JP2012038984A - 半導体結合超伝導三端子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるInGaAs層とソース電極となる第1のMgB2超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のMgB2超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のInGaAs層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、MgB2超伝導電極層1,2とInGaAsチャネル層6との層間にAu層6が挿入された。
【選択図】図1
Description
超伝導電流のチャネル層となるInGaAs層とソース電極となる第1のMgB2超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のMgB2超伝導電極層とその二つの超伝導電極層間のInGaAs層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、
前記MgB2超伝導電極層と前記InGaAsチャネル層との層間にAu層が挿入された
ことを特徴とする。
第1の発明に係る半導体結合超伝導三端子素子であって、
前記第三電極は前記基板の下に設けられる
ことを特徴とする。
第1の発明に係る半導体結合超伝導三端子素子であって、
前記チャネル層の下にキャリア供給層が設けられる
ことを特徴とする。
本発明に係る半導体結合超伝導三端子素子について、各実施例にて詳細に説明する。
2 MgB2超伝導電極層(ドレイン電極)
3 金属ゲート電極(第三電極)
4 Au挿入層
5 ゲート絶縁層
6 n型InGaAsチャネル層
7 半絶縁性InP基板
10 半導体結合超伝導三端子素子
20 半導体結合超伝導三端子素子
21 p型InP基板
22 p型InGaAs層
23 金属ゲート電極
30 半導体結合超伝導三端子素子
31 InAlAsバッファ層
32 n型InAlAsキャリア供給層
33 InAlAsスペーサ層
34 InGaAsチャネル層
35 InAlAsゲートコンタクト層
36 金属ゲート電極
37 二次元電子ガス
Claims (3)
- 超伝導電流のチャネル層となるInGaAs層とソース電極となる第1のMgB2超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のMgB2超伝導電極層とその二つの超伝導電極層間のInGaAs層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、
前記MgB2超伝導電極層と前記InGaAsチャネル層との層間にAu層が挿入された
ことを特徴とする半導体結合超伝導三端子素子。 - 請求項1に記載の半導体結合超伝導三端子素子であって、
前記第三電極は前記基板の下に設けられる
ことを特徴とする半導体結合超伝導三端子素子。 - 請求項1に記載の半導体結合超伝導三端子素子であって、
前記チャネル層の下にキャリア供給層が設けられる
ことを特徴とする半導体結合超伝導三端子素子。
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WO2006101255A1 (ja) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Incorporated National University Iwate University | 超伝導硼化マグネシウム薄膜及びその製造方法 |
JP2009224390A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導量子干渉素子 |
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2010
- 2010-08-10 JP JP2010179169A patent/JP5134053B2/ja not_active Expired - Fee Related
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