JP2011522959A5 - - Google Patents

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外部コーティング98に対して使用される特定の種類の材料は、外部コーティング98の特定の場所に依存し得る。例えば、腐食の源、ひいては汚染は、外部コーティング98の特定の場所に依存して異なり得る。外部コーティング98が接触領域66の外側におけるヘッド64の外部表面60上に配置されるとき、外部コーティング98は、チャンバ30内において配置され、故に担体24上に蒸着するよう使用される材料22に対して露出される。かかる状況下において、外部コーティング98は、多結晶シリコンの採取中に塩化物環境における腐食に対する抵抗性を与えること、また更には、蒸着工程中に使用される材料22に対する露出の結果として塩素化及び/又はシリサイド化(silicidation)を介する薬品浸食(chemical attack)に対する抵抗性を与えることが望ましいとされ得る。接触領域66の外側における電極52のヘッド64上の外部コーティング98に対して使用され得る適切な金属は、金、プラチナ、及びパラジウムを有する。外部コーティング98に対して使用され得る他の適切な金属は、銀、ニッケル、及びクロムを有する。外部コーティング98がシャフト58の外部表面60において配置されるとき、外部コーティング98は、接触領域66の外側におけるヘッド64上の外部コーティング98において有される金属と同一の金属又はそれとは異なる金属を有し得る。他の実施例において、シャフト58はその外部表面60においてコーティングを配置されない。更に他の実施例において、ヘッドの外部表面60はコーティングを有さず、外部コーティング98がシャフト58の外部表面60においてのみ配置される、ことがあり得る。

Claims (10)

  1. 互いから離間され且つ各々においてソケットが配置される第1の端部及び第2の端部を備える担体において材料を蒸着するための製造装置であって、
    チャンバを画定するハウジングと、
    前記チャンバへと気体を導入するよう前記ハウジングを通って画定される入口と、
    前記気体を前記チャンバから排出するよう前記ハウジングを通って画定される出口と、
    前記ソケットを接続するよう適合された接触領域を備える外部表面を有する少なくとも1つの電極と、
    該電極に対して電流を与えるよう該電極に対して結合される電源供給装置と、
    前記電極と前記ソケットとの間における熱伝導率を保持するよう前記電極の前記接触領域において配置される接触領域コーティングと、
    を有し、
    前記電極は前記ハウジングを通って配置され、該電極は、前記ソケットと結合するよう前記チャンバ内において少なくとも部分的に配置され、
    前記接触領域コーティングは、少なくとも9×10ジーメンス/メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える、
    製造装置。
  2. 前記電極は更に、
    第1の端部及び第2の端部を備えるシャフトと、
    該シャフトの前記端部の一方において配置されるヘッドと、
    を有
    前記電極の前記ヘッドは、前記接触領域を備える前記外部表面を有する、
    請求項1記載の製造装置。
  3. 前記ヘッドは銅を有
    前記接触領域コーティングを有する前記電極の前記外部表面は、前記チャンバにおいて少なくとも部分的に配置される、
    請求項2記載の製造装置。
  4. 前記接触領域コーティングは、金、プラチナ、及びパラジウムのうち少なくとも1つを有する、
    請求項1乃至のうちいずれか一項記載の製造装置。
  5. 前記接触領域コーティングは、0.00254乃至0.254mmの厚さを備える、
    請求項1乃至のうちいずれか一項記載の製造装置。
  6. 互いから離間され且つ各々においてソケットが配置される第1の端部及び第2の端部を備える担体上へと材料を蒸着するための製造装置に使用される電極であって、
    第1の端部及び第2の端部を備えるシャフトと、
    前記ソケットと結合するよう該シャフトの前記端部のうち一方において配置されるヘッドと、
    前記電極と前記ソケットとの間における熱伝導率を保持するよう前記電極の接触領域において配置される接触領域コーティングと、
    を有し、
    前記ヘッドは、前記ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を有し、
    前記接触領域コーティングは、少なくとも9×10ジーメンス/メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える、
    電極。
  7. 前記接触領域コーティングは、金、プラチナ、及びパラジウムのうち少なくとも1つを有する、
    請求項記載の電極。
  8. 前記電極の前記シャフトはシャフトコーティングを有し、該シャフトコーティングは、前記接触領域コーティングとは異なるものであり、前記シャフトの外部表面において配置される、
    請求項6又は7記載の電極。
  9. 前記シャフトは、外部表面において配置されるシャフトコーティングを有さない、
    請求項乃至のうちいずれか一項記載の電極。
  10. 前記接触領域コーティングは、0.00254乃至0.254mmの厚さを備える、
    請求項乃至のうちいずれか一項記載の電極
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5959198B2 (ja) 2008-04-14 2016-08-02 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
US9023425B2 (en) 2009-11-18 2015-05-05 Rec Silicon Inc Fluid bed reactor
DE102010013043B4 (de) * 2010-03-26 2013-05-29 Centrotherm Sitec Gmbh Elektrodenanordnung und CVD-Reaktor oder Hochtemperatur-Gasumwandler mit einer Elektrodenanordnung
CN102790233A (zh) * 2011-05-20 2012-11-21 罗臬 液流型电化学电池
JP5507505B2 (ja) * 2011-08-01 2014-05-28 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
KR101133151B1 (ko) * 2011-10-19 2012-04-06 주식회사 대산머트리얼즈 증착 공정용 전극 제조 방법
KR101300779B1 (ko) * 2011-11-08 2013-08-29 (주) 인광 폴리실리콘 정제용 cvd장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극
TW201531440A (zh) * 2013-12-30 2015-08-16 Hemlock Semiconductor Corp 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體
US10287679B2 (en) 2015-05-11 2019-05-14 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
US11709156B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis
US11709155B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes
CN111447982B (zh) * 2017-10-23 2022-09-13 Msp公司 用于蒸汽发生和薄膜沉积的设备和方法
US11918936B2 (en) 2020-01-17 2024-03-05 Waters Technologies Corporation Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding
CN113649657B (zh) * 2021-06-01 2022-10-04 清华大学 一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1054141A (ja) 1900-01-01
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
NL124690C (ja) * 1958-05-29
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
NL251143A (ja) * 1959-05-04
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE1264400B (de) 1961-01-26 1968-03-28 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials aus der Gasphase
DE1138481C2 (de) * 1961-06-09 1963-05-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE2324365C3 (de) * 1973-05-14 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
JPS53108029A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity silicon having uniform shape
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
US4304641A (en) * 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
US4477911A (en) * 1982-12-02 1984-10-16 Westinghouse Electric Corp. Integral heat pipe-electrode
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
US4466864A (en) * 1983-12-16 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles
US4822641A (en) * 1985-04-30 1989-04-18 Inovan Gmbh & Co. Kg Method of manufacturing a contact construction material structure
SE452862B (sv) * 1985-06-05 1987-12-21 Aga Ab Ljusbagselektrod
US4707225A (en) * 1986-01-06 1987-11-17 Rockwell International Corporation Fluid-cooled channel construction
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
US5096550A (en) * 1990-10-15 1992-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching
RU2020777C1 (ru) * 1991-07-03 1994-09-30 Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц" Способ металлизации подложки из фторопласта
US5906799A (en) * 1992-06-01 1999-05-25 Hemlock Semiconductor Corporation Chlorosilane and hydrogen reactor
US5227041A (en) * 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
DE4243570C1 (de) * 1992-12-22 1994-01-27 Heraeus Gmbh W C Elektrischer Kontaktkörper
RU2052538C1 (ru) * 1993-04-08 1996-01-20 Сергей Николаевич Кучанов Способ нанесения вакуумного металлизированного покрытия на диэлектрические подложки
US5422088A (en) * 1994-01-28 1995-06-06 Hemlock Semiconductor Corporation Process for hydrogenation of tetrachlorosilane
JP3377849B2 (ja) * 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
DE4424929C2 (de) * 1994-07-14 1997-02-13 Wacker Chemie Gmbh Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
FR2741227A1 (fr) 1995-11-14 1997-05-16 Verrerie & Cristallerie Electrode, notamment destinee a etre utilisee dans des fours de fusion du verre
US5911619A (en) * 1997-03-26 1999-06-15 International Business Machines Corporation Apparatus for electrochemical mechanical planarization
US5807165A (en) * 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
NL1005963C2 (nl) * 1997-05-02 1998-11-09 Asm Int Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten.
RU2135629C1 (ru) 1997-11-12 1999-08-27 Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш Способ повышения долговечности электродных и сопловых устройств и технологический плазматрон для его осуществления
WO1999031013A1 (en) * 1997-12-15 1999-06-24 Advanced Silicon Materials, Inc. Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6004880A (en) * 1998-02-20 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Method of single step damascene process for deposition and global planarization
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
AU3375000A (en) * 1999-02-19 2000-09-04 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
JP4372918B2 (ja) 1999-06-30 2009-11-25 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE10005821A1 (de) 2000-02-10 2001-08-23 Schott Glas Gekühlte Edelmetallelektrode zum Einstellen einer bestimmten Elektrodenoberfläche
DE10041564C2 (de) * 2000-08-24 2002-06-27 Heraeus Noblelight Gmbh Kühlbares Infrarotstrahlerelement
DE10101040A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
JP2002231357A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nagano Fujitsu Component Kk 電気接点およびコネクタ
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP3870824B2 (ja) * 2001-09-11 2007-01-24 住友電気工業株式会社 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
GB0213402D0 (en) 2002-06-12 2002-07-24 Johnson Matthey Plc Improvements in coated equipment
JP2004205059A (ja) 2002-12-20 2004-07-22 Toyo Radiator Co Ltd 高耐蝕性熱交換器の製造方法
JP2005272965A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 電極部材、及びこれを備えた成膜装置
JP4031782B2 (ja) 2004-07-01 2008-01-09 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
JP2007281161A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
JP5959198B2 (ja) 2008-04-14 2016-08-02 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
RU2503905C2 (ru) 2008-04-14 2014-01-10 Хемлок Семикондактор Корпорейшн Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней

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