JP2011514514A5 - ガスゲージ、リソグラフィ装置及び焦点位置を決定する方法 - Google Patents

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  1. 測定ガス流路を有する真空環境における使用のためのガスゲージであって、
    前記測定ガス流路内の測定ノズルであって、前記測定ガス流路に結合されたガス供給源から供給される体積流量の音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルと、
    前記体積流量の前記音速チョーク流れ状態から下流で前記測定ガス流路に動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接するターゲット面との間のギャップの指示を与えるために前記体積流量の差圧を測定する圧力センサと、
    を含む、ガスゲージ。
  2. 前記ガスゲージは2次ガス流路を有し、前記ガスゲージは、
    前記2次ガス流路内の2次ノズルであって、前記圧力センサに動作上結合されて前記圧力センサが前記測定ノズルの第1圧力レベルと前記2次ノズルの第2圧力レベルとの間の前記体積流量の前記差圧を測定することを可能にする、2次ノズルをさらに含む、請求項1に記載のガスゲージ。
  3. 前記ガスゲージは、ウェーハのトポグラフィをマッピングすることによって焦点位置を決定するために、前記圧力センサからの前記差圧の信号に基づいて前記ギャップにおけるオフセット距離の尺度を与える、請求項1または2に記載のガスゲージ。
  4. 前記ガスゲージの前記測定ガス流路は、
    前記圧力センサの上流に位置付けられ、かつ前記測定ガス流路の入り口における圧力を下げる一方で前記測定ノズルが前記ガス供給源から実質的に一定流量で流れるガスに対して前記音速チョーク流れ状態に到達することを可能にする第1制限器をさらに含み、前記測定ガス流路の前記入り口は、前記ガス供給源から前記ガスを受ける、請求項1から3のいずれか一項に記載のガスゲージ。
  5. 前記ガス供給源および前記第1制限器は、前記測定ノズルの出口の直ぐ上流と、環形領域における、前記測定ノズルの前記出口の直ぐ下流とのガス圧間の比を、実質的に、前記測定ノズルの前記出口の直ぐ下流の最大期待ガス圧に対応する閾値以上に維持する、請求項1からのいずれか一項に記載のガスゲージ。
  6. 前記ターゲット面はウェーハであり、前記ガスゲージは、リソグラフィ装置によるウェーハ処理における露光ステップに最善な面を確立することを可能にする、請求項1からのいずれか一項に記載のガスゲージ。
  7. 前記真空環境内に汚染バリアを与えるために前記測定ガス流路および前記圧力センサを囲む密閉ハウジングをさらに含む、請求項1からのいずれか一項に記載のガスゲージ。
  8. ガス供給源と、
    前記ガス供給源によって供給される一定体積流量の音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルを有する真空環境における使用のためのガスゲージであって、前記体積流量の前記音速チョーク流れ状態から下流の前記測定ノズルに動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために前記体積流量の差圧を測定する圧力センサを含む、ガスゲージと、
    その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させる露光ステーションと、
    を含むリソグラフィ装置。
  9. 前記基板を露光させる前に前記ガスゲージを用いて前記基板の1つ以上の特徴を測定する測定ステーションをさらに含む、請求項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記測定ノズルおよび前記基板は、前記測定ノズルから放出された前記ガスが前記基板上に衝突するように位置決めされる、請求項8または9に記載のリソグラフィ装置。
  11. パターン付き断面を有するビームを前記基板に照射する間に前記基板を支持する基板ステージを含む基板ステージコンパートメントをさらに含む、請求項8から10のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記ガスゲージを含むリソグラフィ用の近接センサをさらに含む、請求項8から11のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  13. 真空環境においてウェーハのトポグラフィをマッピングすることによってフォトリソグラフィ露光ツールにおける焦点を設定するために焦点位置を決定する方法であって、
    ガス供給源を設けることと、
    真空環境において、前記ガス供給源によって供給される一定体積流量の音速チョーク流れ状態において動作する測定ノズルを有し、前記体積流量の前記音速チョーク流れ状態から下流の前記測定ノズルに動作上結合されて、前記測定ノズルの遠位端とそれに近接する基板との間のギャップの指示を与えるために前記体積流量の差圧を測定する圧力センサを含む、ガスゲージを使用することと、
    その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させることと、
    を含む、方法。
  14. その断面にパターンを含む放射ビームに前記基板を露光させることにおいて、
    前記方法は、
    前記測定ノズルおよび前記基板を、前記測定ノズルから放出された前記ガスが前記基板上に衝突するように位置決めすることをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記基板を露光させる前に前記ガスゲージを用いて前記基板の1つ以上の特徴を測定することをさらに含む、請求項14に記載の方法。
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