JP2011514523A - ヘリウムセンサ - Google Patents
ヘリウムセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011514523A JP2011514523A JP2010548096A JP2010548096A JP2011514523A JP 2011514523 A JP2011514523 A JP 2011514523A JP 2010548096 A JP2010548096 A JP 2010548096A JP 2010548096 A JP2010548096 A JP 2010548096A JP 2011514523 A JP2011514523 A JP 2011514523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- helium
- beryllium
- anode
- helium sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 239000001307 helium Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 abstract description 4
- -1 helium ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012994 industrial processing Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L21/00—Vacuum gauges
- G01L21/30—Vacuum gauges by making use of ionisation effects
- G01L21/34—Vacuum gauges by making use of ionisation effects using electric discharge tubes with cold cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
- H01J41/18—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps with ionisation by means of cold cathodes
- H01J41/20—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps with ionisation by means of cold cathodes using gettering substances
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】ヘリウムセンサは、検出室(11)を囲むハウジング(10)を備えている。ハウジングの側部が、ヘリウムに選択的な浸透性を有する壁(12)によって閉じられている。前記検出室(11)には、陽極(14)、陰極(15)及び磁場(16)を含むイオンゲッターポンプが配置されている。本発明によれば、前記陰極(15)又は陰極脚部(15a) がベリリウムから形成されている。ベリリウムの原子質量は低く、これによって同様に軽量なヘリウムイオンが陰極物質に十分組み込まれ得る。
Description
本発明は、壁がトレーサガスに選択的な浸透性を有する検出室と、少なくとも１つの陰極及び少なくとも１つの陽極が電圧源に接続されているイオンゲッターポンプと、検出室に交差して延びる磁場を発生させる磁場発生器とを備えたヘリウムセンサに関する。
このタイプのヘリウムセンサは、独国特許出願公開第１００３１８８２号明細書（レイボルド バキューム ゲーエムベーハー）に記載されている。検出室はガラスから形成されており、トレーサガスであるヘリウムに選択的な浸透性を有する壁は、薄い石英膜によって夫々閉じられている複数の穿孔を備えたシリコンの円板であり、該円板は特殊な加熱要素を含んでいる。このようなガスセンサは、壁が選択的な浸透性を有するという特性のため石英窓センサとも呼ばれる。選択的な浸透性を有する壁を通過したガス原子が、検出室でイオン化されて電場によって陰極に導かれ、陰極で結合される。
同様のヘリウムセンサが、独国特許出願公開第１０２００４０３４３８１号明細書（インフィコン ゲーエムベーハー）に記載されている。
このようなタイプのガスセンサでは、トレーサガスの検出は、イオン化されたガス原子が放出されて陰極に吸収されるとき、検出可能な電流が電気回路に生成されるという事実に基づいている。石英窓技術に基づくヘリウムセンサの検出限界は、ベース電流がドリフト及びノイズのため不安定に存在することにより制限される。一度吸収された粒子の永久的な保持が保障され得ないので、ノイズは、陰極システムの陰極での吸収／脱着処理によって生じる。陰極の温度及び衝突する原子の影響に応じて、粒子は陰極を再度離れて、ベース電流のある程度の不安定性を引き起こし、これによってノイズを生じさせる。温度が変化した場合に、不十分な結合力により付着及び分離の新たな均衡が陰極材料に生じるため、ドリフトは実質的には温度に応じて引き起こされる。
本発明は、検出限界が改善されている上記に参照されたタイプのヘリウムセンサを提供することを目的とする。
本発明のヘリウムセンサは、請求項１に定義されている。本発明のヘリウムセンサは、冷陰極システムの少なくとも１つの陰極がベリリウムを含有していることにより特徴付けられている。
先行技術では、冷陰極システムの陰極はチタン又はタンタルから形成されている。チタンの原子質量は４８amu であり、タンタルの原子質量は１８１amu である。ヘリウムの原子質量は４amu である。「amu 」は、核の原子質量（原子質量単位）を示す。本発明は、原子質量が大きい陰極物質では、陰極に衝突する軽いヘリウム原子が中性粒子として高エネルギーで反射されるという考えに基づいている。ヘリウム原子の陰極への十分な結合は、陰極物質がヘリウムと同様の原子質量の金属である場合に達成され得る。工業的な処理に比較的適した最も軽い金属が、９amu の原子質量を有するベリリウムである。本発明は、冷陰極システムの少なくとも１つの陰極を全体的に又は部分的にベリリウムから形成することを提案している。
本発明は、汲み上げられたヘリウム原子の永久的な結合が明らかに大幅に改善されるので、電気信号のノイズの不安定性が低減されるという効果だけでなく、ヘリウムの残圧を示すベース電流が２又は３オーダー低くなるという効果をも奏する。熱的ドリフトの割合がベース電流により決まるので、熱的ドリフトは、ベース電流の低下により同一量分低減される。
従って、ドリフト（毎分）及びノイズ（ピーク・トゥ・ピーク）の合計として定義されるこのようなセンサの検出限界は、対応して改善される。
本発明のヘリウムセンサでは、冷陰極システムがペニング配置又はマグネトロン配置で設計され得る。両方の配置は、独国特許出願公開第１００３１８８２号明細書に記載されており、その内容は参照して本明細書に組み込まれる。
本発明の実施形態を、１枚の図面を参照して以下に詳細に説明する。
ヘリウムセンサは、ガラスから形成されているハウジング10を備えており、ハウジング10は、排気された検出室11を囲んでいる。ハウジング10は、底壁が閉じている平行六面体又は円筒体を形成している。底壁の反対側の開口部が、選択的な浸透性を有する壁12で閉じられている。壁12は、独国特許出願公開第１００３１８８２号明細書に記載されているような石英窓の膜である。ハウジング10の壁がガスに対して不浸透性を有する一方、壁12は、本件の場合にはヘリウムであるトレーサガスに対して選択的な浸透性を有する。
検出室11は、イオンゲッターポンプ13を含んでいる。ペニング配置では、イオンゲッターポンプ13は、環状の陽極14と２本の平行な陰極脚部15a,15b を有する陰極15とを含んでいる。陽極14は、陰極脚部15a,15b の面と平行に延びる環状の面を有する環形状であり、陽極14は陰極脚部15a,15b 間に配置されている。磁場16はこの面に直交して延びており、磁場16は、ハウジング10の外側に配置された磁場発生器（不図示）によって発生される。磁場発生器は、例えば永久磁石であってもよい。代案として、配置がマグネトロン配置で設計されることが可能であり、マグネトロン配置では、陰極（逆マグネトロンでは、陽極）が、管の中心軸にある棒として形成されて配置されている。マグネトロンでは、パイプが陽極（逆マグネトロンでは、陰極）を形成しており、磁場は、管内で軸方向に延びており、環状磁石により管の外側でそれ自体公知である方法で発生される。
約3,000Vの高電圧が、電圧源20によって生成されて陽極14と陰極15との間に印加される。電圧源20は、ハウジング10の外側に配置されており、ハウジング10の壁を通過する電流貫通接続手段によって陽極14及び陰極15に接続されている。電気回路は、陰極電流を測定する電流計21を含んでおり、電流計21の測定値が、壁12を通るヘリウムの量を示す測定値である。
図１に示されたイオンゲッターポンプの配置は、ペニング配置である。
本発明によれば、陰極15の一方の脚部15a はベリリウムから形成されている。陰極15の他方の脚部15b は、２つの脚部15a,15b を接続する陰極シート15c と同じく、チタン又は別の重金属、例えばタンタルから形成されている。測定値によれば、同一の効果が、両方の陰極脚部がベリリウムから形成されている構造、又はマグネトロン配置では陰極がベリリウムから形成されている構造でも得られる。
ヘリウム原子が検出室11に入ると、ヘリウム原子は、イオン化されて電場により陰極15に向けて加速される。ヘリウムイオンは、陰極がベリリウムから形成されている軽量な構造体に組み込まれて、そこで結合される。２つの陰極脚部の内の一方が「重」金属から形成されている場合、中性にされたイオンは、中性粒子として反射されて、従って「軽」金属から形成されている反対側の陰極に容易に浸透し、そこで吸収される。結果として、反射されたヘリウムイオン又は非結合のヘリウムイオンの割合が低減される。それにより、ベース電流は、（「汲み上げられた」イオンを中性にすることにより）低減されて、ノイズ信号が改善される。低減されたベース電流により、このベース電流のドリフトは対応してより低くなる。その結果、（ドリフト及びノイズの合計に起因する）検出限界、つまり検出可能な最小のヘリウム分圧が改善される。
Claims (5)
- 壁(12)がヘリウムに選択的な浸透性を有する検出室(11)と、少なくとも１つの陰極(15)及び少なくとも１つの陽極(14)が電圧源(20)に接続されているイオンゲッターポンプ(13)と、前記検出室(11)に交差して磁場(16)を発生させる磁場発生器とを備えたヘリウムセンサにおいて、
前記少なくとも１つの陰極(15)はベリリウムを含有していることを特徴とするヘリウムセンサ。 - ２つの陰極脚部(15a,15b) を有するイオンゲッターポンプ(13)の該陰極脚部(15a,15b) 間に前記陽極(14)が配置され、一方の陰極脚部(15a) がベリリウムを含有しており、他方の陰極脚部(15b) が、タンタルTa又はチタンTiなどの重金属を含有していることを特徴とする請求項１に記載のヘリウムセンサ。
- 前記少なくとも１つの陰極(15)は、前記陽極(14)に面する側全体がベリリウムから形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヘリウムセンサ。
- 前記イオンゲッターポンプは、ペニング配置で設計されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のヘリウムセンサ。
- 前記イオンゲッターポンプは、マグネトロン配置又は逆マグネトロン配置で設計されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のヘリウムセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008011686.6 | 2008-02-28 | ||
| DE102008011686A DE102008011686A1 (de) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | Heliumsensor |
| PCT/EP2009/052225 WO2009106543A1 (de) | 2008-02-28 | 2009-02-25 | Heliumsensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011514523A true JP2011514523A (ja) | 2011-05-06 |
| JP5231580B2 JP5231580B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=40626699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010548096A Active JP5231580B2 (ja) | 2008-02-28 | 2009-02-25 | ヘリウムセンサ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8633704B2 (ja) |
| EP (1) | EP2247932B1 (ja) |
| JP (1) | JP5231580B2 (ja) |
| CN (1) | CN101960278B (ja) |
| AT (1) | ATE537430T1 (ja) |
| DE (1) | DE102008011686A1 (ja) |
| WO (1) | WO2009106543A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010033427A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Brooks Automation, Inc. | Ionization gauge with emission current and bias potential control |
| CA2874395A1 (en) | 2012-05-24 | 2013-12-19 | Douglas H. Lundy | Threat detection system having multi-hop, wifi or cellular network arrangement of wireless detectors, sensors and sub-sensors that report data and location non-compliance, and enable related devices while blanketing a venue |
| DE102018101446A1 (de) | 2018-01-23 | 2018-03-08 | Agilent Technologies Inc. | Helium-selektive Membran, Verfahren zu deren Herstellung und diese enthaltender Helium-Sensor und Helium-Leck-Detektor |
| DE102019103062A1 (de) | 2019-02-07 | 2019-03-21 | Agilent Technologies, Inc. - A Delaware Corporation - | Helium-selektive Membran, Verfahren zu deren Herstellung und diese enthaltender Helium-Sensor und Helium-Leck-Detektor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3684401A (en) * | 1970-11-17 | 1972-08-15 | Westinghouse Electric Corp | Cathode-getter materials for sputter-ion pumps |
| JP2004502935A (ja) * | 2000-06-30 | 2004-01-29 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ヘリウムまたは水素のためのセンサ |
| WO2006008253A1 (de) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Inficon Gmbh | Gassensor und verfahren zum betreiben einer getterpumpe |
| DE102004062101A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-13 | Inficon Gmbh | Selektiver Gassensor |
| WO2007141098A1 (de) * | 2006-06-03 | 2007-12-13 | Inficon Gmbh | Gassensor mit einem beheizbarer gasselektiv-durchlässiger membran |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1248819B (ja) * | 1961-03-06 | 1967-08-31 | ||
| US3241056A (en) * | 1961-03-08 | 1966-03-15 | Jr Samuel C Lawrence | Hydrogen detector probe system and hydrogen detector probe holder |
| US3141605A (en) * | 1961-08-18 | 1964-07-21 | Nippon Electric Co | Magnetron type getter ion pump |
| BE630302A (ja) * | 1962-03-29 | |||
| US3510711A (en) * | 1967-11-17 | 1970-05-05 | Varian Associates | Multiple cell electron orbiting getter vacuum pump |
| US3591827A (en) * | 1967-11-29 | 1971-07-06 | Andar Iti Inc | Ion-pumped mass spectrometer leak detector apparatus and method and ion pump therefor |
| US3684901A (en) * | 1970-05-15 | 1972-08-15 | Sperry Rand Corp | High frequency diode energy transducer and method of manufacture |
| US3786316A (en) * | 1970-05-15 | 1974-01-15 | Sperry Rand Corp | High frequency diode energy transducer and method of manufacture |
| US4431709A (en) * | 1982-09-29 | 1984-02-14 | North American Philips Corporation | Beryllium to metal seals and method of producing the same |
| US5089214A (en) * | 1990-07-26 | 1992-02-18 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus for monitoring the pressure within a cask containing radioactive material |
| DE4401885C2 (de) * | 1994-01-24 | 1997-04-30 | Siemens Ag | Detektor zum Nachweis reduzierender Gase |
| US5731584A (en) * | 1995-07-14 | 1998-03-24 | Imec Vzw | Position sensitive particle sensor and manufacturing method therefor |
| DE19717263A1 (de) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Leybold Vakuum Gmbh | Penning-Vakuummeter |
| US6400069B1 (en) * | 1998-07-22 | 2002-06-04 | Robert Espinosa | E-M wave generation using cold electron emission |
| CN2444241Y (zh) * | 2000-10-11 | 2001-08-22 | 成都东方仪器厂 | 氦浓度仪 |
| US7107821B2 (en) * | 2001-04-11 | 2006-09-19 | Inficon Gmbh | Leak indicator with test leak and test leak for integration into a leak indicator |
| DE102004029637A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Inficon Gmbh | Lecksuchgerät mit Schnüffelsonde |
| DE102005057214A1 (de) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Justus-Liebig-Universität Giessen | Erfindung betreffend Gassensoren |
| US20070286738A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Varian, Inc. | Vacuum ion-getter pump with cryogenically cooled cathode |
| US20090178586A1 (en) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Bibber John W | Conversion coating for magnesium, beryllium and their alloys and articles thereof |
-
2008
- 2008-02-28 DE DE102008011686A patent/DE102008011686A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-02-25 WO PCT/EP2009/052225 patent/WO2009106543A1/de active Application Filing
- 2009-02-25 EP EP09714850A patent/EP2247932B1/de active Active
- 2009-02-25 US US12/918,948 patent/US8633704B2/en active Active
- 2009-02-25 CN CN2009801068070A patent/CN101960278B/zh active Active
- 2009-02-25 JP JP2010548096A patent/JP5231580B2/ja active Active
- 2009-02-25 AT AT09714850T patent/ATE537430T1/de active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3684401A (en) * | 1970-11-17 | 1972-08-15 | Westinghouse Electric Corp | Cathode-getter materials for sputter-ion pumps |
| JP2004502935A (ja) * | 2000-06-30 | 2004-01-29 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ヘリウムまたは水素のためのセンサ |
| WO2006008253A1 (de) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Inficon Gmbh | Gassensor und verfahren zum betreiben einer getterpumpe |
| DE102004062101A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-13 | Inficon Gmbh | Selektiver Gassensor |
| WO2007141098A1 (de) * | 2006-06-03 | 2007-12-13 | Inficon Gmbh | Gassensor mit einem beheizbarer gasselektiv-durchlässiger membran |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE537430T1 (de) | 2011-12-15 |
| WO2009106543A1 (de) | 2009-09-03 |
| EP2247932A1 (de) | 2010-11-10 |
| US8633704B2 (en) | 2014-01-21 |
| CN101960278A (zh) | 2011-01-26 |
| JP5231580B2 (ja) | 2013-07-10 |
| DE102008011686A1 (de) | 2009-09-03 |
| EP2247932B1 (de) | 2011-12-14 |
| CN101960278B (zh) | 2012-08-29 |
| US20110018545A1 (en) | 2011-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Schmidt et al. | First storage of ion beams in the Double Electrostatic Ion-Ring Experiment: DESIREE | |
| Hershkowitz | Sheaths: More complicated than you think | |
| JP5231580B2 (ja) | ヘリウムセンサ | |
| JP2005062167A5 (ja) | ||
| Rafalskyi et al. | Magnetized retarding field energy analyzer measuring the particle flux and ion energy distribution of both positive and negative ions | |
| US9053892B2 (en) | Ionization device | |
| US20200348237A1 (en) | Gas analyzer | |
| JP5463361B2 (ja) | 平均自由行程を測定する装置および真空容器 | |
| RU2656091C1 (ru) | Ионизационный манометрический преобразователь | |
| US9697998B2 (en) | Mass spectrometer | |
| EP2562786B1 (en) | Ion pump system | |
| US11978616B2 (en) | Detector having improved construction | |
| Lukic et al. | Ion source for tests of ion behavior in the Karlsruhe tritium neutrino experiment beam line | |
| CN214123834U (zh) | 一种氦质谱检漏仪的新型质谱室结构 | |
| JP5273034B2 (ja) | ヘリウムリークディテクタ | |
| Seo et al. | Electron drift and the loss balance of charged particles in planar-unbalanced dc magnetron discharge | |
| JPH0518842A (ja) | 電離真空計 | |
| Gammon | A high sensitivity gas ionization detector for investigating capture and accomodation coefficients at a cryogenic surface | |
| JP2009238648A (ja) | スパッタイオンポンプ | |
| Grzebyk et al. | Vacuum and residual gas composition MEMS sensor | |
| JPH0338843Y2 (ja) | ||
| JPH11510644A (ja) | ガス放電用電極付真空技術応用機器 | |
| Nishinomiya et al. | Experimental apparatus for the measurement of non-linear stopping of low-energy heavy ions | |
| Murari et al. | On the possible use of a commercial Penning gauge as a magnetic field sensor | |
| RU2246707C1 (ru) | Устройство для измерения параметров газовых потоков |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130321 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5231580 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |