JP7307978B2 - フィルター、その製造方法、表示装置及び色粉状体 - Google Patents

Description

本発明は、光学技術分野に関し、特に、フィルター、その製造方法、表示装置及び色粉状体に関する。

カラーフィルターは、カラーディスプレイ、発光ダイオード、画像センサー及び光学検出などの分野において、重要な役割を果たしている。従来のフィルターの場合には、化学発色剤や有機染料を用いて、可視光の一部を選択的に吸収して色を生成する。しかしながら、その吸収性のために、生成した色の輝度が十分でない。なお、従来のフィルターは、例えば、湿度、高温や紫外線による持続的な照射などの環境に由来する要素により影響され易いことから、その寿命が比較的短い。

ナノ構成である材料は、発展に伴い、フィルターにも用いられる。ナノ構成である材料は、可視光における特定の波長と作用し合い、鮮やかな色を生成する。しかしながら、これに基づいて生成した色が入射角及び偏光状態に伴い変化することがあり、つまり、角度に対しては、敏感性を有しており、ひいては、色の見え方に影響を与えることがある。現在、半導体材料と金属との界面で光が反射する時における特殊的な相変により、角度に対する敏感性を改良できるものの、半導体材料に吸収されることから、生成した色の純度が大幅に影響されてしまい、純度が比較的低い色を適用する範囲には、制限が存在している。

本発明は、反射される色の純度及び輝度を高めると共に、順逆両方向に同じ色を取得することができる、フィルター、その製造方法、表示装置及び色粉状体を提供することを目的とする。

本発明の第一局面によると、本発明がフィルターを提供する。当該フィルターは、金属層と、それぞれが対称に金属層の両側に設置される第一共振吸収層及び第二共振吸収層と、それぞれが対称に第一共振吸収層及び第二共振吸収層における金属層から離れた一方側に設置される第一反射防止層及び第二反射防止層とを含む。

本発明の第二局面によると、本発明がもう一つのフィルターを提供する。当該フィルターは、金属層と、順次に金属層に設置される共振吸収層及び反射防止層とを含み、共振吸収層には、半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、反射防止層には、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含む。

本発明の第三局面によると、本発明がフィルターの製造方法を提供する。当該方法には、基板に第一反射防止層、第一共振吸収層、金属層、第二共振吸収層及び第二反射防止層を順次に堆積することを含み、第一共振吸収層及び第二共振吸収層は、それぞれ、対称に、金属層の両側に設置され、第一反射防止層及び第二反射防止層は、それぞれ、対称に、第一共振吸収層及び第二共振吸収層における金属層から離れた一方側に設置される。

本発明の第四局面によると、本発明がもう一つのフィルターの製造方法を提供する。当該方法には、基板に、金属層、共振吸収層及び反射防止層を順次に堆積することを含み、共振吸収層には、半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、反射防止層には、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含む。

本発明の第五局面によると、本発明が表示装置を提供する。当該表示装置には、上記の第一局面又は第二局面のフィルターを含む。

本発明の第六局面によると、本発明が色粉状体を提供する。当該色粉状体には、第一局面又は第二局面のフィルターを粉砕して形成された色粉状体粒子を含む。

本発明は、その有益な効果が、対称に金属層に両側される第一共振吸収層及び第二共振吸収層、並びに、第一反射防止層及び第二反射防止層により、反射される色の純度及び輝度を高めると共に、順逆両方向に同じ色を取得することができるということを有している。

また、具体的な材料により、第一共振吸収層、第二共振吸収層、第一反射防止層及び第二反射防止層を製作すると、入射角に対して良い鈍感性を有している。つまり、反射する色が視野角に敏感でない。

本発明の一実施例によるフィルターの構成模式図である。 本発明の実施例によるフィルターを適用した実例及びその他のフィルターの反射スペクトルである。 本発明の実施例によるフィルターを適用した実例の位相分析の模式図である。 一次吸収共振及びゼロ次吸収共振に基づく反射及び吸収の模式図である。 本発明の実施例によるフィルターを適用した実例及びその他のフィルターのアドミタンス図である。 本発明の実施例によるフィルターを適用した実例について、そのシミュレーションと実際測定された反射・透過スペクトル、及び、色座標の模式図である。 本発明の実施例によるフィルターを適用した実例について、そのシミュレーションと実際測定されたものであって、入射角に伴い変化する反射スペクトル、及び、異なる入射角で生成した赤色の色座標の模式図である。 本発明のもう一つの実施例によるフィルターの構成模式図である。 本発明の一実施例によるフィルターを製造する方法のフローチャートである。 本発明のもう一つの実施例によるフィルターを製造する方法のフローチャートである。

当業者がより良く本発明の技術的手段を理解するように、以下において、図面及びその具体的な実施形態に基づいて、発明をさらに詳しく説明していく。

図１に示すのは、本発明の一実施例によるフィルターの構成模式図である。当該フィルター１００は、例えば、ディスプレイ、発光ダイオードなどの表示システムや表示装置に適用され得る。当該フィルター１００は、例えば、色粉状体という光学修飾にも適用され得る。当該フィルター１００は、可以被成色粉状体粒子に粉砕され、コーティング層として修飾待ちの物体表面に付着される。当該フィルター１００は、金属層１２０と、それぞれが対称に金属層１２０の両側に設置される第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂと、それぞれが対称に第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂにおける金属層１２０から離れた一方側に設置される第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂを含む。

可視光が当該フィルター１００を照射すると、色Ａとされるそのうちの一つの色が反射される。説明を簡便にするように、予め、当該フィルター１００の方向を設定し、第一反射防止層１４０ａの一端をフィルター１００の底部として設定し、第二反射防止層１４０ｂの一端をフィルター１００の先端として設定しておく。可視光がフィルター１００の先端から照射すると、第二共振吸収層１３０ｂにおいて吸収共振が励起されることから、ある種類の不要な波長の反射が明らかに抑えられる。第二反射防止層１４０ｂは、反射防止共振を生成することにより、残りの反射を一層に抑え、ある種類の不要な波が金属層１２０に到着すると、金属層１２０に固有の吸収特性により、一部の不要な波長を吸収する。また、金属層１２０を通過して金属層１２０の底部まで透過すると、第一共振吸収層１３０ａ及び第一反射防止層１４０ａは、透過を励起することにより、一層に、不要な波の反射を抑え、反射された色の純度が高まる。一方、可視光がフィルター１００の底部から照射すると、第一共振吸収層１３０ａにおいて吸収共振が励起されることから、ある種類の不要な波長の反射が明らかに削減される。第一反射防止層１４０ａは、反射防止共振を生成することにより、残りの反射を一層に抑え、ある種類の不要な波が金属層１２０に到着すると、金属層１２０に固有の吸収特性により、一部の不要な波長を吸収する。また、金属層１２０を通過して金属層１２０の先端まで透過すると、第二共振吸収層１３０ｂ及び第二反射防止層１４０ｂは、透過を励起することにより、一層に、不要な波の反射を抑え、反射された色の純度が高まる。従って、どちらか側から見ても、当該フィルター１００により同じ色が見られる。

本実施例では、金属層１２０の両側に設置される第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂ、並びに、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂを対称に設置することにより、反射される色の純度及び輝度を高めると共に、順逆両方向（つまり、先端から底部までの方向及び底部から先端までの方向）に、同じ色を取得することができる。

一つの例示では、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂが共に半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含んでもよい。半導体材料は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ゲルマニウム、セレン化亜鉛などである、第一金属酸化物及び金属硫化物は、例えば、硫化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅、酸化鉄などである。第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂには、共に、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含んでもよい。第二金属酸化物及び又は金属窒化物は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどである。

一つの例示では、金属層１２０に銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）のうちの一つを含む。他の例示では、金属層１２０に、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケル（Ｎｉ）のうちの一つを含んでもよい。もう一つの例示では、金属層１２０に、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケル（Ｎｉ）という金属の合金のうちの少なくとも一つを含み、例えば、銅合金、アルミニウム合金などを含む。

なお、上記した材料の屈折率及び構成によると、第一共振吸収層１３０ａ、第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ、第二反射防止層１４０ｂ及び金属層１２０にそれぞれ上記した材料が採用されていると、当該フィルター１００が角度に対して良い鈍感性を有している。一つの例示では、フィルター１００の入射角が６０°になると、フィルター１００の反射スペクトルにおいてピークが移動する範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さい。以降では、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂが共にアモルファスシリコンを含み、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂが共に酸化アルミニウムを含み、金属層１２０が銅を含むことを例に挙げ説明を行うが、ここで、更なる説明はしない。

一つの例示では、金属層１２０の厚さは、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂの厚さ、及び、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さよりも小さい。

図１に示すように、第一反射防止層１４０ａは、基板１１０に設置され、つまり、基板１１０は、フィルター１００の底部に位置する。もちろん、他の実施例では、第二反射防止層１４０ｂは、基板１１０に設置され、つまり、基板１１０は、フィルター１００の先端に位置してもよい。一つの例示では、基板１１０には、グラス基板を含む。

以下に、具体的な実施例に基づいて本発明のフィルター１００を説明する。

一つの実施例では、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂが共にａ－Ｓｉを含み、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂが共にＡｌ_２Ｏ_３を含み、しかも、金属層１２０が銅を含むことを例に挙げる。赤色を反射する例とすると、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さがそれぞれ、３０ｎｍ、９５ｎｍ、６５ｎｍである。一つの例示では、試験により、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さが、それぞれ、３０±２５ｎｍ、９５±９０ｎｍ、６５±６０ｎｍとされてもよい。

以下に、試験に基づいて本実施例に係るフィルターを分析する。

図２ａに示すように、それぞれ、第二反射防止層１４０ｂ及び第二共振吸収層１３０ｂがないフィルター、第二反射防止層１４０ｂがないフィルター、及び、本実施例に係るフィルターの反射スペクトルである。そうすると、金属層１２０に第二共振吸収層１３０ｂを有し、つまり厚さが９５ｎｍのａ－Ｓｉの場合に、第二共振吸収層１３０ｂ（つまりａ－Ｓｉ）に、吸収共振が励起されることから、６００ｎｍ以下の反射が明らかに低減されており、特に、５００－６００ｎｍ間の反射が低減される。それと同時に、第二共振吸収層１３０ｂに位置する第二反射防止層１４０ｂにより、つまり厚さが６５ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３により、一層に、第二共振吸収層１３０ｂと入射媒質（つまり、空気）との間における比較的大きい屈折率の差分による短波長範囲内に存在する反射が抑えられる。図２ｂに示すのは、第二共振吸収層１３０ｂ及び第二反射防止層１４０ｂの位相を分析した模式図である。正味の位相移動が２πの倍数と等しい場合に、第二共振吸収層１３０ｂにおいて、吸収共振が生じ、第二反射防止層１４０ｂにおいて反射防止共振が生じる。図２（ｂ）に示すように、第二共振吸収層１３０ｂにおいて、波長が５５０ナノである箇所に一次吸収共振（つまり＃１）が励起され、第二反射防止層１４０ｂにおいて、波長が４５０、５０５及び５９０ｎｍである箇所に、複数の反射防止（ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、ＡＲ）共振（つまり＃２、＃３及び＃４）が生じ、赤色範囲以外の帯域反射が減少される。そうすると、第二共振吸収層１３０ｂ内の吸収、及び、第二反射防止層１４０ｂ内の反射防止効果は、効果的に、短波長範囲に影響赤色の純度に影響を与える反射が抑えられると分かる。もちろん、同様な位相分析は、第一共振吸収層１３０ａ及び第一反射防止層１４０ａに適用されてもよく、試験によると、第一共振吸収層１３０ａと第一反射防止層１４０ａとの共振が透過を励起することにより短波長の反射を抑え、色純度を一層に高めると分かる。図２ｃに示すのは、一次吸収共振及びゼロ次吸収共振に基づく反射及び吸収である。一次吸収共振を励起する第二共振吸収層１３０ｂの反射スペクトルは、ゼロ次吸収共振しかを励起しない構成に比べると、急峻な傾きが表れる。Ｆａｂｒｙ－Ｐeｒｏｔのチャンバーの基本的な設計の原理によると、本実施例に係る第二共振吸収層１３０ｂは、厚さが９５ｎｍのａ－Ｓｉであり、一次共振を励起することによりさらに、急峻な反射スペクトルを取得すると、純度がより高い色の反射を生成することに役立つ。注意するべきところは、波長が約５５０ｎｍである箇所に生成したゼロ次共振の構成については、ａ－Ｓｉの厚さが８．１ｎｍである。一方、図２ｃに示すように、ゼロ次吸収共振を励起する構成に比べると、本実施例に係る９５ｎｍのａ－Ｓｉは、６００ｎｍ以下の短波を良く吸収する。

説明するべきところは、ここで、第二反射防止層１４０ｂをフィルターの先端として分析して説明したが、第一反射防止層１４０ａをフィルターの先端として分析して説明しても、その結果が上記と同じであることから、ここで、重複して説明しない。

波の反射は、以下の式に基づいてアドミタンスにより算出すると、

ただし、及びは、入射媒質のアドミタンス及び、フィルター全体の終点のアドミタンスを示す。当該式によると、波の反射を、終点のアドミタンスと空气（１、０）との間の距離により、簡単に量化できると分かる。図３に示すように、反射防止層がないフィルターに比べると、本実施例に係るフィルター（つまり、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂを含むもの）が、短い波長範囲（つまり、波長が４００、５００、６００ｎｍである）において、反射を効果的に抑えると分かる。

最後に、上記の分析に基づいて、本実施例に係るフィルターを製作して実際に測定すると、図４ａ及び４ｂに示すのは、それぞれ、本実施例に係るフィルターについて正入射する際の反射及び透過スペクトル、及び、図４ａに示す反射スペクトルにより算出した色座標がＣＩＥ１９３１色度図にある模式図である。そのうち、薄膜測定装置（Ｆ２０、Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ）により正入射際のの反射スペクトルを取得し、分光エリプソメータ（Ｍ－２０００、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ）により、透過を測定する。図４ａ及び４ｂに示すように、測定された反射及び透過スペクトルは、シミュレーション結果とほぼ一致すると共に、６００ｎｍ以下の反射が大幅に抑えられ、長波長の範囲内において、ピークが８０％以上の反射がなされることから、本実施例に係るフィルターにより反射された赤色が高純度であると分かる。また、シミュレーション結果（０．６２、０．３２）と実際測定結果（０．６１、０．３４）とは、それらの色座標が液晶ディスプレイに用いられる標準的な赤色（０．６４、０．３３）に非常に近い。説明するべきところは、色座標が標準光源Ｄ６５による反射スペクトル線により算出されたものであって、あらゆるシミュレーションが分光エリプソメータにより測定された材料の屈折率に基づいて、転送行列法を通じて算出されたものである。なお、さらに、本実施例のフィルターに入射角の試験を実施したところ、つまり入射角が変化した場合において、図５ａに示すのは、本実施例に係るフィルターがＴＥ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｅｌｅｃｔｒｉｃ、横方向電気）に偏波し、また、ＴＭ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｍａｇｎｅｔｉｃ、横方向磁気）に偏波する時において反射スペクトルが入射角に伴い変化することについてシミュレーション及び実際測定の模式図である。シミュレーション結果と実際測定結果とがぴったり合っていると分かり、入射光に対する本実施例に係るフィルターの角度及び偏波の鈍感性が示される。図５ｂに示すように、本実施例のフィルターが異なる入射角で生成した赤色の色座標をシミュレーションし、又は、実際に測定したＣＩＥ１９３１色度図であり、そのうち、入射角が０°であると、シミュレーション結果及び実際測定結果がそれぞれ（０．６２、０．３２）、（０．６０、０．３５）であり、入射角が４５°であると、シミュレーション結果及び実際測定結果がそれぞれ（０．５９、０．３３）、（０．５４、０．３２）であり、入射角が６０°であると、シミュレーション結果及び実際測定結果がそれぞれ（０．５１、０．３４）、（０．４９、０．３０）である。そうすると、本実施例に係るフィルターが異なる入射角で生成した色座標同士は近いと分かり、つまり、±６０°の入射角範囲において、共に、赤色を安定に取得すると共に、入射角が０°から６０°増加すると、反射スペクトルのピークが移動する範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さと分かり、本実施例に係るフィルターが、角度に対して良い鈍感性を有することが説明され得る。

もう一つの実施例では、以第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂが共にａ－Ｓｉを含み、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂが共にＡｌ_２Ｏ_３を含み、しかも、金属層１２０が銅を含むことを例に挙げる。青色を反射する例とすると、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さが、それぞれ、１５ｎｍ、４０ｎｍ、１３０ｎｍである。一つの例示では、試験により、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さがそれぞれ、１５±１０ｎｍ、４０±３５ｎｍ、１３０±１２５ｎｍとされてもよい。

上記の実施例における分析は、同様に、本実施例に適用され得るため、ここで重複して説明しない。

もう一つの実施例では、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂが共にａ－Ｓｉを含み、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂが共にＡｌ_２Ｏ_３を含み、しかも、金属層１２０が銅を含むことを例に挙げる。緑色を反射する例とすると、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さが、それぞれ、１５ｎｍ、５５ｎｍ、１６０ｎｍである。一つの例示では、試験により、金属層１２０、第一共振吸収層１３０ａ又は第二共振吸収層１３０ｂ、第一反射防止層１４０ａ又は第二反射防止層１４０ｂの厚さが、それぞれ、１５±１０ｎｍ、５５±５０ｎｍ、１６０±１５５ｎｍとされてもよい。

上記の実施例における分析は、同様に、本実施例に適用され得るため、ここで重複して説明しない。

本発明は、他のフィルターをさらに提供しており、図６に示すのは、本発明の他の一実施例によるフィルターの構成模式図である。当該フィルターは、金属層６２０、順次に金属層６２０に設置される共振吸収層６３０及び反射防止層６４０を含む。

本実施例では、共振吸収層６３０に、半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含んでもよい。半導体材料は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ゲルマニウム、セレン化亜鉛などであり、第一金属酸化物及金属硫化物は、例えば、硫化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅、酸化鉄などである。反射防止層６４０には、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含む。第二金属酸化物及び又は金属窒化物は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどである。

一つの例示では、金属層６２０に、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルの少なくとも一つを含む。他の例示では、金属層６２０に、銅、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルという金属の合金のうちの少なくとも一つを含み、例えば、銅合金、アルミニウム合金などを含む。

本発明は、フィルターの製造方法をさらに提供しており、図７に示すのは、本発明の一実施例に係るフィルターを製造する方法のフローチャートである。当該フィルターは、図１を参照しながら説明したフィルター１００である。図１に示すように、当該方法は、基板１１０に、第一反射防止層１４０ａ、第一共振吸収層１３０ａ、金属層１２０、第二共振吸収層１３０ｂ及び第二反射防止層１４０ｂを順次に堆積するステップＳ７１０を含み、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂは、それぞれ、対称に、金属層１２０の両側に設置され、第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層は、それぞれ、対称に、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂにおける金属層１２０から離れた一方側に設置される。

本実施例では、基板１１０に、第一反射防止層１４０ａ、第一共振吸収層１３０ａ、金属層１２０、第二共振吸収層１３０ｂ及び第二反射防止層１４０ｂを順次に堆積することにより、一つの膜系を構成しており、当該フィルターを低いコストで大量に生産することを実現することができる。

一つの例示では、第一共振吸収層１３０ａ及び第二共振吸収層１３０ｂは、共に、半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含んでもよい。半導体材料は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ゲルマニウム、セレン化亜鉛等である、第一金属酸化物及金属硫化物は、例えば、硫化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅、酸化鉄などである。第一反射防止層１４０ａ及び第二反射防止層１４０ｂは、共に、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含んでもよい。第二金属酸化物及び／又は金属窒化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどである。

一つの例示では、金属層１２０には、銅及び金のうちの一つを含む。他の例示では、金属層１２０は、銀、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの一つを含んでもよい。他の例示では、金属層１２０には、銅、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルという金属の合金の少なくとも一つを含み、例えば、銅合金、アルミニウム合金などを含む。

本発明は、他のフィルターの製造方法を提供している。図８に示すのは、本発明の一実施例によるフィルターを製造する方法のフローチャートである。当該フィルターは、図６を参照しながら説明したフィルター６００である。当該方法は、図６に示すように、基板６１０に、金属層６２０、共振吸収層６３０及び反射防止層６４０を順次に堆積するステップＳ８１０を含む。ただし、共振吸収層６３０には、半導体材料、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含む。半導体材料は、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ゲルマニウム、セレン化亜鉛などである。第一金属酸化物及び金属硫化物は、例えば、硫化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅、酸化鉄などである。反射防止層６４０には、第二金属酸化物、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含んでもよい。第二金属酸化物及び／又は金属窒化物は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウム等である。

一つの例示では、金属層６２０には、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも一つを含む。他の例示では、金属層６２０には、銅、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルという金属の合金のうちの少なくとも一つを含み、例えば、銅合金、アルミニウム合金などを含む。

本発明は、上記の実施例のフィルター１００又は６００を含む表示装置をさらに提供する。

本発明は、色粉状体をさらに提供しており、上記の実施例のフィルター１００又は６００を粉砕して形成された色粉状体粒子を含む。一つの例示では、当該色粉状体は、物体に高純度と共に高輝度の色が現れるように、物体の表面に付着されるコーティング層として用いられてもよい。

以上は、本発明の実施形態に過ぎず、本発明の特許範囲を限定するものではなく、本発明の明細書及びその図面の内容に基づいてなされた如何なる均等な構成又は均等なフローの置換、又は、直接又は間接に他の関連する技術分野に適用され得るものは、いずれも、同様に、本発明の特許の保護しようとする範囲に含まれる。

Claims (14)

1. 所定波長を基準にした光線を選択的に透過あるいは反射させるフィルターであって、
   金属層と、
   それぞれが、対称に、前記金属層の両側に設置される第一共振吸収層及び第二共振吸収層と、
   それぞれが、対称に、前記第一共振吸収層及び前記第二共振吸収層における前記金属層から離れた一方側に設置される第一反射防止層及び第二反射防止層とを含み、
   前記第一共振吸収層及び前記第二共振吸収層には、共に、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、前記第一反射防止層及び前記第二反射防止層には、共に、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含み、
   第一金属酸化物又は金属硫化物には、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅及び酸化鉄を含み、
   前記フィルターの入射角が６０°となると、前記フィルターの反射スペクトルにおいてピークの移動範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さくあり、
   前記金属層の厚さは、前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層の厚さ、及び、前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層の厚さよりも小さく、
   前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層の厚さは、前記所定波長に対してゼロ次共振を初めて可能にする厚さよりもより大きな厚さである
   ことを特徴とするフィルター。
2. 前記金属層には、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも一つ又はその合金のうちの少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項1に記載のフィルター。
3. 前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層は、グラス基板を含む基板に設置される、ことを特徴とする請求項１に記載のフィルター。
4. 前記金属層、前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層、前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層は、それらの厚さが、それぞれ、３０±２５ｎｍ、９５±９０ｎｍ、６５±６０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載のフィルター。
5. 前記金属層、前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層、前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層は、それらの厚さが、それぞれ、１５±１０ｎｍ、４０±３５ｎｍ、１３０±１２５ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載のフィルター。
6. 前記金属層、前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層、前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層は、それらの厚さが、それぞれ、１５±１０ｎｍ、５５±５０ｎｍ、１６０±１５５ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載のフィルター。
7. 所定波長を基準にした光線を選択的に透過あるいは反射させるフィルターであって、
   金属層と、
   順次に前記金属層に設置される共振吸収層及び反射防止層とを含み、
   前記共振吸収層には、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、前記反射防止層には、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含み、
   第一金属酸化物又は金属硫化物には、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅及び酸化鉄を含み、
   前記フィルターの入射角が６０°となると、前記フィルターの反射スペクトルにおいてピークの移動範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さくあり、
   前記金属層の厚さは、前記共振吸収層の厚さ、及び、前記反射防止層の厚さよりも小さく、
   前記共振吸収層の厚さは、前記所定波長に対してゼロ次共振を初めて可能にする厚さよりもより大きな厚さである
   ことを特徴とするフィルター。
8. 前記金属層には、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも一つ又はそれらの合金の少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項７に記載のフィルター。
9. 所定波長を基準にした光線を選択的に透過あるいは反射させるフィルターの製造方法であって、
   基板に、第一反射防止層、第一共振吸収層、金属層、第二共振吸収層及び第二反射防止層を順次に堆積することを含み、
   前記第一共振吸収層及び前記第二共振吸収層は、それぞれ、前記金属層の両側に対称に設置され、前記第一反射防止層及び前記第二反射防止層は、それぞれ、前記第一共振吸収層及び第二共振吸収層における前記金属層から離れた一方側に対称に設置され、
   前記第一共振吸収層及び前記第二共振吸収層には、共に、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、前記第一反射防止層及び前記第二反射防止層には、共に、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含み、
   第一金属酸化物又は金属硫化物には、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅及び酸化鉄を含み、
   前記フィルターの入射角が６０°となると、前記フィルターの反射スペクトルにおいてピークの移動範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さくあり、
   前記金属層の厚さは、前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層の厚さ、及び、前記第一反射防止層又は前記第二反射防止層の厚さよりも小さく、
   前記第一共振吸収層又は前記第二共振吸収層の厚さは、前記所定波長に対してゼロ次共振を初めて可能にする厚さよりもより大きな厚さである
   ことを特徴とするフィルターの製造方法。
10. 前記金属層には、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも一つ又はそれらの合金の少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項９に記載のフィルターの製造方法。
11. 所定波長を基準にした光線を選択的に透過あるいは反射させるフィルターの製造方法であって、
    基板に、金属層、共振吸収層及び反射防止層を順次に堆積することを含み、
    前記共振吸収層には、第一金属酸化物及び金属硫化物のうちの少なくとも一つを含み、前記反射防止層には、金属窒化物及び有機ポリマーのうちの少なくとも一つを含み、
    第一金属酸化物又は金属硫化物には、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化銅、酸化第一銅及び酸化鉄を含み、
    前記フィルターの入射角が６０°となると、前記フィルターの反射スペクトルにおいてピークの移動範囲が４０ｎｍ、２０ｎｍ又は１０ｎｍよりも小さくあり、
    前記金属層の厚さは、前記共振吸収層の厚さ、及び、前記反射防止層の厚さよりも小さく、
    前記共振吸収層の厚さは、前記所定波長に対してゼロ次共振を初めて可能にする厚さよりもより大きな厚さである
    ことを特徴とするフィルターの製造方法。
12. 前記金属層には、銅、銀、金、アルミニウム、クロム、チタン及びニッケルのうちの少なくとも一つ又はそれらの合金の少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項１１に記載のフィルターの製造方法。
13. 請求項１から６のうちのいずれかの一つに記載のフィルター、又は、請求項７から８のうちのいずれかの一つに記載のフィルターを含む、ことを特徴とする表示装置。
14. 請求項１から６のうちのいずれかの一つに記載のフィルター、又は、請求項７から８のうちのいずれかの一つに記載のフィルターを粉砕して形成された色粉状体粒子、を含む、ことを特徴とする色粉状体。

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