JP2011524642A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、及びマイクロリソグラフィ露光方法に関する。マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系は、像回転器(50,50’)を含み、それは、像回転器(50,50’)上に入射する光が少なくとも部分的に偏光されるように光学系に配置され、像回転器(50,50’)は、像回転器(50,50’)上に入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、並びにマイクロリソグラフィ露光方法に関する。
マイクロリソグラフィは、例えば、集積回路又はLCDのような微細構造構成要素の製造に用いられる。マイクロリソグラフィ処理は、照明系及び投影対物系を有する投影露光装置と呼ばれるものにおいて実施される。この場合、マスク構造を基板上の感光コーティング上に転写するために、照明系を用いて照明されるマスク(=レチクル)の像は、投影対物系の像平面に配置されて感光層(フォトレジスト)で被覆された基板(例えば、シリコンウェーハ)上に投影される。
結像コントラストを最適化するために、照明系又は投影対物系内の偏光分布を特定的に設定又は補正するための様々な手法は公知である。例えば、液浸リソグラフィにおいて達成することができる高い開口を有する結像処理では、いわゆるベクトル効果に起因するコントラストの損失を回避するために、好ましい偏光分布は、ウェーハ平面内で回折次数がタンジェンシャルに偏光されるように構成される。高い開口を有する結像処理で発生する「ベクトル効果」という表現は、像領域内で偏光状態が同じであったものとしても、電界ベクトルのp偏光成分(TM成分)が互いに対して平行ではなくなることから生じるような異なる回折次数に対して電界ベクトルが異なる方向を有し、従って、結像コントラストが偏光状態に依存する状況を説明するのに用いられる。
WO2005/069081A2は、光学活性結晶を含み、結晶光軸の方向に変化する厚み分布を含み、それによって例えば一定の直線入力偏光分布をタンジェンシャル出力偏光分布(好ましい偏光方向又は電界ベクトルの振動方向が、光学系軸に向う半径と垂直関係に配向される)へと変換することができる偏光影響光学要素を開示している。
照明設定(すなわち、所定の平面内、特に、瞳平面内で得られる強度分布の)の適応化又は調節が望ましい状況も存在する。その例は、斜方又は傾斜マスク構造の像を生成するのに好ましい又は望ましいとすることができる光軸の回りの二重極照明設定又は四重極照明設定の照明極の回転である(すなわち、「回転された」二重極設定又は四重極設定の調節又は実現)。
図7は、斜方又は傾斜マスク構造725への照明設定のそのような適応化を略示している(これらのマスク構造では、反復的な方向が、それぞれ座標系内のy軸に対して角度αだけ回転されるか、又はマスク構造715が、水平構造しか持たない)。照明デバイスにおいて達成される図7cに記載の二重極照明設定720では、図7dに示しているマスク構造725への適応化又は適合化を実現するために、照明極721、722もまた、y軸に対して角度αだけ回転される。しかし、強度分布のみの回転は、図7aに記載の二重極照明設定710では、図7cに記載の二重極照明設定720における照明極720、721の回転の場合に、準タンジェンシャル偏光分布が存在しなくなり、上述のコントラストの最適化の低下を招く状況を発生させるという問題が生じる。
US5,614,988は、特に、投影光学ユニット内の反射面を光軸の回りに回転させることにより、それぞれの投影光学ユニットを通して形成される像の間の適合化を複数の投影光学ユニットを有する投影露光装置において実現することを開示している。
WO2005/069081A2 US5,614,988
M.V.Berry著「断熱変化を有する量子位相ファクタ」、ロンドン王立協会会報シリーズA(数学及び物理的科学)、1984年、392(1802)、45〜57ページ E.J.Galvez及びCD.Holmes著「光学回転器の幾何学的位相」、米国光学会誌A(光学系、像科学、及び視覚)、1999年、16(8)、1981〜1985ページ E.J.Galvez他著「可視のための可変幾何学的位相偏光回転器」、「Optics Communications」、1999年、171(1〜3)、7〜13ページ
本発明の目的は、リソグラフィ工程においてコントラストの損失を軽減又は回避することができるような方法で異なる照明設定を実現することができるマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、並びにマイクロリソグラフィ露光方法を提供することである。
この目的は、独立請求項の特徴によって達成される。
マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系は、回転器上に入射する光が少なくとも部分的に偏光されるように光学系に配置された像回転器を含み、像回転器は、像回転器上に入射する光に対して強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる。
光が「像回転器上に入射して少なくとも部分的に偏光される」という表現は、像回転器上に入射する光(光学系の作動中に)が、少なくとも0.2、特に少なくとも0.4、更に特に少なくとも0.6という偏光度を有することを表す上に用いるものである。この場合、偏光度を偏光光部分の強度と全体光の強度との比として定める。それに応じて、完全偏光光では偏光度は1であり、完全な非偏光光では偏光度はゼロであり、部分偏光光では、偏光度はゼロと1の間の値を有する。
本発明は、像回転器を用いて強度分布と偏光分布の両方の同時回転をマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系において実現するという概念に基づいている。
像回転器上に入射する光(光学系の作動中に)の強度分布と偏光分布の両方が回転されるということにより、照明極の回転の前の状況と比較すると、リソグラフィ工程中に互いに干渉する光束において好ましい偏光方向の向き(すなわち、s偏光とp偏光の間の比)を互いに対して維持する可能性がもたらされる。特に、そのような状況は、二重極照明設定又は四重極照明設定の照明極が、異なる構造、例えば、斜方又は傾斜マスク構造に対する適応化又は適合化を実現するために同時に回転される場合に発生する可能性がある。例えば、水平及び/又は垂直構造しか持たないマスク構造に対して設定されたいわゆる準タンジェンシャル偏光分布、及び従ってそのような準タンジェンシャル偏光分布に対して得られるコントラストの最適化を維持することができる。
一般的に、「タンジェンシャル偏光分布」は、電界ベクトルの振動方向が、光学系軸に向う半径と垂直な関係に配向された偏光分布を表している。「準タンジェンシャル偏光分布」は、照明設定が、各々が一定の偏光分布を有する明確な照明極を含む偏光分布を表し、この場合「中心偏光」は、瞳の境界に対してタンジェンシャルに配向され、半径に対して垂直である(図6a及び図6cの双方向矢印を参照されたい)。
それに応じて、「ラジアル偏光分布」という用語は、電界ベクトルの振動方向が光学系軸の方向に配向された偏光分布を表す上に用いる。照明設定が、各々が一定の偏光状態を有する明確な照明極を含む偏光分布を表す上で「準ラジアル偏光分布」という表現を用い、この場合「中心偏光」は、それぞれ光学系軸に向う半径と平行に又は瞳の境界に対して垂直に配向される。
実施形態によると、像回転器は、少なくとも2つのビーム偏向光学要素(例えば、プリズム)を含む。好ましくは、ビーム偏向光学要素は、回転角を変更するために互いに対して調節することができるように構成される。
実施形態によると、少なくとも1つのプリズムは、立方結晶材料を含む。結晶材料の使用に起因して、例えば、溶融シリカのようなアモルファス材料との関連で発生する圧密化効果を回避することができる。立方結晶材料を用いた実施形態によると、この材料の結晶構造は、プリズムに入射する時に屈折される光ビームが、立方結晶材料の<100>方向又は<111>方向のいずれかに伝播するようなものである。従って、固有複屈折効果及び望ましくない偏光効果を最小にすることができる。
更に別の態様によると、本発明の開示は、回転器上に入射する光に対して強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる像回転器を含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系にも関する。この態様によると、本発明は、少なくとも部分的に偏光された光による像回転器の照射に限定されず、照明デバイスにおいて非偏光光が像回転器上に入射する像回転器の配列も含む。
本発明の開示はまた、照明系と投影対物系とを有し、照明系及び/又は投影対物系が上述の光学系を含み、又は照明デバイスが上述のように構成されたマイクロリソグラフィ投影露光装置にも関する。
照明系における本発明の実現の場合には、コントラストを最適化しながら、上述のように異なる構造、例えば、斜方又は傾斜マスク構造への適応化又は適合化を実現することができる。像回転器は、偏光分布を含む照明設定の回転を起こすように瞳平面に配置することができる。像回転器が照明系の視野平面に配置される場合には、照明視野の回転を起こすことができる。
像回転器が投影対物系に配置される場合には、例えば、いくつかの異なるマスク構造の結像中に、それぞれの回折次数が光軸の回りに回転される場合に各マスク構造を最適な強度分布及び偏光分布との組合せで用いることが可能である。更に、像回転器が投影対物系の視野平面に配置される場合には、像視野の方位角の配向を達成するための像視野の回転を実現することができる。
本発明は、比較的大きい開口数を有する投影対物系との関連で特定の利点を伴って達成することができ、これは、その場合に結像コントラストが互いに干渉する光ビームの偏光状態に強く依存するからである。好ましい実施形態によると、投影対物系は、0.85よりも大きい、特に、1.1よりも大きい開口数を有する。更に、マイクロリソグラフィ投影露光装置は、液浸モードで作動するように構成される。
本発明は、特に、「二重露光」又は「二重パターン形成」とも呼ぶ工程において達成することができる。この工程では、ウェーハは、異なるマスク構造を用いて異なる投影段階(これらの段階は、例えば、互いに直接連続することができる)で露光される。
いくつかのマスクが同時に露光される場合には、投影対物系における像回転器の使用の更に別の利点が発生する。そのような場合には、結像処理において得られるコントラストに関して、フォトレジスト内に同時に生成されるマスク像が互いに最適な方式で整列することが望ましい場合がある。例えば、設計上の理由からマスク構造が互いに異なって整列する場合には、フォトレジスト上への入射の前に、本発明の像回転器を用いて強度分布と偏光分布の両方に関してマスク像を「回転し戻す」ことができる。このようにして、像回転器により、結像コントラストを劣化させることなくミスアラインメントを補償することができる。それによって結像コントラストの全体の最適化が得られる。
本発明の開示は、マイクロリソグラフィ露光方法にも関連し、本方法は、感光材料の層が少なくとも部分的に適用された基板を準備する段階と、照明系と投影対物系とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、投影露光装置を用いて少なくとも2つの異なるマスク構造を層のある一定の領域上に投影する段階とを含み、これらのマスク構造の1つに入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方は、像回転器によってこれらのマスク構造のうちの他方のものに入射する光に対して回転される。
本方法の実施形態によると、感光層上に投影されるマスク構造は、異なる時点に実施される投影段階間の間に変更される(これらの投影段階は、互いに直接連続することができ、又はこれらの段階間の間に1つ又はそれよりも多くの更に別の投影段階を実施することができる)。本発明の像回転器の使用により、感光層上に投影されるそれぞれのマスク構造に対して強度分布と偏光分布を同時に回転させることによって各マスク構造を最適な強度分布及び偏光分布との組合せに用いることができるので、最適なコントラストを維持することができる。像回転器によって起こされるそれぞれのマスク構造への強度分布及び偏光分布の適応化又は適合化は、特に、回折光学要素(DOE)の途中交換、並びに他の偏光修正光学要素の交換なしに達成することができる。
更に別の実施形態によると、少なくとも2つの異なるマスク構造の投影は、これらのマスク構造が同時に投影されるように実施され、かつ更に別の実施形態によると、層の同じ領域上に投影されるように実施され、この投影は、特に、異なる投影対物系を用いて実施することができる。
本発明の更に別の構成は、本明細書の説明及び同じく従属請求項から得ることができる。
下記では、添付図面に示す例示的な実施形態に基づいて本発明をより詳細に説明する。
本発明の実施形態による光学系を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置の構造の概略図である。 本発明による像回転器の効果を明らかにするための概略図である。 本発明の更に別の実施形態による像回転器の構造を明らかにするための概略図である。 本発明の更に別の実施形態による像回転器の構造を明らかにするための概略図である。 本発明の更に別の実施形態による像回転器の構造を明らかにするための概略図である。 本発明による像回転器の効果を明らかにするための更に別の概略図である。 本発明による像回転器の効果を明らかにするための更に別の概略図である。 本発明による像回転器の効果を明らかにするための更に別の概略図である。 本発明による像回転器の効果を明らかにするための更に別の概略図である。 異なる回転角による照明極を有する照明設定を示し、同じくこれらの照明設定と組み合わせて用いられるマスクを示す概略図である。 ヘリシティ球上の閉曲線を示す本発明の概念を理論的に説明するのに用いる図である。
図1は、本発明の実施形態による光学系を有するマイクロリソグラフィ露光装置の原理的構造を示す模式図であり、この露光装置は、照明系10と投影対物系20とを含む。照明系10は、例えば、248nmの作動波長に対するKrFレーザ、193nmの作動波長に対するArFレーザ、157nmの作動波長に対するF2レーザ、又は約13nmの作動波長に対するEUV光源、並びに平行光ビームを生成するビーム形成光学系を含む光源ユニット1からの光を用いた構造保持マスク(レチクル)30の照明のためなどに機能する。
照明系10は、光源ユニット1からの光が最初に回折光学要素(DOE)12上に入射する光学ユニット11を含む。DOE12は、それぞれの回折面構造によって定められる角度放射特性を用いて照明系の瞳平面に望ましい強度分布(例えば、二重極照明設定又は四重極照明設定)を生成する。
光学ユニット11は、ズーム対物系及びアキシコンから成る配列(図示せず)を更に含むことができる。ズーム対物系が上流に配置された回折光学要素12と併用して、それぞれのズーム位置及びアキシコン要素の位置に依存して瞳平面に異なる照明構成が生成される。光学ユニット11は、図示の例では方向変更ミラー13を更に含む。光伝播方向に光学ユニット11の下流のビーム経路内には、混合光を生成するのに適するマイクロ光学要素を含む配列をそれ自体公知の方式で有する光混合デバイス(図示せず)が配置される。光混合デバイスには、光伝播方向にレンズ群14が続き、その下流には、レチクルマスキングシステム(REMA)を有する視野平面が存在し、このレチクルマスキングシステム(REMA)の像が、光伝播方向に下流の位置にあるREMA対物系15により、更に別の視野平面に配置された構造保持マスク(レチクル)30上に生成され、従って、REMA対物系15は、マスク30上の照明領域の境界を定める。構造保持マスク30は、感光層が設けられたウェーハ又は基板40上に投影対物系20を用いて結像される。
図1によると、照明系10は像回転器50を更に含み、これに関して、図2〜図6を参照して以下でより詳細に説明する。像回転器50は、少なくとも部分的に偏光された光による照射を受け、この光の強度分布と偏光分布の両方の同時回転を達成する。
図1はまた、この回転の調節を制御するための制御ユニット(又は駆動ユニット)60を略示している(例えば、適切なアクチュエータを用いる)。像回転器50は、像回転器50によって起こされる回転の角度を修正するために、互いに対して調節可能な少なくとも2つのビーム偏向光学要素を含む。
図1に破線で略示しているように、投影対物系20内には像回転器50’を設けることができる(像回転器50に対して代替的又は追加的に)。
以下では、本発明の一般的な概念を図2を参照して説明する。
図2は、ビームの座標系がある一定の軸の回りに幾何学的に回転される場合に、強度分布と偏光分布の両方の回転が、3つのミラー201、202、及び203から成る配列を用いて如何に達成されるかを示している。この回転を示すために、それぞれの強度分布を略示し、第1のミラー201の上流では「211」、第1のミラー201と第2のミラー202の間では「212」、第2のミラー202と第3のミラー203の間では「213」、及び第3のミラー203の下流では「214」で表している。それぞれの好ましい偏光方向を双方向矢印で記号化している。強度分布と偏光分布の両方は、同じ回転角だけ同時に回転されていることが分る。
その結果、像回転器によって強度分布と偏光分布の両方の同時回転が提供される。奇数個のミラーの効果として、図2の配列を用いる時には像の反転又は再反転それぞれが得られる。そのような効果は、偶数個のミラーが用いられる場合は得られない。
図6a〜図6dは、投影露光装置におけるこの原理の実施を示している。図7と同様に、この図は、斜方マスク構造625への二重極照明設定の調節を示している(斜方マスク構造625では座標系のy軸に関して、又はマスク構造650に対しては反復的な方向が角度αだけ回転され、これらのマスク構造は、それぞれ水平構造のみを有する)。図6cによると、二重極照明設定620に対して、図6dのマスク構造625との適合化又は適応化をもたらすために、照明極621及び622は、照明デバイス内で調節されており、かつy軸に対して角度αだけ回転されている。図7の状況とは対照的に、一方を強度分布の対称軸とし、他方を偏光分布の対称軸とする対称軸間の関係は、偏光分布(好ましい偏光分布を双方向矢印で記号化している)も同時に回転されることの結果として維持される。言い換えれば、図6cに記載の強度分布の回転の後においても、準タンジェンシャル偏光分布、及び従ってコントラストの最適化が得られる。
本発明の概念の理論的説明では、本発明によって利用される幾何学的位相は、それぞれの物理システムがパラメータ空間内で閉じた経路Cを辿る場合に特に明瞭に(しかし、非限定的に)現れる湾曲したトポロジーに対してシステムのパラメータによって定められる平行移動の結果である。幾何学的位相は、経路又は曲線Cによって挟まれる(立体)角Ωである。この幾何学的位相は、「ベリー位相」とも呼ばれ、量子力学システムに対して、M.V.Berry著「断熱変化を有する量子位相ファクタ」、ロンドン王立協会会報シリーズA(数学及び物理的科学)、1984年、392(1802)、45〜57ページに説明されている。幾何学的位相の符号は、進行方向から生じる。完全な球は、幾何学的位相Ωに対応する。光学回転器では、パラメータ空間は、ヘリシティ球である修正されたエワルド球である(E.J.Galvez及びCD.Holmes著「光学回転器の幾何学的位相」、米国光学会誌A(光学系、像科学、及び視覚)、1999年、16(8)、1981〜1985ページを参照されたい)。
図8は、ヘリシティ球上の閉じた曲線又は経路Cを示している。ヘリシティベクトルhは、伝播ベクトルk及び反射回数jを用いて式(1)に従って定められる。
Figure 2011524642
従って、偶数回の反射では、ベクトルhは、伝播ベクトルkに対して平行であり、それに対して奇数回数の反射では、ベクトルhは、伝播ベクトルkに対して非平行である。従来技術では、ヘリシティ球上の幾何学的位相が、同じ値だけ直線偏光状態を回転させることも公知である(E.J.Galvez他著「可視のための可変幾何学的位相偏光回転器」、「Optics Communications」、1999年、171(1〜3)、7〜13ページを参照されたい)。
以下では、図3〜図5を参照して像回転器の例示的な実施形態を説明する。
図3によると、直線偏光平行レーザ放射線(例えば、20mmのビーム断面を有する)が、回折光学要素(DOE)301上に入射し、二重極角度特性に従って2つの部分光束に分割され、この場合、挟角は、例えば、5°とすることができる。レンズ302による平行化の後に、光束は、互いに対して角度γだけ回転された2つのプリズム303と304の組合せ上に入射する。これらのプリズムをダブプリズムとも呼び、これらは、この実施形態による像回転器を形成している。角度γの変動により、回転角は、強度分布と偏光分布の両方を回転させるために調節することができる。
それに応じて、図3の実施形態では、像回転器は、2つのプリズム303及び304を含む。レンズ302及び305は任意的である。これらのレンズは、必要に応じて、プリズム303及び304の位置において平行化を行うことができ、又は平行ビーム経路を生成することができる。特に、DOE301は、レンズ302の前側又は第1の焦点面に配置することができ、それに対して2つのプリズム303と304の間の平面は、レンズ302の後側又は第2の焦点面かつレンズ305の前側又は第1の焦点面に配置することができる。
図3によると、第1のプリズム303は、x軸(基準エッジと呼ぶ)に対して平行に整列し、第2のプリズム304は、第1のプリズム303に対して角度γだけ回転される。
ヘリシティ球上でゼロよりも大きい面積を取り囲むためには、光ビームが、1つの平面内だけで伝播しないことが重要であり、これは、1つの平面内だけにおけるビーム伝播が、ヘリシティ球上で(真っ直ぐな)線しか生じないことになるからである。言い換えれば、ビーム伝播は、「第3の次元」においても発生すべきである。この効果は、図3に示している像回転器又はプリズム配列それぞれの例では、プリズムの一方の他方のプリズムに対する光軸回りの角度γの回転によって得られる。E.J.Galvez及びCD.Holmes著「光学回転器の幾何学的位相」、米国光学会誌A(光学系、像科学、及び視覚)、1999年、16(8)、1981〜1985ページには、得られる像回転が360°−2γであることが示されている。像回転器によって強度分布と偏光分布の両方が回転される所定の回転角をαで表し、第1のプリズム303(例えば、プリズムの基準エッジと呼ぶ)に対する第2のプリズム304の回転角をγで表すと、次式の関係が成り立つ。
α=360°−2γ (2)
像回転器によって調節される回転角αは、原理的にあらゆる望ましい値を有することができ、用途又は用いられる照明設定それぞれによっては、好ましい回転角は、90°、45°、又は22.5°とすることができる。
図3の実施形態では、プリズム303及び304は、立方結晶材料(例えば、フッ化カルシウムCaF2)で作られる。好ましい実施形態によると、結晶材料の結晶配向は、屈折されたビームが立方結晶材料内で少なくとも実質的に<100>方向、又は少なくとも実質的に<111>方向のいずれかに伝播し、これは、この場合、立方結晶材料に起因して固有複屈折及び偏光の変化が最小にされるからである。特に、光学系軸は、<110>方向に整列するように配向することができ、これは、この場合、立方結晶材料内での<100>方向に沿ったビーム伝播が得られるからである。
図4は、角度γだけ回転された照明極を有する偏光二重極照明設定を調節するための照明系内の像回転器の更に別の実施形態であり、図3のプリズム303及び304が、各々が3つのミラー403〜405又は406〜408それぞれを含むミラー群によって置換されたものを示している。この場合、ミラー406〜408から成るミラー群は、ミラー403〜405から成るミラー群に対して角度γだけ回転される(ミラー表面法線404又は407それぞれの方向を基準とする場合)。それに応じて、像回転器は、図4の実施形態では、各々が3つのミラー403〜405又は406〜408それぞれを含むミラー群を含む。レンズ402及び409は任意的であり、必要に応じて平行化を行うか、又はミラー群の位置において平行なビーム伝播を引き起こす。ミラー406〜408から成るミラー群が、ミラー403〜405から成るミラー群に対して回転される角度γ(ミラー表面法線404又は407それぞれの方向を基準とする)に依存して、図4に記載の像回転器によって調節される回転角αは、ここでもまた、上述の関係(2)によって与えられる。
図5は、照明系内の像回転器の更に別の実施形態を示している。図5によると、直線偏光平行レーザ放射線(例えば、20mmのビーム断面を有する)が、DOE501上に入射し、二重極角度特性に従って2つの部分光束に分割され、この場合、角度は、ここでもまた、例えば、5°とすることができる。レンズ502の平行化の後に、光束は、ミラー503〜508から成るミラー配列上に入射する。第1のミラー503は、主光線を90°だけ偏向する。第2のミラー504は、x軸に対して角度γだけ回転され、主光線を2つのミラー505と506の組合せの方向に偏向する。ミラー507における反射及び角度γの偏向の後に、ミラー508は、主光線を光軸又はz方向それぞれに沿った方向に再度誘導する。
それに応じて、像回転器は、図5の実施形態ではミラー503〜508を含む。レンズ502及び509は任意的であり、必要に応じて平行化を行うか、又はミラー503〜508の位置において平行ビーム伝播を引き起こす。好ましくは、DOE501は、レンズ502の前側又は第1の焦点面に配置され、2つのミラー505と506の間の平面は、レンズ502の後側又は第2の焦点面かつレンズ509の前側又は第1の焦点面内に位置する。強度分布と偏光分布の同時回転を起こすために、図5の配列において必要なミラー移動は、ミラー504及び507の回転を含む。一般的に、主光線を光軸又はz方向それぞれに沿った方向へと再度誘導するためには、更に別のミラー移動が必要である。
本発明を特定的な実施形態に基づいて説明したが、当業者は、例えば、個々の実施形態の特徴の組合せ及び/又は交換により、数々の変更及び代替実施形態を導出することができる。従って、当業者には、そのような変更及び別の実施形態が同様に本発明によって含まれ、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物による以外は限定されないことが明らかである。
1 光源ユニット
10 照明系
20 投影対物系
30 構造保持マスク(レチクル)
50,50’ 像回転器

Claims (23)

  1. マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系であって、
    像回転器(50,50’)上に入射する光が少なくとも部分的に偏光されるように光学系に配置された像回転器(50,50’)、
    を含み、
    前記像回転器(50,50’)は、該像回転器(50,50’)上に入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる、
    ことを特徴とする光学系。
  2. 前記像回転器(50,50’)上に入射する前記光は、少なくとも近似的にタンジェンシャルな偏光分布又は少なくとも近似的にラジアルな偏光分布を有することを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  3. 照明系における照明設定が、二重極照明設定又は四重極照明設定であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学系。
  4. 回折光学要素(12)を含み、
    前記像回転器(50,50’)は、前記光の伝播方向において前記回折光学要素(12)の直後に配置される、
    ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学系。
  5. 前記像回転器(50,50’)上に入射する前記光は、該像回転器(50,50’)の位置での入射光束の最大開口角が5°よりも大きくない角度スペクトルを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光学系。
  6. 前記像回転器(50,50’)は、光学系の瞳平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
  7. 前記像回転器(50,50’)は、光学系の視野平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
  8. 前記像回転器(50,50’)は、少なくとも2つのビーム偏向光学要素(303,304,403〜405,406〜408,503〜508)を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学系。
  9. 前記ビーム偏向光学要素(303,304,403〜405,406〜408,503〜508)は、前記回転角を変更するために互いに対して調節可能であることを特徴とする請求項8に記載の光学系。
  10. 前記ビーム偏向光学要素(303,304)の少なくとも一方が、プリズムであることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の光学系。
  11. 前記プリズムは、立方結晶材料を含むことを特徴とする請求項10に記載の光学系。
  12. 前記立方結晶材料の結晶配向が、前記プリズムに入射する時に屈折される光ビームが該立方結晶材料の<100>方向又は<111>方向のいずれかに伝播するようなものであることを特徴とする請求項11に記載の光学系。
  13. 前記像回転器(50,50’)を交換するための交換デバイスを更に含むことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光学系。
  14. マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系であって、
    像回転器(50)、
    を含み、
    前記像回転器(50)は、該像回転器(50)上に入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる、
    ことを特徴とする照明系。
  15. 照明系(10)と、
    投影対物系(20)と、
    を有し、
    前記照明系(10)及び/又は前記投影対物系(20)は、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の光学系を含み、又は
    前記照明系は、請求項14に従って構成される、
    ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。
  16. 前記投影対物系(20)は、0.85よりも大きい、特に、1.1よりも大きい開口数を有することを特徴とする請求項15に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
  17. 液浸モードで作動するように構成されることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
  18. 250nmよりも短い、特に、200nmよりも短い、より具体的には、160nmよりも短い、より具体的には、15nmよりも短い作動波長を用いて作動するように構成されることを特徴とする請求項15から請求項17のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
  19. マイクロリソグラフィ露光方法であって、
    感光材料の層が少なくとも部分的に適用された基板(40)を準備する段階と、
    照明系(10)と投影対物系(20)とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
    前記投影露光装置を用いて、少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する段階と、
    を含み、
    これらのマスク構造の1つに入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方が、これらのマスク構造の他方の1つに入射する光に対して像回転器によって回転される、
    ことを特徴とするマイクロリソグラフィ露光方法。
  20. 前記少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する前記段階は、異なる時点で行われる投影段階で実施され、
    前記強度分布と前記偏光分布の同時回転が、前記投影露光装置を通過する光に対して、前記投影段階間の間に前記像回転器(50,50’)によって実施される、
    ことを特徴とする請求項19に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。
  21. 前記少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する前記段階は、これらのマスク構造が同時に投影されるように実施されることを特徴とする請求項19に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。
  22. 同時に投影されるこれらのマスク構造は、前記層の同じ領域上に投影されることを特徴とする請求項21に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。
  23. 微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製造の方法であって、
    感光材料の層が少なくとも部分的に適用された基板(40)を準備する段階と、
    構造を有し、その像が生成されることになるマスク(30)を準備する段階と、
    請求項15から請求項18のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
    前記投影露光装置を用いて前記マスク(30)の少なくとも一部を前記層の領域上に投影する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150040343A (ko) * 2012-09-28 2015-04-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8934096B2 (en) * 2009-02-27 2015-01-13 University Of Nebraska Board Of Regents Terahertz-infrared ellipsometer system, and method of use
US9753265B2 (en) * 2011-03-01 2017-09-05 Ge Healthcare Bio-Sciences Corp. Variable orientation illumination-pattern rotator
JP6137179B2 (ja) 2011-07-26 2017-05-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法
DE102011079837A1 (de) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
CN104220931B (zh) * 2012-03-29 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 补偿微光刻投射曝光系统的通道缺陷的设备及方法
DE102013203294A1 (de) * 2013-02-27 2014-08-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zur Polarisationsdrehung
DE102019208961A1 (de) 2019-06-19 2020-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik und Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Projektionsoptik

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61296302A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 Asahi Breweries Ltd 画像回転機構
JPH03295222A (ja) * 1990-04-12 1991-12-26 Canon Inc 露光装置
JPH088177A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2005333001A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006210471A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2006097135A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system therefor
JP2007220767A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007258575A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Canon Inc 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2008016516A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Canon Inc 露光装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2536023B2 (ja) * 1988-02-29 1996-09-18 株式会社ニコン 露光装置、及び露光方法
US4929040A (en) 1988-09-01 1990-05-29 Santa Barbara Research Center Five mirror, two perpendicular plane image derotator
US5412436A (en) 1993-04-22 1995-05-02 Thomson Consumer Electronics, Inc. Motion adaptive video processing system
US5614988A (en) 1993-12-06 1997-03-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method with a plurality of projection optical units
DE19654208C2 (de) 1996-12-24 2001-05-10 Leica Microsystems Mikroskop
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
JP4958562B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 偏光変調光学素子
US7312850B2 (en) * 2004-04-02 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system, and optical element for rotating an intensity distribution
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US7312852B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102005037764B4 (de) * 2005-08-10 2008-07-03 Carl Zeiss Jena Gmbh Anordnung zur homogenen Beleuchtung eines Feldes
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
DE102007027985A1 (de) * 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5461387B2 (ja) * 2007-04-03 2014-04-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影対物器械である光学システム

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61296302A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 Asahi Breweries Ltd 画像回転機構
JPH03295222A (ja) * 1990-04-12 1991-12-26 Canon Inc 露光装置
JPH088177A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2005333001A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006210471A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2006097135A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system therefor
JP2008533728A (ja) * 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
JP2007220767A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007258575A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Canon Inc 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2008016516A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Canon Inc 露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150040343A (ko) * 2012-09-28 2015-04-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법
JP2015534653A (ja) * 2012-09-28 2015-12-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィー投影露光装置用光学システム及びマイクロリソグラフィー露光方法
US9488918B2 (en) 2012-09-28 2016-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
KR101699639B1 (ko) 2012-09-28 2017-01-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법

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