JP2012023147A - 樹脂モールド装置及びワーク板厚測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂モールドに先立って被成形品の厚さを精度良く測定することで、キャビティ容積を変更することにより成形品質を向上できる樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】厚さ計測部Ｂは、ローダー２５から半導体チップが基板実装された被成形品１を移載されて保持したまま搬送する搬送プレート９と、当該搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構１０と、搬送プレート９の搬送路下に被成形品１に対応して配置され、半導体チップを含む基板の総厚を測定する第１レーザー変位計４４と基板のみの厚さを測定する第２レーザー変位計４４を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップが基板実装された被形成品を樹脂モールドする樹脂モールド装置及び該樹脂モールド装置に好適に用いられるワーク板厚測定装置に関する。

被成形品と共に液状樹脂、粉末・顆粒状樹脂、或いはペースト状樹脂をプレス部に備えたモールド金型に搬入してクランプする樹脂モールド装置においては、被成形品である基板や半導体チップの厚さにばらつきがあると、成形品の品質のばらつきが生ずる。かかる不具合を解消するため、予め被成形品の供給部とプレス部との間に、被成形品を厚さ方向に挟み込むように配置された一対のセンサよりレーザー光を各々照射して基板の厚さを計測する樹脂モールド装置を提案した（特許文献１参照）。

特開２００６−３１５１８４号公報

しかしながら、基板の厚さや基板実装された半導体チップの個体差により成形品の品質がばらつくおそれがある。この基板の厚みのばらつきや基板実装された半導体チップの厚さによって成形品の厚さを調整する樹脂モールド装置は提案されていない。
また、パッケージ部の厚さが薄くなると、キャビティの容積に占める半導体チップの高さや、基板の厚さによるクランプ位置によって樹脂量が変動して成形品質がばらつくおそれがあった。

本発明は上記従来技術の課題を解決し、樹脂モールドに先立って被成形品の半導体チップエリアの総厚と基板エリアの板厚を精度良く測定することで、キャビティ容積を調整することにより成形品質を向上できる樹脂モールド装置該樹脂モールド装置に好適に用いられるワーク板厚測定装置を提供することにある。

本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。
半導体素子が基板実装された被成形品を供給ステージへ対向させて供給する供給部と、前記供給ステージに供給された被成形品がローダーによって搬入されて樹脂モールドされるプレス部と、前記供給部からプレス部へ搬送される間に被成形品の厚さを計測する厚さ計測部と、装置各部の動作を制御する制御部と、を具備し、前記厚さ計測部は、前記ローダーから被成形品を移載されて保持したまま搬送する搬送プレートと、当該搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構と、前記搬送プレートの搬送路に前記被成形品に対応して配置され、前記半導体チップエリアの総厚と基板エリアの板厚を測定する第１，第２の測定装置を備えたことを特徴とする。

前記搬送プレートには被成形品の保持位置に貫通孔が各々穿孔され貫通孔周縁部に基板が吸着保持されており、前記搬送プレートの搬送方向にシフト配置された第１，第２レーザー変位計を用いて前記被成形品のチップ搭載面及び基板面の双方に各々レーザー光を照射して反射光を計測して厚さ計測が行なわれることを特徴とする。

前記搬送プレートを往動させる際に、前記第１，第２レーザー変位計は前記Ｘ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って被成形品ごとに各半導体チップエリアにおいてＸ−Ｙ方向に対応する共通の測定点において総厚の測定が同時に行なわれることを特徴とする。

前記搬送プレートを復動及び再往動させる際に、前記Ｘ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアの周囲に形成された基板エリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って前記第１レーザー変位計と２レーザー変位計とで交互に板厚の測定が行なわれることを特徴とする。

前記被成形品の厚さ計測に先立ってＺ軸方向ブロックゲージ及びＸ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージが順次搬送プレートに装着されて第１，第２レーザー変位計の光軸の位置合わせが行われていることを特徴とする。

前記厚さ計測部は、被成形品を予備加熱されるプレヒート前に計測が行なわれることを特徴とする。

前記制御部は、前記第１，第２の測定装置による測定結果から、前記プレス部における樹脂モールドに必要なキャビティ深さを規定するキャビティインサートの移動量を調整するか又は前記プレス部に供給する液状樹脂の樹脂量を調整することを特徴とする。

また、ワークの板厚測定装置においては、ワークを保持したまま搬送する搬送プレートと、前記搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構と、前記搬送プレートの搬送路に前記ワークに対応して配置され、前記ワークの異なる被測定エリアの板厚を各々測定する複数の測定装置を備えたことを特徴とする。

前記ワークは基板に半導体チップが搭載されたワークの半導体チップエリアと基板エリアの板厚を各々測定する第１，第２測定装置を備えたことを特徴とする。

上記樹脂モールド装置を用いれば、ローダーから移載された半導体チップが基板実装された被成形品を保持したまま搬送プレートにより搬送し、厚さ計測部は搬送プレートの搬送路に被成形品に対応して配置された第１，第２測定装置によって半導体チップを含む基板の総厚が測定され、基板のみの厚さが測定される。これにより、基板の厚さのみならず、半導体チップの厚さを精度よく計測することができる。

また、搬送プレートには被成形品の保持位置に貫通孔が各々穿孔され貫通孔周縁部に基板が吸着保持されていると、搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しても基板が吸着保持されているため振動による影響を受けにくく測定精度を高めることができる。また、搬送プレートの搬送方向にシフト配置された第１，第２レーザー変位計を用いて貫通孔を通じて複数の被成形品の半導体チップエリアの両面にレーザー光を照射して総厚の測定が同時に行なえるので、搬送プレートによる複数の被成形品の１回の搬送動作で各半導体チップエリアの総厚を効率よく計測することができる。
また、第１，第２レーザー変位計を用いて貫通孔を通じて基板エリアの両面にレーザー光を照射して反射光を計測して基板エリアの板厚を精度よく計測することができる。この基板板厚情報より、プレス部におけるモールド金型の基板クランプ位置制御を精度よく行うことも可能である。

また、搬送プレートを往動させる際に、第１，第２レーザー変位計はＸ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って被成形品ごとに各半導体チップエリアにおいてＸ−Ｙ方向に対応する共通の測定点において総厚の測定が同時に行なわれるので、単数若しくは複数の被成形品に対して、搬送プレートの１回の搬送動作で複数の被成形品に設けられた各半導体チップエリアにおいて総厚の測定が効率よくしかも高精度に行なえる。

また、搬送プレートを復動及び再往動させる際に、Ｘ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアの周囲に形成された基板エリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って第１レーザー変位計と２レーザー変位計とで交互に板厚の測定が行なわれるので、搬送プレートの搬送方向（Ｙ軸方向）にシフト配置された第１レーザー変位計と第２レーザー変位計を用いても、複数の被成形品に対して基板エリアにおける板厚を高精度に計測することが可能になる。

また、被成形品の厚さ計測に先立ってＺ軸方向ブロックゲージ及びＸ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージが順次搬送プレートに装着されて第１，第２レーザー変位計の光軸の位置合わせが行われているので、第１，第２レーザー変位計による上下一対のレーザー光の光軸を精度よく位置合わせすることができ、測定の精度を高めることができる。

また、厚さ計測部は、被成形品を予備加熱されるプレヒート前に計測が行なわれるので、熱による膨張の影響が少ない段階で被成形品の総厚及び基板板厚を正確に計測することができる。

また、制御部は測定結果からプレス部における樹脂モールドに必要なキャビティインサートの移動量を調整することにより、キャビティ容積を調整して成形品質を高品質に維持することができる。また、プレス部に液状樹脂を供給する場合には、制御部は測定結果から液状樹脂の樹脂量を調整することにより、オーバーフローする樹脂量を減らすことができる。よって、成形品の品種を切り替えてもプレス部の調整を容易に行なえる。

また、ワーク板厚調整装置においては、樹脂モールド工程に限らず、ワークを搬送しながらワークエリアの厚さを高精細に測定してその後の加工工程の加工データに反映させることで、加工精度が向上する。

樹脂モールド装置の全体構成例を示す平面レイアウト図である。 厚さ計測部の構成例を示す平面図である。 搬送テーブルに搬送プレートを載せた状態と外した状態の平面図である。 厚さ計測部による被成形品の厚さ測定順路と測定点を示す説明図である。 レーザー変位計によりＺ方向、Ｘ−Ｙ方向の原点合わせを示す構成例の説明図である。 厚さ計測部の配置を示す側面図である。 厚さ計測部の上側レーザー変位計及び下側レーザー変位計の配置構成を示す平面図である。 厚さ計測部の測定動作を示す状態図である。 半島体素子エリアと基板エリアの測定ラインを示す説明図である。 レーザー変位計によりＺ方向、Ｘ−Ｙ方向の原点合わせを示す状態図である。 一のレーザー変位計により測定する場合の測定順路と測定点を示す説明図である。 樹脂モールド金型を下型インサートブロックの幅方向（装置手前側）から見た断面図である。 被成形品をクランプした状態及びキャビティに封止樹脂を充填した状態の樹脂モールド金型の断面図である。

以下、本発明に係る樹脂モールド装置の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。以下の実施形態では、上型側にキャビティ凹部が形成され下型側にポットが形成されるモールド金型を用いたトランスファ成形装置を用いて説明する。また、トランスファ成形装置では、下型を可動型とし上型を固定型として説明する。

（樹脂モールド装置の全体構成）
図１は、本発明に係る樹脂モールド装置の一実施形態の各部の平面配置を示す。本実施形態の樹脂モールド装置は、被成形品の供給部Ａ、被成形品の厚さ計測部Ｂ、被成形品のプレス部Ｃ、樹脂モールド後の成形品の収納部Ｄ及び搬送機構Ｅを備える。また、厚さ計測部Ｂとプレス部Ｃとの間にプリヒート部Ｆが設けられている。また、プレス部Ｃとプリヒート部Ｆとの間、及び、プレス部Ｃと収納部Ｄとの間には後述する金型駆動機構１６ａのメンテナンスエリアとして用いられるダミーモジュール部Ｇが設けられている。以下各部の構成について具体的に説明する。

（被成形品の供給部Ａ）
被成形品の供給部Ａは、短冊状に形成された被成形品１を収納した供給マガジン２を複数備えた供給ストッカ３と、供給マガジン２から被成形品１を突き出すプッシャ４と、プッシャ４によって突き出された被成形品１を向かい合わせに並べ替えるターンテーブル５とを備える。ターンテーブル５の奥側には、対向配置された一対の被成形品１を、相互の配置位置を保持した状態でセットする供給ステージ（セット台）６が配置されている。供給ステージ６の側方には後述するモールド金型のポットの平面配置に合わせて樹脂タブレット７を供給するための樹脂タブレットの供給部８が設けられている。

本実施形態の樹脂モールド装置において樹脂モールドの対象とする被成形品１としては、例えば短冊状に形成された樹脂基板１ｂ上に複数の半導体チップ１ａが基板実装されている（図４（ａ）参照）。半導体チップ１ａは基板１ｂに１段あるいは複数段に実装されていても良い。半導体チップはブロック単位で形成されたキャビティごとに樹脂モールドされるようになっている。或いは複数半導体チップを一つのキャビティに収容して樹脂モールドする場合や半導体チップに応じて個別に形成されたキャビティに収容して樹脂モールドされる製品などであっても良い。

（厚さ計測部Ｂ）
被成形品１の厚さ計測部Ｂは、供給部Ａからプレス部Ｃへ搬送される間に被成形品１の厚さを計測する。具体的には図２に示すようにローダー２５から被成形品１を移載されて保持したまま搬送する搬送プレート９と、当該搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構１０と、搬送プレート９の搬送路下に被成形品１に対応して配置され、半導体チップを含む基板の総厚及び基板のみの厚さを測定する測定装置１１を備えている。

（プリヒート部Ｆ）
厚さ計測部Ｂにおいて被成形品１の厚さが計測された被成形品１は、移載部１２において、後述するピックアンドプレース１２ａによって被成形品１が搬送プレート９から移送機構に支持されたヒータブロック１３に移載される。ヒータブロック１３は、被成形品１を載置したまま後述する移送機構により受取位置からローダー２５への引渡し位置まで移送される。そして、ヒータブロック１３は移送路の途中に設けられたトンネルカバー１４にて所定時間停止することで集中的にプリヒートされて、ローダー２５が待機する引渡し位置まで搬送される。

（プレス部Ｃ）
プレス部Ｃは、被成形品１をクランプして樹脂モールドするモールド金型が装着されたプレス装置１５が設けられている。プレス装置１５は、例えば下型を型開閉方向に押動するプレス機構、モールド金型のポット内で溶融した樹脂をポットからキャビティに充填するトランスファ機構を備える。プレス装置１５におけるプレス機構及びトランスファ機構は、公知の樹脂モールド装置に用いられているプレス部の機構と同様である。本実施形態の樹脂モールド装置において特徴とする構成は、被成形品１を樹脂モールドする際に、前述した被成形品の厚さ計測部Ｆにおける計測結果に基づいて、上型のキャビティインサート（キャビティ深さを規定するインサートブロック）の移動量を制御するようになっている。プレス装置１５には例えば上型のインサート部材を型開閉方向に押動する金型駆動機構１６ａと、下型のインサート部材を型開閉方向に押動する金型駆動機構１６ｂと、キャビティインサートのクランプ面を覆う長尺状のリリースフィルムをリール間で繰り出し及び巻き取りを繰り返すフィルム供給機構１７が設けられている。尚、モールド金型は下型にキャビティが形成されていても良い。

リリースフィルムは上型面にインサートブロック間の隙間を利用した公知の吸引機構により吸着保持されるようになっている。リリースフィルムとしては、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するもので、金型面より容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するフィルム材、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰ、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用いられる。リリースフィルムは、例えば長尺状のフィルム材が用いられ、ロール状に巻き取られた繰出しリールから引き出されて上型クランプ面を通過して巻取りリールへ巻き取られるように設けられる。

（成形品の収納部Ｄ）
成形品の収納部Ｄは、アンローダー２６によって樹脂モールド後の成形品１８を移載する取り出し部１９、成形品１８からゲート等の不要樹脂を除去するゲートブレイク部２０、不要樹脂が除去された製品２１を収納する収納マガジン２２を備える。製品２１は収納マガジン２２に収納され、該収納マガジン２２は収納ストッカ２３に順次収容される。

（搬送機構Ｅ）
搬送機構Ｅはプレス部Ｃへ被成形品１を搬送するローダー２５とプレス部Ｃから成形品を搬送するアンローダー２６を備えている。ローダー２５及びアンローダー２６は、直列に配置された供給部Ａ、厚さ計測部Ｂ、プリヒート部Ｆ、ダミーモジュール部Ｇ、プレス部Ｃ、ダミーモジュール部Ｇ、収納部Ｄ間に連結されたガイドレール２７を共用して装置奥側を移動し、プレス部Ｃに対して各々進退移動可能に設けられている。ローダー２５は、供給部Ａから被成形品１である基板を受け取って被成形品１を搬送テーブル９へ受け渡し、樹脂タブレット７を受け取ってからヒータブロック１３でプリヒートされた被成形品１を受け取って、これらをプレス部Ｃの型開きしたモールド金型へ搬入する動作を繰り返す。また、アンローダー２６は、樹脂モールド後に離型した成形品１８をモールド金型より受け取って、収納部Ｄの取り出し部１９へ移載する動作を繰り返す。

したがって、樹脂モールド装置を構成するユニットを変えてもガイドレール２７を連結することで搬送機構Ｅを変更することなく装置構成を変更することができる。たとえば、図１に示す例は、プレス装置１５を１台設置した例であるが、プレス装置１５、厚さ計測部Ｂやプリヒート部Ｆを複数台連結した樹脂モールド装置を構成することも可能である。

（厚さ計測部Ｂの具体的な構成例）
ここで、厚さ計測部Ｂの具体的な構成例について、図２乃至図１１を参照して説明する。図２において、Ｘ−Ｙ走査機構１０の構成例について説明する。ベース部１０ａの長手方向にはＹ軸レール２９が敷設されている。このＹ軸レール２９には走査台２８が直動ガイドを介して往復動可能に連繋している。また、走査台２８には、Ｘ軸レール３０がＹ軸レール２９と直交するように敷設されている。このＸ軸レール３０には、搬送テーブル３１が直動ガイドを介して往復動可能に連繋している。搬送テーブル３１には、後述するように搬送プレート９が図示しないボルトなどの連結具で固定されている。

Ｙ軸レール２９と平行にＹ軸ボールねじ３２が設けられておりＹ軸モータ３３によって回転駆動される。Ｙ軸ボールねじ３２に移動可能にねじ嵌合しているナット３４が走査台２８と連結している。よってＹ軸モータ３３を回転駆動するとＹ軸ナット３４を介して走査台２８がＹ軸レール２９に沿って移動するようになっている。

また、Ｘ軸レール３０と平行にＸ軸ボールねじ３５が設けられておりＸ軸モータ３６によって回転駆動される。Ｘ軸ボールねじ３５に移動可能にねじ嵌合しているＸ軸ナット３７が搬送テーブル３１と連結している。よってＸ軸モータ３６を回転駆動するとＸ軸ナット３７を介して搬送テーブル３１がＸ軸レール３０に沿って移動するようになっている。

よって、Ｙ軸モータ３３及びＸ軸モータ３６を所定方向に駆動すると、搬送テーブル３１に吸着保持された搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査しながら搬送することができる。

また、搬送テーブル３１はＹ軸レール２９の一端である受取位置Ｕと他端に設けられた引渡し位置Ｗとの間を往復移動するようになっている。受取位置Ｕと引渡し位置Ｗとの間には、後述する第１，第２の測定装置による測定位置Ｖが設けられている。この測定位置Ｖに設けられた測定装置１１には、被成形品１に対応して後述する第１レーザー変位計４３，第２レーザー変位計４４が設けられ、半導体チップを含む基板の総厚及び基板の板厚各々を測定する。

図３（ｂ）に示す搬送プレート９を外した状態において、走査台２８に載置された搬送テーブル３１には、被成形品１の搭載位置に対応して、部分的に基板外形より小さい矩形状の貫通孔３１ｄが複数箇所（例えば２か所）に設けられている。また、貫通孔３１ｄの周縁部には吸引溝３１ａが周回して形成され、かつ後述する搬送プレート９が載置されるエリアの外形に沿って周回するように形成されている。上記吸引溝３１ａは、搬送プレート９により閉止されて、コンプレッサに接続された吸引孔３９により吸引されるようになっている。また、搬送テーブル３１のＹ軸方向一端側には貫通孔３１ｄに対応する位置に孔３１ｂが各々穿孔されている。更には、貫通孔３１ｄには各辺から孔内へ向かって複数の突部３１ｃが突設されており、各突部３１ｃには吸引溝３１ａが各々形成されている。尚、これらの突部３１は、後述する被成形品１の縁部の測定点の間においてできるだけ離れた位置に設けられている。

図３（ａ）において、搬送テーブル３１には、搬送プレート９が載置されている。搬送プレート９には被成形品１の搭載位置に対応して貫通孔９ｄが複数箇所（例えば２か所）に設けられている。この貫通孔９ｄは貫通孔３１ｄと同等な大きさに形成されている。搬送プレート９のＹ軸方向一端側には孔３１ｂに対応する位置に切欠き９ａが各々形成されている。また、切欠き９ａは孔３１ｂと重なり合うように配置される。また、搬送プレート９の貫通孔９ｄには孔内に向かってワーク支持部９ｂが突部３１ｃと重なり合うように形成されている。各ワーク支持部９ｂの先端部には、吸引溝３１ａに連通する吸着孔９ｃが形成されている。搬送プレート９の貫通孔９ｄを覆うように載置された被成形品１（基板）は、吸引溝３１ａを通じて図示しないコンプレッサで吸引されることにより、ワーク支持部９ｂの先端部に各々設けられた吸着孔９ｃを通じて吸着保持され、被成形品１は搬送プレート９に沿うように平らに矯正される。この場合、貫通孔９ｄの各辺に設けられた複数の突部３１ｃにおいて被成形品１の外周縁部を均一に吸着して固定することができるため、後述するように搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に高速に走査しても被成形品１が位置ずれしたりがたついたりすることなく確実に保持することができる。

上記孔３１ｂと切欠き９ａとが重なり合う位置には、図５（ａ）に示すＺ軸方向ブロックゲージ４０や図５（ｂ）に示すＸ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ４１が着脱可能に設けられる。Ｚ軸方向ブロックゲージ４０及びＸ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ４１は、後述するセンサのＺ軸方向、Ｘ−Ｙ軸方向の原点位置を調整するため設けられる。Ｘ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ４１には突起４１ａが突設されている。

次に第１，第２の測定装置の構成について図２，図６乃至図８を参照して説明する。
図２，図６，図７に示すように、ベース部４７とこれに立設された支持部材４２に対して第１レーザー変位計４３（第１の測定装置）と第２レーザー変位計４４（第２の測定装置）がＸ軸方向及びＹ軸方向に各々シフトして位置決め固定されている。具体的には、第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４とは、Ｘ軸方向において搬送プレート９に対する被成形品１の保持間隔に相当する所定間隔だけ隔てて配置されると共に、Ｙ軸方向において搬送プレート９に保持された被成形品１どうしの測定点のずれ分に相当する距離だけシフトして配置されている。第１，第２レーザー変位計４３，４４は、被形成品１の上下面に上下で光軸を一致させるように対向配置された一対の第１レーザー変位センサ４３ａ，４３ｂと第２レーザー変位センサ４４ａ，４４ｂを各々備えている。レーザー変位センサは、発光素子より照射されたレーザー光が被成形品１より反射して得られた反射光の結像位置を受光素子（ＰＳＤ）により検出することで変位量を検出する変位センサである。上下の変位センサの結像位置が変化すると出力バランスが変化し、各出力値を用いた演算処理により変位量が算出されるようになっている。

また、第１レーザー変位センサ４３ａ，４３ｂと第２レーザー変位センサ４４ａ，４４ｂのレーザー照射位置は、上下一対で設けられた第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂと第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂによって撮像されるようになっている。第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂと第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂは、ベース部４７とこれに立設された支持部材４２に対して位置決め固定されている。

図７（ａ）は支持部材４２にセンサ固定部４８を介して上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａが各々固定されている状態、並びにカメラ固定部４９を介して上側第１撮像カメラ４５ａと上側第２撮像カメラ４６ａが各々固定されている状態を示す。上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａは、支持部材４２の支柱部４２ａからＸ軸方向に張り出す梁部４２ｂの側面において固定位置によって厚みの異なる位置決めプレート４８ａ（図６（ａ）（ｂ）参照）を介して互いにＹ軸方向にシフト配置されており、Ｘ−Ｙ方向における検出位置が異なるように支持部材４２に固定されている。

図７（ｂ）において、下側第１レーザー変位センサ４３ｂと下側第２レーザー変位センサ４４ｂとは、上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａに各々対向するように支持プレート４７ｃを介してベース部４７に設けられた支持部４７ａに支持固定されている。支持プレート４７ｃは、ベース部４７における所定位置に固定可能であり、一対の支持部４７ａをＹ軸方向にシフトさせた位置に固定される。これにより、下側第１レーザー変位センサ４３ｂと下側第２レーザー変位センサ４４ｂとは、Ｙ軸方向にシフト配置される。このように、第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４とは、位置決めプレート４８ａ及び支持プレート４７ｃを介して固定支持されるため、これらを交換することによりＸ−Ｙ方向における検出位置を簡易かつ高精度に変更することができる。また、第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４を厚さ計測部Ｂの外で位置決めプレート４８ａ及び支持プレート４７ｃに取り付けると共にこれらを梁部４２ｂ及びベース部４７に取り付けることでレーザー変位計４３，４４を簡易に取り付けることができる。

また、図７（ａ）において、上側第１撮像カメラ４５ａと上側第２撮像カメラ４６ａとは固定位置によって厚みの異なる位置決めプレート４９ａによって梁部４２ｂの側面においてＹ軸方向にシフト配置されており、Ｘ−Ｙ方向の撮像位置が異なるように支持部材４２に固定されている。図７（ｂ）において、下側第１撮像カメラ４５ｂと下側第２撮像カメラ４６ｂとは、上側第１撮像カメラ４５ａと上側第２撮像カメラ４６ａに各々対向するように支持プレート４７ｄを介してベース部４７に設けられた支持部４７ｂに支持固定されている。これにより、第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂと第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂは、第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４の検出位置の変更に合わせて撮像位置を簡易かつ高精度に変更することができる。すなわち、位置決めプレート４８ａ，４９ａ及び支持プレート４７ｃ，４７ｄを交換することにより、被成形品１の変更に伴う検出位置及び撮像位置の変更に簡易に対応することができる。このため、例えば本実施例のようにポットを挟むように被成形品１を対向配置するときには半導体チップ１ｂのＹ軸方向の位置が異なってしまうため、撮像位置もＹ軸方向に異ならせる必要があるが、半導体チップ１ｂの配置によってこの間隔は異なるため、被成形品１の変更に伴う検出位置及び撮像位置の変更に簡易に対応できることは品種交換の観点では特に効果が高い。

なお、固定位置によって厚みの異なる位置決めプレート４８ａ，４９ａと支持部４７ａの固定位置をＹ軸方向にシフトさせた支持プレート４７ｃ，４７ｄを用いる構成について説明したが、検出位置及び撮像位置をＹ軸方向にシフトさせる必要がないときには、厚みの均一な位置決めプレート４８ａ，４９ａとＹ軸方向の固定位置が同じにした支持プレート４７ｃ，４７ｄを用いることができる。

図８は、搬送テーブル３１に搬送プレート９が、搬送プレート９に被成形品１（基板）が吸着保持された状態で第１，第２レーザー変位計４３，４４を通過している状態を示している。一例として第１レーザー変位計４３を通過している部分について説明する。尚、第２レーザー変位計４４を通過している部分でも同様の測定が行われる。上側第１レーザー変位センサ４３ａは被成形品１（基板若しくは半導体チップ）にレーザー光を照射して反射光を受光し、下側第１レーザー変位センサ４３ｂは、貫通孔３１ｄ及び貫通孔９ｄを通じて被成形品１（基板）へレーザー光を照射して反射光を受光することで厚さ計測が行なわれる。また、レーザー光の結像位置は、上側第１撮像カメラ４５ａと下側第１撮像カメラ４５ｂによって撮像されている。

次に、被成形品１の測定順路と測定点について図４及び図９乃至図１１を参照して説明する。以下では、図２に示すように、搬送プレート９により搬送される被成形品１が２個であり、図４（ａ）に示すように各被成形品１には基板１ａに形成された半導体チップエリアＰに搬送方向に沿って半導体チップ１ｂが３箇所に実装されている場合の測定方法について例示する。Ｘ−Ｙ走査機構１０（図２参照）によって搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査しながらＹ軸方向にシフト配置された第１，第２レーザー変位計４３，４４（図６（ａ）（ｂ）参照）は、半導体チップエリアＰ及び基板エリアＱにおいて総厚及び板厚が各々測定される。

具体的には、被成形品１を受取位置Ｕにおいてローダー２５から受取った後、Ｙ方向に移動させて測定位置Ｖを通過させることで１回目の往路において１回目の測定を行なう。図４（ａ）（ｂ）に示すように搬送プレート９をＹ軸方向に往動させる際に、第１，第２レーザー変位計４３，４４はＸ−Ｙ走査機構１０によって搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査させることでつづら折れ状に連続する軌跡Ｊに沿って２個の被成形品１の半導体チップエリアＰにおいて同時に測定を行なう。即ち、被成形品１ごとに各半導体チップエリアＰでは、Ｘ−Ｙ方向に対応する共通の測定点Ｓ１とＳ１´、Ｓ２とＳ２´…のように各測定点Ｓ１〜Ｓ１８、Ｓ１´〜Ｓ１８´における反射光の結像位置を第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂ及び第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂにより各々撮像しながら総厚の測定が同時に行なわれる。これにより、単数若しくは複数の被成形品１に対して、搬送プレート９の１回の搬送動作で複数の被成形品１に設けられた各半導体チップエリアＰにおいて総厚の測定が効率よく行なえる。

なお、半導体チップエリアＰにおいて端側の測定点（例えば、Ｓ５，Ｓ６）とその反対側の測定点（例えばＳ１，Ｓ４）、これらの内側に位置する測定点（例えばＳ２，Ｓ３）を測定する。このため、半導体チップエリアＰを横切る複数の測定点の測定を行うことで半導体チップエリアＰにおける総厚の傾きや凹凸を確認することができ総厚の測定が高精度に行なえる。また、本実施例のように、供給部Ａにおいて向かい合わせに被成形品１が並べ替えられていても、第１，第２レーザー変位計４３，４４がＹ軸方向にシフトして配置されていることにより、被成形品１における同じ位置の半導体チップエリアＰにおいて同様の測定点を測定することが可能となっている。例えば、図４（ａ）に示す被成形品１の四隅の測定点Ｓ１，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６と図４（ｂ）に示す被成形品１の四隅の測定点Ｓ１７´，Ｓ１８´，Ｓ１３´，Ｓ１６´といったように同じ位置を測定することができ、総厚の測定を高精度に行なえる。

次いで、総厚測定後に、搬送プレート９をＹ軸方向に復動させる際に、Ｘ−Ｙ走査機構１０によって搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査しながら一方の被成形品１の半導体チップエリアＰの周囲に形成された基板エリアＱにおいて図４（ｃ）に示すようにつづら折れ状に連続する軌跡Ｋに沿った測定点Ｔ１〜Ｔ１２において第１レーザー変位計４３によって基板１ｂ板厚の測定が行なわれる。基板エリアＱの板厚測定の際の反射光の結像位置を第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂにより撮像しながら測定が行なわれる。

更に再度搬送プレート９をＹ軸方向に往動させる際に、Ｘ−Ｙ走査機構１０によって搬送プレート９をＸ−Ｙ方向に走査しながら他方の被成形品１の半導体チップエリアＰの周囲に形成された基板エリアＱにおいて図４（ｄ）に示すようにつづら折れ状に連続する軌跡Ｋに沿った測定点Ｔ１´〜Ｔ１２´において第２レーザー変位計４４によって基板１ｂ板厚の測定が行なわれる。基板エリアＱの板厚測定の際の反射光の結像位置を第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂにより撮像しながら測定が行なわれる。

このように、搬送プレート９の搬送方向（Ｙ軸方向）にシフト配置された第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４を用いて、複数の被成形品１に対して基板エリアＱにおける板厚を高精度に計測することが可能になる。
尚、第１レーザー変位計４３と第２レーザー変位計４４を搬送プレート９の搬送方向（Ｘ軸方向）にシフト配置することも可能であるが、測定点の数の多さを考慮すると、半導体チップエリアＰを１回の搬送動作で測定する方が測定時間を短縮化するうえで有効である。

図９（ａ）は、半導体チップエリアＰの測定点Ｓを被成形品１の搬送方向に沿って垂直断面で見た説明図である。また、図９（ｂ）は、基板エリアＱの測定点Ｔを被成形品１の搬送方向に沿って垂直断面で見た説明図である。

図９（ａ）において、搬送プレート９に吸着保持された被成形品１はＹ軸方向往路において半導体チップエリアＰに存在する各半導体チップ１ａの同じラインＬ１，Ｌ２，Ｌ３上にある測定点Ｓを測定していることが分かる。

図９（ｂ）において、搬送プレート９に吸着保持された被成形品１は、Ｙ軸方向往復路において、半導体チップエリアＰの周縁部における基板エリアＱ内において、基板１ｂ上の共通のラインＬ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７上に存在する測定点Ｔを双方で測定していることが分かる。これにより、半島体チップ１ａ及び基板１ｂの厚さを精度よく計測して基準値と比較することで、プレス部Ｃにおける樹脂モールドに必要なキャビティインサートの移動量（キャビティの深さを規定するインサートブロックの移動量）を制御する。即ち、図１に示す金型駆動装置１６ａを作動させて各半導体チップ１ａに対応するキャビティ容積を調整してから樹脂モールドを行なうことで成形品の成形品質を維持することができる。また、金型駆動装置１６ｂを作動させて各基板１ｂの厚みに対応する高さに下型インサートブロックを移動させてからクランプすることにより、樹脂ばりや基板の破損が発生しない適切なクランプ圧でクランプすることができる。なお、基板エリアＱ内において、基板１ｂ上の共通のラインＬ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７上に存在する測定点Ｔを測定するときに、貫通孔Ａから突設されたワーク支持部９ｂに被成形品１が支持されているため、下側第１レーザー変位センサ４３ｂと下側第２レーザー変位センサ４４ｂの反射光が貫通孔Ａの壁面に遮られることがなく確実に測定可能となっている。

図１０（ａ）は、Ｚ軸ブロックゲージ４０（図５（ａ）参照）による第１レーザー変位計４３及び第２レーザー変位計４４によるＺ軸方向の原点合わせの断面説明図である。この場合、まず切欠き９ａを跨ぐと共に搬送プレート９と搬送テーブル３１の上下に突出するようにＺ軸ブロックゲージ４０を固定する。次いで、上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａを上方からＺ軸ブロックゲージ４０に直接接触させ、下方から下側第１レーザー変位センサ４３ｂと下側第２レーザー変位センサ４４ｂをＺ軸ブロックゲージ４０に直接接触させることによりＺ軸方向の原点合わせが行なわれる。

また、図１０（ｂ）は、Ｘ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ４１（図５（ｂ）参照）による第１撮像カメラ４５ａ，４５ｂ及び第２撮像カメラ４６ａ，４６ｂによるＸ軸−Ｙ軸方向の原点合わせの断面説明図である。被成形品１を撮像する前に、第１撮像カメラ４５ａ及び第２撮像カメラ４６ａで上方から撮像しながら上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａの光軸をＸ軸−Ｙ軸ブロックゲージ４１の突起４１ａに合わせるように固定位置を微調整する。

次に、Ｘ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ４１を外して透明シート４１ｂを搬送プレート９の切欠き９ａに重ね合わせ、第１撮像カメラ４５ａ及び第２撮像カメラ４６ａで撮像しながら、上側第１レーザー変位センサ４３ａと上側第２レーザー変位センサ４４ａの光軸に下側第１レーザー変位センサ４３ｂと下側第２レーザー変位センサ４４ｂの光軸を合わせるように支持部材４２における固定位置を微調整する。これにより、第１，第２レーザー変位計４３，４４による上下一対のレーザー光の光軸を精度よく位置合わせすることができ、測定の精度を高めることができる。

図１１は、一のレーザー変位計による測定経路と測定点の例示を示す。図１１のようにＸ−Ｙ走査機構１０により搬送プレート９をＸ−Ｙ方向にジグザグ状に折れ曲がった軌跡Ｍを描くように走査して、該軌跡Ｍに沿って等間隔に設けられた測定点Ｎにおいて測定することも可能である。

なお、被成形品１についての計測ポイント数や計測方法、樹脂モールドに要するサイクルタイムによっては、測定装置を単体として構成することも可能であり、必ずしも、一対のレーザー変位計を対向して設けなくてもよい。
また、被成形品１の厚さ計測にレーザー変位計を用いるかわりに、接触式などの計測方法を利用することもできる。また、レーザー変位計を固定として搬送テーブル３１をＸ−Ｙ方向に走査するようにしたが、搬送テーブルを定位置にしてレーザー変位計を走査する構成としても良い。

次に、樹脂モールド動作の一例について図１を参照して説明する。
供給ステージ６に対向して載置された被成形品１は、ローダー２５によって保持され、搬送プレート９に搬送されて、被成形品１は搬送プレート９に移載される。
搬送プレート９は、Ｘ−Ｙ走査機構１０によりＹ軸レール２９に沿って第１レーザー変位計４３，第２レーザー変位計４４を通過する際に往路で２個の被成形品１の半導体チップエリアＰの総厚が計測され、復路と再度往路において個々の被成形品の基板エリアＱの板厚計測が行なわれる。厚さ計測の結果は制御部５０に転送され、制御部５０は計測結果に応じて金型駆動機構１６を作動させてキャビティインサートの移動量（キャビティ深さ）を調整する。

厚さ計測された後被成形品１は、移載部１２に設けられたピックアンドプレースによって保持されてヒータブロック１３に移載される。ヒータブロック１３に載置された被成形品１はトンネルカバー１４内で停止することにより集中的に予備加熱され、ローダー２５が待機する引渡し位置へヒータブロック１３により搬送される。
そして、予め樹脂タブレット供給部８より供給された樹脂タブレット７を保持したローダー２５はヒータブロック１３からプリヒートされた被成形品１を受け取ってプレス部Ｃまでガイドレール２７に沿って移動すると、公知の進退機構によってモールド金型へ被成形品１と樹脂タブレット７が搬入される。

被成形品１及び樹脂タブレット７がモールド金型に搬入されるとヒータ（図示せず）によって加熱される。プレス装置１５からインローダ−２５が退出した後、モールド金型により被成形品１がクランプされ、キャビティに樹脂が充填されて樹脂モールドされる。この樹脂モールド操作においては、先に計測した当該被成形品１の厚さ計測結果に基づいて、予め制御部５０により金型駆動機構１６ａを駆動してキャビティ容量が調整された状態で樹脂モールドされる。

樹脂モールド後、アンローダー２６がプレス装置１５内に進入し、成形品１８を取り上げてプレス装置１５から搬出し成形品１８を取り出し部１９へ移載する。成形品１８は取り出し部１９からディゲート部２０に搬送され、成形品１８からゲート等の不要樹脂を除去され、不要樹脂が除去された製品２１は収納マガジン２２に順次収納される。

ここで、制御部５０によるプレス装置１５の制御動作について図１２及び図１３を参照して説明する。
制御部５０は、第１レーザー変位計４３，第２レーザー変位計４４による測定結果から、プレス部Ｃにおける樹脂モールドに必要なキャビティ深さを規定するキャビティインサート、及び、基板１ｂをクランプする際の上型７０と下型８０とのクランプ領域の隙間の大きさを規定する下型インサートブロックの移動量を調整するようになっている。

例えば、図１２において、上型７０では、センターブロック７１を挟んでチェイスブロック７２が配置され、チェイスブロック７２に設けられた装着孔に型開閉方向に摺動するように上型キャビティインサート７３が装着されている。
上型キャビティインサート７３と可動テーパプレート７５との間に、テーパ面を可動テーパプレート７５に対向させて固定テーパプレート７７が配置される。可動テーパプレート７５と固定テーパプレート７７とが、協働して上型キャビティインサート７３を型開閉方向に押動する押動部材として作用する。駆動部７６は、先端が可動テーパプレート７５の側面に係合する伝動軸７６ａと伝動軸７６ａに進退動を与える動力部７６ｂとを主体に構成され、可動テーパプレート７５を進退動させることにより上型キャビティインサート７３を型開閉方向に押動する。本実施形態においては、金型駆動機構１６ａは、図１２，１３に示すように、キャビティの配置に対応する複数（例えば３つ）の駆動部７６で構成され、各被成形品１の配置に対応してプレス装置１５の両側に配置されている。

可動テーパプレート７５の上側にはベースブロック７９が配される。ベースブロック７９の可動テーパプレート７５の上面が当接する下面は平坦面に加工され、このベースブロック７９の平坦面が上型キャビティインサート７３の型開閉方向の位置を規定する基準面となる。図１２は、可動テーパプレート７５とベースブロック７９との間に厚さ調整用プレート７８を介装した状態を示す。

この厚さ調整用のプレートは、品種切り換えによって異種製品を樹脂モールドするような場合に、被成形品１の厚さ（高さ）が大きく異なり、上型キャビティインサート７３を型開閉方向に移動させて調節する方法では厚さの相違を吸収できない場合に装着して用いられる。
ベースブロック７９の下面が上型キャビティインサート７３の基準面に設定されているから、ベースブロック７９と可動テーパプレート７５との間に厚さ調整用のプレート７８を共通に配置することによって、上型７０における上型キャビティインサート７３の位置を一括して正確に調整することができる。

下型８０においては、センターブロック８１を挟む配置に、型開閉方向に摺動する下型インサートブロック８３が装着されている。図１２は、下型インサートブロック８３上に対向して被成形品１がセットされ、センターブロック８１に設けられたポット８１ａに樹脂タブレット７が供給された状態を示す。ポット８１ａ内には、型開閉方向に摺動するプランジャ９２が装着されている。

下型インサートブロック８３の下側には、厚さ調整用プレート８８を介して固定テーパプレート８７が配置され、固定テーパプレート８７とテーパ面を対向させて可動テーパプレート８５が配置されている。駆動部８６は、先端が可動テーパプレート８５の側面に係合する伝動軸８６ａと伝動軸８６ａに進退動を与える動力部８６ｂとを主体に構成され、可動テーパプレート８５を進退動させることにより下型インサートブロック８３を型開閉方向に押動する。本実施形態においては、金型駆動機構１６ｂは、プレス装置１５に供給される被成形品１の配置に対応する複数（例えば２つ）の駆動部８６で構成されている（図１２参照）。

下型８０に装着する厚さ調整用のプレート８８も、異種製品を樹脂モールドするような場合で、半導体チップ１ａや基板１ｂの厚さが異なる場合に、厚さ調整用として使用される。

図１３（ａ）は、上型７０と下型８０とにより被成形品１をクランプした状態を示す。上型キャビティインサート７３は、押圧面が半導体チップ１ａの上面に接する位置よりも半導体チップ１ａを若干、下型８０に向けて押し込む（押し潰す）位置に設定されていることにより、上型キャビティインサート７３によって被成形品１が確実にクランプされ、樹脂モールド時に半導体チップ１ａの外面に樹脂ばりが生じることを防止する。

上型キャビティインサート７３によって半導体チップ１ａを若干、押し込むようにする場合は、半導体チップ１ａや半導体チップ１ａと基板１ｂとの接合部が損傷しないようにする必要がある。本実施形態においては、第１レーザー変位計４３，第２レーザー変位計４４による基板１ｂの厚さと半導体チップ１ａを含む基板１ｂの総厚があらかじめ計測され、その計測結果に基づいて上型キャビティインサート７３と下型インサートブロック８３による型開閉方向の位置を設定することにより、被成形品を損傷させることなく、樹脂ばりを生じさせない最適なクランプ状態に設定することができる。
製品によっては、半導体チップ１ａの外面に接続用のパッドが形成されているような場合があり、このような製品においては半導体チップ１ａの外面に樹脂ばりが生じることは不良に直結する。本実施形態の樹脂モールド方法は、このような製品の製造に有効に適用できる。

また、金型駆動装置１６ｂを作動させて各基板１ｂの厚みに対応する高さに下型インサートブロックを移動させてからクランプすることにより、基板１ｂにおける樹脂ばりや基板の破損が発生しない最適なクランプ圧でクランプすることができる。

例えば、図１２における左側の被成形品１は、厚さ計測部Ｂにより測定点Ｓ１〜Ｓ１８における総厚と測定点Ｔ１〜Ｔ１２における基板１ｂ板厚とが測定される。この場合、制御部５０は、測定点Ｓ１〜Ｓ１８における総厚と測定点Ｔ１〜Ｔ１２における基板１ｂの板厚との差から各半導体チップ１ａの厚みを算出する。具体的には、各半導体チップ１ａ位置における総厚から周囲における基板１ｂの板厚から各半導体チップ１ａの厚みを算出する。例えば、図４（ａ），（ｃ）における下側（手前側）の半導体チップ１ａでは複数の測定点Ｓ１〜Ｓ６における総厚の平均値から周囲の複数の測定点Ｔ７〜Ｔ１２における基板１ｂの板厚の平均値を差し引くことにより、この半導体チップ１ａの厚みを算出することができる。この場合、半導体チップ１ａの周囲の測定点Ｔ７〜Ｔ１２における板厚を用いることにより正確に半導体チップ１ａの厚みを算出することができる。なお、総厚から測定点Ｔ１〜Ｔ１２の平均値を差し引くことで全ての半導体チップ１ａの厚みを算出するように処理を簡素化してもよい。

このように、制御部５０は、厚さ計測部Ｂにおいて測定された２つの被成形品１における測定点Ｓ１〜Ｓ１８、Ｓ１´〜Ｓ１８´の総厚、及び、測定点Ｔ１〜Ｔ１２、Ｔ１´〜Ｔ１２´の基板１ｂの板厚に基づいて、６つの半導体チップ１ａの厚みを全て算出する。次いで、制御部５０は、各半導体チップ１ａの厚みに基づいて金型駆動機構１６ａを制御して各上型キャビティインサート７３を型開閉方向位置に位置合わせしてキャビティを適切な深さとする。

一方、制御部５０は、厚さ計測部Ｂにおいて測定された２つの被成形品１における測定点Ｔ１〜Ｔ１２、Ｔ１´〜Ｔ１２´における基板１ｂ板厚に基づき、２つの被成形品１の板厚を例えば平均値としてそれぞれ算出する。次いで、制御部５０は、各被成形品１の基板１ｂの板厚に基づいて金型駆動機構１６ｂを制御して下型インサートブロック８３を型開閉方向位置に位置合わせする。これにより全ての半導体チップ１ａの厚みに対してそれぞれに最適なキャビティの深さとすると共に、全ての被成形品１における基板１ｂの板厚に対して最適な位置に下型インサートブロック８３を位置合わせした状態でクランプし樹脂モールドする。これにより、対向配置された被成形品１に対して樹脂モールドすることが可能となっている。

図１３（ｂ）は、キャビティに封止樹脂９０ａを充填した状態である。封止樹脂９０ａは各々の半導体チップ１ａの側面を封止するようにキャビティに充填される。上型７０と下型８０とにより被成形品１を確実にクランプした状態でキャビティに封止樹脂９０ａを充填することによって、基板１ｂ上や半導体チップ１ａの外面に樹脂ばりを生じさせずに樹脂モールドすることができる。

本実施形態においては、上型７０の金型面をリリースフィルム９１によって被覆して樹脂モールドしている。リリースフィルム９１を介して被成形品１をクランプすることにより、基板１ｂ上と半導体チップ１ａの外面に樹脂ばりが生じることをより効果的に抑えることができる。リリースフィルム９１は上型キャビティインサート７３と装着孔との摺接部分に封止樹脂９０ａが侵入することを防止し、上型キャビティインサート７３の摺動性を確保する作用も有する。

なお、上記実施形態においては、型開きした状態で下型８０に被成形品１を供給した後に、駆動部７６，８６（伝動軸７６ａ，８６ａ、動力部７６ｂ，８６ｂ）を駆動して上型キャビティインサート７３と下型インサートブロック８３を所定の型開閉方向位置に位置合わせした。制御部５０による制御としては、下型８０に被成形品１を供給する前に、厚さ計測部Ｂによる計測結果に基づいて駆動部７６，８６を制御し、上型キャビティインサート７３と下型インサートブロック８３とを所定位置に位置合わせした状態で下型８０に被成形品１を供給してもよい。
また、通常は、上型キャビティインサート７３と下型インサートブロック８３を所定位置に位置合わせした後に被成形品１をクランプするが、上型７０と下型８０とを型合わせした後に、駆動部７６，８６を駆動して上型キャビティインサート７３と下型インサートブロック８３を所定の型開閉方向の位置に移動させて樹脂モールドすることも可能である。

また、上記プレス装置１５は、固形の樹脂タブレット７が供給されて金型駆動機構１６ａによってキャビティ容積を変更する場合について説明したが、液状樹脂が供給される場合には、第１レーザー変位計４３，第２レーザー変位計４４による基板１ｂの厚さと半導体チップ１ａを含む基板１ｂの総厚があらかじめ計測され、制御部５０はその計測結果に基づいて被成形品１に供給される液状樹脂の樹脂量を調整するようにしても良い。

以上説明したように、上述した樹脂モールド装置を用いれば基板１ｂの厚さのみならず、半導体チップ１ａの厚さを精度良く計測することができる。また、制御部５０は測定結果からプレス部Ｃにおける樹脂モールドに必要なキャビティインサートの移動量（キャビティ深さ）を制御することにより、キャビティ容積を調整して成形品質を高品質に維持することができる。よって、成形品の品種を切り替えてもプレス部Ｃの調整が容易に行なえる。
また、厚さ計測部Ｂは、被成形品１を予備加熱されるプレヒート前に計測が行なわれるので、熱による膨張の影響が少ない段階で被成形品１の総厚及び基板板厚を正確に計測することができる。

尚、上述した樹脂モールド装置は、搬送機構Ｅを共用した供給部Ａ、厚さ計測部Ｂ、プレス部Ｃ、収納部Ｄを組み換え可能な装置について例示したが、これらが一体に組み付けられた公知の樹脂モールド装置に適用することも可能である。
また、樹脂モールド装置はトランスファモールド装置に限らず圧縮成形装置であっても良い。

また、上述した樹脂モールド装置では、図１３に示すように、上型キャビティインサート７３で被成形品１（半導体チップ１ａ）をクランプして樹脂モールドする構成例について説明したが本発明はこれに限定されない。例えば、半導体チップ１ａ上に所定の隙間を開けた状態で樹脂モールドする構成としてもよい。この場合には、制御部５０は、算出した半導体チップ１ａの厚みと、半導体チップ１ａ上に形成する樹脂層の厚みの設定値とを足した値となるように金型駆動機構１６ａを制御してキャビティの深さを設定する。これにより、半導体チップ１ａ上に形成する樹脂層の厚みを正確に制御することができ、成形品質を高品質に維持することができる。

また、半導体チップ１ａ上に樹脂層を形成する形態において、キャビティに樹脂を注入する際には、全てのキャビティにおいて半導体チップ１ａ上から上型キャビティインサート７３までの隙間を半導体チップ１ａ上に形成する樹脂層の厚みの設定値よりも所定値だけ大きくすることで樹脂を注入し易くしてもよい。樹脂注入後に制御部５０は金型駆動機構１６ａを制御して半導体チップ１ａ上における樹脂層の厚みの目標値となるようにキャビティの深さを浅くして樹脂をプランジャ９２側に戻す。この場合、樹脂注入時における半導体チップ１ａ上の隙間を全てのキャビティで均一にすることができるため、キャビティ内における樹脂の充填状態（流れ）を均一にでき成形品質の均一化を図ることができる。

Ａ 供給部
Ｂ 厚さ計測部
Ｃ プレス部
Ｄ 収納部
Ｅ 搬送機構
Ｆ プリヒート部
Ｇ ダミーモジュール部
１ 被成形品
１ａ 半導体チップ
１ｂ 基板
２ 供給マガジン
３ 供給ストッカ
４ プッシャ
５ ターンテーブル
６ 供給ステージ
７ 樹脂タブレット
８ 樹脂タブレット供給部
９ 搬送プレート
９ａ 切欠き
９ｂ ワーク支持部
９ｃ 吸着孔
９ｄ，３１ｄ 貫通孔
１０ Ｘ−Ｙ走査機構
１１ 測定装置
１２ 移載部
１３ ヒータブロック
１４ トンネルカバー
１５ プレス装置
１６ａ，１６ｂ 金型駆動機構
１７ フィルム供給機構
１８ 成形品
１９ 取り出し部
２０ ディゲート部
２１ 製品
２２ 収納マガジン
２３ 収納ストッカ
２５ ローダー
２６ アンローダー
２７ ガイドレール
２８ 走査台
２９ Ｙ軸レール
３０ Ｘ軸レール
３１ 搬送テーブル
３１ａ 吸引溝
３１ｂ 孔
３１ｃ 突部
３２ Ｙ軸ボールねじ
３３ Ｙ軸モータ
３４ Ｙ軸ナット
３５ Ｘ軸ボールねじ
３６ Ｘ軸モータ
３７ Ｘ軸ナット
３９ コンプレッサ
４０ Ｚ軸方向ブロックゲージ
４１ Ｘ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージ
４１ａ 突起
４１ｂ 透明シート
４２ 支持部材
４３ 第１レーザー変位計
４３ａ，４３ｂ 第１レーザー変位センサ
４４ 第２レーザー変位計
４４ａ，４４ｂ 第２レーザー変位センサ
４５ａ，４５ｂ 第１撮像カメラ
４６ａ，４６ｂ 第２撮像カメラ
４７ ベース部
４７ａ，４７ｂ 支持部
４８ センサ固定部
４９ カメラ固定部
４８ａ，４９ａ 位置決めプレート
５０ 制御部
７０ 上型
８０ 下型
８３ 下型インサートブロック
９１ リリースフィルム
９２ プランジャ

Claims (9)

1. 半導体素子が基板実装された被成形品を供給ステージへ対向させて供給する供給部と、
   前記供給ステージに供給された被成形品がローダーによって搬入されて樹脂モールドされるプレス部と、
   前記供給部からプレス部へ搬送される間に被成形品の厚さを計測する厚さ計測部と、
   装置各部の動作を制御する制御部と、を具備し、
   前記厚さ計測部は、前記ローダーから被成形品を移載されて保持したまま搬送する搬送プレートと、当該搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構と、前記搬送プレートの搬送路に前記被成形品に対応して配置され、前記半導体チップエリアの総厚と基板エリアの板厚を測定する第１，第２の測定装置を備えたことを特徴とする樹脂モールド装置。
2. 前記搬送プレートには被成形品の保持位置に貫通孔が各々穿孔され貫通孔周縁部に基板が吸着保持されており、前記搬送プレートの搬送方向にシフト配置された第１，第２レーザー変位計を用いて前記被成形品のチップ搭載面及び基板面の双方に各々レーザー光を照射して反射光を計測して厚さ計測が行なわれる請求項１記載の樹脂モールド装置。
3. 前記搬送プレートを往動させる際に、前記第１，第２レーザー変位計は前記Ｘ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って被成形品ごとに各半導体チップエリアにおいてＸ−Ｙ方向に対応する共通の測定点において総厚の測定が同時に行なわれる請求項１又は２項記載の樹脂モールド装置。
4. 前記搬送プレートを復動及び再往動させる際に、前記Ｘ−Ｙ走査機構によって搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査しながら複数の被成形品の半導体チップエリアの周囲に形成された基板エリアにおいてつづら折れ状に連続する軌跡に沿って前記第１レーザー変位計と２レーザー変位計とで交互に板厚の測定が行なわれる請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の樹脂モールド装置。
5. 前記被成形品の厚さ計測に先立ってＺ軸方向ブロックゲージ及びＸ軸−Ｙ軸方向ブロックゲージが順次搬送プレートに装着されて第１，第２レーザー変位計の光軸の位置合わせが行われている請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の樹脂モールド装置。
6. 前記厚さ計測部は、被成形品を予備加熱されるプレヒート前に計測が行なわれる請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の樹脂モールド装置。
7. 前記制御部は、前記第１，第２の測定装置による測定結果から、前記プレス部における樹脂モールドに必要なキャビティ深さを規定するキャビティインサートの移動量を調整するか又は前記プレス部に供給する液状樹脂の樹脂量を調整する請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の樹脂モールド装置。
8. ワークを保持したまま搬送する搬送プレートと、
   前記搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構と、
   前記搬送プレートの搬送路に前記ワークに対応して配置され、前記ワークの異なる被測定エリアの板厚を各々測定する複数の測定装置を備えたことを特徴とするワーク板厚測定装置。
9. 前記ワークは基板に半導体チップが搭載されたワークの半導体チップエリアと基板エリアの板厚を各々測定する第１，第２測定装置を備えた請求項８記載のワーク板厚測定装置。

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