JP2012039118A - チップパッケージを補強するシステム及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
チップパッケージを補強するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】
この開示に係る一部の実施形態によって提供されるチップパッケージは、チップ、基板、及び該チップと該基板との間に配置された相互接続層を含み得る。一部の実施形態において、相互接続層は、前記チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクト104Aのアレイと、該結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクト104Bとを含み得る。
【選択図】 図2A

Description

この開示は、チップパッケージングに関し、より具体的には補強インターコネクトを用いてチップパッケージを補強するシステム及び方法に関する。
チップパッケージングは、チップ又はダイを保護するために使用され、電気的な接続を提供するとともに、過剰な熱に対する熱経路を提供する。近年、チップをパッケージングするためにプラスチックパッケージが用いられるようになっている。それは、プラスチックパッケージは従来のセラミックパッケージと比較して低コストであるためである。しかしながら、プラスチックパッケージは、より高い熱膨張係数(CTE)を有し、チップに関連する特定の問題を生じさせ得る。例えば、チップとプラスチックパッケージとが接合されるとき、チップとパッケージとのCTEミスマッチ(不整合)がチップとプラスチックパッケージとの間の領域(例えば、はんだバンプ及びオンチップ・インターコネクト)に局所的な応力を生じさせると、チップ−パッケージ相互作用(chip package interaction;CPI)が起こり得る。ダイの中心からの距離が最長で累積的な変位が最大となる箇所であるダイのコーナー部及び周辺領域の付近では、反り、剥離及びクラックが観測されている。
この開示に係る実施形態により、チップパッケージを補強するシステム及び方法が提供される。
この開示に係る一部の実施形態によれば、チップパッケージが提供される。当該チップパッケージは、チップ、基板、及び該チップと該基板との間に配置された相互接続層を含み得る。一部の実施形態において、相互接続層は、前記チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクトのアレイと、該結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトとを含み得る。
この開示に係る他の実施形態によれば、相互接続層が提供される。当該相互接続層は、チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクトのアレイと、該結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトとを含み得る。
この開示に係る特定の実施形態によれば、チップパッケージを補強する方法が提供される。当該方法は、結合インターコネクトアレイの最も外側の行の一部の周りに補強インターコネクトの行を設けるステップと、補強インターコネクトの行を備えた前記チップパッケージの応力を決定するステップと、決定された応力が所定の応力レベルを上回るかを決定するステップと、決定された応力が所定の応力レベルを上回る場合に補強インターコネクトの行を調整するステップとを含み得る。
以下の図を含む図面とともに以下の詳細な説明を参照することにより、この開示に係る実施形態及びその利点の一層完全なる理解が得られる。図面において、似通った参照符号は同様の特徴を指し示す。
この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを含むチップパッケージ内のレイヤ群を示す切断図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層を示す上面図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層を示す上面図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層を示す上面図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層を示す上面図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層を示す上面図である。 この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを配置する方法例を示すフローチャートである。
好適な実施形態及びその利点は、同様且つ対応する部分を指し示すために類似の参照符号を用いた図1−3を参照することによって十分に理解される。
図1は、この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを含むチップパッケージ100内のレイヤ(層)群を部分的に切断して示している。チップパッケージ100は、チップ102の電気的な接続及び/又は機械的な接続を提供するプラスチック・ボールグリッドアレイ(PBGA)型パッケージとし得る。チップパッケージは、チップ102、インターコネクト(相互接続)104及び110、基板106、並びに印刷回路基板108を含み得る。
ダイとも呼ばれるチップ102は、集積回路、微小電気機械システム(MEMS)又はその他の回路とし得る。チップ102は、インターコネクト104を用いてプラスチック基板106にマウントされ得る。例えば、チップ102は、“フリップチップ”として知られる技術を用いて、チップ102の頂面側が基板106の方を向くように“裏返し”にされてもよい。アレイ状に配置された複数のはんだボールとし得るインターコネクト104が加熱されて、このマウントプロセスが完了される。なお、インターコネクト104は、どのような好適なやり方で配設されてもよい。また、チップ102を基板106に結合するために、その他のマウント技術(例えば、ワイヤボンディング)が用いられてもよい。
チップ102及び基板106は、印刷回路基板(PCB)108に通信可能に結合され得る。PCB108はその表面に、インターコネクト104に合致するようにパターニングされた一組の銅パッドを含み得る。例えば標準的なマウント技術を用いて、基板106上のチップ102はPCB108の銅パッド上に位置付けられ得る。例えばアレイ状に配置されたはんだボールとし得るインターコネクト110が、銅パッド上に置かれ、チップ102及び基板106をPCB108に接合するために加熱され得る。
インターコネクト104及びインターコネクト110は、上述のようにはんだボールを含んでいてもよいし、チップ102からPCB108に電気信号を導通させるために使用されるその他の金属物質を含んでいてもよい。インターコネクト104がリフロー炉内で、あるいは赤外線ヒータによっての何れかで加熱されるとき、インターコネクト104は溶融する。表面張力によって、溶融したはんだは、インターコネクトが冷えて凝固する間、チップ102及び基板106をPCB108に位置整合させて正確な離隔距離で保持する。
一部の実施形態において、インターコネクト104は、結合(ボンディング)インターコネクトと、例えばチップ102と基板106との間の機械的応力又は熱機械応力による応力を緩和するように構成された補強インターコネクトとを含み得る。補強インターコネクトは電気的な機能を提供しなくてもよいが、一部の実施形態において、補強インターコネクトは結合インターコネクトと同じ材料で形成され得る。以下、補強インターコネクトの詳細について、図2A−2Eを参照して説明する。
図2Aは、この開示に係る特定の実施形態に従った補強インターコネクトを有する相互接続層200Aの上面図を示している。相互接続層200Aは、チップ102と基板106との間に配置された層とすることができ、インターコネクト104を含み得る。一部の実施形態において、インターコネクト104は結合インターコネクト104A及び補強インターコネクト104Bを含み得る。
結合インターコネクト104Aは、チップ102とPCB108との間の電気接続を提供するのに適したピッチでアレイ状に配置された複数のはんだボール又ははんだバンプを含み得る。一部の実施形態において、結合インターコネクト104Aはボールグリッドアレイとして構成される。
補強インターコネクト104Bは、結合インターコネクト104Aと同じ材料で作られていてもよく、チップ102とプラスチック基板106との間に一般的に見られる熱機械応力及び/又は機械的応力を抑制且つ/或いは実質的に排除するように構成され得る。例えば、補強インターコネクト104Bは、チップ102とPCB108との間の電気接続を提供する結合インターコネクト104A上の応力を低減し得る。
図2Aに示すように、最も外側の行及び/又は列の結合インターコネクト104Aの周りに、2つの行を成す補強インターコネクト104Bが配置され得る。図2Aは最外縁の結合インターコネクト104Aを完全に包囲する2行の補強インターコネクト104Bを示しているが、如何なる行数の補強インターコネクト104Bが、最も外側の行の結合インターコネクト104Aの周りに配置されてもよい。
一部の実施形態において、補強インターコネクト104Bは、最も外側の行の結合インターコネクト104Aの複数の特定部分の周りに配置されてもよい。例えば、図2Bを参照するに、相互接続層200Bのコーナー部の周りに置かれた2行の補強インターコネクト104Bが示されている。補強インターコネクト104Bの行は、基板106と接合されるときチップ102のコーナー部と重なり得る。層200Bのコーナー部は、チップ102と接合されるとき、層200Bのその他の部分より大きい熱機械応力及び/又は機械的応力を被り得るので、1行以上の補強インターコネクト104Bを導入することにより、結合インターコネクト104Aへの応力が最小化あるいは実質的に排除され得る。同一あるいは代替的な実施形態において、補強インターコネクト104Bは、チップ102がPCB108と結合されたときに欠陥又は一層大きい応力負荷を生じる傾向にある領域と一致するような、相互接続層200Bのその他の部分に置かれてもよい。なお、補強インターコネクト104Bの行数は、相互接続層200Bの特定の部分で変更されてもよい。例えば、層200Bのコーナー部の周りには、その他の部分と比較して多い行の補強インターコネクト104Bが存在していてもよい。一部の実施形態において、補強インターコネクト104Bの行数は、相互接続層200Bの複数の部分にわたって同一であってもよい。
他の実施形態において、補強インターコネクト104Bは様々なピッチ及び/又は間隔で配置され得る。図2C及び2Dを参照するに、補強インターコネクト104Bの間隔の例が示されている。図2Cにおいて、補強インターコネクト104Bは、相互接続層200Cのコーナー部の周りに1:1の比で配置され得る(コーナー部に近接する相互接続層の全ての行及び/又は列が少なくとも1つの補強インターコネクト104Bを含み得ることを意味する)。同一あるいは代替的な実施形態において、補強インターコネクト104Bは、コーナー部に近接しない位置では、相互接続層200Cの最も外側の行及び/又は列の周りに1:2の比で間隔を設けられ得る(相互接続層200Cの1つおきの行及び/又は列が少なくとも1つの補強インターコネクト104Bを含み得ることを意味する)。図2Dにおいては、補強インターコネクト104Bは、相互接続層200Dのコーナー部の周りに同様に配置され、コーナー部に近接しない位置では、相互接続層200Dの最も外側の行及び/又は列の周りに1:4に比で間隔を設けられ得る(相互接続層200Dの3つおきの行及び/又は列が少なくとも1つの補強インターコネクト104Bを含み得ることを意味する)。なお、チップパッケージ100の設計基準に応じて、例えば1:8の比、1:6の比、2:3の比、3:4の比などといった、その他の間隔比も使用され得る。
図2C及び2Dは、例えば各補強インターコネクト104Bの間を或る一定の間隔として、相互接続層200の1つの部分にわたって一定間隔で補強インターコネクト104Bを配置する例を示している。一部の実施形態において、一定間隔で離隔することは、相互接続層200全体の周辺部で行われてもよい。同一あるいは代替的な実施形態において、一定間隔で離隔することは、相互接続層200の特定の部分で行われてもよい。例えば、図2C及び2Dにおいて、一定間隔とすることは、相互接続層200のコーナー部に関係しない相互接続部分でのこととされてもよい。
一部の実施形態において、補強インターコネクト104Bは徐々に間隔を広げられ得る。図2Eに示すように、補強インターコネクト104Bは、相互接続層200のコーナー部の周りで密に配置され、最も外側の行の周りで相互接続層全体にわたって徐々に間隔を広げられてもよい。一部の実施形態において、図2Eに示したレイアウトは、例えばコーナー部といった必要領域を補強しながら、配線能力を高めることを可能にし得る。具体的には、このように補強インターコネクト104Bの間隔を徐々に広げることは、電気相互接続がチップパッケージの中央部で比較的高密度に行われ且つ周辺部で比較的低密度に行われる場合に、相互接続配線の“ファンアウト(広がり)”を提供し得る。
一部の実施形態において、補強インターコネクト104Bの間隔は、少なくとも所定の応力レベル(例えば、チップパッケージ100の製造者によって決定される)に基づき得る。この所定の応力レベルは、ダメージ(例えば、熱機械応力及び/又は機械的応力によって1つ以上のインターコネクト104Aが破断すること)を生じることなくチップ102が基板106に結合されることを保証する値とし得る。
図3は、この開示に係る特定の実施形態に従った相互接続層200上に補強インターコネクトを配置する方法300の一例のフローチャートを示している。一部の実施形態において、方法300は、方法300を実行するように動作可能な如何なる処理システムを用いて実行されてもよい。特定の実施形態において、方法300は、有形のコンピュータ読み取り可能媒体に埋め込まれたソフトウェアにて、部分的あるいは完全に実行され得る。この開示の目的において、有形コンピュータ読み取り可能媒体は、或る期間にわたってデータ及び/又は命令を保持し得る如何なる手段及び/又は複数の手段の集合体をも含み得る。例えば、有形コンピュータ読み取り可能媒体は、以下に限られないが、例えば直接アクセス記憶装置(例えば、ハードディスクドライブ又はフロッピー(登録商標)ディスク)、順次アクセス記憶装置(例えば、テープディスクドライブ)、コンパクトディスク、CD−ROM、DVD、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、電気的消去・プログラマブル可能読み出し専用メモリ(EEPROM)、フラッシュメモリ、及び/又はデータや命令を保持するように構成されたその他の好適媒体などの記憶媒体を含み得る。一部の実施形態において、チップ100は、少なくとも方法300に実行に基づいて製造されてもよい。
同一あるいは代替的な実施形態において、チップ100は方法300のステップ群を用いて製造され得る。例えば、チップ100は、熱機械応力及び/又は機械的応力を低減且つ/或いは実質的に排除するための補強インターコネクト104Bの行数、位置及び/又は間隔を決定するために使用されるテストチップであってもよい。
ステップ302にて、結合インターコネクト104Aの最外縁の周りに1行の補強インターコネクト104Bが配置され得る。一部の実施形態において、この補強インターコネクト104Bの行は、結合インターコネクト104Aの最も外側の行及び/又は列の周りの最初の行であり得る。代替的に、この補強インターコネクト104Bの行は、結合インターコネクト104Aの最外縁を囲む補強インターコネクト104Bの更なる行/列であってもよい。
補強インターコネクト104Bは、相互接続層200の一部の周りに配置されてもよい。例えば、補強インターコネクト104Bは、接合時にチップ102及び基板106のコーナー部の縁部に対応することとなる相互接続層200のコーナー部の周りに配置されてもよい。同一あるいは代替的な実施形態において、補強インターコネクト104Bは、結合インターコネクト104Aの最外縁の一部又は全体の周りに、一定の間隔又は漸進的に変化する間隔で配置され得る。
ステップ304にて、方法300は、追加の補強インターコネクトの行が、少なくともチップパッケージ100、チップ102及び/又は基板106の大きさに基づいて決定される値であるリアルエステート(配設面積)限界を超過することになるかを決定し得る。例えば、補強インターコネクトの行数は、チップ102が基板106に接合されるときに確立される面積を超えることはできない。ステップ302で追加された行がリアルエステート限界を超える場合、方法300はステップ310へと進み得る。ステップ302で追加された行がリアルエステート限界を超えない場合には、方法300はステップ306へと進み得る。
ステップ306にて、追加された補強インターコネクト104Bを備えるチップパッケージの応力が決定される。チップパッケージ100の応力を決定するために、例えば、加速熱サイクル(accelerated thermal cycling;ATC)試験、振動試験、熱衝撃試験、及び/又は高加速応力試験(highly accelerated stress test;HAST)などの試験が用いられ得る。
ステップ308にて、方法300は、決定されたチップパッケージ100の応力が所定の応力レベルを超過するかを決定し得る。決定されたチップパッケージ100の応力が所定の応力レベルを下回る場合、方法300はステップ302へと進んで、(必要な場合に)更なる補強インターコネクト104Bを追加し得る。決定されたチップパッケージ100の応力が所定の応力レベルを上回る場合、方法300はステップ310へと進み得る。
ステップ310にて、チップパッケージ100の応力を所定の応力レベル未満まで低下させるよう、且つ/或いはリアルエステート限界内に適合させるよう、補強インターコネクト104Bが調整され得る。一部の実施形態において、補強インターコネクトの行数が変更され得る。例えば、ステップ304でリアルエステート限界が超過された場合、少なくとも1行の補強インターコネクトが除去され得る。他の一例として、決定された応力が所定の応力レベルより大きい場合、1行以上の補強インターコネクト104Bが追加され得る。
同一あるいは代替的な実施形態において、補強インターコネクト104Bを調整することは、補強インターコネクト104Bの間隔を調整することを含み得る。例えば、リアルエステート限界のために更なる行の補強インターコネクト104Bが可能でない状況において、補強インターコネクト104Bの間隔が変更され得る。一例として、補強インターコネクト104Bの間隔は、一定間隔から、漸進的に変化する間隔へと変更され得る。代替的に、補強インターコネクト104Bの間隔は、例えば(図2Dに示したような)1:4の比から(図2Aに示したような)1:1の比又はその他の好適な比へと変更されてもよい。
同一あるいは代替的な実施形態において、補強インターコネクト104Bを調整することは、補強インターコネクト104Bの位置を変更することを含んでもよい。例えば、補強インターコネクト104Bは、ステップ306で観測された応力を被っている領域に置かれてもよい。
補強インターコネクト104Bに対する調整が行われると、続いて、方法300はステップ304へと進み、該調整がリアルエステート限界を超えるかを決定し、且つ該調整がチップパッケージ100の応力を改善且つ/或いは低減したかを決定するために更なる応力試験が実行され得る(ステップ306)。
この開示に係るシステム及び方法は、補強インターコネクト104Bを付加することで結合インターコネクト104Aへの応力を低減することによって、歩留まりを向上させ得る。補強インターコネクトは、標準プロセスと業界で入手可能な材料とを用いて製造され得る。例えば、補強インターコネクトは、追加の製造工程を付加することなく、結合インターコネクトと同じ工程で製造されることができる。
以上にて詳述したが、理解されるように、この開示には、請求項によって定められる本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、様々な変形、代用及び改変が為され得る。
以上の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
チップ、基板、及び前記チップと前記基板との間に配置された相互接続層を有するチップパッケージであって、
前記相互接続層は、
前記チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供する結合インターコネクトのアレイと、
前記結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトと
を有する、チップパッケージ。
(付記2)
前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行のコーナー部の周りに配置されている、付記1に記載のチップパッケージ。
(付記3)
前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の周りで、行を成すように配置されている、付記1に記載のチップパッケージ。
(付記4)
前記行を成すように配置された前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の一部の周りで、一定間隔で配置されている、付記3に記載のチップパッケージ。
(付記5)
前記行を成すように配置された前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の一部の周りで、前記結合インターコネクトのアレイのコーナー部からの距離が増大するにつれて徐々に増大する間隔で配置されている、付記3に記載のチップパッケージ。
(付記6)
前記補強インターコネクトは、前記チップと前記印刷回路基板との間での電気通信を提供しない、付記1に記載のチップパッケージ。
(付記7)
前記結合インターコネクトのアレイはボールグリッドアレイである、付記1に記載のチップパッケージ。
(付記8)
前記結合インターコネクト及び前記補強インターコネクトははんだボールを有する、付記1に記載のチップパッケージ。
(付記9)
チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクトのアレイと、
前記結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトと
を有する相互接続層。
(付記10)
前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行のコーナー部の周りに配置されている、付記9に記載の相互接続層。
(付記11)
前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の周りで、行を成すように配置されている、付記9に記載の相互接続層。
(付記12)
前記行を成すように配置された前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の一部の周りで、一定間隔で配置されている、付記11に記載の相互接続層。
(付記13)
前記行を成すように配置された前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の一部の周りで、前記結合インターコネクトのアレイのコーナー部からの距離が増大するにつれて徐々に増大する間隔で配置されている、付記11に記載の相互接続層。
(付記14)
前記補強インターコネクトは、前記チップと前記印刷回路基板との間での電気通信を提供しない、付記9に記載の相互接続層。
(付記15)
前記結合インターコネクトのアレイはボールグリッドアレイである、付記9に記載の相互接続層。
(付記16)
前記結合インターコネクト及び前記補強インターコネクトははんだボールを有する、付記9に記載の相互接続層。
(付記17)
チップパッケージを補強する方法であって、
結合インターコネクトアレイの最も外側の行の一部の周りに補強インターコネクトの行を設け、
前記補強インターコネクトの行を備えた前記チップパッケージの応力を決定し、
決定された応力が所定の応力レベルを上回るかを決定し、且つ
前記決定された応力が前記所定の応力レベルを上回る場合に、前記補強インターコネクトの行を調整する、
ことを有する方法。
(付記18)
設けられた前記補強インターコネクトの行が配設面積閾値を超過するかを決定し、且つ
設けられた前記補強インターコネクトの行が前記配設面積閾値を超過する場合に、前記補強インターコネクトの行を調整する、
ことを更に有する付記17に記載の方法。
(付記19)
前記補強インターコネクトの行を調整することは、
該行内で前記補強インターコネクトの間隔を調整すること、及び
該行の配置を、前記結合インターコネクトアレイの前記最も外側の行の周りで調整すること
のうちの少なくとも一方を有する、付記17に記載の方法。
(付記20)
前記結合インターコネクトアレイの前記最も外側の行の一部の周りに前記補強インターコネクトの行を設けることは、前記結合インターコネクトアレイのコーナー部の周りに前記補強インターコネクトの行を設けることを有する、付記17に記載の方法。
(付記21)
前記結合インターコネクトアレイの前記最も外側の行の一部の周りに前記補強インターコネクトの行を設けることは、前記補強インターコネクトの行を、前記結合インターコネクトのアレイのコーナー部からの距離が増大するにつれて徐々に増大する間隔で設けることを有する、付記17に記載の方法。
(付記22)
前記結合インターコネクトアレイの前記最も外側の行の一部の周りに前記補強インターコネクトの行を設けることは、前記補強インターコネクトの行を一定間隔で設けることを有する、付記17に記載の方法。
100 チップパッケージ
102 チップ
104A 結合インターコネクト
104B 補強インターコネクト
106 基板
108 プリント回路基板
110 インターコネクト
200 相互接続層

Claims (7)

  1. チップ、基板、及び前記チップと前記基板との間に配置された相互接続層を有するチップパッケージであって、
    前記相互接続層は、
    前記チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供する結合インターコネクトのアレイと、
    前記結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトと
    を有する、チップパッケージ。
  2. 前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行のコーナー部の周りに配置されている、請求項1に記載のチップパッケージ。
  3. 前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の周りで、行を成すように配置されている、請求項1に記載のチップパッケージ。
  4. 前記行を成すように配置された前記補強インターコネクトは、前記結合インターコネクトのアレイの前記最も外側の行の一部の周りで、前記結合インターコネクトのアレイのコーナー部からの距離が増大するにつれて徐々に増大する間隔で配置されている、請求項3に記載のチップパッケージ。
  5. 前記補強インターコネクトは、前記チップと前記印刷回路基板との間での電気通信を提供しない、請求項1乃至4の何れか一項に記載のチップパッケージ。
  6. チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクトのアレイと、
    前記結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクトと
    を有する相互接続層。
  7. チップパッケージを補強する方法であって、
    結合インターコネクトアレイの最も外側の行の一部の周りに補強インターコネクトの行を設け、
    前記補強インターコネクトの行を備えた前記チップパッケージの応力を決定し、
    決定された応力が所定の応力レベルを上回るかを決定し、且つ
    前記決定された応力が前記所定の応力レベルを上回る場合に、前記補強インターコネクトの行を調整する、
    ことを有する方法。
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