JP2012009172A

JP2012009172A - Coaxial connector, element housing package, and semiconductor device

Info

Publication number: JP2012009172A
Application number: JP2010141737A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Kawabata; 和弘川畑; Nobuyuki Tanaka; 信幸田中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2010-06-22
Filing date: 2010-06-22
Publication date: 2012-01-12

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coaxial connector, an element housing package, and a semiconductor device that can improve transmission performance of high-frequency signals.SOLUTION: A coaxial connector includes a cylindrical outer-peripheral conductor 10a, a central conductor 10c provided along the central axis of the outer-peripheral conductor 10a and having a diameter-changing part 10d whose outer diameter becomes larger or smaller than the outer diameter of the center part, between the central part and the end part in a cross sectional view in the axial direction, and an insulator 10b provided between the outer-peripheral conductor 10a and the central conductor 10c. End faces of the insulator 10b are provided at the positions corresponding to the diameter-changing part 10d of the central conductor 10c, and have recessed parts 10e inwardly recessed.

Description

本発明は、例えば、同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置に関する。 The present invention relates to, for example, a coaxial connector, an element storage package, and a semiconductor device.

同軸コネクタにおいて、外周導体と、絶縁体と、中心導体から構成され、中心導体が、絶縁体に挿通保持された部位と挿通保持されていない部位を有し、絶縁体に挿通保持された部位と挿通保持されていない部位との間に段差部を有するものがある。このような同軸コネクタとしては、例えば、特許文献１に開示されている。 In the coaxial connector, an outer peripheral conductor, an insulator, and a central conductor, the central conductor having a portion that is inserted and held in the insulator and a portion that is not inserted and held, and a portion that is inserted and held in the insulator; Some have a step portion between a portion that is not inserted and held. As such a coaxial connector, it is disclosed by patent document 1, for example.

特開２００２−２９０１１４号公報JP 2002-290114 A

しかしながら、上記同軸コネクタは、段差部において、中心導体の直径が急激に変化することから、中心導体を伝送する高周波信号に反射損失等の伝送損失が発生しやすいという問題があった。 However, the coaxial connector has a problem that a transmission loss such as a reflection loss is likely to occur in a high-frequency signal transmitted through the center conductor because the diameter of the center conductor changes abruptly at the stepped portion.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号の伝送性を向上することができる同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置に関する。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is related to a coaxial connector, an element storage package, and a semiconductor device that can improve high-frequency signal transmission.

上記目的を達成するために本発明における同軸コネクタは、筒状の外周導体と、該外周導体の中心軸に沿って設けられた、軸方向に断面視して中央部と端部との間に前記中央部の外径よりも外径が拡大または縮小する変径部を有する中心導体と、前記外周導体と前記中心導体との間に設けられた絶縁体とを備えており、該絶縁体の端面は、前記中心導体の前記変径部に対応する位置に設けられているとともに、内側に窪んだ窪み部を有していることを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, the coaxial connector according to the present invention includes a cylindrical outer conductor and a central portion of the outer conductor, which is provided along the central axis of the outer conductor, between the central portion and the end portion as viewed in the axial direction. A central conductor having a diameter-changing portion whose outer diameter is larger or smaller than the outer diameter of the central portion, and an insulator provided between the outer peripheral conductor and the central conductor. The end surface is provided at a position corresponding to the diameter-changing portion of the central conductor, and has a recessed portion that is recessed inward.

また、上記目的を達成するために本発明における素子収納用パッケージは、上側主面に素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を取り囲むように設けられた、側壁に同軸コネクタの取り付け部を有する枠体と、該枠体の前記取り付け部に取り付けられた本発明に係る同軸コネクタとを備えたことを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, an element storage package according to the present invention is provided so as to surround a base having a placement portion on which an element is placed on the upper main surface and the placement portion on the upper main surface. And a coaxial connector according to the present invention attached to the attachment portion of the frame body.

また、上記目的を達成するために本発明における半導体装置は、本発明に係る素子収納用パッケージと、前記載置部に載置され、前記同軸コネクタに電気的に接続された素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを備えたことを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention includes an element storage package according to the present invention, an element mounted on the mounting portion and electrically connected to the coaxial connector, and the frame. And a lid joined to the upper surface of the body.

本発明の同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置は、高周波信号の伝送性を向上することができるという効果を奏する。 The coaxial connector, the element housing package, and the semiconductor device according to the present invention have an effect that the transmission performance of a high-frequency signal can be improved.

本実施形態に係る半導体装置の斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor device concerning this embodiment. 図１に示す半導体装置をＡ−Ａで切断したときの断面図である。It is sectional drawing when the semiconductor device shown in FIG. 1 is cut | disconnected by AA. 本実施形態に係る同軸コネクタであって、（ａ）は同軸コネクタの断面図、（ｂ）は、同軸コネクタの他の例の断面図である。It is a coaxial connector which concerns on this embodiment, Comprising: (a) is sectional drawing of a coaxial connector, (b) is sectional drawing of the other example of a coaxial connector. 本実施形態の変形例１に係る同軸コネクタの断面図である。It is sectional drawing of the coaxial connector which concerns on the modification 1 of this embodiment. 本実施形態の変形例２に係る同軸コネクタであって、（ａ）は同軸コネクタの断面図、（ｂ）は、同軸コネクタの他の例の断面図である。It is a coaxial connector which concerns on the modification 2 of this embodiment, Comprising: (a) is sectional drawing of a coaxial connector, (b) is sectional drawing of the other example of a coaxial connector.

以下、本発明の一実施形態に係る同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a coaxial connector, an element storage package, and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜実施形態＞
＜同軸コネクタの構成、素子収納用パッケージの構成、および半導体装置の構成＞
本実施形態に係る同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置は、図１乃至図３に示すような構成である。同軸コネクタ１０は、筒状の外周導体１０ａと、外周導体１０ａの中心軸に沿って設けられた、軸方向に断面視して中央部と端部との間に中央部の外径よりも外径が拡大または縮小する変径部１０ｄを有する中心導体１０ｃと、外周導体１０ａと中心導体１０ｃとの間に設けられた絶縁体１０ｂとを備えており、絶縁体１０ｂの端面は、中心導体１０ｃの変径部１０ｄに対応する位置に設けられているとともに、内側に窪んだ窪み部１０ｅを有している。 <Embodiment>
<Configuration of coaxial connector, configuration of element storage package, and configuration of semiconductor device>
The coaxial connector, the element storage package, and the semiconductor device according to the present embodiment are configured as shown in FIGS. The coaxial connector 10 has a cylindrical outer conductor 10a and an outer diameter that is provided along the central axis of the outer conductor 10a and is larger than the outer diameter of the central portion between the central portion and the end portion in a cross-sectional view in the axial direction. A center conductor 10c having a diameter-changing portion 10d whose diameter increases or decreases, and an insulator 10b provided between the outer peripheral conductor 10a and the center conductor 10c are provided, and an end surface of the insulator 10b is formed on the center conductor 10c. It is provided at a position corresponding to the diameter-changing portion 10d and has a recessed portion 10e that is recessed inward.

また、素子収納用パッケージは、上側主面に素子６が載置される載置部１ａを有する基体１と、上側主面に載置部１ａを取り囲むように設けられた、側壁に同軸コネクタの取り付け部２ｂを有する枠体２と、枠体２の同軸コネクタの取り付け部２ｂに取り付けられた本発明に係る同軸コネクタ１０と、を備えている。 The element storage package includes a base 1 having a mounting portion 1a on which the element 6 is mounted on the upper main surface, and a coaxial connector on the side wall provided on the upper main surface so as to surround the mounting portion 1a. A frame body 2 having an attachment portion 2b and a coaxial connector 10 according to the present invention attached to the attachment portion 2b of the coaxial connector of the frame body 2 are provided.

また、半導体装置は、本発明に係る素子収納用パッケージと、載置部１ａに載置され、同軸コネクタ１０に電気的に接続された素子６と、枠体２の上面に接合された蓋体８と、を備えている。 The semiconductor device includes an element storage package according to the present invention, an element 6 mounted on the mounting portion 1 a and electrically connected to the coaxial connector 10, and a lid bonded to the upper surface of the frame body 2. 8 and.

基体１は、平面視したとき、矩形状に形成された板状の部材である。基体１は、上側主面に、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＰＤ（フォトダイオード）等の半導体素子６が素子載置基台５を介して載置される載置部１ａを有している。基体１は、例えば、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る。 The base body 1 is a plate-like member formed in a rectangular shape when viewed in plan. The base body 1 has, on the upper main surface, a mounting portion 1a on which a semiconductor element 6 such as an LD (semiconductor laser) or PD (photodiode) is mounted via an element mounting base 5. . The substrate 1 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu), iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or copper (Cu) -tungsten (W) alloy.

基体１は、例えば、それらの金属材料を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定の形状にして製作される。また、基体１は、半導体素子６で発生した熱を放熱するための放熱板として機能する。 The base body 1 is manufactured, for example, by forming an ingot produced by casting such a metal material into a mold into a predetermined shape using a known metal processing method such as cutting or punching. The base body 1 functions as a heat radiating plate for radiating heat generated in the semiconductor element 6.

なお、基体１は、基体１の外表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性が良い金属、具体的には、厚さ０．５（μｍ）以上９（μｍ）以下のＮｉ層と厚さ０．５（μｍ）以上９（μｍ）以下のＡｕ層を順次、メッキ形成法によりメッキ層を被着させておくのがよい。メッキ層は基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止することができる。載置部１ａに、素子載置基台５が、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田、金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）半田等のロウ材を介して接着固定される。また、素子載置基台５は、例えば、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金、銅（Ｃｕ）−モリブデン（Ｍｏ）合金等の材料から成り、半導体素子６から基体１へ熱を伝えるための伝熱媒体として機能する。 The substrate 1 is a metal having excellent corrosion resistance and good wettability with the brazing material on the outer surface of the substrate 1, specifically, a Ni layer having a thickness of 0.5 (μm) to 9 (μm). It is preferable that the Au layer having a thickness of 0.5 (μm) or more and 9 (μm) or less is sequentially deposited by a plating method. The plating layer can effectively prevent the substrate 1 from being oxidatively corroded. The element mounting base 5 is bonded and fixed to the mounting portion 1a via a brazing material such as gold (Au) -tin (Sn) solder or gold (Au) -germanium (Ge) solder. The element mounting base 5 is made of, for example, a material such as a copper (Cu) -tungsten (W) alloy or a copper (Cu) -molybdenum (Mo) alloy, and transmits heat from the semiconductor element 6 to the base 1. It functions as a heat transfer medium.

枠体２は、基体１の上側主面に載置部１ａを取り囲むように設けられ、枠体２の内側に
半導体素子６を収容するための空所を形成している。枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法により所定の枠状となすことによって製作される。 The frame body 2 is provided on the upper main surface of the base body 1 so as to surround the mounting portion 1 a, and a space for accommodating the semiconductor element 6 is formed inside the frame body 2. The frame 2 is made of, for example, a metal material such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. The frame 2 is manufactured, for example, by forming an ingot of an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a predetermined frame shape by a known metal working method such as cutting or punching.

また、枠体２は、枠体２の外表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性が良い金属、具体的には、厚さ０．５（μｍ）以上９（μｍ）以下のＮｉ層と厚さ０．５（μｍ）以上９（μｍ）以下のＡｕ層を順次、メッキ形成法によりメッキ層を被着させておくのがよい。メッキ層は枠体２が酸化腐蝕するのを有効に防止することができる。また、枠体２に同軸コネクタ１０や入出力端子３を強固に接合することができる。 The frame body 2 is a metal having excellent corrosion resistance on the outer surface of the frame body 2 and good wettability with the brazing material, specifically, a thickness of 0.5 (μm) to 9 (μm). It is preferable that the Ni layer and the Au layer having a thickness of 0.5 (μm) or more and 9 (μm) or less are sequentially deposited by a plating method. The plating layer can effectively prevent the frame body 2 from being oxidized and corroded. Further, the coaxial connector 10 and the input / output terminal 3 can be firmly joined to the frame 2.

また、枠体２は、高周波信号の伝送線路としての線路導体１１ａが形成された、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス等の材料から成る回路基板１１を搭載する棚部２ａが設けられている。 The frame 2 is provided with a shelf 2a on which a circuit board 11 made of a material such as alumina ceramics or aluminum nitride ceramics, on which a line conductor 11a as a transmission line for high-frequency signals is formed, is mounted.

また、枠体２は、枠体２の側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された同軸コネクタの取り付け部２ｂが設けられている。同軸コネクタについては、後述する。また、枠体２は、枠体２の側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取り付け部２ｃが設けられている。 Further, the frame body 2 is provided with a coaxial connector mounting portion 2b formed by penetrating or notching the side wall of the frame body 2. The coaxial connector will be described later. In addition, the frame 2 is provided with an input / output terminal mounting portion 2 c formed by penetrating or notching the side wall of the frame 2.

入出力端子３は、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体３ａを有する平坦部、および平坦部の上面に配線導体３ａを挟んで接合された立壁部から構成される。また、平坦部は、枠体２の内外に突出する突出部を有している。 The input / output terminal 3 includes a flat portion having a wiring conductor 3a formed from one side of the upper surface to the opposite side, and a standing wall portion joined to the upper surface of the flat portion with the wiring conductor 3a interposed therebetween. The flat portion has a protruding portion that protrudes into and out of the frame body 2.

また、入出力端子３は、枠体２の入出力端子の取り付け部２ｃに銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して取り付けられる。なお、入出力端子３は、入出力端子３と枠体２の入出力端子の取り付け部２ｃとの接合部にメタライズ層が形成されている。入出力端子３は、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料から成る。また、配線導体３ａは、タングステン、モリブデンまたはマンガン等で形成されている。 The input / output terminal 3 is attached to the input / output terminal attaching portion 2c of the frame 2 via a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing. The input / output terminal 3 is formed with a metallized layer at the joint between the input / output terminal 3 and the input / output terminal mounting portion 2 c of the frame 2. The input / output terminal 3 is made of a ceramic material such as alumina ceramics, aluminum nitride ceramics, or mullite ceramics. The wiring conductor 3a is made of tungsten, molybdenum, manganese, or the like.

入出力端子３の配線導体３ａは、平坦部の上面に、素子収納用パッケージの内外を導出するように、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合してなる金属ペーストをセラミックグリーンシートに予め周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって入出力端子３の上面に形成される。そして、配線導体３ａは半導体素子６と外部電気回路基板とを電気的に接続する。 The wiring conductor 3a of the input / output terminal 3 is a metal formed by adding an organic solvent or a solvent to a powder of tungsten, molybdenum, manganese, or the like so as to lead out the inside and outside of the element housing package on the upper surface of the flat portion. The paste is formed on the top surface of the input / output terminal 3 by printing and applying the paste onto a ceramic green sheet in a predetermined pattern by a well-known screen printing method. The wiring conductor 3a electrically connects the semiconductor element 6 and the external electric circuit board.

また、入出力端子３は、外部リード端子４が設けられている。外部リード端子４は、外部電気回路と入出力端子３との信号の入出力を行うものである。すなわち、外部リード端子４は、半導体素子６を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、外部リード端子４を外部電気回路に接続することによって半導体素子６は、外部電気回路に接続されることになる。外部リード端子４は、枠体２の外側の入出力端子３の配線導体３ａに銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。 The input / output terminal 3 is provided with an external lead terminal 4. The external lead terminal 4 inputs and outputs signals between the external electric circuit and the input / output terminal 3. That is, the external lead terminal 4 serves to electrically connect the semiconductor element 6 to the external electric circuit, and the semiconductor element 6 is connected to the external electric circuit by connecting the external lead terminal 4 to the external electric circuit. It will be. The external lead terminal 4 is joined to the wiring conductor 3a of the input / output terminal 3 outside the frame 2 via a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing.

また、外部リード端子４は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。これらの金属のインゴットを周知の圧延加工法や打ち抜き加工法、エッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の形状となるように製作される。 The external lead terminal 4 is made of a metal material such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. These metal ingots are manufactured to have a predetermined shape by adopting a known metal working method such as a rolling method, a punching method, and an etching method.

また、入出力端子３は、入出力端子３の枠体２の内側の配線導体３ａと半導体素子６がボンディングワイヤで電気的に接続される。 In the input / output terminal 3, the wiring conductor 3a inside the frame 2 of the input / output terminal 3 and the semiconductor element 6 are electrically connected by a bonding wire.

また、枠体２には、内部に収容する半導体素子６との間で光信号を授受するための光ファイバ９が挿通固定される筒状の光ファイバ固定部材が設けられている。また、光ファイバ固定部材は、枠体２を貫通して、銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。この光ファイバ固定部材は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成り、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知のプレス加工することにより所定の筒状にして製作される。 The frame 2 is provided with a cylindrical optical fiber fixing member into which an optical fiber 9 for transmitting and receiving an optical signal to and from the semiconductor element 6 accommodated therein is inserted and fixed. The optical fiber fixing member passes through the frame 2 and is joined via a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing. This optical fiber fixing member is made of a metal such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy, for example, iron (Fe) -nickel (Ni). -Cobalt (Co) alloy ingot is manufactured into a predetermined cylindrical shape by known press working.

また、光ファイバ固定部材は、光ファイバ９を挿通可能な貫通孔を有する筒体であり、外部より貫通孔に光ファイバ９の一端を挿通するとともに光ファイバ９を半田等の接着剤やレーザ溶接により固定し、これにより光ファイバ９を介して内部に収容する半導体素子６と外部との光信号の授受が可能となる。 The optical fiber fixing member is a cylindrical body having a through-hole through which the optical fiber 9 can be inserted. One end of the optical fiber 9 is inserted from the outside into the through-hole, and the optical fiber 9 is bonded to an adhesive such as solder or laser welding. Thus, the optical signal can be exchanged between the semiconductor element 6 accommodated inside and the outside via the optical fiber 9.

シールリング７は、枠体２の上面に銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材で接合され、シールリング７の上面に蓋体８をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。なお、シールリング７は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等のインゴットを周知のプレス加工により所定の形状となすことによって製作される。 The seal ring 7 is joined to the upper surface of the frame 2 with a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing, and the lid 8 is joined to the upper surface of the sealing ring 7 by seam welding or the like. It functions as a joining medium for It consists of metal materials, such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. For example, the seal ring 7 is formed into a predetermined shape by a known press working of an ingot such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. Produced by.

蓋体８は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。蓋体８が、基体１と枠体２と入出力端子３とシールリング７とからなる内部に半導体素子６を気密に封止することになる。なお、蓋体８は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等のインゴットを周知のプレス加工により所定の形状となすことによって製作される。 The lid 8 is made of a metal material such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. The lid 8 hermetically seals the semiconductor element 6 inside the base 1, the frame 2, the input / output terminal 3, and the seal ring 7. The lid 8 is formed into a predetermined shape by a well-known press working of an ingot such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. Produced by.

同軸コネクタ１０は、枠体２の内部に収容する半導体素子６と外部電気回路とを電気的に接続する機能を有し、素子収納用パッケージ内部を塞ぐ機能を有する。同軸コネクタ１０は、高周波信号が伝送される中心導体１０ｃと、この中心導体１０ｃの周囲に設けられた絶縁体１０ｂと、この絶縁体１０ｂの外周に設けられてグランドとなる外周導体１０ａとから構成されている。 The coaxial connector 10 has a function of electrically connecting the semiconductor element 6 housed inside the frame 2 and an external electric circuit, and has a function of closing the inside of the element housing package. The coaxial connector 10 includes a central conductor 10c through which a high-frequency signal is transmitted, an insulator 10b provided around the central conductor 10c, and an outer conductor 10a provided on the outer periphery of the insulator 10b and serving as a ground. Has been.

同軸コネクタ１０は、図３に示すように、筒状の外周導体１０ａと、外周導体１０ａの中心軸に沿って設けられた、軸方向に断面視して中心導体１０ｃの中央部と端部との間に中心導体１０ｃの中央部の外径よりも外径が拡大または縮小する変径部１０ｄを有する中心導体１０ｃと、外周導体１０ａと中心導体１０ｃとの間に設けられた絶縁体１０ｂとを備えている。そして、絶縁体１０ｂの端面は、中心導体１０ｃの変径部１０ｄに対応する位置に設けられているとともに、内側に窪んだ窪み部１０ｅを有している。窪み部１０ｅの窪み量Ａは、図３に示すように、高周波信号の伝送損失低減という点からで、０．１（ｍｍ）以上０．５（ｍｍ）以下に設定されることが好ましい。 As shown in FIG. 3, the coaxial connector 10 includes a cylindrical outer conductor 10a, and a central portion and an end portion of the central conductor 10c provided along the central axis of the outer conductor 10a as viewed in the axial direction. A central conductor 10c having a diameter changing portion 10d whose outer diameter is larger or smaller than the outer diameter of the central portion of the central conductor 10c, and an insulator 10b provided between the outer peripheral conductor 10a and the central conductor 10c, It has. And the end surface of the insulator 10b is provided in the position corresponding to the diameter change part 10d of the center conductor 10c, and has the hollow part 10e recessed inside. As shown in FIG. 3, the depression amount A of the depression 10 e is preferably set to 0.1 (mm) or more and 0.5 (mm) or less from the viewpoint of reducing transmission loss of the high frequency signal.

中心導体１０ｃの変径部１０ｄは、図３に示すように、中心導体１０ｃの径方向に段差状に変化する段差形状を有している。また、中心導体１０ｃは、絶縁体１０ｂに被覆された部分と外周導体１０ａの外側に突出した部分とを有しており、中心導体１０ｃの外径は、絶縁体１０ｂに被覆された部分の外径が外周導体１０ａの外側に突出した部分の外径よ
りも小さく設けられている。絶縁体１０ｂに被覆された部分の外径と外周導体１０ａの外側に突出した部分の外径の比率は、高周波信号の伝送損失低減という点から、１．１以上２以下に設定されることが好ましい。 As shown in FIG. 3, the diameter changing portion 10d of the center conductor 10c has a step shape that changes in a step shape in the radial direction of the center conductor 10c. The center conductor 10c has a portion covered with the insulator 10b and a portion protruding outside the outer conductor 10a. The outer diameter of the center conductor 10c is outside the portion covered with the insulator 10b. The diameter is provided smaller than the outer diameter of the portion protruding outside the outer conductor 10a. The ratio of the outer diameter of the portion covered with the insulator 10b and the outer diameter of the portion protruding to the outside of the outer conductor 10a may be set to 1.1 or more and 2 or less from the viewpoint of reducing transmission loss of the high frequency signal. preferable.

また、同軸コネクタ１０は、図３（ａ）に示すように、外部の同軸ケーブル等と接続する際に、同軸コネクタを支持するために、外周導体１０ａの一端が中心導体１０ｃの端部まで延在されている。また、同軸コネクタ１０は、外部の同軸ケーブルと接続する際に、例えば、同軸ケーブルを支持するための支持部材を用意すれば、図３（ｂ）に示すような形状でもよい。 As shown in FIG. 3A, the coaxial connector 10 has one end of the outer peripheral conductor 10a extending to the end of the center conductor 10c in order to support the coaxial connector when connected to an external coaxial cable or the like. Be present. Further, the coaxial connector 10 may have a shape as shown in FIG. 3B, for example, if a support member for supporting the coaxial cable is prepared when connecting to an external coaxial cable.

同軸コネクタ１０は、同軸コネクタの取り付け部２ｂに取り付けられ、枠体２に挿入固定される。また、基体１と、枠体２と、同軸コネクタ１０とを備えることで素子収納用パッケージが構成される。 The coaxial connector 10 is attached to the attachment portion 2 b of the coaxial connector, and is inserted and fixed to the frame body 2. In addition, the device housing package includes the base body 1, the frame body 2, and the coaxial connector 10.

同軸コネクタの取り付け部２ｂへの同軸コネクタ１０の嵌着接合は、同軸コネクタの取り付け部２ｂへ同軸コネクタ１０を挿入するとともに、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田、金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）半田等のロウ材で、同軸コネクタの取り付け部２ｂの内周面と同軸コネクタ１０の外周導体１０ａを全周にわたり封着することによって行なわれる。また、中心導体１０ｃは、回路基板１１の線路導体１１ａに、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田、金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）半田等のロウ材を介して電気的に接続される。 The coaxial connector 10 is fitted and joined to the coaxial connector mounting portion 2b by inserting the coaxial connector 10 into the coaxial connector mounting portion 2b, as well as gold (Au) -tin (Sn) solder, gold (Au) -germanium ( Ge) A soldering material such as solder is used to seal the inner peripheral surface of the coaxial connector mounting portion 2b and the outer peripheral conductor 10a of the coaxial connector 10 over the entire circumference. The central conductor 10c is electrically connected to the line conductor 11a of the circuit board 11 via a brazing material such as gold (Au) -tin (Sn) solder, gold (Au) -germanium (Ge) solder. .

また、中心導体１０ｃの変径部１０ｄは、図３に示すように、外周導体１０ａの両端部に対応する位置に設けられている。中心導体１０ｃに変径部１０ｄを有しているので、中心導体１０ｃの表面を伝わって濡れ拡がる絶縁体１０ｂを変径部１０ｄで塞き止めることができる。これによって、外周導体１０ａの両端部に相当する部位の中心導体１０ｃの変径部１０ｄまで絶縁体１０ｂを位置させることができ、外周導体１０ａの内周面と変径部１０ｄにかけて形成される絶縁体１０ｂの窪み部１０ｅの形状のばらつきを低減し、滑らかな形状の窪み部１０ｅを形成することができる。 Further, the diameter changing portion 10d of the center conductor 10c is provided at a position corresponding to both end portions of the outer peripheral conductor 10a as shown in FIG. Since the center conductor 10c has the diameter change portion 10d, the insulator 10b that spreads through the surface of the center conductor 10c can be blocked by the diameter change portion 10d. As a result, the insulator 10b can be positioned up to the diameter changing portion 10d of the central conductor 10c corresponding to both ends of the outer conductor 10a, and the insulation formed between the inner peripheral surface of the outer conductor 10a and the diameter changing portion 10d. Variations in the shape of the recess 10e of the body 10b can be reduced, and the recess 10e having a smooth shape can be formed.

また、絶縁体１０ｂを中心導体１０ｃの変径部１０ｄに対応する位置に設けることができるので、絶縁体１０ｂの窪み部１０ｅが外周導体１０ａの端部から中心導体１０ｃの変径部１０ｄにかけて、所定の形状に形成されやすくなる。また、絶縁体１０ｂが中心導体１０ｃの変径部１０ｄに位置して設けられるので、変径部１０ｄの外側に絶縁体１０ｂがはみ出しにくくなり、中心導体１０ｃに相手方の同軸ケーブル等を接続する際に、絶縁体１０ｂが障害となるのを抑制することができる。 Further, since the insulator 10b can be provided at a position corresponding to the diameter change portion 10d of the center conductor 10c, the depression 10e of the insulator 10b extends from the end of the outer conductor 10a to the diameter change portion 10d of the center conductor 10c. It becomes easy to form in a predetermined shape. Further, since the insulator 10b is provided at the diameter changing portion 10d of the center conductor 10c, the insulator 10b is difficult to protrude outside the diameter changing portion 10d, and when a coaxial cable or the like is connected to the center conductor 10c. In addition, the insulator 10b can be prevented from becoming an obstacle.

また、絶縁体１０ｂは、外周導体１０ａの内周面から変径部１０ｄにかけて設けられ、外周導体１０ａの内側に窪んだ滑らかな窪み部１０ｅを有している。絶縁体１０ｂの表面の形状が滑らかな形状となるので、絶縁体１０ｂへの応力集中が低減され、クラック等による破損を抑制することができる。 The insulator 10b is provided from the inner peripheral surface of the outer peripheral conductor 10a to the diameter-changed portion 10d, and has a smooth recess 10e that is recessed inside the outer conductor 10a. Since the surface of the insulator 10b has a smooth shape, the concentration of stress on the insulator 10b is reduced, and damage due to cracks or the like can be suppressed.

また、外周導体１０ａは、円筒形等の筒状であり、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成る。例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知のプレス加工することにより所定の筒状にして製作される。また、外周導体１０ａの熱膨張係数は、例えば、５×１０^−６（／Ｋ）以上１０×１０^−６（／Ｋ）以下に設定されることが好ましい。 The outer peripheral conductor 10a has a cylindrical shape such as a cylindrical shape, and is made of a metal such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. For example, an ingot of iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy is manufactured into a predetermined cylindrical shape by performing well-known pressing. Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the outer periphery conductor 10a is set to 5 × 10 ⁻⁶ (/ K) or more and 10 × 10 ⁻⁶ (/ K) or less, for example.

また、中心導体１０ｃは、円形等の棒状であり、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ
）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成り、外周導体１０ａの中心軸に沿って設けられる。例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知のプレス加工することにより所定の筒状にして製作される。また、中心導体１０ｃの熱膨張係数は、例えば、５×１０^−６（／Ｋ）以上１０×１０^−６（／Ｋ）以下に設定されることが好ましい。 Further, the center conductor 10c has a rod shape such as a circle, for example, iron (Fe) -nickel (Ni
) -Cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy or the like, and is provided along the central axis of the outer conductor 10a. For example, an ingot of iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy is manufactured into a predetermined cylindrical shape by performing well-known pressing. Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the center conductor 10c is set to, for example, 5 × 10 ⁻⁶ (/ K) or more and 10 × 10 ⁻⁶ (/ K) or less.

また、絶縁体１０ｂは、硼珪酸ガラス、アルミ珪酸塩ガラス等のガラスから成る絶縁体１０ｂであり、中心導体１０ｃを被覆して保持固定している。また、絶縁体１０ｂの熱膨張係数は、例えば、３×１０^−６（／Ｋ）以上６×１０^−６（／Ｋ）以下に設定されることが好ましい。また、絶縁体１０ｂの熱膨張係数は、外周導体１０ａおよび中心導体１０ｃの熱膨張係数よりも小さいものとするのが好ましい。 The insulator 10b is an insulator 10b made of glass such as borosilicate glass or aluminum silicate glass, and covers and holds and fixes the central conductor 10c. In addition, the thermal expansion coefficient of the insulator 10b is preferably set to, for example, 3 × 10 ⁻⁶ (/ K) or more and 6 × 10 ⁻⁶ (/ K) or less. Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the insulator 10b is smaller than the thermal expansion coefficients of the outer peripheral conductor 10a and the center conductor 10c.

図１に示すように、基体１の上側主面の載置部１ａに半導体素子６が素子載置基台５を間に介して接着固定される。そして、半導体素子６は、同軸コネクタ１０と電気的に接続された回路基板１１上に形成されている線路導体１１ａとボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。また、半導体素子６は、半導体素子６の電極がボンディングワイヤ等を介して入出力端子３の配線導体３ａに電気的に接続される。次に、枠体２の上面にシールリング７を介して蓋体８がシーム溶接等の溶接法で接合されて半導体装置となる。これによって、素子収納用パッケージおよび半導体装置は、伝送性が向上し、絶縁体１０ｂがクラック等によって破損するのを抑制することができる。 As shown in FIG. 1, the semiconductor element 6 is bonded and fixed to the mounting portion 1 a on the upper main surface of the base body 1 with an element mounting base 5 interposed therebetween. The semiconductor element 6 is electrically connected to the line conductor 11a formed on the circuit board 11 electrically connected to the coaxial connector 10 via a bonding wire or the like. In the semiconductor element 6, the electrode of the semiconductor element 6 is electrically connected to the wiring conductor 3 a of the input / output terminal 3 through a bonding wire or the like. Next, the lid body 8 is joined to the upper surface of the frame body 2 via a seal ring 7 by a welding method such as seam welding to form a semiconductor device. As a result, the element storage package and the semiconductor device have improved transmission properties, and can prevent the insulator 10b from being damaged by a crack or the like.

また、枠体２の光ファイバ固定部材に光ファイバ９の一端を挿通させるとともにこれを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合し、光ファイバ９を枠体２に固定する。この半導体装置において、光ファイバは半導体装置が外部電気回路基板等に搭載された後に設けることもできる。または、製品として半導体装置自体に設けておくこともできる。そして、光ファイバ９を介して内部に収容する半導体素子６と外部との光信号の授受が可能となる。 In addition, one end of the optical fiber 9 is inserted into the optical fiber fixing member of the frame body 2 and is joined by an adhesive such as solder or laser welding to fix the optical fiber 9 to the frame body 2. In this semiconductor device, the optical fiber can be provided after the semiconductor device is mounted on an external electric circuit board or the like. Alternatively, it can be provided as a product in the semiconductor device itself. Then, it is possible to exchange optical signals between the semiconductor element 6 accommodated inside and the outside via the optical fiber 9.

本実施形態によれば、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃに変径部１０ｄを有しているので、中心導体１０ｃの表面を伝わって濡れ拡がる絶縁体１０ｂを変径部１０ｄに位置させて設けることができる。これによって、外周導体１０ａの両端部に対応する位置の変径部１０ｄまで絶縁体１０ｂを位置させることができるため、絶縁体１０ｂの窪み部１０ｅはなだらかな所定の形状に形成することができる。これによって、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスのばらつきを低減することができ、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号に反射損失等の伝送損失が発生するのを抑制することができる。 According to the present embodiment, since the coaxial connector 10 has the diameter change portion 10d in the center conductor 10c, the insulator 10b that spreads through the surface of the center conductor 10c is positioned at the diameter change portion 10d. be able to. Thus, since the insulator 10b can be positioned up to the diameter-changing portion 10d corresponding to both ends of the outer conductor 10a, the recess 10e of the insulator 10b can be formed in a gentle predetermined shape. As a result, the coaxial connector 10 can reduce variation in characteristic impedance of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c, and suppress the occurrence of transmission loss such as reflection loss in the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c. be able to.

また、中心導体１０ｃの周囲の絶縁体１０ｂの量を漸次減少させる窪み部１０ｅを形成することができ、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスの変化を滑らかにすることができる。また、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスを所定の値にすることができ、高周波信号の伝送性が向上して、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号に反射損失等の伝送損失が発生するのを抑制することができる。 Moreover, the hollow part 10e which reduces gradually the quantity of the insulator 10b around the center conductor 10c can be formed, and the coaxial connector 10 smoothes the change of the characteristic impedance of the high frequency signal which transmits the center conductor 10c. Can do. Further, the coaxial connector 10 can set the characteristic impedance of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c to a predetermined value, improving the transmission performance of the high-frequency signal, and reflecting loss or the like in the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c. Generation of transmission loss can be suppressed.

また、中心導体１０ｃとの熱膨張差による熱応力が絶縁体１０ｂに作用しても、絶縁体１０ｂの窪み部１０ｅが、外周導体１０ａの内周面から変径部１０ｄにかけて設けられ、外周導体１０ａの内側に窪んだ滑らかな窪み部１０ｅを有しているので、応力集中の起点となる箇所が形成されるのを抑制することができる。これによって、同軸コネクタ１０は、絶縁体１０ｂに応力集中が発生するのを抑制し、絶縁体１０ｂがクラック等により破損するのを抑制することができる。また、外周導体１０ａとの熱膨張差による熱応力が絶縁
体１０ｂに作用する場合も同様な効果が得られる。 Even if thermal stress due to a difference in thermal expansion with respect to the central conductor 10c acts on the insulator 10b, the recess 10e of the insulator 10b is provided from the inner peripheral surface of the outer conductor 10a to the diameter-changing portion 10d, and the outer conductor Since it has the smooth hollow part 10e hollowed inside 10a, it can suppress that the location used as the starting point of stress concentration is formed. As a result, the coaxial connector 10 can suppress the occurrence of stress concentration in the insulator 10b, and can prevent the insulator 10b from being damaged by a crack or the like. The same effect can be obtained when thermal stress due to a difference in thermal expansion with respect to the outer conductor 10a acts on the insulator 10b.

また、絶縁体１０ｂは、外周導体１０ａの内周面から変径部１０ｄにかけて設けられ、外周導体１０ａの内側に窪んだ滑らかな窪み部１０ｅを有しているため、中心導体１０ｃの外側に向かうにつれて中心導体１０ｃの周囲の絶縁体１０ｂの量を漸次減少させることができ、徐々に中心導体１０ｃの周囲を空気の状態の伝送モードにしていくことができる。これによって、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスの変化をなだらかにすることができ、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号が絶縁体１０ｂの両端を通過する際に、高周波信号に反射損失が発生するのを抑制することができる。 The insulator 10b is provided from the inner peripheral surface of the outer peripheral conductor 10a to the diameter-changing portion 10d and has a smooth recess 10e that is recessed inside the outer conductor 10a. Accordingly, the amount of the insulator 10b around the center conductor 10c can be gradually decreased, and the periphery of the center conductor 10c can be gradually changed to the transmission mode in the air state. As a result, the coaxial connector 10 can gently change the characteristic impedance of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c. When the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c passes through both ends of the insulator 10b, It is possible to suppress the occurrence of reflection loss in the signal.

また、中心導体１０ｃは、絶縁体１０ｂに被覆された部分の外径が外周導体１０ａの外側に突出した部分の外径よりも小さいので、絶縁体１０ｂで被覆された部分と被覆されていない部分とで、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスの整合を取ることができる。したがって、同軸コネクタ１０は、中心導体１０ｃの全長にわたって伝送する高周波信号の特性インピーダンスを整合させることができ、高周波信号の伝送性を向上することができる。 Further, since the outer diameter of the portion covered with the insulator 10b is smaller than the outer diameter of the portion protruding to the outside of the outer conductor 10a, the central conductor 10c and the portion not covered with the insulator 10b Thus, the characteristic impedance of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c can be matched. Therefore, the coaxial connector 10 can match the characteristic impedance of the high frequency signal transmitted over the entire length of the center conductor 10c, and can improve the transmission performance of the high frequency signal.

＜素子収納用パッケージ、および電子装置の製造方法＞
ここで、同軸コネクタ、およびそれを備えた素子収納用パッケージ、ならびにそれを備えた半導体装置の製造方法を説明する。 <Element Storage Package and Electronic Device Manufacturing Method>
Here, a coaxial connector, an element storage package including the coaxial connector, and a method of manufacturing a semiconductor device including the coaxial connector will be described.

基体１は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、蓋体８は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。 The base body 1 is formed into a predetermined shape by using a known metal working method such as cutting or punching, for example, an ingot produced by casting an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a mold. Produced. In addition, the frame body 2 is formed by using, for example, a metal processing method such as a known cutting process or a punching process for an ingot produced by casting an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a mold frame. Produced in a predetermined shape. In addition, the lid 8 is formed by using, for example, a metal processing method such as well-known cutting or punching of an ingot produced by casting an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a mold. Produced in a predetermined shape.

また、入出力端子３は、平坦部と平坦部の上面に接合される立壁部から形成される。入出力端子３が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、平坦部および立壁部のグリーンシートは、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤、分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によって形成される。 The input / output terminal 3 is formed of a flat portion and a standing wall portion joined to the upper surface of the flat portion. When the input / output terminal 3 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, the green sheet of the flat portion and the standing wall portion is made of an organic binder, a plasticizer, and a raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide. In addition, a solvent, a dispersant and the like are mixed and added to form a paste, which is formed by a doctor blade method, a calendar roll method, or the like.

そして、平板形状のグリーンシートに金型を用いた打ち抜きを施すことによってそれぞれの形状に合わせて製作される。 And it manufactures according to each shape by giving the punch using the metal mold | die to a flat plate-shaped green sheet.

平坦部は、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属粉末に有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加してなる導電ペーストを、平坦部の上面の所定位置にスクリーン印刷法等によって印刷塗布して、配線導体３ａとなる金属ペースト層が形成される。また、平坦部および立壁部は、枠体２との接合部に該当する位置に導金属ペーストを印刷塗布してメタライズ層が形成される。また、入出力端子取り付け部２ｃが切り欠いて設けられている場合には、平坦部および立壁部は、枠体２およびシールリング７との接合部に該当する位置にメタライズ層が形成される。 For the flat part, a conductive paste made by adding an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc. to a high melting point metal powder such as tungsten, molybdenum or manganese is printed and applied to a predetermined position on the upper surface of the flat part by a screen printing method or the like. A metal paste layer to be the wiring conductor 3a is formed. Further, the metallized layer is formed on the flat part and the standing wall part by printing and applying a conductive metal paste at a position corresponding to the joint part with the frame 2. Further, when the input / output terminal mounting portion 2 c is provided by being cut away, the metallized layer is formed on the flat portion and the standing wall portion at a position corresponding to the joint portion between the frame body 2 and the seal ring 7.

さらに、グリーンシート状態の平坦部上に、グリーンシート状態の立壁部を積層して、約１６００℃の温度で同時に焼成することにより、焼成後に、平坦部と立壁部が一体化されて、入出力端子３が製作される。 Further, the green sheet state standing wall is laminated on the green sheet state flat part and fired at the same time at a temperature of about 1600 ° C., so that the flat part and the standing wall part are integrated after firing. Terminal 3 is manufactured.

また、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、表面に露出した配線導体３ａ上、およびメタライズ層上に厚さ１．０（μｍ）以上３．０（μｍ）以下のニッケルメッキ層が形成される。 Further, a nickel plating layer having a thickness of 1.0 (μm) or more and 3.0 (μm) or less is formed on the wiring conductor 3a exposed on the surface and the metallized layer by a plating formation method such as electrolytic plating or electroless plating. It is formed.

外部リード端子４は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。そして、入出力端子３の配線導体３ａの枠体２の外側に銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。 The external lead terminal 4 is, for example, predetermined by using a known metal working method such as cutting or punching an ingot produced by casting an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a mold. Made in shape. Then, the wiring conductor 3a of the input / output terminal 3 is joined to the outside of the frame 2 via a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing.

シールリング７は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。 For example, the seal ring 7 has a predetermined shape using a known metal working method such as cutting or punching an ingot produced by casting an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy into a mold. Is produced.

同軸コネクタ１０は、以下の方法により製作される。 The coaxial connector 10 is manufactured by the following method.

まず、酸化ケイ素，酸化ホウ素，酸化ナトリウム，酸化アルミニウム，酸化カリウム，酸化リチウムから成る原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒，バインダを添加混合して原料粉末を調整する。そして、この原料粉末をプレス成型により、中心に中心導体１０ｃの直径よりやや大なる径の貫通孔を有するとともに直径が外周導体１０ａの内周径よりやや小なる円板状の成型体を成型する。しかる後、この成型体を５００〜７００℃の温度で仮焼して絶縁体１０ｂとなる成型品を準備する。 First, a raw material powder is prepared by adding and mixing an appropriate organic solvent, solvent, and binder to a raw material powder composed of silicon oxide, boron oxide, sodium oxide, aluminum oxide, potassium oxide, and lithium oxide. Then, by pressing this raw material powder, a disk-shaped molded body having a through hole having a diameter slightly larger than the diameter of the center conductor 10c at the center and having a diameter slightly smaller than the inner diameter of the outer conductor 10a is formed. . Thereafter, this molded body is calcined at a temperature of 500 to 700 ° C. to prepare a molded product that becomes the insulator 10b.

また、別途、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属材料から成り、プレス加工，切削加工等により所定の形状に作成された外周導体１０ａと中心導体１０ｃとを準備する。 Separately, an outer peripheral conductor 10a and a central conductor 10c made of a metal material such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy and formed into a predetermined shape by press working, cutting, etc. are prepared. To do.

次に、外周導体１０ａに絶縁体１０ｂとなる成型品を挿入載置するとともに中心導体１０ｃを貫通孔に中心導体１０ｃの両端が貫通孔から突出するように挿入載置し、８５０〜９５０℃の温度で絶縁体１０ｂとなる成型品を溶融することにより外周導体１０ａと絶縁体１０ｂと中心導体１０ｃとが気密に接合され、同軸コネクタ１０と成る。 Next, a molded product to be the insulator 10b is inserted and placed in the outer conductor 10a, and the center conductor 10c is inserted and placed in the through hole so that both ends of the center conductor 10c protrude from the through hole. By melting a molded product that becomes the insulator 10b at a temperature, the outer conductor 10a, the insulator 10b, and the center conductor 10c are hermetically joined to form the coaxial connector 10.

絶縁体１０ｂの端面は、８５０〜９５０℃の温度で溶融する際に、中心導体１０ｃの変径部１０ｄと外周導体１０ａの端部とに位置して、窪み部１０ｅを有して設けられる。また、絶縁体１０ｂは、中心導体１０ｃの変径部１０ｄが段差形状になっているので絶縁体１０ｂが外側に流れ出るのを抑制することができる。すなわち、外周導体１０ｃの変径部１０ｄが流動の塞き止め機能を有し、外側に流動するのを抑制することができる。これによって、絶縁体１０ｂは、滑らかな窪み部１０ｅを有して形成することができる。 When the end surface of the insulator 10b is melted at a temperature of 850 to 950 ° C., the end surface of the insulator 10b is located at the diameter changing portion 10d of the central conductor 10c and the end of the outer conductor 10a, and is provided with a recess 10e. Moreover, since the diameter change part 10d of the center conductor 10c has a step shape, the insulator 10b can suppress the insulator 10b from flowing out. That is, the diameter-changing portion 10d of the outer conductor 10c has a flow blocking function and can be prevented from flowing outward. As a result, the insulator 10b can be formed with the smooth recess 10e.

基体１と枠体２と入出力端子３と同軸コネクタ１０とシールリング７が銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合されることによって素子収納用パッケージが製作される。 The base 1, the frame 2, the input / output terminal 3, the coaxial connector 10, and the seal ring 7 are joined together via a brazing material such as silver (Ag) brazing or silver (Ag) -copper (Cu) brazing. A package is made.

また、素子収納用パッケージから露出してニッケルメッキ層が形成されている配線導体３ａは、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、更に、厚さ０．５（μｍ）以上３．０（μｍ）以下のニッケルメッキ層、厚さ０．５（μｍ）以上３．０（μｍ）以下の金メッキ層が形成される。 In addition, the wiring conductor 3a exposed from the element storage package and having the nickel plating layer formed thereon is further formed with a thickness of 0.5 (μm) or more and 3.0 by a plating method such as electrolytic plating or electroless plating. A nickel plating layer having a thickness of (μm) or less and a gold plating layer having a thickness of 0.5 (μm) to 3.0 (μm) are formed.

ここで、半導体装置の製造方法について説明する。 Here, a method for manufacturing a semiconductor device will be described.

半導体装置は、素子収納用パッケージの基体１の載置部１ａに素子載置基台５を、例えば、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田または金（Ａｕ）−ゲルマニウム(Ｇｅ)半田等の材料で接着固定する。そして、素子載置基台５上に半導体素子６を金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等を介して接着固定する。半導体素子６が、線路導体１１ａと配線導体３ａにボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。次に、シールリング７の上面に蓋体８をシーム溶接等の溶接法によって接合し、基体１と枠体２と入出力端子３と同軸コネクタ１０とシールリング７および蓋体８の内部に半導体素子６を気密に収容して半導体装置とする。 In the semiconductor device, the element mounting base 5 is placed on the mounting portion 1a of the base 1 of the element storage package, such as gold (Au) -tin (Sn) solder or gold (Au) -germanium (Ge) solder. Glue and fix with material. Then, the semiconductor element 6 is bonded and fixed on the element mounting base 5 via gold (Au) -tin (Sn) solder or the like. The semiconductor element 6 is electrically connected to the line conductor 11a and the wiring conductor 3a via a bonding wire or the like. Next, the lid body 8 is joined to the upper surface of the seal ring 7 by a welding method such as seam welding, and the base 1, the frame body 2, the input / output terminal 3, the coaxial connector 10, the seal ring 7, and the semiconductor inside the lid body 8. The element 6 is hermetically accommodated to form a semiconductor device.

本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る同軸コネクタのうち、本実施形態に係る同軸コネクタと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described. Note that, in the coaxial connector according to the modification of the present embodiment, the same portions as those of the coaxial connector according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

＜変形例１＞
本実施形態に係る変形例の同軸コネクタでは、図４に示すように、中心導体１０ｃの変径部１０ｄは、中心導体１０ｃの径方向に漸次変化する傾斜形状を有してもよい。すなわち、変径部１０ｄが、中心導体１０ｃの端部から中央部に向かって漸次外径が小さくなるようなテーパー形状に形成されている。傾斜形状の角度αは、図４に示すように、絶縁体１０ｂを傾斜形状部に位置させる、すなわち、塞き止めを有効に機能させるという点から、３０（°）以上８０（°）以下に設定されることが好ましい。また、特性インピーダンスの変化を緩やかにする点から、３０（°）以上８０（°）以下に設定されることが好ましい。 <Modification 1>
In the coaxial connector of the modified example according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the diameter changing portion 10d of the center conductor 10c may have an inclined shape that gradually changes in the radial direction of the center conductor 10c. That is, the variable diameter portion 10d is formed in a taper shape such that the outer diameter gradually decreases from the end portion of the central conductor 10c toward the central portion. As shown in FIG. 4, the angle α of the inclined shape is 30 (°) or more and 80 (°) or less from the viewpoint that the insulator 10b is positioned in the inclined shape portion, that is, the blocking function is effectively functioned. It is preferably set. Moreover, it is preferable to set it to 30 (degrees) or more and 80 (degrees) or less from the point of making the change of characteristic impedance moderate.

中心導体１０ｃの変径部１０ｄが、漸次変化する傾斜形状を有しているので、傾斜形状によって中心導体１０ｃの直径が漸次変化するので、特性インピーダンスの変化が緩やかになる。これによって変径部１０ｄで中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。すなわち、中心導体１０ｃを伝送する高周波信号の特性インピーダンスが急激に変化するのではなく、漸次変化させることができるので、高周波信号の反射損失の発生を抑制することができる。 Since the diameter changing portion 10d of the center conductor 10c has a gradually changing slope shape, the diameter of the center conductor 10c gradually changes according to the slope shape, so that the change in characteristic impedance becomes gradual. Thereby, it is possible to suppress the reflection loss of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c by the variable diameter portion 10d. That is, since the characteristic impedance of the high-frequency signal transmitted through the center conductor 10c can be gradually changed instead of abruptly changing, the occurrence of reflection loss of the high-frequency signal can be suppressed.

＜変形例２＞
本実施形態に係る変形例の同軸コネクタでは、図５に示すように、変径部１０ｄは、中心導体１０ｃの径方向に突き出た凸部または凹んだ凹部を有してもよい。すなわち、図５（ａ）は中心導体１０ｃに凸部の形状が形成され、図５（ｂ）は中心導体１０ｃに凹部の形状が形成されている。中心導体１０ｃの中央部の外径と凸部の外径の比率は、絶縁体１０ｂを傾斜形状部に位置させる、すなわち、塞き止めを有効に機能させるという点から、１．１以上１．５以下に設定されることが好ましい。また、中心導体１０ｃの中央部の外径と凹部の外径の比率は、絶縁体１０ｂを傾斜形状部に位置させる、すなわち、塞き止めを有効に機能させるという点から、０．６以上０．９以下に設定されることが好ましい。 <Modification 2>
In the coaxial connector of the modified example according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the diameter changing portion 10 d may have a convex portion or a concave concave portion protruding in the radial direction of the center conductor 10 c. That is, in FIG. 5A, a convex shape is formed on the central conductor 10c, and in FIG. 5B, a concave shape is formed on the central conductor 10c. The ratio of the outer diameter of the central portion of the center conductor 10c to the outer diameter of the convex portion is 1.1 or more in terms of positioning the insulator 10b in the inclined shape portion, that is, effectively functioning blocking. It is preferably set to 5 or less. Further, the ratio of the outer diameter of the central portion of the central conductor 10c to the outer diameter of the concave portion is 0.6 or more from the viewpoint that the insulator 10b is positioned in the inclined shape portion, that is, the blocking function is effectively functioned. Is preferably set to 9 or less.

中心導体１０ｃが、凸部または凹部を有しているので、中心導体１０ｃの表面を伝わって濡れ拡がる絶縁体１０ｂが凸部または凹部の部分に位置して設けることができ、絶縁体１０ｃの窪み部１０ｅの形状がばらつくのを抑制することができる。 Since the central conductor 10c has a convex portion or a concave portion, the insulator 10b that spreads through the surface of the central conductor 10c can be provided at the convex portion or the concave portion, and the depression of the insulator 10c. It can suppress that the shape of the part 10e varies.

１基体
１ａ載置部
２枠体
２ａ棚部
２ｂ同軸コネクタの取り付け部
２ｃ入出力端子の取り付け部
３入出力端子
３ａ配線導体
４外部リード端子
５素子載置基台
６素子
７シールリング
８蓋体
９光ファイバ
１０同軸コネクタ
１０ａ外周導体
１０ｂ絶縁体
１０ｃ中心導体
１０ｄ変径部
１０ｅ窪み部
１１回路基板
１１ａ線路導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 1a Mounting part 2 Frame 2a Shelf part 2b Coaxial connector mounting part 2c Input / output terminal mounting part 3 Input / output terminal 3a Wiring conductor 4 External lead terminal 5 Element mounting base 6 Element 7 Seal ring 8 Lid 9 Optical fiber 10 Coaxial connector 10a Outer conductor 10b Insulator 10c Center conductor 10d Diameter change part 10e Depression part 11 Circuit board 11a Line conductor

Claims

A cylindrical outer conductor;
A center having a diameter-changing portion provided along the central axis of the outer peripheral conductor and having an outer diameter larger or smaller than the outer diameter of the central portion between the central portion and the end portion in a cross-sectional view in the axial direction. Conductors,
An insulator provided between the outer peripheral conductor and the central conductor;
The end face of the insulator is provided at a position corresponding to the diameter-changing portion of the central conductor, and has a hollow portion recessed inward.

The coaxial connector according to claim 1,
The coaxial connector is characterized by having a step shape that changes stepwise in the radial direction of the central conductor or an inclined shape that changes gradually.

The coaxial connector according to claim 1 or 2, wherein
The coaxial connector is characterized in that the variable diameter portion has a convex portion or a concave concave portion protruding in the radial direction of the central conductor.

The coaxial connector according to any one of claims 1 to 3,
The center conductor has a portion covered with the insulator and a portion protruding outside the outer conductor, and an outer diameter of the portion covered by the insulator protrudes outside the outer conductor. A coaxial connector characterized by being smaller than the outer diameter of the part.

A base body having a placement portion on which an element is placed on the upper main surface;
A frame body provided on the upper main surface so as to surround the mounting portion, and having a coaxial connector mounting portion on a side wall;
An element storage package comprising the coaxial connector according to claim 1 attached to the attachment portion of the frame.

The device storage package according to claim 5;
An element mounted on the mounting portion and electrically connected to the coaxial connector;
A semiconductor device comprising: a lid joined to an upper surface of the frame.