JP2012014122A - 光モジュールおよび製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光モジュールを簡単に製造すること。
【解決手段】受光モジュール１００は、伝送した信号光を出射する光導波路１０１と、透明な回路基板１０２と、回路基板１０２に接続された受光素子１０３と、を備えている。回路基板１０２は、信号光を透過させる透過部１０２ａを隣接して囲み、透過部１０２ａよりも屈折率が低い低屈折率部１０２ｂを有する。低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２を除去されることにより形成されている。透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂは、透過部１０２ａと低屈折率部１０２ｂとの界面１０２ｃにて信号光を反射させるよう形成されている。受光素子１０３は、回路基板１０２を透過した信号光を受光する受光部１０３ａを回路基板１０２側に備えている。
【選択図】図１−１

Description

本発明は、光モジュールおよび製造方法に関する。

近年、サーバや高性能コンピュータの分野では、性能の向上によりＣＰＵと外部インターフェースとを通信するＩ／Ｏ機能の伝送容量が増大している。一方で、従来の電気を使った高速伝送では、クロストークや配線密度の観点から、光電変換素子を配置し、光信号によって大容量伝送を可能とする光インターコネクト技術が検討されている。

光インターコネクト技術では、従来の基幹系の光通信と比較して小型であり、低コストに製造可能な小型の光モジュールが必要となる。このような光モジュールは、透明な材質を含む回路基板上に発光素子や受光素子のような光素子が実装され、光素子を実装した面とは反対側の面に光導波路が配置されたものが知られている。

こういった光モジュールとしては、より低コストに製造可能な構成とするため、ポリイミド等の薄膜からなる透明なＦＰＣ基板に光伝送素子を実装したものが知られている。そのような光モジュールを、たとえばサーバ内のプリント板に電気コネクタを介して設置することで、高速伝送な光通信が低コストに可能となる。

また、光インターコネクト技術分野では、２０［Ｇｂｐｓ］超の高速光伝送の要望が強まっている。そのため、高速で動作できる発光素子や受光素子が実装された光モジュールが用いられている。しかし、上述した光モジュールにおいては、受光素子や発光素子と、光導波路と、の間の信号光の結合損失が大きかった。

具体的には、光素子における発光部や受光部の口径と、光導波路における入射口や出射口の口径は必ずしも一致するものではなく、口径差が大きいほど外部に信号光が放射されるため、結合損失が大きい。特に、受光素子の受光部の口径は高性能であるほど小さく、たとえば、２０［Ｇｂｐｓ］以上の速度の光通信を実現する受光素子の受光部の受光径は３０［μｍ］程度である。そのため、出射口の口径が５０［μｍ］程度である一般的なマルチモード導波路を用いた場合、結合損失が大きい。

また、光導波路から出射される信号光、および発光素子の発光部から出射される信号光は、光素子と光導波路との間の距離が長いほど拡散するため、結合損失が大きくなる。これに対して、たとえば、信号光を集光する部材を回路基板に設けることで、信号光の拡散を抑制する技術が開示されている（たとえば、下記特許文献１〜３参照。）。

特開２００４−２４１６３０号公報 特開２００９−１６７０７号公報 特開２００６−４７７６４号公報

しかしながら、上述した従来技術では、信号光の拡散を抑制する部材の製造工程が複雑であるため、光モジュールの製造を簡単におこなえないという問題がある。

開示の技術は、上述した問題点を解消するものであり、光モジュールを簡単に製造することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる光モジュールは、伝送した信号光を出射する光導波路と、前記光導波路から出射された信号光を透過させる回路基板であって、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を有する回路基板と、前記回路基板を透過した信号光を受光する受光部を前記回路基板側に備えた受光素子と、を備え、前記透過部と前記低屈折率部との界面にて前記信号光を前記受光素子側へ反射させる。

開示の技術によれば、光モジュールの製造を簡単にすることができるという効果を奏する。

実施の形態１にかかる受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態１にかかる受光モジュールを示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる回路基板を示す上面図である。 実施の形態１にかかる回路基板を示す下面図である。 実施の形態１にかかる受光モジュールの製造工程の第１工程を示す説明図である。 実施の形態１にかかる受光モジュールの製造工程の第２工程を示す説明図である。 実施の形態１の第１の変形例の受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態１の第２の変形例の受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態２にかかる受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態２にかかる回路基板を示す上面図である。 実施の形態２にかかる回路基板を示す下面図である。 実施の形態２にかかる受光モジュールの製造工程における第１工程を示す説明図である。 実施の形態２にかかる受光モジュールの製造工程における第２工程を示す説明図である。 実施の形態２の変形例の受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態２の変形例の回路基板を示す上面図である。 実施の形態２の変形例の回路基板を示す下面図である。 実施の形態３にかかる受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態３の変形例にかかる受光モジュールを示す断面図である。 実施の形態４にかかる発光モジュールを示す断面図である。 実施の形態４にかかる発光モジュールの製造工程の第１工程を示す説明図である。 実施の形態４にかかる発光モジュールの製造工程の第２工程を示す説明図である。 図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の上面図である。 図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の、受光モジュールを含む一部裁断側面図である。 図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の、発光モジュールを含む一部裁断側面図である。

以下に添付図面を参照して、開示技術の好適な実施の形態を詳細に説明する。

（実施の形態１）
（実施の形態１にかかる受光モジュールの構成について）
図１−１は、実施の形態１にかかる受光モジュールを示す断面図である。図１−１に示す実施の形態１にかかる受光モジュール１００は、光導波路１０１と、透明な回路基板１０２と、受光素子１０３と、を備えた光モジュールである。

光導波路１０１は、信号光を伝送するとともに、回路基板１０２に対して信号光を出射する。光導波路１０１は、中心部のコア１０１ａと、コア１０１ａよりも屈折率が低く、コア１０１ａの周囲に配置されるクラッド１０１ｂと、によって構成されている。これにより、コア１０１ａ内の信号光は、コア１０１ａとクラッド１０１ｂとの界面にて全反射しながら伝送される。

光導波路１０１には、たとえば、エポキシ樹脂や、アクリレート樹脂を含むポリマー導波路が利用できる。たとえば、光導波路１０１として一般的なポリマー導波路を用いるものとし、光導波路１０１の厚さを１００［μｍ］、コア１０１ａの厚さを５０［μｍ］とする。また、光導波路１０１にはミラー１０１ｃが設けられている。ミラー１０１ｃは、光導波路１０１内を伝送された信号光を回路基板１０２側に反射させるように構成されている。ミラー１０１ｃの傾斜角度は、たとえば、４５［°］である。

回路基板１０２は、光導波路１０１から出射された信号光を透過させる位置に配置されている。たとえば、回路基板１０２は、ポリイミド薄膜を含むＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板である。回路基板１０２の厚さは、たとえば、一般的なＦＰＣ基板の厚さである５０［μｍ］とする。

回路基板１０２には、回路パターンとして、受光素子１０３側に信号電極１０４ａが設けられている。信号電極１０４ａには、受光素子１０３が接続されている。また、回路基板１０２の受光素子１０３とは反対側の面には、接地電極１０４ｂが設けられている。接地電極１０４ｂは、信号光を透過させる程度の大きさの開口部１０４ｃを有する。

回路基板１０２は、信号光を透過させる透過部１０２ａと、透過部１０２ａよりも屈折率が低い低屈折率部１０２ｂとを有する。低屈折率部１０２ｂは、空気層あるいは所定の低屈折率材質によりなる。透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂは、透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂの界面１０２ｃにて、光導波路１０１から出射された信号光を全反射させる全反射条件を満たすように形成されている。

受光素子１０３は、回路基板１０２を透過した信号光を受光する受光部１０３ａを回路基板１０２側に備えている。受光素子１０３は、接続された信号電極１０４ａから信号電流を伝送する機能を有する。受光部１０３ａは、受光した信号光を信号電流に変換する。受光部１０３ａは、たとえば、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）である。受光部１０３ａの受光径は、たとえば、３０［μｍ］程度である。受光部１０３ａの受光面は、たとえば、円形である。

このように、受光モジュール１００は、光導波路１０１内を伝送されて出射された信号光が、図中の光路（光軸）１１０に示すように、界面１０２ｃにて全反射され、透過部１０２ａから受光素子１０３に対して出射されるように構成されている。これにより、光導波路１０１から出射された信号光の回路基板１０２透過時における拡散を抑制することができる。

また、透過部１０２ａは、受光素子１０３側を上底面１０２ｄ、光導波路１０１側を下底面１０２ｅとし、上底面１０２ｄの方が下底面１０２ｅよりも小さい面積を有する円錐台形に形成されている。このように、透過部１０２ａの信号光の透過方向に垂直な方向の断面を、上底面１０２ｄに近づくほど小さくなるように形成することにより、透過部１０２ａの下底面１０２ｅに入射された信号光は、透過部１０２ａの上底面１０２ｄから集光されて出射される。

したがって、光導波路１０１から出射される信号光の出射面積に対して、受光素子１０３の受光部１０３ａの面積が小さい場合においても、受光部１０３ａの面積に合わせて集光することができ、結合効率を向上させることができる。

なお、透過部１０２ａは、全反射条件を満たし、かつ、信号光の透過方向に対して垂直な断面の面積が、受光素子１０３に近いほど小さく形成されていればよく、円錐台形に限るものではない。たとえば、多角錐形のように上底面１０２ｄに近づくほど断面の面積が一定の割合で小さくなる形状であってもよいし、また、上底面１０２ｄに近づくほど断面の面積が不定の割合で小さくなる形状であってもよい。

また、このように、透過部１０２ａの上底面１０２ｄを円形とすることにより、光導波路１０１から出射された信号光を円形に集光することができる。これにより、円形の受光部１０３ａに対して信号光を低損失に結合させることができる。実施の形態１においては、透過部１０２ａを円錐形とすることにより信号光を円形に集光させるものとしたが、これに限るものではない。

たとえば、透過部１０２ａが円柱形状であっても、信号光を円形に集光することができ、円形の受光部１０３ａに対して信号光を低損失に結合させることができる。また、受光部１０３ａの受光面の形状が多角形である場合、受光部１０３ａと同一の多角形の上底面１０２ｄを有する透過部１０２ａを設けるものとしても、信号光を低損失に結合させることができる。

上述したように、透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂは、光導波路１０１から出射された信号光を透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂの界面１０２ｃにて全反射させる全反射条件を満たすように形成されている。ここで、全反射条件の具体例について説明する。

透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂの界面１０２ｃにおける臨界角よりも、光導波路１０１から出射される信号光の界面１０２ｃに対する最大の入射角が大きいことが全反射条件である。透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂの界面１０２ｃにおける臨界角θｃは、透過部１０２ａの屈折率をｎ１、低屈折率部１０２ｂの屈折率をｎ２とした場合、θｃ＝ａｒｃｓｉｎ（ｎ２／ｎ１）となる。

また、最大入射角θｍａｘは、光導波路１０１から出射される信号光の拡がり角をα［°］、透過部１０２ａの円錐台の傾斜角度をβ［°］とした場合、θｍａｘ＝９０−β−α／２となる。

全反射条件を満たす一例として、コア１０１ａの厚さを５０［μｍ］、拡がり角αを２１［°］、ｎ１＝１．７、ｎ２＝１．０、とすると、θｃ＝３６［°］である。これを満たすため、たとえば、回路基板１０２の厚さを５０［μｍ］、透過部１０２ａの上底面１０２ｄの直径を２０〜５０［μｍ］、透過部１０２ａの下底面１０２ｅの直径を５０〜１００［μｍ］とする。

また、透過部１０２ａは、底部が支持部１０２ｆを介して回路基板１０２に連続するよう形成されている。支持部１０２ｆは回路基板１０２の一部であるため、透過部１０２ａを固定する固定部材を新たに設けなくてもよい。

図１−２は、実施の形態１にかかる受光モジュールを示す拡大断面図である。図１−２に示すように、実施の形態１にかかる受光モジュール１００の透過部１０２ａ中を、光導波路１０１から出射された信号光が透過する。

信号光は、光路１１０上のミラー１０１ｃによって屈折され、拡がり角αをもって拡散する。拡散した信号光の光路１２０によると、まず、拡散された信号光は下底面１０２ｅから透過部１０２ａに入射する。その後、拡散された信号光は界面１０２ｃにて受光部１０３ａ方向へ全反射し、上底面１０２ｄから出射する。これにより、拡散を抑制することができる。また、界面１０２ｃは傾斜を有するため、より効果的に拡散を抑制し、受光部１０３ａに対して集光することができる。

図２−１は、実施の形態１にかかる回路基板を示す上面図である。図２−１に示すように、実施の形態１にかかる受光モジュール１００の回路基板１０２上には、線状に形成された信号電極１０４ａが設置されることにより回路パターンが形成されている。

図示するように信号電極１０４ａは２本配置されている。信号電極１０４ａのうち、一方はアノードとして受光素子１０３が接続される。また、信号電極１０４ａのうち、他方はカソードとして受光素子１０３が接続される。

回路基板１０２には、円錐台形の透過部１０２ａと、透過部１０２ａの周囲に低屈折率部１０２ｂが形成されている。透過部１０２ａの上底面１０２ｄは円形である。低屈折率部１０２ｂの底部は支持部１０２ｆである。このように、透過部１０２ａは支持部１０２ｆによって固定されている。

図２−２は、実施の形態１にかかる回路基板を示す下面図である。実施の形態１にかかる受光モジュール１００の回路基板１０２の下面は、接地電極１０４ｂが設けられており、信号電極１０４ａとともにストリップライン構造を構成している。接地電極１０４ｂには、信号光を透過するように開口部１０４ｃが設けられている。

（実施の形態１にかかる受光モジュールの製造工程について）
図３−１は、実施の形態１にかかる受光モジュールの製造工程の第１工程を示す説明図である。図３−２は、実施の形態１にかかる受光モジュールの製造工程の第２工程を示す説明図である。

まず、図３−１に示すように、実施の形態１にかかる受光モジュール１００の製造工程の第１工程として、ポリイミドの薄膜を含む回路基板１０２に回路パターンを作成する。具体的には、回路基板１０２に銅箔を配置することにより、信号電極１０４ａおよび接地電極１０４ｂを形成する。

図３−１に示した第１工程の後、図３−２に示すように、実施の形態１にかかる受光モジュール１００の製造工程の第２工程として、回路基板１０２にレジストパターン３０１を作成し、エッチングをおこなうことにより低屈折率部１０２ｂを形成する。

具体的には、回路基板１０２の信号電極１０４ａ側の面に輪状にくり抜かれたレジストパターン３０１を作成してエッチングをおこなうことにより、上底面１０２ｄの面積が下底面１０２ｅの面積よりも小さい円錐台形の透過部１０２ａを形成する。また、第２工程においては、回路基板１０２を貫通させない程度の時間の管理によるエッチングをおこなう。これにより、回路基板１０２に透過部１０２ａを固定支持する支持部１０２ｆを形成することができる。

なお、第２工程においては、回路基板１０２の接地電極１０４ｂ側の面を保護するレジストパターン３０１を作成した上で、両面をエッチングしてもよい。また、信号電極１０４ａ側の面のみをエッチングしてもよい。エッチングは、溶解溶液を用いるウエットエッチングであってもよいし、ガスを用いるドライエッチングであってもよい。溶解溶液としては、たとえば、アルカリ溶液を用いることができる。

第２工程の後に、回路基板１０２に対し、光導波路１０１を実装するとともに、受光部１０３ａを回路基板１０２側に向けて受光素子１０３を実装することにより、受光モジュール１００を製造する。その際、透過部１０２ａに信号光を出射する位置に光導波路１０１を実装する。また、透過部１０２ａを透過した信号光を受光部１０３ａによって受光可能な位置に受光素子１０３を実装する。また、その際、受光素子１０３は第１工程にて作成された回路パターンに接続される。

このように、回路パターンを作成した回路基板に受光素子および光導波路を設置する従来の受光モジュールを作成する従来の製造方法に、上述した第２工程を加える簡単な製造方法で受光モジュール１００を作成することができる。また、特殊な加工技術を用いずとも第２工程をおこなうことが可能であり、製造コストを抑えることができる。すなわち、低損失な光結合を、製造が簡単な受光モジュール１００において実現することができる。

本実施の形態においては、回路基板１０２に回路パターンを形成する第１工程をおこなった後に、エッチングにより透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂを形成する第２工程をおこなうものとしたが、これに限るものではない。たとえば、エッチングによって透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂを形成した後に、回路基板１０２に回路パターンを形成する工程をおこなうものであってもよい。

このように、受光モジュール１００は、信号光を集光するマイクロレンズを回路基板に実装する技術（たとえば、上記特許文献１参照。）のような高い精度を要する製造工程をおこなわずとも、信号光の拡散を抑制することができる。

また、受光モジュール１００は、信号光を集光する反射鏡を、開口した回路基板に備える技術（たとえば、上記特許文献２参照。）に比べ、少ない工程数にて製造が可能である。また、受光モジュール１００は、信号光を集光する特殊な形状の光導波路を用いる技術（たとえば、上記特許文献３参照。）のような特殊な製造工程をおこなわずとも、信号光の拡散を抑制することができる。したがって、受光モジュール１００は、簡単な製造が可能である。

（実施の形態１の第１の変形例）
図４は、実施の形態１の第１の変形例の受光モジュールを示す断面図である。実施の形態１の第１の変形例においては、実施の形態１にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図４に示す実施の形態１の第１の変形例の受光モジュール１００は、図１−１にて上述した回路基板１０２を、透明なガラス基板４０１によって実現したものである。

受光モジュール１００は、ガラス基板４０１の透過部１０２ａの周囲が除去されることにより低屈折率部１０２ｂが形成されている。ガラス基板４０１の厚さは数１００［μｍ］であり、ＦＰＣ基板である回路基板１０２よりも厚さがある。そのため、ガラス基板４０１を用いた場合、回路基板１０２を用いた場合よりも透過部１０２ａの傾きを緩く設けることが可能である。

これにより、ガラス基板４０１を用いた場合、光導波路１０１から出射される信号光の拡がり角が大きい場合においても、信号光を全反射させることができる。このように、ガラス基板４０１を用いた場合にも、透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂを設けることにより、簡単な製造工程により、低損失な光結合を実現することができる。なお、ガラス基板４０１の透過部１０２ａは、たとえばレーザ加工によって製造される。

（実施の形態１の第２の変形例）
図５は、実施の形態１の第２の変形例の受光モジュールを示す断面図である。実施の形態１の第２の変形例においては、実施の形態１にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図５に示す実施の形態１の第２の変形例の受光モジュール１００は、図１−１にて上述した光導波路１０１から、光ファイバ５０１および光コネクタ５０２に換えたものである。信号光を出射する光ファイバ５０１は、光コネクタ５０２によって回路基板１０２に接続されている。

光ファイバ５０１は、信号光を伝送し、透過部１０２ａ方向に信号光を出射するよう設置されている。これにより、光ファイバ５０１から出射された信号光は透過部１０２ａに入射し、透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂの界面１０２ｃにて全反射し、受光素子１０３へ出射される。したがって、受光部１０３ａ外へ放射される信号光を低減させることができる。このように、伝送した信号光を出射するものであれば、光導波路１０１の代わりにいずれのものを用いてもよい。

上述したように、実施の形態１にかかる受光モジュール１００によれば、光導波路１０１から出射された信号光は、透過部１０２ａと、回路基板１０２を除去されて形成された低屈折率部１０２ｂと、の界面１０２ｃを全反射し受光素子１０３に出射される。これにより、簡易な製造工程による受光モジュール１００によって、受光部１０３ａ外への信号光の拡散を抑制することができる。すなわち、結合損失の低減による伝送性能の向上を、簡単に製造可能な受光モジュールにて実現することができる。

また、実施の形態１にかかる受光モジュール１００によれば、透過部１０２ａは、透過方向に垂直な断面の面積が受光素子１０３に近いほど小さくなるように形成されることにより、信号光を集光することができる。これにより、受光素子１０３の受光部１０３ａが光導波路１０１から出射される信号光の出射範囲よりも小さい場合においても、結合損失を低減させることができる。

また、実施の形態１にかかる受光モジュール１００は、受光素子１０３の受光部１０３ａが円形であり、かつ、透過部１０２ａの信号光の透過方向に対して垂直な断面が円形である構成とした。これにより、受光部１０３ａの形状に合わせて円形に信号光を集光することが可能であり、より低損失な光結合を実現することができる。

また、実施の形態１にかかる受光モジュール１００は、回路基板１０２から透過部１０２ａの周囲を貫通させないように除去されることによって、低屈折率部１０２ｂが形成される構成とした。これにより、支持部１０２ｆを形成することができる。したがって、透過部１０２ａを固定させるための工程を追加しなくても受光モジュール１００を製造することができる。

なお、実施の形態１においては、低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２を一切貫通させずに形成されるものとしたが、透過部１０２ａを固定させる支持部１０２ｆを形成することができればこれに限るものではない。たとえば、支持部１０２ｆを形成可能であれば、低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２の透過部１０２ａの周囲の一部以外が貫通されて形成されるものでもよい。

また、実施の形態１にかかる受光モジュール１００によれば、回路基板１０２はポリイミドの薄膜を含むＦＰＣ基板である構成とした。これにより、透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂをエッチングによって安価に形成することが可能である。また、ＦＰＣ基板はガラス基板に比べて薄く柔軟であるため設置場所を限定せず、集積が容易である。

また、低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２から除去された空間である構成とした。これにより、透過部１０２ａよりも屈折率が低い物質を、回路基板１０２から除去された部分に充填する工程をおこなわなくてもよいため、製造が簡単である。また、受光モジュール１００を軽量化することができる。

（実施の形態２）
（実施の形態２にかかる受光モジュールの構成について）
図６は、実施の形態２にかかる受光モジュールを示す断面図である。実施の形態２においては、実施の形態１にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図６に示す実施の形態２にかかる受光モジュール１００は、図１−１に上述した透過部１０２ａが、回路基板１０２から隔離されて形成されている。また、図１−１に示した開口部１０４ｃは、透過部１０２ａの下底面１０２ｅよりも小さく設けられている。これにより、回路基板１０２から隔離された透過部１０２ａは、接地電極１０４ｂによって固定されている。

図７−１は、実施の形態２にかかる回路基板を示す上面図である。図７−１に示すように、実施の形態２にかかる受光モジュール１００の回路基板１０２上には、円錐台形の透過部１０２ａと、透過部１０２ａの周囲に低屈折率部１０２ｂが形成されている。透過部１０２ａは回路基板１０２から隔離されているため、低屈折率部１０２ｂの底部に接地電極１０４ｂが露出している。点線にて示す開口部１０４ｃは、下底面１０２ｅよりも小さい面積にて形成されている。このように、透過部１０２ａは、接地電極１０４ｂによって固定されている。

図７−２は、実施の形態２にかかる回路基板を示す下面図である。実施の形態２にかかる受光モジュール１００の回路基板１０２の下面は、信号光を透過させるための接地電極１０４ｂの開口部１０４ｃを有する。開口部１０４ｃは、透過部１０２ａの下底面１０２ｅの面積よりも小さく、透過部１０２ａを固定するように形成されている。

（実施の形態２にかかる受光モジュールの製造工程について）
図８−１は、実施の形態２にかかる受光モジュールの製造工程における第１工程を示す説明図である。図８−２は、実施の形態２にかかる受光モジュールの製造工程における第２工程を示す説明図である。

まず、図８−１に示すように、実施の形態２にかかる受光モジュール１００の製造工程における第１工程として、ポリイミドの薄膜を含む回路基板１０２に、回路パターンを作成する。具体的には、回路基板１０２に銅箔を配置することにより、信号電極１０４ａおよび接地電極１０４ｂを形成する。この際、透過部１０２ａを固定できる程度の開口部１０４ｃを設けた接地電極１０４ｂを形成する。

図８−１に示した第１工程の後、図８−２に示すように、実施の形態２にかかる受光モジュール１００の製造工程における第２工程として、回路基板１０２にレジストパターン３０１を作成してエッチングをおこなう。その際、回路基板１０２を貫通させる程度の時間を用いてエッチングをおこなうことにより、低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２の底部まで達し、透過部１０２ａは、回路基板１０２から隔離される。

第２工程の後に、回路基板１０２に対し、光導波路１０１を実装するとともに、受光部１０３ａを回路基板１０２側に向けて受光素子１０３を実装することにより、受光モジュール１００を製造する。このように、実施の形態２にかかる受光モジュール１００は、透過部１０２ａを固定させる固定部材を作成する工程を追加しなくてもよく、かつ、厳密な時間管理をおこなわなくてもよいため、より簡単な製造が可能である。

（実施の形態２の変形例）
図９は、実施の形態２の変形例の受光モジュールを示す断面図である。実施の形態２の変形例においては、実施の形態１または２にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図９に示す実施の形態２の変形例の受光モジュール１００は、透過部１０２ａが接地電極１０４ｂの一部にて固定されている。回路基板１０２がＦＰＣ基板のように軽い材質である場合、接地電極１０４ｂのうち少なくとも一部が透過部１０２ａに接することにより、透過部１０２ａを固定することができる。

図１０−１は、実施の形態２の変形例の回路基板を示す上面図である。図１０−１に示すように、実施の形態２の変形例の受光モジュール１００の回路基板１０２上には、円錐台形の透過部１０２ａが形成されており、透過部１０２ａの周囲には低屈折率部１０２ｂが形成されている。透過部１０２ａは回路基板１０２から隔離されているため、低屈折率部１０２ｂの底部には、突起した接地電極１０４ｂが露出する。このように、透過部１０２ａは、開口部１０４ｃから突起した接地電極１０４ｂによって固定されている。

図１０−２は、実施の形態２の変形例の回路基板を示す下面図である。図１０−２に示すように、実施の形態２の変形例の受光モジュール１００の回路基板１０２の下面には、接地電極１０４ｂの開口部１０４ｃから突起した接地電極１０４ｂが、透過部１０２ａの下底面１０２ｅに触れることにより、透過部１０２ａを固定している。このように、透過部１０２ａの下底面１０２ｅに対して、少なくとも一部に接地電極１０４ｂが接していれば透過部１０２ａの固定が可能である。

上述したように、実施の形態２にかかる受光モジュール１００によれば、低屈折率部１０２ｂは、回路基板１０２の透過部１０２ａの周囲を貫通されて除去されることにより形成され、接地電極１０４ｂ上に固定される構成とした。これにより、エッチングにおいて時間管理をしなくてもよいため、より製造が簡単になる。

また、接地電極１０４ｂの一部を透過部１０２ａの下底面１０２ｅに接触させることにより、透過部１０２ａを固定させる構成とした。このように、透過部１０２ａおよび接地電極１０４ｂの接触範囲を小さくすることにより、接地電極１０４ｂによる信号光の遮断を低減させることができる。

（実施の形態３）
（実施の形態３にかかる受光モジュールの構成について）
図１１は、実施の形態３にかかる受光モジュールを示す断面図である。実施の形態３においては、実施の形態１または実施の形態２にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図１１に示すように、実施の形態３にかかる受光モジュール１００は、実施の形態１にかかる受光モジュール１００における回路基板１０２と光導波路１０１との間に、透明な回路基板１１０１を挟んで備えている。回路基板１１０１は、光導波路１０１から出射される信号光を透過する。また、回路基板１１０１は、たとえば、回路基板１０２と同様のＦＰＣ基板である。

このように回路基板を複数用いた多層基板構造の受光モジュールは、集積回路の高密度化を図るものである。回路基板１１０１は、光導波路１０１から出射された信号光を透過部１０２ａまで透過させる際に信号光を遮断しない範囲に接地電極１１０２を配置している。接地電極１１０２は、信号光を透過させる程度の大きさの開口部１１０２ａを有する。なお、不図示であるが、回路基板１１０１には信号電極が配置されている。

このような多層基板構造の受光モジュールにおいては、単一の回路基板によって形成される受光モジュールに比べ、光導波路１０１から受光素子１０３までの距離が長い。そのため、多層基板構造の受光モジュールの方が、単一の回路基板を用いた受光モジュールよりも、光導波路１０１から出射された信号光の拡散する量が多く、結合損失が大きい。

そこで、回路基板１０２の透過部１０２ａの周囲に低屈折率部１０２ｂを設けることにより、回路基板１１０１内を拡散した信号光を回路基板１０２の透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂによって集光することができる。そのため、多層基板を用いた受光モジュールにおいても、簡単な製造にて、結合損失を低減させることができる。

上述したように、実施の形態３にかかる受光モジュール１００によれば、多層基板構造の受光モジュールにおいて、透過部１０２ａの周囲に低屈折率部１０２ｂを有する回路基板１０２を備える構成とした。これにより、多層基板構造の受光モジュールにおいても、簡単な製造にて、低損失な光結合を実現することができる。

（実施の形態３の変形例）
図１２は、実施の形態３の変形例にかかる受光モジュールを示す断面図である。実施の形態３の変形例においては、実施の形態１〜３にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図１２に示すように、実施の形態３の変形例にかかる受光モジュール１００は、回路基板１０２の光導波路１０１側に、回路基板１１０１を重ねて備えた多層基板構造の受光モジュールである。

回路基板１１０１は、信号光を透過させる透過部１１０１ａと、透過部１１０１ａの周囲に透過部１１０１ａよりも屈折率が低い低屈折率部１１０１ｂと、を有する。低屈折率部１１０１ｂは、回路基板１１０１における透過部１１０１ａの周囲を除去されることによって形成されている。

透過部１１０１ａおよび低屈折率部１１０１ｂは、界面１１０１ｃにて光導波路１０１から出射された信号光を全反射させる全反射条件を満たすように形成されている。また、透過部１１０１ａは、受光素子１０３側を上底面１１０１ｄ、光導波路１０１側を下底面１１０１ｅとし、上底面１１０１ｄの方が下底面１１０１ｅよりも小さい面積を有する円錐台形に形成されている。

これにより、光導波路１０１から出射された信号光は、下底面１１０１ｅから透過部１１０１ａに入射し、界面１１０１ｃにて全反射し、上底面１１０１ｄから出射される。そして、上底面１１０１ｄから出射された信号光は、下底面１０２ｅから透過部１０２ａに入射し、界面１０２ｃにて全反射し、上底面１０２ｄから受光部１０３ａに出射される。

このように、光導波路１０１から出射された信号光は、各回路基板１０２にて拡散を抑制される。そのため、多層基板構造の受光モジュール１００においても、各回路基板に低屈折率部を設けることにより、より拡散を抑制することが可能である。また、図１１に上述した多層基板構造の受光モジュール１００よりもさらに低損失な光結合を実現することができる。また、実施の形態３における多層基板構造の受光モジュール１００においては、二枚の回路基板を用いるものとしたが、回路基板の枚数はこれに限るものではない。

（実施の形態４）
（実施の形態４にかかる発光モジュールの構成について）
図１３は、実施の形態４にかかる発光モジュールを示す断面図である。実施の形態４においては、実施の形態１〜３にかかる受光モジュール１００と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図１３に示す実施の形態４にかかる発光モジュール１３００は、発光素子１３０１と、透明な回路基板１３０２と、信号光を伝送する光導波路１０１と、を備えた光モジュールである。

発光素子１３０１は、電気信号から変換した信号光を出射する。また、発光素子１３０１は、信号光を発光する発光部１３０１ａを回路基板１３０２側に備えている。また、発光部１３０１ａは、たとえば、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）などの半導体レーザである。

回路基板１３０２は、発光素子１３０１から出射された信号光を透過させる位置に配置されている。回路基板１３０２は、たとえばＦＰＣ基板である。また、回路基板１３０２の発光素子１３０１側の面には信号電極１０４ａが設けられている。信号電極１０４ａには、発光素子１３０１が接続されている。また、発光素子１３０１と反対側の面に接地電極１０４ｂが設けられている。

回路基板１３０２は、信号光を透過させる透過部１３０２ａと、透過部１３０２ａよりも屈折率が低い低屈折率部１３０２ｂとを有する。低屈折率部１３０２ｂは、透過部１３０２ａを隣接して囲むように形成されている。透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂは、透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂの界面１３０２ｃにて、発光素子１３０１から出射された信号光を全反射させる全反射条件を満たすように形成されている。

このように、発光モジュール１３００は、発光素子１３０１から出射された信号光が、図中の光路１３１０に示すように、界面１３０２ｃにて全反射され、透過部１３０２ａから光導波路１０１に対して出射されるように構成されている。これにより、発光素子１３０１から出射された信号光の、回路基板１３０２透過時の拡散を抑制することができる。

また、低屈折率部１３０２ｂは、回路基板１３０２の透過部１３０２ａの周囲を除去されることにより形成されている。したがって、低損失な光結合を、簡単に製造可能な発光モジュール１３００によって実現することができる。

また、透過部１３０２ａは、発光素子１３０１側を上底面１３０２ｄ、光導波路１０１側を下底面１３０２ｅとし、下底面１３０２ｅの方が上底面１３０２ｄよりも小さい面積を有する円錐台形に形成されている。これにより、透過部１３０２ａに入射された信号光は、透過部１３０２ａの下底面１３０２ｅから集光されて出射される。

したがって、発光素子１３０１から出射される信号光の出射面積に対して、光導波路１０１のコア１０１ａの入射可能範囲が小さい場合においても、光導波路１０１外へ放射される信号光を低減することができ、結合損失を低下させることができる。

なお、透過部１３０２ａは、全反射条件を満たし、かつ、信号光の透過方向に対して垂直な断面の面積が、光導波路１０１に近いほど小さくなるよう形成されていればよく、円錐台形に限るものではない。たとえば、多角錐形のように下底面１３０２ｅに近づくほど断面の面積が一定の割合で小さくなる形状であってもよいし、また、下底面１３０２ｅに近づくほど断面の面積が不定の割合で小さくなる形状であってもよい。

また、低屈折率部１３０２ｂは、支持部１３０２ｆによって固定されている。支持部１３０２ｆは回路基板１３０２の一部であるため、発光モジュール１３００は、透過部１３０２ａを固定させる固定部材を設置する工程を追加することなく、簡易な製造工程にて、信号光の拡散の抑制を実現することができる。

また、実施の形態３に上述したように、透明な回路基板を複数用いた多層基板構造の光モジュールは、単一の回路基板を用いた発光モジュールより信号光の拡散が大きい。そのため、多層基板構造の発光モジュールにおいて、光導波路１０１に最も近い回路基板に透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂを設けるものであってもよい。その場合、回路基板を透過する際に拡散された信号光を集光することができ、低損失な光結合を実現することができる。

また、多層基板構造の発光モジュールにおいて、各回路基板に透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂを設けるものであってもよい。その場合、信号光の拡散を各回路基板によって抑制することが可能であるため、より低損失な光結合を実現することができる。

（実施の形態４にかかる受光モジュールの製造工程について）
図１４−１は、実施の形態４にかかる発光モジュールの製造工程の第１工程を示す説明図である。図１４−２は、実施の形態４にかかる発光モジュールの製造工程の第２工程を示す説明図である。

まず、図１４−１に示すように、実施の形態４にかかる発光モジュール１３００の製造工程の第１工程として、ポリイミドの薄膜を含む回路基板１３０２に回路パターンを形成する。具体的には、回路基板１３０２に銅箔を配置することにより、信号電極１０４ａおよび接地電極１０４ｂを形成する。

図１４−１に示した第１工程の後、図１４−２に示すように、実施の形態４にかかる発光モジュール１３００の製造工程の第２工程として、回路基板１３０２にレジストパターン３０１を作成し、エッチングをおこなうことにより低屈折率部１３０２ｂを形成する。

このとき、回路基板１３０２の接地電極１０４ｂ側の面に輪状にくり抜かれたレジストパターン３０１を作成してエッチングをおこなうことにより、下底面１３０２ｅの面積が上底面１３０２ｄの面積よりも小さい円錐台形の透過部１３０２ａを形成する。

また、第２工程においては、回路基板１３０２を貫通させない程度に精密な時間の管理によるエッチングをおこなう。これにより、透過部１３０２ａを回路基板１３０２から隔離させずに形成することができる。

第２工程の後に、回路基板１３０２に対し、光導波路１０１を実装するとともに、発光部１３０１ａを回路基板１３０２側に向けて発光素子１３０１を実装することにより、発光モジュール１３００を製造する。その際、透過部１３０２ａに信号光を出射する位置に発光素子１３０１を実装する。また、透過部１３０２ａを透過した信号光が入射される位置に光導波路１０１を実装する。

このように、回路パターンを作成した回路基板に発光素子および光導波路を設置する従来の発光モジュールを作成する従来の製造方法に、上述した第２工程を加える簡易な製造方法で発光モジュール１３００を作成することができる。また、特殊な加工技術を用いずとも第２工程をおこなうことが可能であり、製造コストを抑えることができる。すなわち、低損失な光結合を、製造が簡単な発光モジュール１３００において実現することができる。

本実施の形態においては、回路基板１３０２に回路パターンを形成する第１工程をおこなった後に、エッチングにより透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂを形成する第２工程をおこなうものとしたが、これに限るものではない。たとえば、エッチングによって透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂを形成した後に、回路基板１３０２に回路パターンを形成する工程をおこなうものであってもよい。

なお、実施の形態４においては、実施の形態１と同様に、回路基板１３０２としてガラス基板を用いるものであってもよい。また、光導波路１０１の代わりに光ファイバを用いるものであってもよい。

（受光モジュールの実装例）
次に、上述した各実施の形態に示した受光モジュール１００および発光モジュール１３００を実装した光伝送装置の一例について説明する。なお、ここでは、図１−１に示した受光モジュール１００および図１３に示した発光モジュール１３００を実装した光伝送装置について説明する。

図１５−１は、図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の上面図である。また、図１５−２は、図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の、受光モジュールを含む一部裁断側面図である。また、図１５−３は、図１−１にかかる受光モジュールおよび図１３に示した発光モジュールを実装した光伝送装置の、発光モジュールを含む一部裁断側面図である。

図１５−１〜図１５−３に示す光伝送装置１５００は、電気信号を伝送するプリント基板１５０１上に、電気コネクタ１５０２を介して、回路基板１０２が接続されている。回路基板１０２の裏面には、信号光を伝送する光導波路１０１が接続されている。

また、回路基板１０２は、受光素子１０３が備えられている。このように、光伝送装置１５００は、受光モジュール１００が実装されている。また、回路基板１０２には、受光素子１０３からの電流を電圧に変換するためのＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１５０３と、が接続されている。

これにより、光伝送装置１５００は、受光モジュール１００によって受光した信号光を電気信号に変換し、電気信号をプリント基板によって伝送させる機能を有する。この際、図１−１に示したように透過部１０２ａおよび低屈折率部１０２ｂを形成することにより低損失な光結合を実現し、簡単な製造にて高速な光伝送装置１５００を実現することができる。

また、回路基板１０２上には、発光素子１３０１が備えられている。このように、光伝送装置１５００は、発光モジュール１３００が実装されている。また、回路基板１０２には、発光素子１３０１を駆動させるＩＣ１５０４と、が接続されている。

これにより、光伝送装置１５００は、発光モジュール１３００によって電気信号を信号光に変換し、発光させる機能を有する。この際、図１３に示したように透過部１３０２ａおよび低屈折率部１３０２ｂを形成することにより低損失な光結合を実現し、簡単な製造にて高速な光伝送装置１５００を実現することができる。

なお、図示は省略するが、光導波路１０１内のコア１０１ａは、発光素子１３０１から出射された信号光を伝送するためのコアと、受光素子１０３に出射する信号光を伝送するためのコアと、が分離されて設けられている。また、図１５−１および図１５−２に示した光伝送装置１５００は、図１−１に示した受光モジュール１００を用いた一例であり、実施の形態１〜３に上述したいずれの受光モジュールを用いるものであってもよい。

なお、上述した回路基板１０２，１１０１，１３０２およびガラス基板４０１は透明であるものとしたが、少なくとも透過部１０２ａ，１１０１ａ，１３０２ａが信号光を透過可能であればこれに限るものではない。たとえば、透過部１０２ａ，１１０１ａ，１３０２ａのみが透明な回路基板１０２，１１０１，１３０２またはガラス基板４０１であってもよい。

以上説明したように、光モジュールおよび製造方法によれば、伝送効率性能の向上を、簡単な製造によって実現することができる。

上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）伝送した信号光を出射する光導波路と、
前記光導波路から出射された信号光を透過させる回路基板であって、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を有する回路基板と、
前記回路基板を透過した信号光を受光する受光部を前記回路基板側に備えた受光素子と、
を備え、
前記透過部と前記低屈折率部との界面にて前記信号光を前記受光素子側へ反射させることを特徴とする光モジュール。

（付記２）前記回路基板は回路パターンが形成され、
前記受光素子は、前記回路基板に形成された前記回路パターンに接続されていることを特徴とする付記１に記載の光モジュール。

（付記３）前記透過部における前記信号光の透過方向に対して垂直な断面は、前記受光素子に近いほど小さくなることを特徴とする付記１または２に記載の光モジュール。

（付記４）前記受光部の受光面は円形であり、
前記透過部における前記信号光の透過方向に対して垂直な断面は円形であることを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記５）前記透過部は、前記回路基板に支持部を介して固定されることを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記６）前記回路基板は、前記受光素子とは反対側の面に接地電極を有し、
前記低屈折率部は、前記回路基板の底部まで設けられ、
当該透過部は、前記回路基板に設けられる前記接地電極によって固定されることを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記７）前記回路基板の前記光導波路側に、前記光導波路から前記受光部へ出射される信号光を透過させる回路基板を重ねて備えることを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記８）前記回路基板を複数重ねて備え、
前記受光素子は、複数の前記透過部を透過した信号光を受光することを特徴とする付記１〜７のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記９）前記回路基板は、ポリイミド薄膜を含むＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板であることを特徴とする付記１〜８のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記１０）前記低屈折率部は、前記回路基板の一部を除去することにより形成された空気層であることを特徴とする付記１〜９のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記１１）信号光を出射する発光素子と、
前記発光素子から出射された信号光を透過させる回路基板であって、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を有する回路基板と、
前記回路基板を透過した信号光が入射され、入射された信号光を伝送する光導波路と、
を備え、
前記透過部と前記低屈折率部との界面にて前記信号光を反射させることを特徴とする光モジュール。

（付記１２）前記回路基板は回路パターンが形成され、
前記発光素子は、前記回路基板に形成された前記回路パターンに接続されていることを特徴とする付記１１に記載の光モジュール。

（付記１３）前記透過部における前記信号光の透過方向に対して垂直な断面は、前記光導波路に近いほど小さくなることを特徴とする付記１１または１２に記載の光モジュール。

（付記１４）伝送した信号光を出射する光導波路と、前記光導波路から出射された信号光を透過させる回路基板と、前記回路基板を透過した信号光を受光する受光部を前記回路基板側に備えた受光素子と、を備えた光モジュールの製造方法であって、
前記回路基板に回路パターンを作成する回路作成工程と、
前記回路基板に、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を形成する形成工程と、
前記回路作成工程および前記形成工程の後に、前記回路基板に前記光導波路および前記受光素子を実装する実装工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。

（付記１５）前記実装工程では、前記回路作成工程にて前記回路基板に作成された回路パターンに前記受光素子を接続することを特徴とする付記１４に記載の製造方法。

（付記１６）前記形成工程では、前記回路基板における前記透過部の周囲を除去することにより前記低屈折率部を形成することを特徴とする付記１４または１５に記載の製造方法。

（付記１７）前記形成工程では、前記透過部の周囲を少なくとも一部は貫通させずに除去することにより、前記低屈折率部を形成することを特徴とする付記１４〜１６のいずれか一つに記載の製造方法。

（付記１８）前記回路基板は、前記受光素子とは反対側の面に接地電極を有し、
前記形成工程では、前記回路基板から前記透過部の周囲を貫通させて除去することにより、前記透過部を前記接地電極上に固定させるように前記低屈折率部を形成することを特徴とする付記１４〜１６のいずれか一つに記載の製造方法。

（付記１９）信号光を出射する発光素子と、前記発光素子から出射された信号光を透過させる回路基板と、前記回路基板を透過した信号光が入射され、入射された信号光を伝送する光導波路と、を備えた光モジュールの製造方法であって、
前記回路基板に回路パターンを作成する回路作成工程と、
前記回路基板に、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を形成する形成工程と、
前記回路作成工程および前記形成工程の後に、前記回路基板に前記発光素子および前記光導波路を実装する実装工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。

（付記２０）前記実装工程では、前記回路作成工程にて前記回路基板に作成された回路パターンに前記発光素子を接続することを特徴とする付記１９に記載の製造方法。

１００ 受光モジュール
１０１ 光導波路
１０２，１１０１，１３０２ 回路基板
１０２ａ，１３０２ａ 透過部
１０２ｂ，１３０２ｂ 低屈折率部
１０２ｃ，１３０２ｃ 界面
１０３ 受光素子
１０３ａ 受光部
１０４ｂ 接地電極
１３００ 発光モジュール
１３０１ 発光素子
１３０１ａ 発光部

Claims (6)

1. 伝送した信号光を出射する光導波路と、
   前記光導波路から出射された信号光を透過させる回路基板であって、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を有する回路基板と、
   前記回路基板を透過した信号光を受光する受光部を前記回路基板側に備えた受光素子と、
   を備え、
   前記透過部と前記低屈折率部との界面にて前記信号光を前記受光素子側へ反射させることを特徴とする光モジュール。
2. 前記回路基板は回路パターンが形成され、
   前記受光素子は、前記回路基板に形成された前記回路パターンに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記透過部における前記信号光の透過方向に対して垂直な断面は、前記受光素子に近いほど小さくなることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 伝送した信号光を出射する光導波路と、前記光導波路から出射された信号光を透過させる回路基板と、前記回路基板を透過した信号光を受光する受光部を前記回路基板側に備えた受光素子と、を備えた光モジュールの製造方法であって、
   前記回路基板に回路パターンを作成する回路作成工程と、
   前記回路基板に、前記信号光を透過させる透過部を隣接して囲み、前記透過部よりも屈折率が低い低屈折率部を形成する形成工程と、
   前記回路作成工程および前記形成工程の後に、前記回路基板に前記光導波路および前記受光素子を実装する実装工程と、
   を含むことを特徴とする製造方法。
5. 前記形成工程では、前記透過部の周囲を少なくとも一部は貫通させずに除去することにより、前記低屈折率部を形成することを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
6. 前記回路基板は、前記受光素子とは反対側の面に接地電極を有し、
   前記形成工程では、前記回路基板から前記透過部の周囲を貫通させて除去することにより、前記透過部を前記接地電極上に固定させるように前記低屈折率部を形成することを特徴とする請求項４に記載の製造方法。

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