JP2012007948A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基台と、撮像素子と、シンチレータと、を有し、
   前記基台と前記撮像素子との間に配置され、前記基台と前記撮像素子とを固定する第１の熱膨張性微小球を含む第１の加熱剥離型粘着層と、
   前記撮像素子と前記シンチレータとの間に配置され、前記撮像素子と前記シンチレータとを固定する第２の熱膨張性微小球を含む第２の加熱剥離型粘着層と、を有し、
   前記第１の加熱剥離型粘着層は、第１の熱膨張性微小球を含み、前記第２の加熱剥離型粘着層は、第２の熱膨張性微小球を含み、前記第１の熱膨張性微小球と前記第２の熱膨張性微小球の発泡開始温度は異なることを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記第１の熱膨張性微小球と前記第２の熱膨張性微小球の発泡開始温度は２０℃以上異なることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記第１の熱膨張性微小球の発泡開始温度より前記第２の熱膨張性微小球の発泡開始温度の方が低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記撮像素子は画素ピッチＰで配置された複数の画素を有し、前記第２の熱膨張性微小球の平均粒径は、前記画素ピッチＰより小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
5. 前記撮像素子は画素ピッチＰで配置された複数の画素を有し、前記第２の熱膨張性微小球の平均粒径は、前記画素ピッチＰより小さく、且つ５０μｍ以下であり、前記第２の加熱剥離型粘着層の厚みは１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
6. 前記基台と前記シンチレータとの間に配置された前記撮像素子の周囲を囲んで配置された樹脂と、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
7. 前記樹脂を貫通して前記撮像素子に接続された配線基板を更に有する請求項４に記載の放射線撮像装置。
8. 前記撮像素子が複数の撮像素子を有し、
   前記第１の加熱剥離型粘着層は、前記撮像素子毎に分離して配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
9. 前記第２の加熱剥離型粘着層は、前記シンチレータからの光を透過する光透過性を有ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
10. 基台に固定された撮像素子と、放射線を前記撮像素子が感知可能な波長の光に変換するシンチレータと、を有する放射線撮像装置であって、
    前記撮像素子は、熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層によって前記基台に固定されることを特徴とする放射線撮像装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、を有する放射線撮像システム。
12. 基台と撮像素子の間に第１の熱膨張性微小球を含む第１の加熱剥離型粘着層を介して固定する工程と、
    前記撮像素子とシンチレータの間に第２の熱膨張性微小球を含む第２の加熱剥離型粘着層を介して固定する工程と、を有する放射線撮像装置の製造方法。
13. 前記基台に固定された前記撮像素子を検査する工程と、
    前記検査する工程において、欠陥を有する撮像素子と判断された場合、前記第１の熱膨張性微小球より発泡開始温度が低い前記第２の熱膨張性微小球を加熱により膨張させ、前記シンチレータを剥離する工程と、を更に有することを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像装置の製造方法。
14. 前記シンチレータを剥離する工程の後、前記欠陥を有する撮像素子を固定しながら前記第１の熱膨張性微小球を加熱により膨張させ、前記前記欠陥を有する撮像素子を剥離する工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の放射線撮像装置の製造方法。
15. 基台と撮像素子の間に熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層を介して固定する工程と、
    前記撮像素子とシンチレータの間を固定する工程と、を有する放射線撮像装置の製造方法。