JP2011529572A - 抵抗型ボロメータマトリックスを通じて赤外線を検出するためのデバイスおよび方法 - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 30
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 25
- 230000006399 behavior Effects 0.000 claims description 21
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 17
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004616 Pyrometry Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
- G01J5/24—Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Multimedia (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
Description
赤外線を吸収し、その赤外線を熱に変換するための手段と、
赤外線の作用の下で暖まるように、検出器を断熱するための手段と、
ボロメータ検出器に関連して、抵抗素子を使用する温度測定手段と、
温度測定手段によって供給される電気量を読み取るための手段とを伴う。
Rest(i,j)=Rabs(i,j).C(Tmes)
に従ってボロメータの抵抗を推定することができ、ただし、
式中、
Rest(i, j)はボロメータの推定された抵抗であり、
Rabs(i, j)はボロメータの所定の基準抵抗であり、
C(Tmes)はケルビンを温度単位として表される測定された焦点面温度Tmesに依存するパラメータである。
式中、
EAは所定のボロメータ伝導性活性化エネルギーであり、
kはボルツマン定数である。
Rcomp-est(j)=Rcomp-abs(j).C(Tmes)
に従って補償ボロメータの抵抗を推定することができ、ただし、
式中、
Rcomp-est(j)は補償ボロメータの推定された抵抗であり、Rcomp_abs(j)は補償ボロメータの所定の基準抵抗であり、C(Tmes)は基材の測定された温度Tmesに依存するパラメータである。より具体的には、パラメータC(Tmes)は、関係式
式中、
EAは所定のイメージングボロメータ伝導性活性化エネルギーであり、kはボルツマン定数であり、Tmesは温度単位ケルビンで表される測定された温度である。
関係式
NC(i,j)=α-β×(Icomp(j)-Iac(i,j))
に従って、測定された温度に実質的に等しい温度の均一なシーンにマトリックスを曝すことに対応して、イメージングボロメータから形成される信号の連続レベルを推定するステップであって、ただし、
式中、
αおよびβは読み取り回路に依存する所定のパラメータであり、Icomp(j)はその推定された抵抗から計算で求められる補償ボロメータ内を流れる電流であり、Iac(i,j)はその推定された抵抗から計算で求められるイメージングボロメータ内を流れる電流である、ステップと、
関係式
式中
Ncorr(i, j)は補正された出力信号であり、値
nおよびmを1以上の整数とする、つり下げられた膜を持つ抵抗型イメージングボロメータ14のn行m列の2次元イメージングマトリックス12。イメージングマトリックス12は、カメラの赤外線透過光学系の焦点面内に配列され、反射基材の上につり下げられる。
基板上に形成された読み取り回路16。読み取り回路16は、イメージングマトリックス12の行単位のアドレス指定のための回路を備え、その列毎に、測定回路をアドレス指定された列のそれぞれのイメージングボロメータ14に接続することができ、これらの測定回路は、ブロック18によってまとめて表されており、アナログ入力または出力に向かう信号を多重化するための手段をさらに備える。
読み取り回路16は、イメージングマトリックス12のそれぞれの列に関して1つまたは複数の補償ボロメータを備える補償回路の行20をさらに具備する。
基材内に形成され、その温度を測定する少なくとも1つの温度プローブ22。
読み取り回路16および温度プローブ22に接続され、これから送られてくるアナログ信号をデジタル信号に変換するための変換回路24。
マトリックス12のイメージングボロメータ14と、
イメージングボロメータ14を測定するための読み取り回路16の測定回路40と、
イメージングボロメータ14内を流れるコモンモード電流の補償を、その読み取り時に行う行20の補償回路42の好ましい基本レイアウトである。
一方の非反転端子(+)が所定の定電圧VBUSに設定されているオペアンプ44と、
オペアンプ44の反転端子(-)とその出力との間に接続されている、所定の容量Cintを持つキャパシタ46と、
キャパシタ46に並列に接続され、「リセット」信号を使って制御可能なリセットスイッチ48と、
セレクト信号を使って制御可能な、オペアンプの反転端子(-)に接続されている読み取りスイッチ50と、
ゲートが所定の定電圧GFIDに設定され、ソースがボロメータ14の第2の端子Bに接続され、ドレインが読み取りスイッチ50の他の端子に接続されている第1のMOSインジェクショントランジスタ52である。
ただし、式中、
Vacはイメージングボロメータ14の端子に現れる電圧であり、
Racはイメージングボロメータ14の抵抗であり、
Vcompは補償ボロメータ54の端子に現れる電圧であり、
Rcompは補償ボロメータ54の抵抗である。
非特許文献1(E. Mottinら、「Uncooled amorphous silicon enhancement for 25μm pixel pitch achievement」、Infrared Technology and Application XXVIII、SPIE、第4820巻。)
非特許文献2(B. Fiequeら、「320 x 240 uncooled microbolorneter 2D array for radiometric and process control applications」、Optical System Design Conference、SPIE、第5251巻。)
非特許文献3(C Trouilleauら、「Low cost amorphous silicon based 160 x 120 uncooled microbolometer 2D array for high volume applications」、Optical System Design Conference、SPIE、第5251巻。)
Vac≒VBUS-VDET
を想定することができる。
ただし、式中、
expは指数関数であり、
EAは所定のボロメータ活性化エネルギーであり、
kはボルツマン定数であり、
Trefはステップ60で測定された基材温度である。
ただし、式中、
ApおよびAnは、それぞれ、MOS 58および52の知られている技術的因子であり、
VthpおよびVthnは、それぞれ、MOS 58および52の知られている閾値であり、
VFIDおよびGSKはそれぞれトランジスタ52および58のゲートに印加される電圧であり、これも知られている。
ただし、式中、Ncorr(i, j)は補正され2値化された出力電圧であり、
Vcomp≒VSK-VBUS (11)
となる。
ただし、式中、
expは指数関数であり、
EAは所定のボロメータ活性化エネルギーであり、
kはボルツマン定数であり、
Trefはステップ60で測定された基材温度である。
ただし、式中、
ApおよびAnは、それぞれ、MOS 58および52の知られている技術的因子であり、
VthpおよびVthnは、それぞれ、MOS 58および52の知られている電圧閾値であり、
VFIDおよびGSKはそれぞれトランジスタ52および58のゲートに印加される電圧であり、これも知られている。
ただし、式中、Ncorr(i,j)は補正され2値化された出力電圧であり、
物理的モデルを使用することで、複数のテーブル補間で実現されるよりも精度の高い補正が可能になる。実際、物理的実在性をいっさい隠さない補間は、高い精度で現象の実在性を反映する物理的モデルに比べてボロメータ挙動のモデル化の精度が劣る。
物理的モデルを使用することで、補間用のテーブルの温度の範囲を外れたシーン温度を正確に説明することが可能になる、言い換えると、補外が可能である。
物理的モデルを使用するには、関係式(5)のモデルの場合に、限られた数のテーブルがあるだけでよい、さらにはただ1つのテーブルがあるだけでよい。こうして記憶容量が減らせるため、テーブルが読み取り専用メモリもしくはフラッシュメモリ内に格納される場合に有利である。
本発明によるオフセット補正は、例えばシャッターなどの機械的要素を必要としない。しかし、本発明による補正は、一般的に、均一なシーンを取得する最も効果的な手段である、したがって、ボロメータオフセットを決定するための最も正確な手段であるシャッターの使用をシミュレートするものである。
本発明を実現するために処理される計算の量は、十分に少なく、したがって今日のプロセッサ上でリアルタイムで実行することができる。したがって、本発明の利点は、補正の精度とアルゴリズムによる実装のコンパクトさとの間の有利な妥協点をもたらすという点にある。
14 抵抗型イメージングボロメータ
16 読み取り回路
18 ブロック
20 補償回路の行
22 温度プローブ
24 変換回路
26 データ処理ユニット
28 CPU
30 ランダムアクセスメモリ
32 大容量記憶装置
34 ディスプレイ画面
40 測定回路
42 補償回路
44 オペアンプ
46 キャパシタ
48 リセットスイッチ
50 読み取りスイッチ
50 選択スイッチ
52 第1のMOSインジェクショントランジスタ
54 補償ボロメータ
56 補償ボロメータ
58 第2のMOSインジェクショントランジスタ
60 第1の初期化フェーズ
Claims (14)
- 赤外線を検出するためのデバイスであって、
基材と、
前記赤外線を検出するための素子の少なくとも1つの行からなり、それぞれの素子が抵抗型イメージングボロメータ(14)を備え、前記基材の上に形成されるマトリックス(12)と、
前記マトリックスの前記ボロメータを読み出すための手段(18)と、
前記基材の少なくとも1つの点において温度を測定するための手段(22)と、
それぞれのボロメータ(14)から形成される前記信号を、前記基材の少なくとも1つの点において測定された温度の関数として補正するための手段(26)とを備え、
前記補正手段(26)は、前記信号の前記温度挙動の所定の物理的モデルを使って前記イメージングボロメータ(14)から形成される前記信号を補正することができることを特徴とする、赤外線を検出するためのデバイス。 - 前記温度測定手段(22)は、前記基材の前記温度を測定するために少なくとも1つのプローブを備えることを特徴とする請求項1に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記温度測定手段は、前記基材の前記温度を複数の点において測定することができる複数の温度測定プローブと、前記基材の前記複数の点において測定された前記温度の関数として前記基材の前記温度の空間的分布をモデル化するための手段とを備えることと、 前記補正手段は、その付近において前記基材の前記モデル化された温度の関数として前記イメージングボロメータ(14)から形成される前記信号を補正することができることとを特徴とする請求項2に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記補正手段(26)は、前記マトリックスを前記測定された温度に実質的に等しい温度の均一なシーンに曝すことに対応する前記イメージングボロメータ(14)の抵抗を推定することができることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記補正手段(26)は、関係式
Rest(i, j) = Rabs(i,j).C(Tmes)
に従って前記イメージングボロメータ(14)の前記抵抗を推定することができ、
式中、Rest(i, j)は前記イメージングボロメータの前記推定された抵抗であり、Rabs(i, j)は前記イメージングボロメータの所定の基準抵抗であり、C(Tmes)は前記基材の前記測定された温度Tmesに依存するパラメータであることを特徴とする請求項4に記載の赤外線検出デバイス。 - 前記マトリックス(12)のそれぞれの列に関連付けられている補償ボロメータ(54)を備えるコモンモード補償構造(20)を具備し、前記読み取り手段(18)は前記イメージングボロメータ(14)内を流れる電流とそれに関連付けられている前記補償ボロメータ(54)内を流れる電流との差から信号を形成することができ、前記補正手段(26)は、前記信号を補正するために、前記補償ボロメータ(54)の抵抗を推定することができることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記補正手段(26)は、関係式
Rcomp-est(j)=Rcomp-abs(j).C(Tmes)
に従って前記補償ボロメータ(54)の前記抵抗を推定することができ、
式中、Rcomp-est(j)は補償ボロメータの推定された抵抗であり、Rcomp_abs(j)は補償ボロメータの所定の基準抵抗であり、C(Tmes)は前記基材の前記測定された温度Tmesに依存するパラメータであることを特徴とする請求項7に記載の赤外線検出デバイス。 - 前記補正手段(26)は、
関係式
NC(i,j)=α-β×(Icomp(j)-Iac(i,j))
に従って、前記測定された温度に実質的に等しい温度の均一なシーンに前記マトリックス(12)を曝すことに対応して、前記イメージングボロメータ(14)から形成される前記信号の連続レベルを推定するステップであって、
式中、αおよびβは前記読み取り回路(18)に依存する所定のパラメータであり、Icomp(j)はその前記推定された抵抗から計算で求められる前記補償ボロメータ(54)内を流れる前記電流であり、Iac(i,j)はその前記推定された抵抗から計算で求められる前記イメージングボロメータ(14)内を流れる前記電流である、ステップと、
関係式
式中、Ncorr(i, j)は前記補正された出力信号であり、
- 前記補正手段(26)は、少なくとも部分的には前記基材内に実装されることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記マトリックスの前記ボロメータの前記基準抵抗は、前記基材内に組み込まれている永続的メモリに表形式で格納されることを特徴とする請求項5または8に記載の赤外線検出デバイス。
- 前記補正手段(26)は、前記基材内に組み込まれている電子回路の形態で実装されることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の赤外線検出デバイス。
- 赤外線を検出するための、それぞれが抵抗型イメージングボロメータ(14)を備える素子の少なくとも1つの行からなる、基材の上に形成されるマトリックス(10)を使って前記赤外線を検出するための方法であって、
前記マトリックスの前記ボロメータを読み取り、その結果それぞれのボロメータに関して信号を形成するステップと、
前記基材の少なくとも1つの点において前記温度を測定するステップ(74)と、
それぞれのボロメータに関する前記信号を、前記基材の少なくとも1つの点において測定された温度の関数として補正するステップ(74〜86)とを含み、
前記補正ステップ(74〜86)は、前記信号の前記温度挙動の所定の物理的モデルから前記ボロメータに関して前記信号を補正するステップを含むことを特徴とする赤外線を検出するための方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0855227A FR2934679B1 (fr) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | Dispositif et procede de detection d'un rayonnement infrarouge au moyen d'une matrice de bolometres resistifs. |
FR0855227 | 2008-07-29 | ||
PCT/FR2009/051366 WO2010012931A1 (fr) | 2008-07-29 | 2009-07-09 | Dispositif et procede de detection d'un rayonnement infrarouge au moyen d'une matrice de bolometres resistifs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011529572A true JP2011529572A (ja) | 2011-12-08 |
JP5794916B2 JP5794916B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=40328789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011520561A Expired - Fee Related JP5794916B2 (ja) | 2008-07-29 | 2009-07-09 | 抵抗型ボロメータマトリックスを通じて赤外線を検出するためのデバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8158942B2 (ja) |
EP (1) | EP2307864B1 (ja) |
JP (1) | JP5794916B2 (ja) |
CN (1) | CN102077066B (ja) |
CA (1) | CA2726821C (ja) |
FR (1) | FR2934679B1 (ja) |
RU (1) | RU2518348C2 (ja) |
WO (1) | WO2010012931A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014020875A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 測定装置 |
JP2019213193A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-12 | 株式会社Spectrum Technology Laboratories | 赤外線撮像装置及びそれに用いられるプログラム |
JP2021028631A (ja) * | 2019-08-12 | 2021-02-25 | ▲電▼子科技大学University of Electronic Science and Technology of China | 指数モデルに基づく非冷却赤外線焦点面アレイ読み出し回路 |
JP2022511262A (ja) * | 2018-08-23 | 2022-01-31 | レイセオン カンパニー | ピクセルごとの暗基準ボロメータ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8704180B2 (en) * | 2008-07-29 | 2014-04-22 | Ulis | Device and method for detecting infrared radiation through a resistive bolometer matrix |
FR2941046B1 (fr) * | 2009-01-15 | 2011-02-18 | Ulis | Dispositif pour la detection d'un rayonnement electromagnetique |
US8547325B2 (en) * | 2010-03-15 | 2013-10-01 | Creator Technology B.V. | Driving method and system for electrofluidic chromatophore pixel display |
CN102346095B (zh) * | 2011-05-03 | 2013-07-03 | 中国兵器工业第二〇五研究所 | 中波红外二极管阵列场景生成器 |
KR101922119B1 (ko) | 2011-12-22 | 2019-02-14 | 삼성전자주식회사 | 적외선 검출기 및 이를 사용하는 적외선 검출 방법 |
FR2987210B1 (fr) * | 2012-02-22 | 2014-02-21 | Ulis | Procede de correction de la derive d'un detecteur de rayonnement infrarouge comportant une matrice de bolometres resistifs d'imagerie et dispositif mettant en oeuvre un tel procede |
US9759693B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-09-12 | International Business Machines Corporation | Method of simulating the absorption of plane waves using FEM software tools |
FR3003112B1 (fr) * | 2013-03-05 | 2015-04-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede et systeme d'acquisition d'image |
FR3009388B1 (fr) * | 2013-07-30 | 2015-07-17 | Ulis | Diagnostic de l'etat defectueux d'une matrice de detection bolometrique |
FR3088512B1 (fr) * | 2018-11-09 | 2020-10-30 | Schneider Electric Ind Sas | Procede de traitement d'une image |
RU2745484C1 (ru) * | 2020-07-27 | 2021-03-25 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности, учитывающей эффект саморазогрева |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148727A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及び赤外線検出素子 |
JPH09247542A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 画像補正装置及び画像補正方法 |
JPH10122956A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線カメラ |
JP2005519266A (ja) * | 2002-02-27 | 2005-06-30 | インディゴ・システムズ・コーポレーション | マイクロボロメータ焦点面アレイ方法及び回路 |
WO2008046866A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Analog Devices Inc | Die temperature sensors |
JP2008268134A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274869B1 (en) | 1996-06-28 | 2001-08-14 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Digital offset corrector |
US5811808A (en) | 1996-09-12 | 1998-09-22 | Amber Engineering, Inc. | Infrared imaging system employing on-focal plane nonuniformity correction |
US6630674B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-10-07 | Infrared Components Corporation | Method and apparatus for correction of microbolometer output |
KR100586308B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2006-06-08 | 한국과학기술원 | 볼로메타의 동작온도 변화에 따른 불균일도를 보상할 수있는 보상회로. |
RU2324152C1 (ru) * | 2006-09-25 | 2008-05-10 | Открытое акционерное общество "ЛОМО" | Способ термографирования и устройство для его осуществления |
-
2008
- 2008-07-29 FR FR0855227A patent/FR2934679B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-09 WO PCT/FR2009/051366 patent/WO2010012931A1/fr active Application Filing
- 2009-07-09 CN CN200980124625.6A patent/CN102077066B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-09 CA CA2726821A patent/CA2726821C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-09 JP JP2011520561A patent/JP5794916B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-09 RU RU2011107219/28A patent/RU2518348C2/ru active
- 2009-07-09 EP EP09784496.3A patent/EP2307864B1/fr not_active Not-in-force
-
2010
- 2010-11-30 US US12/956,350 patent/US8158942B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148727A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及び赤外線検出素子 |
JPH09247542A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 画像補正装置及び画像補正方法 |
JPH10122956A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線カメラ |
JP2005519266A (ja) * | 2002-02-27 | 2005-06-30 | インディゴ・システムズ・コーポレーション | マイクロボロメータ焦点面アレイ方法及び回路 |
WO2008046866A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Analog Devices Inc | Die temperature sensors |
JP2008268134A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
BENOIT DUPONT ET AL.: "Model based on-chip 13bits ADC design dedicated to uncooled infrared focal plane arrays", PROC.SPIE 6737, ELECTRO-OPTICAL AND INFRARED SYSTEMS: TECHNOLOGY AND APPLICATIONS IV, vol. 6737, JPN7015001840, 8 October 2007 (2007-10-08), pages 673712 - 1, ISSN: 0003111018 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014020875A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 測定装置 |
JP2019213193A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-12 | 株式会社Spectrum Technology Laboratories | 赤外線撮像装置及びそれに用いられるプログラム |
JP7143558B2 (ja) | 2018-05-30 | 2022-09-29 | フクロウビジョン株式会社 | 赤外線撮像装置及びそれに用いられるプログラム |
JP2022511262A (ja) * | 2018-08-23 | 2022-01-31 | レイセオン カンパニー | ピクセルごとの暗基準ボロメータ |
JP7250115B2 (ja) | 2018-08-23 | 2023-03-31 | レイセオン カンパニー | ピクセルごとの暗基準ボロメータ |
JP2021028631A (ja) * | 2019-08-12 | 2021-02-25 | ▲電▼子科技大学University of Electronic Science and Technology of China | 指数モデルに基づく非冷却赤外線焦点面アレイ読み出し回路 |
JP7133234B2 (ja) | 2019-08-12 | 2022-09-08 | ▲電▼子科技大学 | マイクロボロメータ読み出し回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2307864B1 (fr) | 2016-06-08 |
US20110068272A1 (en) | 2011-03-24 |
US8158942B2 (en) | 2012-04-17 |
CA2726821A1 (fr) | 2010-02-04 |
RU2518348C2 (ru) | 2014-06-10 |
WO2010012931A1 (fr) | 2010-02-04 |
EP2307864A1 (fr) | 2011-04-13 |
CN102077066A (zh) | 2011-05-25 |
FR2934679B1 (fr) | 2010-09-24 |
FR2934679A1 (fr) | 2010-02-05 |
JP5794916B2 (ja) | 2015-10-14 |
CN102077066B (zh) | 2014-09-24 |
CA2726821C (fr) | 2016-10-11 |
RU2011107219A (ru) | 2012-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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