JP2011505448A - 新規シロキサンポリマー組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
少なくとも異なる2種類のシランモノマーを加水分解する工程と,
分子量約1,500〜20,000g/molのシロキサンポリマーを形成するため,上記シランモノマーを縮合する工程及び部分架橋する工程と,
シロキサンプレポリマー液体組成物を調合するため,光反応性化合物及びシロキサンポリマー用の溶媒を組み入れる工程と備える。
膜厚10nm〜10μmの層を形成するため,基材上に上記組成物を堆積する工程と,
堆積フィルムを任意に熱処理する工程と,
フォトマスク又はレチクルを使用し,堆積材料を紫外線露光することで,堆積材料層にリソグラフィーを施す工程と,
露光材料を任意に熱処理する工程と,
上記層を水性の塩基性現像剤溶液に接触させることで,現像工程において除去される上記フィルムの非露光領域を除去する工程と
を備えるリソグラフィー法におけるシロキサンプレポリマー組成物の使用方法を,本発明は更に提供する。
R1 aSiX4-a I
及び
R2 bSiX4-b II
[ここで,R1及びR2は,独立に,水素,直鎖状及び分岐状のアルキル及びシクロアルキル,アルケニル,アルキニル,(アルク)アクリレート,エポキシ,アリル,ビニル及びアルコキシ,並びに1〜6個の環を有するアリールからなる群から選択され,
Xは,各々独立に,加水分解性基又は炭化水素残基であり,
a及びbは,1〜3の整数である]
R3 cSiX4-c III
[ここで,R3は,水素,任意に1又は数個の置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基,又はアルコキシ基を表わし,
Xは,各々独立に,上記と同じ意義の加水分解性基又は炭化水素残基を示し,
cは,1〜3の整数である]
−O−R4 IV
[ここで,R4は,ハロゲン,ヒドロキシル基,ビニル基,エポキシ基及びアリル基の群から選択される1又は2種類の置換基を任意に示す炭素数1〜10,好適には1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす]
上記部分架橋プレポリマーが,−Si−O−繰返し単位によって形成された約4,000〜約10,000g/molの範囲の分子量を有するシロキサン骨格を有し,該シロキサン骨格が,−Si−O−単位の約5〜70%量のヒドロキシル基を示し,繰返し単位量から算出した約1〜15mol%量のエポキシ基を示し,
上記組成物が,固形物重量基準で0.1〜3%の少なくとも1種の光反応性カチオン化合物を更に含む。
上記組成物は,基材上又は電子部品内の絶縁層を作製するため使用しうる。また,この絶縁層は,基材上又は電子デバイス内の平坦化層としても同時に機能しうる。この基材及び/又は電子デバイス(薄膜トランジスタ等)は,ディスプレーデバイス(例えば,液晶ディスプレー,又はプラズマディスプレー,又はOLEDディスプレー)の部材であってもよい。
フェニルトリメトキシシラン(10.2g,5%mol),メチルトリエトキシシラン(168.67g,85mol%)及び3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(24.32g,10mol%)を丸底フラスコに計量した。290.68gのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら,112.3gの水(0.1MのHNO3)を5分以内で反応フラスコへ添加した。その後,室温(以下,「RT」と略記する)で17分間,反応混合物を撹拌し,電気マントルを用いて5時間,還流した。還流後,ロータリーエバポレーター(圧力350→250mbar,t(浴槽)=50℃)を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後,260gのPGMEAをフラスコに添加した。ロータリーエバポレーター(圧力45mbar,t(浴槽)=50℃,1時間)で,反応混合物を更に蒸発させ,溶媒交換を行った。溶媒交換後,120℃で1時間,材料溶液を還流した。1時間の還流後,材料は,調合(溶媒及び添加剤の添加)及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて,特定の固形分に材料を調合し,0.1μmPTFEフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。得られた材料の分子量(Mw)は1820g/molであった。
フェニルトリメトキシシラン(10.2g,5%mol),メチルトリエトキシシラン(146.83g,80mol%),メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(12.78g,5mol%)及び3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(24.32g,10mol%)を丸底フラスコに計量した。291.2gのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら,111.27gの水(0.1MのHNO3)を5分以内で反応フラスコへ添加した。その後,RTで23分間,反応混合物を撹拌し,電気マントルを用いて5時間,還流した。還流後,ロータリーエバポレーター(圧力350→250mbar,t(浴槽)=50℃)を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後,260gのPGMEAをフラスコに添加した。ロータリーエバポレーター(圧力45mbar,t(浴槽)=50℃)で,反応混合物を更に蒸発させ,溶媒交換を行った。溶媒交換後,120℃で2時間,材料溶液を還流した。2時間の還流後,材料は,調合(溶媒及び添加剤の添加)及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて,特定の固形分に材料を調合し,0.1μmPTFEフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。材料の分子量(Mw)は5600であった。
フェニルトリメトキシシラン(63.93g,5%mol),メチルトリエトキシシラン(950.0g,82.5mol%),メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(40.09g,2.5mol%)及び3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(152.57g,10mol%)を丸底フラスコに計量した。2413.18gのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら697.24gの水(0.1MのHNO3)を5分以内で反応フラスコへ添加した。その後,RTで23分間,反応混合物を撹拌し,電気マントルを用いて5時間,還流した。還流後,ロータリーエバポレーター(圧力350→250mbar,t(浴槽)=50℃)を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後,904gのPGMEAをフラスコに添加した。ロータリーエバポレーター(圧力45mbar,t(浴槽)=50℃)で,反応混合物を更に蒸発させ,溶媒交換を行った。溶媒交換後,5.81g(シロキサンポリマー固形分に対して1m%)のAIBN(アゾビスイソブチロニトリル)熱開始剤を材料に添加し,120℃で2時間,材料溶液を還流した。2時間の還流後,材料は,調合(溶媒及び添加剤の添加)及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて,特定の固形分に材料を調合し,0.1μmPTFEフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。材料の分子量(Mw)は6800であった。
材料の合成後,堆積フィルムの要求膜厚に応じて調整された固形分に材料は調合される。また,得られた膜厚は,使用堆積方法(例えば,浸漬コーティング,スピンコーティング,スプレーコーティング,スロットコーティング)によるので,事例ごとに最適化しなければならない。また使用処理溶媒も得られる膜厚に影響する。スピンコーティング及び処理溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を用いることにより,固形分1〜65%に調合したそれぞれに対し,材料膜厚は10nm〜10μm間で変動しうる。より高い固形分を使用することで,さらにより厚い構造体が得られる。低い硬化温度が要求された場合,プロセス溶媒として低沸点溶媒を選択すべきである。界面活性剤(例えば,Byk−307及びFC4430又は4432)のような他の添加物も,必要な場合,使用しうる。
Claims (29)
- 塩基性水溶液中で脱プロトン化可能な基を示し,更に熱又は放射線で開始させる硬化工程中に反応可能な反応性官能基を示すシロキサン骨格を有し,重合中にその分子量が増加するよう架橋されたシロキサンプレポリマーと,
該シロキサンプレポリマー用溶媒と,
光反応性化合物と
を含むシロキサン組成物。 - 前記シロキサンプレポリマーは,平均分子量が約2,000〜20,000g/mol,特には約3,000〜10,000g/molである請求項1に記載の組成物。
- 固体濃度が,少なくとも1重量%で且つ約70重量%以下である請求項1又は2に記載の組成物。
- オルガノシロキサンポリマーが,脱プロトン化可能な基を少なくとも1個備えるモノマーに由来する単位を少なくとも1モル%,特には,少なくとも5モル%含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記溶媒が,前記シロキサンプレポリマーと反応可能な溶媒である請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記溶媒が,水,脂肪族アルコール,脂肪族エーテル及び芳香族アルコール,並びにその混合物の群から選択される請求項5に記載の組成物。
- 前記溶媒が,プロピレングリコールモノメチルエーテル,プロピレングリコールプロピルエーテル,2−プロパノール,水,エタノール,メタノール及び乳酸エチル,並びにその混合物の群から選択される請求項5に記載の組成物。
- 前記光反応性化合物が,光酸発生剤又は光開始剤である請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記光反応性化合物は,紫外線処理又は熱処理を条件として,前記シロキサン組成物を架橋することが可能である請求項8に記載の組成物。
- 前記組成物は,添加剤として熱酸発生剤を含む請求項9に記載の組成物。
- 前記シロキサンポリマー質量から算出した前記光反応性化合物濃度が,約0.1〜10%,好ましくは約0.5〜5%である請求項1〜10のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記組成物の5〜50wt%量の固体ナノ粒子を含む請求項1〜11のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記ナノ粒子が,光散乱顔料及び無機燐光体の群から選択される請求項12に記載の組成物。
- 溶媒相中にシロキサンプレポリマーを含むシロキサン組成物であって,
前記プレポリマーが,−Si−O−繰返し単位によって形成されたシロキサン骨格と,約4,000〜約10,000g/molの範囲の分子量を有し,前記シロキサン骨格が,−Si−O−単位の約5〜70%量のヒドロキシル基を示し,繰返し単位量から算出した1〜15mol%量のエポキシ基を更に示し,
前記組成物が,固形物重量基準で0.1〜3%の少なくとも1種の光反応性カチオン化合物を更に含むシロキサン組成物。 - 前記溶媒相が,プロピレングリコールモノメチルエーテル,プロピレングリコールプロピルエーテル,2−プロパノール,水,エタノール,メタノール及び乳酸エチル,並びにその混合物の群から選択される溶媒を含む請求項14に記載の組成物。
- 少なくとも異なる2種類のシランモノマーを加水分解する工程と,
分子量約2,000〜20,000g/molのシロキサンポリマーを形成するため,前記シランモノマーを縮合する工程と,
前記シロキサンポリマーを部分架橋する工程と,
シロキサンプレポリマー液体組成物を調合するため,光反応性化合物及び前記シロキサンポリマー用の溶媒を組み入れる工程と
を備える請求項1〜15のいずれか一項に記載のシロキサンプレポリマー組成物の製造方法。 - 少なくとも異なる2種類のシランモノマーを加水分解する工程と,
分子量約2,000〜20,000g/molのシロキサンポリマーを形成するため,前記シランモノマーを縮合し,それらを架橋する工程と,
溶媒相中の前記シロキサンポリマーを回収する工程と,
前記溶媒相中に光反応性化合物を組み入れる工程とを備え,
前記シランモノマーが,前記光反応性化合物の誘導下,シロキサンポリマーの更なる架橋が遂行可能な一つ又は複数の反応性官能基を含有するモノマーを含み,少なくとも一部のヒドロキシル基が前記ポリマー中に存するように前記加水分解工程及び前記縮合工程を行うシロキサンプレポリマー組成物の製造方法。 - 前記加水分解工程を水性溶媒中で行う請求項17に記載の方法。
- 前記シロキサンプレポリマーを,前記シロキサンポリマー上に存する活性基を用いて又はヒドロシリル化によって,架橋する請求項16又は17に記載の方法。
- シロキサンプレポリマー組成物の使用方法であって,
堆積フィルムの要求される膜厚に,前記プレポリマー組成物材料の固形分を任意に調整する工程と,
膜厚10nm〜10μmの層を形成するため,基材上に前記組成物を堆積する工程と,
堆積フィルムを任意に熱処理する工程と,
フォトマスク又はレチクルを使用し,堆積材料を紫外線露光することで,堆積材料層にリソグラフィーを施す工程と,
露光材料を任意に熱処理する工程と,
前記層を水性の塩基性現像剤溶液に接触させることで,現像工程において除去される前記フィルムの非露光領域を除去する工程と
を備える,リソグラフィー法における請求項1〜15のいずれか一項に記載のシロキサンプレポリマー組成物の使用方法。 - 前記水性の塩基性現像剤溶液は,pHが少なくとも7,好適には少なくとも9である請求項20に記載の方法。
- 前記水性の塩基性現像剤溶液は,pHが少なくとも11,好適には少なくとも12,特には約12〜13である請求項21に記載の方法。
- フィルムが,周波数100kHzにおいて,4以下の誘電率であるように製造される請求項20〜22のいずれか一項に記載の方法。
- フィルムが,波長663nmにおいて,1.2〜1.9間の屈折率であるように製造される請求項20〜23のいずれか一項に記載の方法。
- フィルムが,水銀UV光源のI線波長において,100mJ/cm2以下のUV照射量で,70%以上の架橋度を示すように製造される請求項20〜24のいずれか一項に記載の方法。
- フィルムが,3μmより,好適には,1μmより高分解能であるように製造される請求項20〜25のいずれか一項に記載の方法。
- フィルムが,1:1以上,好適には,1:1.5以上のアスペクト比であるように製造される請求項20〜26のいずれか一項に記載の方法。
- 直接リソグラフィーパターン形成工程,通常のリソグラフィーマスキング及びエッチング工程,又は刷り込み及び型押し工程によって,材料組成物にパターン形成する工程を備える請求項20〜27のいずれか一項に記載の方法。
- LCD,プラズマ又はOLEDディスプレーのようなディスプレーデバイス,太陽電池,LED又は半導体デバイス内に光学層を提供する工程を備える請求項20〜28のいずれか一項に記載の方法。
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