JP2012027226A5

JP2012027226A5 -

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Publication number: JP2012027226A5
Application number: JP2010165630A
Authority: JP
Filing date: 2010-07-23
Publication date: 2013-08-29

Description

本発明の干渉フィルターは、ギャップを介して対向する２つの反射膜を備え、前記反射膜は、
銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）を含有するＡｇ−Ａｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ａｕ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｐ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｐ−Ｉｎ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、テルル（Ｔｅ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｔｅ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、ガリウム（Ｇａ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金膜、及び
銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、及びスズ（Ｓｎ）を含有するＡｇ−Ｉｎ−Ｓｎ合金膜、
のいずれかを含むことを特徴とする。

本発明において、前記反射膜は、単層膜であることが好ましい。

この発明によれば、反射膜は、単層膜なので、反射膜は、可視光波長範囲の内、広い波長域で高い反射率を示す。なお、本発明において、可視光波長範囲は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲とする。

本発明の分析装置は、上記干渉フィルターと、この干渉フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、備えたことを特徴とする。

ここで、分析装置としては、上記干渉フィルターおよび検出部により検出された光の光量に基づいて、干渉フィルターに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この発明によれば、上述したように、上記干渉フィルターおよび検出部により、所望波長の光の正確な光量を検出できるため、分析装置では、このような正確な光量に基づいて、正確な分析処理を実施できる。

Claims

ギャップを介して対向する２つの反射膜を備え、
前記反射膜は、
銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）を含有するＡｇ−Ａｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ａｕ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｐ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｐ−Ｉｎ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、テルル（Ｔｅ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｔｅ−Ｃｕ合金膜、
銀（Ａｇ）、ガリウム（Ｇａ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金膜、及び
銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、及びスズ（Ｓｎ）を含有するＡｇ−Ｉｎ−Ｓｎ合金膜、
のいずれかを含む
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜の厚さは、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１又は請求項２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記Ａｇ−Ａｕ合金膜は、Ａｕ含有量が０．１原子％以上１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｃｕ合金膜は、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ合金膜は、Ａｕ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ａｕ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜は、Ｓｉ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｓｉ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｐ−Ｃｕ合金膜は、Ｐ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｐ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｐ−Ｉｎ−Ｃｕ合金膜は、Ｐ含有量が０．１原子％以上であり、Ｉｎ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｐ、Ｉｎ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｔｅ−Ｃｕ合金膜は、Ｔｅ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｔｅ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金膜は、Ｇａ含有量が０．１原子％以上であり、Ｃｕ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｇａ及びＣｕの合計含有量が１０原子％以下であり、
前記Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎは、Ｉｎ含有量が０．１原子％以上であり、Ｓｎ含有量が０．１原子％以上であり、かつ、Ｉｎ及びＳｎの合計含有量が１０原子％以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項３までのいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜は、単層膜である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項３までのいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜を支持する基板を備え、
前記反射膜は、誘電体膜、及び前記合金膜を含み、
前記基板に対して、前記基板側から順に前記誘電体膜、及び前記合金膜が設けられ、
前記誘電体膜は、
酸化チタン（ＴｉＯ_２）の単層膜、又は
酸化チタン（ＴｉＯ_２）もしくは五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）もしくはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを積層させた多層膜である
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項５に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜は、前記誘電体膜、前記合金膜、及び保護膜を含み、
前記基板に対して、前記基板側から順に前記誘電体膜、前記合金膜、及び前記保護膜が設けられ、
前記保護膜は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、もしくはアルミナを含む
ことを特徴とする干渉フィルター。
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の干渉フィルターと、
この干渉フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、を備えた
ことを特徴とする光モジュール。
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の干渉フィルターと、
この干渉フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、
前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、
を備えた
ことを特徴とする分析装置。