JP2011513101A - 反射防止コーティングを有する透明基材 - Google Patents
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Abstract
その多層は、高屈折率の第一層(1)、及び/又は高屈折率の第三層(3)が亜鉛−スズ混合酸化物に基づいており、原子%表示でスズの亜鉛に対する比が1超であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
−550nmで1.8〜2.3の屈折率n1及び15〜35nmの構造的厚みe1を有する高屈折率の第一層;
−550nmで1.30〜1.70の屈折率n2及び15〜35nmの構造的厚みe2を有する低屈折率の第二層;
−550nmで1.8〜2.3の屈折率n3及び130〜160nmの構造的厚みe3を有する高屈折率の第三層;
−550nmで1.30〜1.70の屈折率n4及び80〜110nmの構造的厚みe4を有する高屈折率の第四層。
その低屈折率の第二層、及び/又はその低屈折率の第四層は、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び/若しくは酸炭化ケイ素、又はケイ素−アルミニウム混合酸化物に基づいている。
高屈折率の第一層及び/又はその高屈折率の第三層(3)は、スズの亜鉛に対する比が、原子%表示で1超である亜鉛−スズ混合酸化物に基づいている、又は窒化ケイ素に基づいている。
4層の多層に関して:
− SnZnOx/SiO2/SnZnOx/SiO2、ここで原子%表示でSn/Zn>1;
- SnZnOx/SiO2/Si3N4+SnZnOx/SiO2、ここで原子%表示でSn/Zn>1;
− SnZnOx/SiO2/SnZnOx+Si3N4/SiO2、ここで原子%表示でSn/Zn>1。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
この例において用いた反射防止多層を下記に示す。
−試験温度:85℃±2℃
−相対湿度:85%±5%
−試験期間:1000時間。
例の妥当性を立証するための他の一つの試験は、層を有するガラスを、一定の温度で中性塩の湿潤雰囲気にさらすことからなる(EN1086標準)。中性塩溶液は、25℃(±2℃)で、50g/l(±5g/l)の濃度を得るために、30μs未満の電導率を有する脱塩した水にNaClを溶解することにより得られる。試験期間は、21日である。上述したように、眼で分かる大きな欠陥のあらゆる様子が、試験後に検知されてはならない。
Claims (12)
- 誘電体材料で作られた交互に高屈折率と低屈折率とを有する複数の薄層(A)から作られている反射防止コーティング、特に少なくとも可視域及び近赤外域で反射防止性である反射防止コーティングを、少なくとも一つの表面に有する、透明基材(6)、特にガラス基材であって、
前記複数の薄層が、連続して、下記の第一層(1)〜第四層(4)を有し;
−550nmで1.8〜2.3の屈折率n1及び15〜35nmの構造的厚みe1を有する高屈折率の第一層(1);
−550nmで1.30〜1.70の屈折率n2及び15〜35nmの構造的厚みe2を有する低屈折率の第二層(2);
−550nmで1.8〜2.3の屈折率n3及び130〜160nmの構造的厚みe3を有する高屈折率の第三層(3);
−550nmで1.30〜1.70の屈折率n4及び80〜110nmの構造的厚みe4を有する高屈折率の第四層(4)、
前記低屈折率の第二層(2)、及び/又は前記低屈折率の第四層(4)が、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び/若しくは酸炭化ケイ素、又はケイ素−アルミニウム混合酸化物に基づいており、
ここで、前記高屈折率の第一層(1)、及び/又は前記高屈折率の第三層(3)が、スズの亜鉛に対する比が原子%表示で1超である亜鉛−スズ混合酸化物に基づいていることを特徴とする、
透明基材(6)、特にガラス基材。 - 前記基材が、透明な又は特別に透明な、そして好ましくは強化された又は焼き戻しされたガラスで作られていることを特徴とする、請求項1に記載の基材(6)。
- 前記多層(A)が、次の一連の層を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基材(6):
SnZnOx又はSi3N4/SiO2/SnZnOx又はSi3N4/SiO2
(原子%表示でSn/Zn>1)。 - 前記高屈折率の第一層及び/又は前記高屈折率の第三層が、Si3N4/SnZnOx又はSnZnOx/Si3N4タイプの二重層を構成することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基材(6)。
- 前記多層(A)が、次の一連の層を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基材(6):
SnZnOx/SiO2/Si3N4/SnZnOx/SiO2
(原子%表示でSn/Zn>1)。 - 前記多層(A)が、次の一連の層を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基材(6):
SnZnOx/SiO2/SnZnOx/Si3N4/SiO2
(原子%表示でSn/Zn>1)。 - 前記基材が、300nm〜1200nmの波長範囲で、少なくとも90%の積分透過率を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基材(6)。
- Si系、CdTe系、又は黄銅鉱系の吸収性物質を有するタイプの複数の太陽電池(9)を有する、ソーラーモジュール(10)の透明な外側基材としての、請求項1〜7のいずれかに記載の基材(6)の使用。
- Si、CIS、CdTe、a−Si、GaAs又はGaInPタイプの複数の太陽電池(9)を有するソーラーモジュール(10)であって、前記外側基材として、請求項1〜7のいずれかに記載の基盤(6)を有することを特徴とする、ソーラーモジュール(10)。
- 外側基材を使用するが反射防止多層(A)を有さないモジュールと比較して、積分電流密度表示で、効率が少なくとも1%、1.5%又は2%向上していることを特徴とする、請求項9に記載のソーラーモジュール(10)。
- 二つのガラス基材(6、8)を有し、前記太陽電池(9)が、前記ガラス間の空間に配置されており、前記ガラス間の空間に硬化性ポリマー(7)が注入されていることを特徴とする、請求項9又は10に記載のソーラーモジュール(10)。
- 前記反射防止多層(A)を、スパッタリングにより堆積させることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の基材(6)の製造方法。
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