JP2012004104A - Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 - Google Patents
Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012004104A JP2012004104A JP2011069273A JP2011069273A JP2012004104A JP 2012004104 A JP2012004104 A JP 2012004104A JP 2011069273 A JP2011069273 A JP 2011069273A JP 2011069273 A JP2011069273 A JP 2011069273A JP 2012004104 A JP2012004104 A JP 2012004104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- esd protection
- ceramic
- discharge electrodes
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】未焼成のセラミック材料からなる絶縁層12,14の間に、第1及び第2の放電電極22,24と、焼成により消失する消失層と、炭化物系セラミック38を含むガス発生層とが形成された積層体を準備する。次いで、積層体を、炭化物系セラミック38の分解によるガスの発生を促進する雰囲気で焼成して、絶縁層12,14の焼結が完了するまでに、消失層が消失して形成された空間を、炭化物系セラミック38の分解により発生したガスによって広げることにより、積層体の内部に、互いに対向しかつ互いに離れる方向に湾曲した一対の内周面16s,16tを有し、一方の内周面16tに沿って第1及び第2の放電電極22,24の互いに対向する対向部分22a,24aが露出する空洞部16を形成する。
【選択図】図4
Description
まず、ESD保護装置10を作製するための各種材料を準備する。
セラミック多層基板11の第1及び第2の絶縁層12,14になるセラミックグリーンシートを準備する。セラミック多層基板11の第1及び第2の絶縁層12,14の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800−1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合し、スラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、第1及び第2の絶縁層12,14になる厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。
第1及び第2の放電電極22,24や第1及び第2の外部電極32,34の下層32a,34aを形成するための電極ペーストを準備する。平均粒径2μmのCu粉80wt%とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、ロールで攪拌、混合することで電極ペーストを得る。
炭化物系セラミックである炭化ケイ素(SiC)を含み、焼成中にガスを発生するガス発生用ペーストを準備する。ガス発生用ペーストは、ガス発生層30を形成するために用いる。ガス発生用ペーストは、平均粒径約2μmのAl2O3コートCu粉と、平均粒径1μmのSiCとを所定の割合で調合し、バインダー樹脂と溶剤を添加し、ロールで攪拌、混合することで得る。ガス発生用ペーストは、バインダー樹脂と溶剤を20wt%とし、残りの80wt%をAl2O3コートCu粉と炭化ケイ素とする。
空洞部16を形成する起点となる内部空間を形成するための内部空間形成ペーストを準備する。内部空間形成ペーストは、樹脂と溶剤のみからなる。樹脂材料には、焼成時に分解、消失する樹脂、例えば、PET、ポリプロピレン、アクリル樹脂などを用いる。後述する作製例では、アクリル樹脂を用いた。
シール層26,28を形成するためのシール層形成用ペーストを準備する。シール層形成用ペーストは、セラミック材料と溶剤のみからなり、例えば、平均粒径約1μmのAl2O3粉80wt%とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、ロールで攪拌、混合することで、シール層形成用ペースト(アルミナペースト)を得る。シール層形成用ペーストの固形成分には、セラミック多層基板の材料よりも焼結温度が高い材料、例えばアルミナ、ジルコニア、マグネシア、ムライト、石英などを選定する。後述する作製例では、アルミナを用いた。
図1(1)に示すように、第1の絶縁層12になるセラミックグリーンシートの上面12aに、シール層形成用ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥させることにより、第1のシール層26を形成する。
次いで、第1の絶縁層12の上面12a側に、図2(6)に示すように、第2の絶縁層14になるセラミックグリーンシートを積層し、圧着して、未焼成の積層体を形成する。
次いで、焼成することにより、図3(8)に示すように、セラミック多層基板11の内部に空洞部16を形成する。
SiO2(s)+H2O(g)→Si(OH)2(g) (2)
ここで、(s)は固体の状態、(g)はガスの状態を示す。
次いで、LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、電極ペーストにより形成された下層32a,34a上に、電解Ni−Snメッキによりメッキ層32b,34bを形成して、図3(9)に示すESD保護装置10が完成する。
11 セラミック多層基板
12,14 絶縁層
16,16a,16b 空洞部
16p,16q,16s,16t,16u,16v 対向面
22,24 放電電極
30 ガス発生層
31 消失層
32,34 外部電極
38 炭化物系セラミック
Claims (8)
- 互いに積層され、圧着された、未焼成のセラミック材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層の間に同じ前記絶縁層に沿って配置され、間隔を設けて互いに対向する第1及び第2の放電電極と、
少なくとも前記第1及び第2の放電電極が互いに対向する領域に隣接して配置され、炭化物系セラミックを含むガス発生層と、
を備えた未焼成の積層体を準備する第1の工程と、
未焼成の前記積層体を、前記ガス発生層に含まれる前記炭化物系セラミックの分解によるガスの発生を促進する雰囲気で焼成し、前記積層体の前記絶縁層の焼結が完了するまでに、少なくとも前記第1及び第2の放電電極が互いに対向する前記領域に隣接する内部空間を、前記ガス発生層に含まれる前記炭化物系セラミックの分解により発生したガスによって広げることにより、焼結済みの前記積層体の内部に、互いに対向しかつ互いに離れる方向に湾曲した一対の内周面を有し、該内周面の一方に沿って前記第1及び第2の放電電極の互いに対向する対向部分が露出する空洞部を形成する第2の工程と、
を備えたことを特徴とするESD保護装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、N2を主成分とし、H2Oと、H2又はCOの少なくともいずれか一方とを含む雰囲気で、前記積層体の焼成を行うことを特徴とする、請求項1に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記ガス発生層は、
前記炭化物系セラミックとは異なる別のセラミック材料と、
金属材料、又は無機材料によりコートされた金属材料の少なくともいずれか一方とを含むことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のESD保護装置の製造方法。 - 前記第2の工程において、前記積層体の前記絶縁層の焼結が完了したときに、前記空洞部が密閉されることを特徴とする、請求項1乃至3に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記第1の工程において、少なくとも前記第1及び第2の放電電極が互いに対向する前記領域に配置され、未焼成の前記絶縁層が焼結を完了する焼結温度よりも低い温度で消失する消失層を含む未焼成の前記積層体を準備し、
前記第2の工程において、前記積層体の前記絶縁層の焼結が完了するまでに、前記積層体の前記消失層が消失して前記内部空間が形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一つに記載のESD保護装置の製造方法。 - 前記第1の工程において前記第1及び第2の放電電極に隣接して配置される絶縁層に、少なくとも前記第1及び第2の放電電極が互いに対向する前記領域に対向する部分に貫通孔を予め形成しておくことにより、未焼成の前記積層体に前記内部空間を形成することを特徴とする、請求項1乃至3にいずれか一つに記載のESD保護装置の製造方法。
- セラミック材料からなる絶縁層が積層されたセラミック多層基板と、
前記セラミック多層基板の内部に形成された空洞部と、
前記空洞部内に露出して間隔を設けて互いに対向する対向部分を有する、第1及び第2の放電電極と、
を備えたESD保護装置において、
前記空洞部は、互いに対向しかつ互いに離れる方向に湾曲した一対の内周面を有し、該内周面の一方に沿って前記第1及び第2の放電電極の前記対向部分が露出し、
少なくとも前記第1及び第2の放電電極の前記対向部分の間に、前記空洞部の前記内周面の前記一方に沿って、炭化物系セラミックが分散して配置され、
前記空洞部内には、前記炭化物系セラミックの分解により発生したガスが含まれていることを特徴とする、ESD保護装置。 - 前記空洞部は密閉され、前記空洞部内の圧力は、大気圧よりも低いことを特徴とする、請求項7に記載のESD保護装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069273A JP5370783B2 (ja) | 2010-05-18 | 2011-03-28 | Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 |
CN 201110133955 CN102299485B (zh) | 2010-05-18 | 2011-05-13 | Esd保护装置的制造方法及esd保护装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010113855 | 2010-05-18 | ||
JP2010113855 | 2010-05-18 | ||
JP2011069273A JP5370783B2 (ja) | 2010-05-18 | 2011-03-28 | Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012004104A true JP2012004104A (ja) | 2012-01-05 |
JP5370783B2 JP5370783B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=45535845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011069273A Active JP5370783B2 (ja) | 2010-05-18 | 2011-03-28 | Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5370783B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013146324A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 株式会社村田製作所 | Esd保護装置及びその製造方法 |
CN112928021A (zh) * | 2019-12-05 | 2021-06-08 | 胜高股份有限公司 | 热处理炉的前处理方法、热处理炉及晶片的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003123936A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2009032508A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型アレスタおよびその製造方法 |
WO2009098944A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Esd保護デバイス |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011069273A patent/JP5370783B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003123936A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2009032508A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型アレスタおよびその製造方法 |
WO2009098944A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Esd保護デバイス |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013146324A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 株式会社村田製作所 | Esd保護装置及びその製造方法 |
CN112928021A (zh) * | 2019-12-05 | 2021-06-08 | 胜高股份有限公司 | 热处理炉的前处理方法、热处理炉及晶片的制备方法 |
JP2021089993A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 株式会社Sumco | 熱処理炉の前処理方法、熱処理炉及びウェーハの製造方法 |
JP7251458B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-04-04 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5370783B2 (ja) | 2013-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2010061550A1 (ja) | Esd保護デバイス及びその製造方法 | |
CN108883991B (zh) | 电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件 | |
CN109326442A (zh) | 多层陶瓷电容器及其制造方法 | |
US8711537B2 (en) | ESD protection device and method for producing the same | |
JPWO2010067503A1 (ja) | Esd保護デバイス | |
WO2013065672A1 (ja) | Esd保護デバイス | |
JP5370783B2 (ja) | Esd保護装置の製造方法およびesd保護装置 | |
JP5648744B2 (ja) | 半導体セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP5614315B2 (ja) | Esd保護装置 | |
WO2015190404A1 (ja) | 静電気放電保護デバイスおよびその製造方法 | |
WO2015087394A1 (ja) | Esd保護デバイスとその製造方法 | |
JP5713112B2 (ja) | Esd保護デバイスおよびその製造方法 | |
CN102299485B (zh) | Esd保护装置的制造方法及esd保护装置 | |
JP6311789B2 (ja) | 静電気放電保護デバイスおよびその製造方法 | |
JP5605413B2 (ja) | Esd保護デバイスとその製造方法 | |
JP5757372B2 (ja) | Esd保護デバイス | |
CN104541418A (zh) | Esd保护装置 | |
JPWO2011099385A1 (ja) | Esd保護装置 | |
JP6048055B2 (ja) | Esd保護デバイスとその製造方法 | |
US10292249B2 (en) | ESD protection device | |
US20160044769A1 (en) | Esd protection device | |
KR20140106315A (ko) | 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 | |
JP5644829B2 (ja) | Esd保護デバイスとその製造方法 | |
JP2017073257A (ja) | 静電気放電保護デバイスおよびその製造方法 | |
JP2005116337A (ja) | 導電性ペースト、ビアホール導体及び多層セラミック基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5370783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |