JP2011508425A - ウエハに対して均一な流体流れを提供する近接ヘッドを構成する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1D
Description
本発明の出願人による分析によると、近接ヘッドと、処理されるW/C面との間に規定されたレシピ制御されたメニスカスを利用する際の1つの問題を、実施形態によって解決できることが示唆されている。その問題とは、用いるウエハの直径がますます大きくなるという半導体チップ製造の傾向である。例えば、直径は、初期の25.4mm直径から大きくなり続けて最近の200mm直径に達し、2007年には300mm直径のウエハに置き換わりつつあり、2007年の予測では、例えば2013年までに450mm直径が利用されるようになるとされている。近接ヘッドがY方向においてウエハ直径よりも長く伸び、ウエハ直径がますます大きくなると、近接ヘッドおよびウエハの間の1回の相対移動でウエハ全体を処理するために、メニスカス長LDは、Y方向にますます長くなる必要がある。また、分析によると、その問題は、かかるメニスカスによって処理されるウエハのスループットを向上させる要求、例えば、メニスカス処理中の近接ヘッドに対するウエハの移動速度を増大させる要求に関連することが示唆されている。
ここで、上記の方法の考察を念頭に置いて、(i)メニスカス長およびヘッド対ウエハの相対速度の両方の増大と(ii)特定のメニスカス処理のためのレシピによって指定されうる化学的構成により課せられる制限があっても、メニスカス処理の所望の結果が得られるように近接ヘッドを構成することを可能にすることにより、上記およびその他の要求を満たす代表的な方法の操作について述べる。これらの方法の操作は、メニスカスを規定する流体の流れの均一性を提供する所望の結果が得られるようにヘッドを効果的に規定し、ウエハ表面への供給に向けて近接ヘッド内に導入される流体およびウエハ表面から近接ヘッド内に導入される流体の両方の構成に効果的に適用される。各場合に、均一性は、ウエハに対向する近接ヘッドの長さにわたって実現されなければならない。
U=[MAX−MIN/AFR]×100 (式1)
Claims (20)
- 近接ヘッド内の複数の流体移送流路を通じて半導体ウエハの表面上に流体を移動させる、近接ヘッドの構成方法であって、
(a)第1の接合面を有する第1のブロックを準備する工程と、
(b)第2の接合面を有する第2のブロックを準備する工程と、
(c)前記第1のブロックにおいて第1の操作群を実行する工程であって、前記第1の操作群は、
(i)メイン流体流路を形成する操作と、
(ii)前記メイン流体流路に接続された複数のコネクタ流体流路を形成する操作と、
(iii)プレナムと前記プレナムに対して開いた抵抗ボアとを含む十字型断面を有する高抵抗流体流路を前記第1のブロック内に形成する操作と、を含む、工程と、
(d)前記第2のブロックに第2の操作群を実行する工程であって、前記第2の操作群は、
(i)前記第2の接合面を通して前記第2のブロック内に前記プレナムの一部を形成する操作と、
(ii)前記プレナムの前記一部に交わるように、複数の流体移送ボアを前記第2のブロック内に構成する操作と、を含む、工程と、
(e)前記第1および第2の接合面を融合させることにより、前記プレナムが、前記複数の流体移送ボアと前記高抵抗流体流路の前記十字型断面との間でそれらの両方に対して開くように、前記第1および第2のブロックを一体化させ、前記半導体ウエハの前記表面に流体を移送するために用いられる前記近接ヘッドを規定する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、前記抵抗ボア内に受け入れられるように抵抗を形成する工程を備え、前記抵抗は、前記メイン流体流路と前記流体移送ボアとの間に前記高抵抗流体流路を形成するために、前記抵抗ボア内に挿入されるよう構成される、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記高抵抗は、前記メイン流体流路および前記複数の流体移送ボアならびに前記コネクタ流体流路の流体抵抗に対して高い抵抗である、方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記複数の流体移送ボアの各々を流れる流体は、他の流体移送ボアのすべてを流れる流体の流量値に対して実質的に均一な流量値になる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1のブロック内の前記高抵抗流体流路は、前記十字型の断面の交差部分に前記抵抗ボアを規定することと、前記高抵抗流体流路の外面として前記抵抗ボアの断面を規定することとを含む、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、さらに、前記抵抗ボアに対して近接して離間され前記抵抗ボアに沿って伸びる細長い抵抗外面を規定するように、前記抵抗の断面を構成する工程を備える、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記抵抗は、X軸、Z軸、そして、X軸の方向に抵抗の表面の周りに伸びる曲がりくねった流路として、前記高抵抗流体流路を規定するよう構成される、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記抵抗ボアの前記断面は、円形として規定される、方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記抵抗は、非円形の形状を有する、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記第1および第2のブロックは、ポリフッ化ビニリデンまたはエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体の内の1または複数からなる群より選択された材料で規定される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記融合させる工程は、前記接合面の各々に隣接する材料を融解させる工程と、前記ブロックのそれぞれの前記融解した接合面を互いに向かって押しつけ、それぞれの前記融解した材料を共に流れさせて、前記ブロックをワンピースに形成する工程と、を備える、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記融合させる工程は、
各前記接合面のそれぞれに対応する熱伝達面を有する熱エネルギ源を準備する工程と、
前記各接合面のそれぞれを前記熱エネルギ伝達面の間に位置させて前記ブロックをマウントする工程と、
前記各接合面および各前記熱伝達面のそれぞれを平行に保持しつつ、非接触近接状態に移動させる工程と、
前記各接合面および前記各熱伝達面の前記非接触近接状態を維持しつつ、前記各接合面を融解させるために前記各接合面に熱エネルギを伝達する工程と、
前記各接合面の間から速やかに前記熱エネルギ源を取り除く工程と、
前記融解した接合面を、ある一定の融合力で互いに接触させるために、前記ブロックを互いに対して押しつける工程と、
前記融解して押しつけられた接合面が融合するまで、前記一定の融合力に応じて接触させる工程と、
を備える、方法。 - 半導体ウエハの表面上に流体を移送するための近接ヘッドを製造する方法であって、
(a)第1の接合面を有する第1のブロックを準備する工程と、
(b)第2の接合面を有する第2のブロックを準備する工程と、
(c)メイン流体流路を前記第1のブロック内に形成し、プレナムと前記プレナムに対して開いた抵抗ボアとを含む十字型断面を有する高抵抗流体流路を前記第1のブロック内に形成する工程と、
(d)前記第2の接合面を介して前記第2のブロック内に前記プレナムの一部を形成し、前記プレナムの前記一部に交わるように、複数の流体移送ボアを前記第2のブロック内に形成する工程と、
(e)前記第1および第2の接合面を融合させることにより、前記プレナムが、前記複数の流体移送ボアと前記高抵抗流体流路の前記十字型断面との間でそれらの両方に対して開くように、前記第1および第2のブロックを一体化させ、前記半導体ウエハの前記表面に流体を移送するために用いられる前記近接ヘッドを規定する工程と、
を備える、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、さらに、前記抵抗ボア内に受け入れられるように抵抗を形成する工程を備える、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記抵抗は、前記メイン流体流路と前記流体移送ボアとの間に前記高抵抗流体流路を形成するために、前記抵抗ボア内に挿入されるよう構成される、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記高抵抗は、前記メイン流体流路、前記複数の流体移送ボア、および、前記コネクタ流体流路の流体抵抗よりも高い抵抗である、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記第1および第2のブロックは、ポリフッ化ビニリデンまたはエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体の内の1または複数からなる群より選択された材料で規定される、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記融合させる工程は、前記接合面の各々に隣接する材料を融解させる工程と、前記ブロックのそれぞれの前記融解した接合面を互いに向かって押しつけ、それぞれの前記融解した材料を共に流動させて、前記ブロックをワンピースに形成する工程と、を備える、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記融合させる工程は、
各前記接合面のそれぞれに対応する熱伝達面を有する熱エネルギ源を準備する工程と、
前記各接合面のそれぞれを前記熱エネルギ伝達面の間に位置させて前記ブロックをマウントする工程と、
前記各接合面および各前記熱伝達面のそれぞれを平行に保持しつつ、非接触近接状態に移動させる工程と、
前記各接合面および前記各熱伝達面の前記非接触近接状態を維持しつつ、前記各接合面を融解させるために前記各接合面に熱エネルギを伝達する工程と、
前記各接合面の間から速やかに前記熱エネルギ源を取り除く工程と、
前記融解した接合面を、ある一定の融合力で互いに接触させるために、前記ブロックを互いに対して押しつける工程と、
前記融解して押しつけられた接合面が融合するまで、前記一定の融合力に応じて接触させる工程と、
を備える、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、前記流体の移動は、前記近接ヘッドと前記基板の前記表面との間にメニスカスを規定する、方法。
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