におけるｎ電極とｎ型半導体層との間に形成された絶縁体も備えて、ｎ電極が、少なくとも、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
発光装置は、発光領域におけるｐ型半導体層に形成された透明導電層を更に備えてよく、ｐ電極が、前記透明導電層を介して、ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにする。
一実施例において、多層構造は、ｎ型半導体層を非発光領域に露出させるように形成され、絶縁体は、非発光領域の第１の部分中のｎ型半導体層に形成されて、非発光領域の第１の部分中のｎ電極が、少なくとも１つのオーム接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにし、非発光領域の第２の部分中のｎ電極は、ｎ型半導体層に直接に電気的に結合される。
一実施例において、絶縁体は、少なくとも１つの層を含む。絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。
一実施例において、絶縁体は、エピタキシャル構造を含む。エピタキシャル構造は、ｐ層／活性層／ｎ層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びｐ型半導体層から隔離される。
一実施例において、ｎ電極は、非発光領域の第１の部分中の絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び非発光領域の第２の部分中のｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。各ｎ電極フィンガーは、ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第２の端を有する。ｐ電極は、多層構造の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有する。各ｐ電極フィンガーは、ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び多層構造の第１の端部に延伸し、ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有する。複数のｐ電極フィンガー及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
一実施例において、ｎ電極ブリッジは、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、少なくとも１つのオーム性接触を介して、ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも１つのオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。
その変化又は修正は、本開示の新規な概念の精神及び範囲から逸脱しない場合、影響が与えられる可能性があるとはいえ、本発明の前記及び他の態様は、以下の図面の好ましい実施例に対する以下の説明を参照することによって、明らかになる。
これらの添付図面は、本発明の１つ又は複数の実施例を示し、また、書面説明と共に、本発明の原理を解釈する。可能な限り、前記図面にわたって、同一の符号で実施例における同一又は類似な素子を表す。
本発明の一実施例による発光装置の発光領域及び非発光領域を概要的に示す上面図である。 図１に示すような発光装置の発光領域及び非発光領域を概要的に示す他の上面図である 図１に示すような発光装置を概要的に示す上面図である。 図３に示すような発光装置の、線Ａ−Ａ’に沿っている横断面図（ａ）、線Ｂ−Ｂ’に沿っている横断面図（ｂ）を概要的に示す。 図３に示すような発光装置の製作プロセス（ａ）−（ｃ）を概要的に示す。 本発明の他の実施例による発光装置の製作プロセス（ａ）及び（ｂ）を概要的に示す。 本発明の一実施例による操作中の発光装置を概要的に示す。 （ａ）従来の発光装置の上面図及び（ｂ）操作中の従来の発光装置を概要的に示す。
以下、本発明の例示的な実施例を示す添付図面を参照して、本発明をより十分に説明する。しかしながら、本発明は、様々な形式によって実施できるので、本文に記載の実施例に限定されると理解すべきではない。逆に、これらの実施例を提供する目的は、本開示を詳しく且つ完璧的にし、本開示によって本発明の範囲を当業者に十分に伝えることにある。同一の符号は、終始同一の素子を表す。
素子が、「他の素子にある」といわれる場合、前記素子は、他の素子に直接に存在すること、又は前記素子と他の素子の間に中間素子が存在することとなる可能性があることは理解すべきである。逆に、素子が、「直接に他の素子にある」といわれる場合、中間素子は存在しない。本文で使用するように、用語「及び／又は」は、１つ又は複数の関連する列挙事項のいずれか１つ又は全ての組み合わせを含む。
本文では、第１の、第２の、第３の等の用語を用いて、各種の素子、ユニット、領域、層及び／又は部分を説明することができるが、前記素子、ユニット、領域、層及び／又は部分は、前記用語に限定されるものではないことは理解すべきである。前記用語は、素子、ユニット、領域、層又は部分を、他の素子、ユニット、領域、層又は部分と区別するためのものだけである。そのため、本発明の示唆から逸脱しない限り、下記で説明する第１の素子、第１のユニット、第１の領域、第１の層又は第１の部分は、第２の素子、第２のユニット、第２の領域、第２の層又は第２の部分といわれてもよい。
本文で使用する用語は、特定な実施例を説明するためのものであり、本発明を限定することを図っているものではない。本文で使用する単数形式「一」及び「前記」は、前後に明確に指示されていない限り、複数形式を同時に含むことを図っている。用語の「備え」及び／又は「備える」、「含み」及び／又は「含む」、「有し」及び／又は「有する」が本明細書に使用される場合、前記用語は、前記構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子及び／又はユニットの存在を指定するが、１つの又は複数のその他の構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子、ユニット及び／又は群の存在又は添加を排除しないことは更に理解すべきである。
なお、「下部」又は「底部」及び「上部」又は「頂部」のような相対的な用語は、本文で、各図に示す１つの素子と他の素子との関係を説明することに用いられる。相対な用語は、各図に示す方位以外の装置の異なる方位を含もうとすることは理解すべきである。例えば、複数の図の中の１枚での装置を反転すれば、その他の素子の「下」側にあると説明された素子は、他の素子の「上」側に位置するようになる。そのため、例示的な用語の「下部」は、各図の特定な方位によって決めた「上部」及び「下部」の方位の両者を含む。同様に、複数の図の中の１枚での装置を反転すれば、その他の素子「の下」又は「下方」にあると説明された素子は、他の素子「の上」に位置するようになる。そのため、例示的な用語「〜の下にある」又は「〜の下方にある」は、上下の方位の両者を含む。
特に定義されていない限り、本文で使用する用語の全て（技術用語及び科学用語）は、当業者が一般的に理解するような意味と同様である。本文で、常用の辞書で定義された用語は、本関係技術及び本開示の内容の前後に適する意味で解釈すべきであり、理想的又は過正式な意味で解釈すべきことではなく、ただし、明確にそのように定義されている場合は除かれることは、更に理解すべきである。
本文で使用されるような用語の「層」は、薄板又は薄膜を指す。
本文で使用されるような用語の「電極」は、１種又は多種の導電材料により形成された導電層又は導電薄膜である。
本文で使用されるように、用語の「オーム性接触」は、装置の電流−電圧曲線を線形且つ対称的にするように、半導体素子に製造された領域を指す。
図１〜図７の添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。本文に含まれ、且つ大まかに説明された本発明の目的によると、本発明の一態様は、発光装置に関する。
図１〜図５を、特に、図３及び図４を参照して、本発明の一実施例による発光装置１００を示す。前記例示的な実施例において、発光装置１００は、基板１１０に形成された多層構造１２０と、ｐ電極１３０と、ｎ電極１４０と、を備え、ｐ電極１３０及びｎ電極１４０は、多層構造１２０に電気的に結合され、操作電流をそれに注入することに用いられる。ｎ電極１４０及びｐ電極１３０は、同一の導体材料により形成され、又は異なる導体材料により形成される。
多層構造１２０は、第１の端部１２１ａ及び反対的な第２の端部１２１ｂを有し、第１の端部１２１ａ及び反対的な第２の端部１２１ｂは、その間で発光装置１００の発光領域１２３及び非発光領域１２５を画定する。図４に示すように、多層構造１２０は、基板１１０上の発光領域１２３及び非発光領域１２５に形成されたｎ型半導体層１２２と、ｎ型半導体層１２２上の発光領域１２３に形成された活性層１２４と、活性層１２４上の発光領域１２３に形成されたｐ型半導体層１２６とを含む。一実例において、活性層１２４が、多量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）層であってよい。ｐ電極１３０は、発光領域１２３に形成され、ｐ型半導体層１２６に形成された透明導電層１２８を介してｐ型半導体層１２６に電気的に結合される。ｎ電極１４０は、非発光領域１２５に形成され、ｎ型半導体層１２２に電気的に結合される。
図１に示すように、非発光領域１２５を、多層構造１２０に陥凹するように画定して、ｎ型半導体層１２２を非発光領域１２５に露出させる。非発光領域１２５は、多層構造１２０の第１の端部１２１ａに隣接して位置決められた第１の部分１２５ａ、第１の部分１２５ａから発光領域１２３に延伸した第２の部分１２５ｂを有する。この実施例において、第１の部分１２５ａは、２つの半楕円形凹部１２５ｃを含み、第２の部分１２５ｂは、発光領域１２３に平行に且つ間を置いて形成された複数のグルーブ／スロット１２５ｂを含む。各半楕円形凹部１２５ｃは、幅Ｄ１を有する。各グルーブ１２５ｂは、幅Ｄ２を有し、幅Ｄ２が幅Ｄ１より小さい。
図２に示すように、非発光領域１２５の第１の部分１２５ａ中でｎ型半導体層１２２を被覆するように、絶縁体１５０は、ｎ型半導体層１２２上の非発光領域１２５の第１の部分１２５ａ中に沈積し、なお、絶縁体１５０は、各半楕円形凹部１２５ｃの上に、幅ｄを有する隙間１５２ａにより分離される１５１ａ及び１５１ｂの２つの部分に沈積し、隙間１５２ａからｎ型半導体層１２２を露出する。隙間１５２ａの幅ｄは、各グルーブ１２５ｂの幅Ｄ２と大体同じである。隙間１５２ａは、オーム性接触を画定し、非発光領域１２５の第１の部分におけるｎ電極１４０は、前記オーム性接触を介して、ｎ型半導体層１２２に電気的に結合される。絶縁体１５０は、１つ又は複数の層を含み、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体１５０は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。具体的に、絶縁体は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２又はその類似物によって形成される。絶縁体１５０は、エピタキシャル構造を含んでよい。
図１〜図５に示すこの実施例において、特に、図３において、ｎ電極１４０は、非発光領域１２５の第１の部分１２５ａ中の絶縁体１５０に形成されたｎ電極ブリッジ１４１、及び非発光領域１２５の第２の部分１２５ｂにおけるｎ型半導体層１２２に平行に形成された複数のｎ電極フィンガー１４２を有する。各ｎ電極フィンガー１４２は、ｎ電極ブリッジ１４１に電気的に接続された第１の端１４２ａ、及び多層構造１２０の発光領域１２３に延伸した反対的な第２の端１４２ｂを有する。ｎ電極ブリッジ１４１は、非発光領域１２５の第１の部分１２５ａの対応する半楕円形凹部１２５ｃにある絶縁体１５０に形成された１つ又は複数のワイヤー接続パッド１４３を含む。ワイヤー接続パッド１４３は、ｎ電極１４０への番外端子の電気的接続を提供するように調節される。各接続パッド１４３は、対応するｎ電極フィンガー１４２に電気的に接続され、対応するオーム性接触１５２に位置決められる。従って、ワイヤー接続パッド１４３は、オーム性接触１５２を介して、ｎ型半導体層１２２に電気的に接続される。さらに、複数のｎ電極フィンガー１４２は、非発光領域１２５の第２の部分１２５ｂにおけるｎ型半導体層１２２に、平行に形成されたため、非発光領域１２５の第２の部分１２５ｂにおけるｎ電極１４０が、ｎ型半導体層１２２に直接に電気的に接続される。
ｐ電極１３０は、多層構造１２０の第２の端部１２１ｂに近づいて形成されたｐ電極ブリッジ１３１、及び発光領域１２３に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガー１３２を有する。各ｐ電極フィンガー１３２は、ｐ電極ブリッジ１３１に電気的に接続された第１の端１３２ａ、及び多層構造１２０の第１の端部１２１ａに延伸した反対的な第２の端１３２ｂを有する。本発明によると、各ｐ電極フィンガー１３２の第２の端１３２ｂは、ｎ電極ブリッジ１４１に大体に近づく。さらに、ｐ電極ブリッジ１３１は、番外端子との電気的接続をｐ電極１３０に提供するための１つ又は複数のワイヤー接続パッド１３３を有してよい。
さらに、図３及び図４に示すように、複数のｐ電極フィンガー１３２及び複数のｎ電極フィンガー１４２は、交互的に配列されて、注入された電流を発光装置１００全体に均一に分布させる。
前記発光装置１００に対して、電流をｐ電極１３０に注入した時、電流は、ｐ電極フィンガー１３２から、ｐ−ｎ接合部を横切る最短経路（すなわち、一般に垂直に）に沿って、ｎ型半導体層１２２に流れる。そして、電流は、ｎ型半導体層１２２内で横方向に分散して、ｎ電極１４０に達する。ワイヤー接続パッド１４３上に画定されたオーム性接触１５２のために、ワイヤー接続パッド１４３の領域にあるｎ電極１４０に達した電流は、オーム性接触１５２を通する。これにより、ｐ電極フィンガー１３２からワイヤー接続パッド１４３からの遠い領域にある対応するｎ電極フィンガー１４２までの電流経路１６１ｂ（１６２ｂ）とｐ電極フィンガー１３２からワイヤー接続パッド１４３の領域にある対応するｎ電極１４０までの電流経路１６１ａ（１６２ａ）とが大体同じようにした。その結果、発光装置１００の電流密度中の均一性を発生させた。さらに、図３に示すように、本発明によると、ｐ電極１３０のｐ電極フィンガー１３２の端部１３２ｂは、多層構造１２０の第１の端部１２１ａに延伸し、大体ｎ電極１４０のｎ電極ブリッジ１４１及びワイヤー接続パッド１４３に近づき、これにより、少なくとも発光装置１００の周辺部分で電流密度中の均一性を更に改良した。従って、図７に示すように、発光装置から発生した光の輝度（強度）が、発光装置１００の発光領域において、わりに均一である。
図５に示すように、発光装置１００は、以下のプロセスによって製造できる。
まず、基板１１０に、多層構造１２０を形成する。多層構造１２０は、基板１１０に形成されたｎ型半導体層１２２と、ｎ型半導体層１２２に形成された活性層１２４と、活性層１２４に形成されたｐ型半導体層１２６と、を含む。
そして、図５ａに示すように、ｎ型半導体層１２２を露出するように、予め選択した位置における多層構造１２０のｐ型半導体層１２６及び活性層１２４をエッチングして、その内で非発光領域１２５を画定する。多層構造１２０の残り領域は、発光領域１２３に対応する。非発光領域１２５は、多層構造１２０の第１の端部１２１ａに隣接して位置決められた第１の部分１２５ａ、及び第１の部分１２５ａから発光領域１２３に延伸した第２の部分１２５ｂを有するように画定される。非発光領域１２５の第１の部分１２５ａは、１つ又は複数の半楕円形凹部１２５ｃを含み、第２の部分１２５ｂは、発光領域１２３に平行に且つ間を置いて形成された複数のグルーブ／スロット１２５ｂを含む。各半楕円形凹部１２５ｃは、幅Ｄ１を有する。各グルーブ１２５ｂは、幅Ｄ２を有し、幅Ｄ２が幅Ｄ１より小さい。
次のプロセスでは、図５ｂに示すように、非発光領域１２５の第１の部分１２５ａにおける露出されたｎ型半導体層１２２に絶縁材料を沈積させて、絶縁体１５０を形成する。各半楕円形凹部１２５ｃにおいて、絶縁体１５０は、幅ｄを有する隙間１５２ａにより分離された１５１ａ及び１５１ｂの２つの部分に沈積し、隙間１５２ａからｎ型半導体層１２２を露出する。隙間１５２ａの幅ｄは、各グルーブ１２５ｂの幅Ｄ２と大体同じである。
透明導電層１２８は、場合によって発光領域１２３におけるｐ型半導体層１２６に形成される。そして、図５ｃに示すように、非発光領域１２５に、ｎ電極１４０を形成して、非発光領域１２５の第１の部分１２５ａにおけるｎ電極１４０が、隙間１５２ａに画定されたオーム性接触１５２を介して、ｎ型半導体層１２２に電気的に結合されるようにすると同時に、非発光領域１２５の第２の部分１２５ｂにおけるｎ電極１４０が、ｎ型半導体層１２２に直接に電気的に結合される。隙間１５２ａは、オーム性接触１５２を画定し、非発光領域１２５の第１の部分におけるｎ電極１４０は、オーム性接触１５２を介して、ｎ型半導体層１２２に電気的に結合される。
最後に、透明導電層１２８にｐ電極１３０を形成して、ｐ電極１３０が透明導電層１２８を介して、ｐ型半導体層１２６に電気的に結合されるようにする。ただし、同様なプロセスステップによって、ｐ電極１３０をｎ電極１４０と共に形成してもよい。
本発明の他の実施例による発光装置６００を示す図６を参照する。発光装置６００は、図１〜図５に示す発光装置１００と同様である。発光装置６００は、基板６１０に形成されたｎ型半導体層６２２と、ｎ型半導体層６２２に形成された活性層６２４と、活性層６２４に形成されたｐ型半導体層６２６と、を有する多層構造６２０を備える。一実例において、活性層６２４が、多量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）層であってよい。発光装置６００は、ｐ型半導体層６２６に形成された透明導電層６２８を備えてもよい。多層構造６２０は、第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、前記第１の端部及び前記反対的な第２の端部は、その間で発光領域６２３及び非発光領域６２５を画定する。非発光領域６２５は、第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分６２５ａ、及び第１の部分から発光領域６２３に延伸した第２の部分を有する。
多層構造６２０は、発光装置１００の非発光領域１２５の第１の部分１２５ａに絶縁体１５０を形成する代わりに、発光装置６００の非発光領域６２５の第１の部分６２５ａに、エピタキシャル構造６５０を画定する。本発明によると、エピタキシャル構造６５０は、少なくとも一層を含む。図６に示すように、エピタキシャル構造６５０は、ｐ層／活性層／ｎ層構造を有し、多層構造６２０の活性層６２４及びｐ型半導体層６２６から隔離される。具体的に、エピタキシャル構造６５０は、幅ｇを有する隙間６５１によって、多層構造６２０の活性層６２４及びｐ型半導体層６２６から空間的に隔離される。さらに、エピタキシャル構造６５０は、ｎ型半導体層６２２を露出するために、１つ又は複数のグルーブ６５２ａを画定して、オーム性接触を提供する。
さらに、ｐ電極６３０は、発光領域６２３における透明導電層６２８に形成され、透明導電層６２８を介して、ｐ型半導体層６２６に電気的に結合される。ｎ電極６４０は非発光領域６２５に形成され、ｎ型半導体層６２２に電気的に結合される。同様に、ｎ電極６４０は、非発光領域６２５の第１の部分６２５ａ中のエピタキシャル構造６５０に形成されたｎ電極ブリッジ６４１、及び非発光領域６２５の第２の部分中のｎ型半導体層６４０に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有する。ｎ電極ブリッジ６４１は、エピタキシャル構造６５０に形成された１つ又は複数のワイヤー接続パッド６４３を含む。各接続パッド６４３は、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され、対応するオーム性接触６５２に位置決められる。従って、ワイヤー接続パッド６４３は、オーム性接触６５２を介して、ｎ型半導体層６２２に電気的に接続される。ｐ電極６３０は、多層構造６２０の第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び発光領域６２３に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガー６３２を有する。複数のｐ電極フィンガー６３２及び複数のｎ電極フィンガーは、交互的に配列される。
前記発光装置６００に対して、エピタキシャル構造６５０は、図１〜図５に示す発光装置１００の絶縁体１５０と同様に有効であり、ダイオードのように運転する。電流をｐ電極６３０に注入した場合、電流は、ｐ電極フィンガー６３２から、ｐ−ｎ接合部を横切る最短経路（すなわち、一般に垂直に）に沿って、ｎ型半導体層６２２に流れる。そして、電流は、ｎ型半導体層６２２内で、横方向に分散して、ｎ電極６４０に達する。ワイヤー接続パッド６４３上に画定されたオーム性接触６５２のために、ワイヤー接続パッド６４３の領域にあるｎ電極６４０に達した電流が、オーム性接触６５２を通る。これにより、ｐ電極フィンガー６３２からワイヤー接続パッド６４３からの遠い領域にある対応するｎ電極フィンガーまでの電流経路とｐ電極フィンガー６３２からワイヤー接続パッド６４３の領域にある対応するｎ電極フィンガーまでの電流経路とが大体同じようにした。その結果、発光装置６００の電流密度中の均一性を発生させた。従って、図７に示すように、発光装置から発生した光の輝度（強度）が、発光装置６００の発光領域において、わりに均一である。
図６ａ及び図６ｂに示すように、本発明の一態様において、発光装置６００の製造方法は、基板６１０に多層構造６２０を形成するステップと、非発光領域６２５の第１の部分６２５ａにエピタキシャル構造６５０を形成し、かつ非発光領域６２５の第２の部分で、ｎ型半導体層６２２を露出するように非発光領域６２５における多層構造６２０をエッチングするステップと、を含む。エピタキシャル構造６５０は、ｎ型半導体層６２２を露出するように、１つ又は複数のグルーブ６５２ａを画定して、オーム性接触を提供する。
前記方法は、発光領域６２３におけるｐ型半導体層６２６に、透明導電層６２８を形成するステップを備えてよい。前記方法は、非発光領域６２５に、ｎ電極６４０を形成して、非発光領域６２５の第１の部分６２５ａにおけるｎ電極６４０が、オーム性接触６５２を介して、ｎ型半導体層６２２に電気的に結合されるようにすると同時に、非発光領域６２５の第２の部分におけるｎ電極６４０が、ｎ型半導体層６２２に直接に電気的に結合されるようにするステップを更に備える。ｎ電極６４０を形成すると同時に、又はその後、透明導電層６２８に、ｐ電極６３０を形成して、ｐ電極６３０が、透明導電層６２８を介して、ｐ型半導体層６２６に電気的に結合されるようにする。
要するに、本発明において、絶縁体及び／又はｎ電極の下に形成されたエピタキシャル構造を有する発光装置を説明して、ｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と、ワイヤー接続パッドの下方のオーム性接触と隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路が大体同じようにし、その結果、発光装置の電流密度中の均一性を発生させる。従って、発光装置から発生した光の輝度（強度）が、発光装置の発光領域において、わりに均一である。
説明及び叙述のために、本発明の例示的な実施例に対する前記叙述を提出しており、網羅的に挙げたり本発明を開示した精確な形式に限定したりすることを図るものではない。前記示唆に鑑みて、多くの修正又は変化は、可能である。
本発明の原則及びその実際の応用を説明するために、前記実施例を選択してそれを説明する目的は、他の当業者が本発明及び多様な修正を行われた多様な実施例を利用できるようにすることにあり、前記多様な修正は、同時に、予期される特定な用途に適する。本発明の精神と範囲から逸脱しない場合、代替実施例は当業者に明らかである。そのため、本発明の範囲は、前記叙述又は前記で説明した例示的な実施例によって限定されるものではなく、付加の特許請求の範囲によって限定される。
１３、１３２、６３２ ｐ電極フィンガー
１４、１４２ ｎ電極フィンガー
１４ａ ｎ接続パッド
１５ 領域
１００、６００ 発光装置
１１０、６１０ 基板
１２０、６２０ 多層構造
１２１ａ 第１の端部
１２１ｂ 第２の端部
１２２、６２２ ｎ型半導体層
１２３、６２３ 発光領域
１２４、６２４ 活性層
１２５、６２５ 非発光領域
１２５ａ、６２５ａ 第１の部分
１２５ｂ 第２の部分／グルーブ／スロット
１２５ｃ 半楕円形凹部
１２６、６２６ ｐ型半導体層
１２８、６２８ 透明導電層
１３０、６３０ ｐ電極
１３１ ｐ電極ブリッジ
１３２ａ、１４２ａ 第１の端
１３２ｂ、１４２ｂ 第２の端
１３３、１４３、６４３ ワイヤー接続パッド
１４０、６４０ ｎ電極
１４１、６４１ ｎ電極ブリッジ
１５０ 絶縁体
１５１ｂ、１５１ａ 部分
１５２ａ、６５１ 隙間
１５２、６５２ オーム性接触
１６１ａ、１６１ｂ、１６２ａ、１６２ｂ 電流経路
６５０ エピタキシャル構造
６５２ａ グルーブ

Claims (22)

  1. 基板と、
    第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、前記第１の端部及び前記反対的な第２の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から前記発光領域に延伸した第２の部分を有し、前記基板上の前記発光領域及び前記非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層とを含む、多層構造と、
    前記発光領域に形成され、前記ｐ型半導体層に電気的に結合されたｐ電極と、
    前記非発光領域に形成され、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されたｎ電極と、
    少なくとも１つのオーム性接触を画定するように、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極と前記ｎ型半導体層との間に形成されて、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極が、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにする絶縁体と、を備える、発光装置。
  2. 前記絶縁体が、少なくとも１つの層を含み、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記絶縁体が、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２又はその組み合わせによって形成される、請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記絶縁体が、エピタキシャル構造を含む、請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記ｎ電極が、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第２の部分中の前記ｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有し、各ｎ電極フィンガーが、前記ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第２の端を有し、
    ｐ電極が、前記多層構造の前記第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有し、各ｐ電極フィンガーが、前記ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記第１の端部に延伸し前記ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有し
    前記複数のｐ電極フィンガー及び前記複数のｎ電極フィンガーが、交互的に配列される、
    請求項１に記載の発光装置。
  6. 前記ｎ電極ブリッジが、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項５に記載の発光装置。
  7. 操作中、前記対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも１つのオーム性接触と前記隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記発光領域中の前記ｐ型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、前記ｐ電極が、前記透明導電層を介して、前記ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにする、請求項１に記載の発光装置。
  9. 基板を提供するステップと、
    前記基板に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層に形成された活性層と、前記活性層に形成されたｐ型半導体層と、を含み、第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、前記第１の端部及び前記反対的な第２の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から前記発光領域に延伸した第２の部分を有する多層構造を前記基板に形成するステップと、
    前記非発光領域で、前記ｎ型半導体層を露出するように、前記多層構造の前記ｐ型半導体層及び前記活性層をエッチングするステップと、
    前記露出されたｎ型半導体層上の前記非発光領域の前記第１の部分に、少なくとも１つのオーム性接触を画定する絶縁体を形成するステップと、
    前記発光領域における前記ｐ型半導体層に透明導電層を形成するステップと、
    前記非発光領域にｎ電極を形成して、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極が、少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に結合され、かつ前記非発光領域の前記第２の部分中の前記ｎ電極が、前記ｎ型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、
    前記透明導電層に、ｐ電極を形成して、前記ｐ電極が、前記透明導電層を介して、前記ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を備える、発光装置の製造方法。
  10. 前記ｐ電極が、同様なプロセスステップによって、ｎ電極と共に形成される、請求項９に記載の方法。
  11. 前記絶縁体が、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される、請求項９に記載の方法。
  12. 前記絶縁体が、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記絶縁体が、エピタキシャル構造を含む、請求項９に記載の方法。
  14. 前記ｎ電極が、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第２の部分中の前記ｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有し、各ｎ電極フィンガーが、前記ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第２の端を有し、
    前記ｐ電極が、前記多層構造の前記第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有し、各ｐ電極フィンガーが、前記ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記第１の端部に延伸し前記ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有し、
    前記複数のｐ電極フィンガー及び前記複数のｎ電極フィンガーが、交互的に配列される、
    請求項９に記載の方法。
  15. 前記ｎ電極ブリッジが、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項１４に記載の方法。
  16. 操作中、前記対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも１つのオーム性接触と前記隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項１５に記載の方法。
  17. 基板と、
    第１の端部及び反対的な第２の端部を有し、前記第１の端部及び前記反対的な第２の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第１の端部に隣接して位置決められた第１の部分、及び前記第１の部分から前記発光領域に延伸した第２の部分を有し、前記基板に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層に形成された活性層と、前記活性層に形成されたｐ型半導体層と、を含み、前記非発光領域の前記第１の部分に多層エピタキシャル構造を有するように形成されて、少なくとも１つのオーム性接触をその間に画定する多層構造と、
    前記非発光領域に形成され、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されて、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極が、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにするｎ電極と、
    前記発光領域に形成され、前記ｐ型半導体層に電気的に結合されるｐ電極と、
    を備える、発光装置。
  18. 前記エピタキシャル構造が、ｐ層／活性層／ｎ層構造を含む、請求項１７に記載の発光装置。
  19. 前記ｎ電極が、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記絶縁体に形成されたｎ電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第２の部分中の前記ｎ型半導体層に平行に形成された複数のｎ電極フィンガーを有し、各ｎ電極フィンガーが、前記ｎ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第２の端を有し、
    前記ｐ電極が、前記多層構造の前記第２の端部に近づいて形成されたｐ電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のｐ電極フィンガーを有し、各ｐ電極フィンガーが、前記ｐ電極ブリッジに電気的に接続された第１の端、及び前記多層構造の前記第１の端部に延伸し前記ｎ電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第２の端を有し、
    前記複数のｐ電極フィンガー及び前記複数のｎ電極フィンガーが、交互的に配列される、
    請求項１７に記載の発光装置。
  20. 前記ｎ電極ブリッジが、対応するｎ電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも１つのオーム性接触に位置決められた少なくとも１つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項１９に記載の発光装置。
  21. 操作中、前記対応するｎ電極フィンガーと隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも１つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも１つのオーム性接触と前記隣接するｐ電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項２０に記載の発光装置。
  22. 前記発光領域中の前記ｐ型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、前記ｐ電極が、前記透明導電層を介して、前記ｐ型半導体層に電気的に結合されるようにする、請求項１７に記載の発光装置。
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