KR20170083519A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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fingers
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류영호
신영철
황해연
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제2 영역 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 및 제2 전극지; 상기 제1 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제1 전극지 상에 배치된 제1 전극 패드; 상기 제2 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제2 전극지 상에 배치된 제2 전극 패드; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 절연부; 를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극지의 두께는 상기 제1 및 제2 전극지의 상면이 상기 절연부 상에 돌출되도록 상기 절연부의 두께보다 크며, 상기 제1 및 제2 전극지의 폭은 상기 제1 및 제2 전극 패드의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 제공한다.

Description

반도체 발광소자{Semiconductor Light Emitting Device}
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 질화물 반도체 발광소자는 전극이 수평방향으로 배열되는 것이 일반적이므로, 전류 흐름이 협소해지게 된다. 이러한 협소한 전류 흐름으로 인해, 발광소자의 동작 전압(Vf)이 증가하여 전류효율이 저하되며, 이와 더불어 정전기 방전(Electrostatic discharge)에 취약해질 수 있다. 이 경우, 전류가 발광면 전체적으로 균일하게 퍼지도록 하기 위하여, 전극을 패드와 핑거로 나누어 배치하는 등의 시도가 있다.
그러나 이러한 구조는, 활성층을 식각하여 제1 도전형 반도체층을 노출시키고, 이와 전기적으로 연결된 제1 패드 및 핑거는 상기 제1 도전형 반도체층 상에, 제2 패드 및 핑거는 제2 도전형 반도체층 상에 각각 형성하는데, 이와 같이 형성하면, 활성층의 면적이 감소되고, 전극 사이에 균일한 간격의 확보가 어려워 전류 분포의 불균일 현상을 발생시킨다.
따라서, 본 발명에서는 반도체 발광소자의 전극 사이에 균일한 간격을 유지하여, 전류의 균일한 분포를 이루고, 식각에 의한 활성층 손실 문제를 해결하여, 반도체 발광소자의 휘도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은, 광손실이 최소화되며, 전류 분산 효과가 개선될 수 있는 전극을 갖는 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 구성으로서 본 발명은, 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제2 영역 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 및 제2 전극지; 상기 제1 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제1 전극지 상에 배치된 제1 전극 패드; 상기 제2 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제2 전극지 상에 배치된 제2 전극 패드; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 절연부; 를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극지의 두께는 상기 제1 및 제2 전극지의 상면이 상기 절연부 상에 돌출되도록 상기 절연부의 두께보다 크며, 상기 제1 및 제2 전극지의 폭은 상기 제1 및 제2 전극 패드의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 발광소자의 경우, 우수한 전류 분산을 구현하여 광 추출효율이 향상될 수 있다.
도1a 및 도1b는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이다.
도2a 및 도2b는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이다.
도3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도4a 내지 도4e는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 사시도, 평면도 및 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도1a 및 도1b는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이다. 이 경우, 도1a는 도1b의 XX'단면을 절단하여 나타낸 단면도이다.
도1a 및 도1b를 함께 참조하면, 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자는, 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층(110)과, 상기 제2 영역상에 배치된 활성층(120)과, 상기 활성층(120)상에 배치된 제2 도전형 반도체층(130)과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 상에 각각 배치되는 제1 및 제2 전극지(111, 131)와, 상기 제1 전극지(111)와 전기적으로 연결되되 상기 제1 도전형 반도체층(110)과 이격되어 배치되는 제1 전극 패드(112)와, 상기 제2 전극지(131)와 전기적으로 연결되되 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 이격되어 배치되는 제2 전극 패드(132) 및, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 상에 형성되는 절연부(140)를 포함하는 형태로 제공된다. 이하에서는 도면을 참조하여 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자의 각 구성 요소 및 그 결합관계를 구체적으로 설명한다.
상기 제1 영역은, 상기 제1 및 제2 반도체층(110, 130)과 그 사이에 형성된 활성층(120)으로 이루어진 발광구조물에서, 상기 발광구조물의 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 노출된 영역으로, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역으로 각각 제공될 수 있을 것이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어, 상기 발광구조물의 일부를 선택적으로 식각하는 과정을 통하여 얻어질 수 있음은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
또한, 상기 발광 구조물 중 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)은 질화물 반도체, 구체적으로, AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 표현되는 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, GaN, AlGaN, InGaN 등의 물질이 이에 해당될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 사이에 형성되는 활성층(120)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)과 활성층(120)은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이다.
또한, 상기 제1 및 제2 영역은, 서로 평행한 길이방향으로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 전극지 및 전극 패드를 배치함에 있어, 전류 분산 효과를 극대화할 수 있는 구조를 형성하는 것이 용이해진다. 그러나, 본 발명은 이와 같은 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)이 노출되어 전극지와 전기적 연결이 가능한 구조라면, 다양한 형태의 노출 영역의 형태를 채용할 수 있을 것이다.
상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)는, 상술한 바와 같이 노출된 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 상에 각각 배치된다. 바람직하게는, 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)는 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)과 직접 접촉하도록 형성될 수 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)는 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 상면과 견고하게 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 더 바람직하게는, 상술한 바와 같이 상기 제1 및 제2 영역이 서로 평행한 길이방향으로 형성되며, 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)는 그와 같은 방향을 따라 직선 형태로 형성될 수 있을 것이다. 또한, 본 실시 형태에서는 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131) 사이에 도통하는 전류의 흐름을 전체 영역에서 일정하게 하기 위하여 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131) 사이의 간격을 일정하게 유지하는 형태로 제공된다.
상기 절연부(140)는, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130) 상면에 형성될 수 있다. 이 경우, 절연부(140)가 형성되는 높이는 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)가 형성된 높이보다 작게, 혹은 공정상에서 허용 가능한 오차범위를 포함하는 의미에서의 동일한 높이로 형성되는 것이 바람직하며, 이와 같이 함으로써 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131) 상면의 적어도 일부가 외부로 노출되는 것이 가능해지고, 별도의 추가구성 없이 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)와 전기적으로 연결되는 것이 용이해진다.
상기 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)는 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131) 상에 형성되며 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)와 각각 전기적으로 연결되는 구조로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)가 상기 노출된 제1 및 제2 전극지(111, 131)의 상면에 직접 접촉하는 형태로 제공된다 또한, 상기 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)는 상기 절연부(140)에 의하여 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)과는 물리적으로 이격되며, 따라서 제1 및 제2 전극지(111, 131)를 통하여서만 전기적으로 연결되는 형태로 제공될 수 있다.
이와 같이 함으로써, 상기 제1 및 제2 전극 패드(112, 132) 각각의 형태, 폭 및 서로간의 이격된 간격에 관계 없이, 전류의 균일한 분산이 가능해진다. 구체적으로, 종래의 반도체 발광 소자에서의 경우, 전극지 뿐 아니라 패드 또한 반도체층에 직접 접촉하여 형성된다. 이 경우, 각 전극지간의 간격은 일정하게 유지하더라도, 상대적으로 폭 및 면적이 큰 패드와 패드간, 또는 패드와 전극지간의 간격은 상기 일정하게 유지된 각 전극지간의 간격과는 상이해지게 되어 반도체층을 관통하는 전류의 흐름이 전체적으로 불균일해지는 문제점이 있었다. 그러나, 본 실시예의 경우, 반도체층과 직접 접하는 구성은 제1 및 제2 전극지(111, 131)에 한정되며, 상기 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)는 상기 제1 및 제2 반도체층(110, 130)과 공간적으로 이격되고 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)를 통하여서만 전기적으로 연결되는 구성으로 제공되므로, 상기 제1 및 제2 전극지(111, 131)의 간격을 일정하게 유지하는 것만으로 종래 구조에 비하여 전류흐름을 크게 개선할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 전극 패드(112, 132)는 가능하면 서로간의 거리를 크게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도1a 에서 나타난 바와 같이 절연부(140) 상면에서 서로 대향하는 각 모서리에 형성함으로서 보다 향상된 전류흐름 분산이 가능해진다.
도2a 및 도2b는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이다. 이 경우, 도2a는 도2b의 YY'단면을 절단하여 본 단면도이다.
도2a 및 도2b를 함께 참조하면, 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자는, 제1 및 제2 전극 패드(212, 232)와 제1 및 제2 전극지(211, 231) 사이에 각각 제1 및 제2 도전성 비아(213, 233)가 형성되며 절연부(240)는 상기 제1 및 제2 전극지(211, 231) 상면을 포함하여 제1 및 제2 도전형 반도체층(210, 230) 상면 전체를 덮는다는 점을 제외하고는 상기 도1a 및 도1b를 참조하여 설명한 실시 형태의 반도체 발광 소자와 동일하며, 이하에서는 상기 제1 및 제2 도전성 비아(213, 233)의 구성 및 그와 관련된 구성요소와의 결합관계에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 실시 형태에서는, 상기 절연부(240)는 상기 제1 및 제2 전극지(211, 231)의 상부를 덮어 절연하되, 상기 절연부(240)의 일부 영역에는 상기 절연부(240)를 두께방향으로 관통하여 상기 제1 전극지(211)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제1 도전성 비아(213) 및 상기 제2 전극지(231)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제2 도전성 비아(233)가 형성되는 형태로 제공될 수 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 제1 및 제2 전극지(211, 231)는 상부까지 상기 절연부(240)로 완전히 덮혀 절연될 수 있고, 다만 상기 제1 및 제2 도전성 비아(213, 233)를 통하여서 제1 및 제2 전극 패드(212, 232)와 각각 연결될 수 있을 것이다. 이와 같이 제1 및 제2 도전성 비아(213, 233)를 형성하는 구성은, 반드시 이에 한정하는 것은 아니지만, 각각 복수개의 제1 및 제2 전극지(211, 231)를 형성하는 경우에 특히 의미가 있으며, 이에 관하여 상세한 설명은 후술한다.
도3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도3을 참조하면, 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자는, 제2 전극지(331)가 제2 도전형 반도체층(330)과 직접 접하지 않고 사이에 투명 전극층(350)을 포함한다는 점을 제외하고는 상기 도1a 및 도1b를 참조하여 설명한 실시 형태의 반도체 발광 소자와 동일하다.
이 경우, 상기 투명 전극층(350)은 투광성을 갖는 소재, 예를 들어 ITO(Indium Thin Oxide)를 포함하는 다양한 소재로 형성될 수 있으며, 그밖에 광투과율이 높으면서 전기 전도성이 우수하여 제2 도전형 반도체층 전면으로 전류 확산이 용이한 다양한 소재로 형성될 수 있을 것이다.
도4a 내지 도4e는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 사시도, 평면도 및 단면도이다. 이 경우, 도4c, 도4d 및 도4e는 도4b에서 각각 AA' BB' 및 CC'의 단면을 나타낸다.
도4a 내지 도4e를 함께 참조하면, 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자는, 교호 배치되는 스트라이프 형상을 갖는 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층(410)과, 상기 제2 영역상에 배치된 활성층(420)과, 상기 활성층상에 배치된 제2 도전형 반도체층(430)과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(410, 430) 상에 각각 배치되는 제1 및 제2 전극지(411, 431)와, 상기 제1 전극지(411)와 전기적으로 연결되되 상기 제1 도전형 반도체층(410)과 이격되어 배치되는 제1 전극 패드(412)와, 상기 제2 전극지(431)와 전기적으로 연결되되 상기 제2 도전형 반도체층(430)과 이격되어 배치되는 제2 전극 패드(432) 및, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(410, 430) 상에 형성되는 절연부(440)를 포함하고, 상기 절연부는 상기 제1 및 제2 전극지(411, 431)의 상부를 덮어 절연하되, 상기 절연부(440)의 일부 영역에는 상기 절연부(440)를 두께방향으로 관통하여 상기 제1 전극지(411)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제1 도전성 비아(413) 및 상기 제2 전극지(431)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제2 도전성 비아(433)가 형성되며, 제1 및 제2 전극지(411, 431)는 서로 평행하게 직선형태를 이루며 동일 간격으로 교호 배치되고, 상기 제1 전극 패드(412)로부터 연장되어 상기 절연부(440) 상면을 따라 상기 제1 도전성 비아(413)까지 연장되는 제1 연결부(414) 및 상기 제2 전극 패드(432)로부터 연장되어 상기 절연부 상면을 따라 상기 제2 도전성 비아(433)까지 연장되는 제2 연결부(434)를 갖는 전체적인 구성으로 제공될 수 있다.
즉, 본 실시 형태에서는, 다수의 제1 및 제2 전극지(411, 431)가 교호 배치되는 형태로 제공될 수 있다. 이하에서는 도면을 참조하여 본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광소자의 각 구성 요소 및 그 결합관계를 구체적으로 설명한다.
본 실시 형태의 경우, 상기 제1 및 제2 영역상에 각각 형성된 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 요부 및 철부를 이루면서 번갈아 반복되는 스트라이프 형상의 요철 구조를 가질 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 전극지(411, 431)는 상술한 바와 같이 각각 제 1 및 제 2 도전형 반도체층(410, 430)과 전기적으로 연결되며, 스트라이프 형상을 이루면서 교호 배치된 형태로 제공될 수 있다. 이와 같은 구조를 취함으로서, 상기 제1 및 제2 전극지(411, 431)간의 간격을 일정하게 할 수 있으며, 실시 형태에 따라, 더 많은 수의 제1 및 제2 전극지(411, 431)를 배치하여 전극지간의 간격을 더욱 가깝게 할 수 있다. 따라서, 전극지를 통하여 전류가 인가되는 경우 전극지와 전기적으로 연결된 제 1 및 제 2 도전형 반도체층(410, 430) 내부의 전류 흐름은, 어느 한 곳으로 집중되지 않고 제 1 및 제 2 전극지(411, 431)사이의 영역에서 균일하게 확산될 수 있다.
상기 절연부(440)의 일부 영역에는, 상기 절연부(440)를 두께방향으로 관통하여 상기 제1 전극지(411) 각각과 전기적으로 연결되는 복수의 제1 도전성 비아(413) 및 상기 제2 전극지(431) 각각과 전기적으로 연결되는 복수의 제2 도전성 비아(433)가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 절연부(440)의 상면은 직사각형을 이루며, 상기 제1 및 제2 도전성 비아(413, 433)는 상기 절연부(440)를 상면에서 보았을때 그 일측 변과, 상기 일측 변과 대향하는 타측 변에 인접하여 각각 배치될 수 있다. 즉, 도4b 에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 각 변을 따라 길이방향으로 형성될 수 있다. 이와 같이 함으로서, 상기 제1 도전성 비아(413)와 상기 제2 도전성 비아(433)를 서로 최대한 이격시키는 것이 가능하고, 따라서 전류분산효과의 향상이 가능하다.
또한, 상기 제1 및 제2 도전성 비아(413, 433)는 각각 상기 제1 전극 패드(412)로부터 연장되어 상기 절연부(440) 상면을 따라 상기 제1 도전성 비아(413)까지 연장되는 제1 연결부(414) 및 상기 제2 전극 패드(432)로부터 연장되어 상기 절연부(440) 상면을 따라 상기 제2 도전성 비아(433)까지 연장되는 제2 연결부(434)와 전기적으로 연결될 수 있을 것이다. 이 경우 상술한 바와 같이 상기 복수의 제1 및 제2 도전성 비아(413, 433)가 상기 각 변을 따라 길이방향으로 형성되는 경우에는 그 형성 방향을 따라 제1 및 제2 연결부(414, 434)가 연장되어 상기 복수의 제1 및 제2 도전성 비아(413, 433)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 제1 및 제2 전극 패드(412, 432)와 제1 및 제2 도전성 비아(413, 433)간의 연결을 새로운 구성요소인 제1 및 제2 연결부(414, 434)에 의함으로써, 상기 제1 및 제2 패드(412, 432)는 상기 제1 및 제2 전극지(411, 431)마다 구비될 필요 없이 상기 제1 및 제2 연결부(414, 434)를 통하여 전기적인 연결을 이룰 수 있으며, 특히 도1a 내지 도3에서 설명한 구성에서와 같이 상기 제1 및 제2 전극지(411, 431) 상부에 배치됨에 한정되지 않고, 절연부(440) 상부 영역이라면 실시 형태에 따라 그 배치되는 위치를 다양하게 선택할 수 있을 것이다.
상기 제1 및 제2 전극 패드(412, 432)는 실시 형태에 따라 하나, 또는 다수개 형성될 수 있으며, 본 실시 형태에서는 하나의 제1 전극 패드(412)와 두 개의 제2 전극 패드(432)가 배치된 구성을 예시하였다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 전극 패드(412, 432)는 직사각형 형상을 가지는 상기 절연부(440) 상면에서 서로 대향하는 변에 인접하여 각각 형성되며, 특히 제1 전극 패드(412)는 상기 2 개의 제2 전극 패드(432)로부터 이격된 거리가 동일한 지점에 위치함으로써 전류분산을 더욱 효과적으로 할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 서술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 점은 당 기술분야의 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명할 것이다.
110, 210, 310, 410: 제1 도전형 반도체층
111, 211, 311, 411: 제1 전극지
112, 212, 312, 412: 제1 전극 패드
213, 413: 제1 도전성 비아
414: 제1 연결부
120, 220, 320, 420: 활성층
130, 230, 330, 430: 제2 도전형 반도체층
131, 231, 331, 431: 제2 전극지
132, 232, 332, 432: 제2 전극 패드
233, 433: 제2 도전성 비아
434: 제2 연결부
140, 240, 340, 440: 절연부
350: 투명 전극층

Claims (10)

  1. 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제2 영역 상에 배치된 활성층;
    상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 및 제2 전극지;
    상기 제1 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제1 전극지 상에 배치된 제1 전극 패드;
    상기 제2 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제2 전극지 상에 배치된 제2 전극 패드; 및
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 절연부;
    를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 전극지의 두께는 상기 제1 및 제2 전극지의 상면이 상기 절연부 상에 돌출되도록 상기 절연부의 두께보다 크며, 상기 제1 및 제2 전극지의 폭은 상기 제1 및 제2 전극 패드의 폭보다 작은 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극 패드는 상기 절연부의 상면에서 서로 대향하는 각 모서리에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극 패드는 각각 하나의 제1 전극 패드와 2개의 제2 전극 패드로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극 패드는 직사각형 형상을 가지는 상기 절연부의 상면에서 서로 대향하는 변에 인접하여 각각 형성되며, 상기 제1 전극 패드는 상기 2개의 제2 전극 패드로부터 동일한 거리로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 상면에 배치되는 투명전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전극지는 상기 투명전극층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 투명전극층의 폭은 상기 제1 및 제2 전극지의 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 투명전극층의 폭은 상기 제1 및 제2 전극 패드의 폭 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극지는 각각 서로 평행한 직선 형태를 가지며 동일한 간격으로 교호 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제2 영역 상에 배치된 활성층;
    상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 투명전극층;
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 투명전극층 상에 각각 배치된 제1 및 제2 전극지;
    상기 제1 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제1 전극지 상에 배치된 제1 전극 패드;
    상기 제2 전극지와 직접 접하여 전기적으로 연결되며 상기 제2 전극지 상에 배치된 제2 전극 패드; 및
    상기 제1 및 제2 전극지와 상기 투명전극층을 덮는 절연부;
    를 포함하며,
    상기 투명전극층의 폭은 상기 제2 전극지의 폭보다 크며, 상기 제2 전극 패드의 폭보다 작은 반도체 발광 소자.
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