JP2011258345A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ処理装置における電極面内のプラズマ強度の均一性を高める。
【解決手段】基板を保持することが可能な第1電極と、第1電極と対向するように配置され、第1電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴14aが複数開口された第2電極14とを備え、第2電極14の第1電極と対向する面には、ガス供給穴14aを取り囲むように溝14cが設けられているプラズマ処理装置とする。
【選択図】図2
【解決手段】基板を保持することが可能な第1電極と、第1電極と対向するように配置され、第1電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴14aが複数開口された第2電極14とを備え、第2電極14の第1電極と対向する面には、ガス供給穴14aを取り囲むように溝14cが設けられているプラズマ処理装置とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
基板に対してプラズマによる成膜、エッチング等の処理を施すために、基板を保持することが可能な第1電極と、その第1電極と対向するように配置された第2電極とを備えた平行平板型のプラズマ処理装置が知られている(特許文献1〜3参照)。
また、第2電極の第1電極に対向する面に複数の凹部と複数の凸部とを形成し、凹部又は凸部の一方にガス供給口を形成し、他方にガス排気口を形成したプラズマ処理装置の構成も開示されている(特許文献4参照)。
このようなプラズマ処理装置は、半導体装置や薄膜太陽電池の製造過程において様々な膜の形成、表面処理等に広く用いられている。
このようなプラズマ処理装置では、プラズマとなるガスが高圧となり、第1電極と第2電極との隙間(ギャップ)が狭くなると、第2電極のガス供給口付近の領域と他の領域との間でプラズマの密度が不均一となる問題がある。プラズマ密度が電極面内で不均一となると、成膜される絶縁体膜、半導体膜、金属膜等の膜質や膜厚が不均一となったり、プラズマを用いた処理も不均一となったりするおそれがある。
本発明の1つの態様は、基板を保持することが可能な第1電極と、第1電極と対向するように配置され、第1電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴が複数開口された第2電極と、を備え、第2電極の第1電極と対向する面には、ガス供給穴を取り囲むように溝が設けられている、プラズマ処理装置である。
本発明によれば、電極面内におけるプラズマの密度の分布の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供することができる。
図1は、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置100を示した概略図である。プラズマ処理装置100は、図1に示すように、真空チャンバ10内に、上部電極12と下部電極14とが互いに対向するように設置された平行型構造を有する。真空チャンバ10は、側方に排気口10aを有するとともに、その排気口10aは、排気流量調整バルブ16を介して真空排気設備18に接続されている。本実施の形態では真空排気設備18は、ターボ分子ポンプ(TMP)18a及び油回転ポンプ(RP)18bによって構成しているが、これに限定されるものではなく、他の排気ポンプを用いてもよい。
上部電極12はアノード電極であり、下部電極14はカソード電極となる。上部電極12及び下部電極14は、それぞれ本発明における「第1電極」及び「第2電極」に相当する。
上部電極12及び下部電極14の対向する面の面積は、例えば、約600mm×約600mmとされる。基板102は、例えば、約400mm×約300mmの矩形形状を有している。
上部電極12には、下部電極14と対向する側に成膜又はエッチングを施す基板102を保持するための基板保持部12aが形成されている。プラズマによって成膜やエッチング等の処理を行う際には、上部電極12の基板保持部12aに基板102を固定する。
上部電極12は、基板102を所定の温度に保持するための加熱冷却機構(図示しない)を備えてもよい。加熱冷却機構を設けることによって、プラズマによる基板102への成膜やエッチング等の処理を行う際に基板102を所望の温度に加熱することができる。
また、上部電極12をX方向に揺動可能とする揺動機構(図示しない)を備えるものとしてもよい。揺動機構を用いて上部電極12を揺動させることによって、プラズマによる基板102への成膜やエッチング等の処理を行う際にプラズマ密度のX方向への不均一性による影響を低減することができる。揺動方向はX方向に限定されるものでなく、基板102の面内方向のいずれの方向に揺動させるものとしてもよい。
下部電極14には、プラズマとなるガスを上部電極12と下部電極14との間隙(ギャップ)に供給するためのガス供給穴14aが設けられる。ガス供給穴14aは、ガス供給管14bを介してガス供給源20に接続される。ガス供給源20は、ガスボンベ、レギュレータ、弁、流量計等からなるガス供給のためのシステムを含んで構成される。また、下部電極14には、高周波電源(図示しない)が接続され、真空チャンバ10外から高周波電力が供給される。ガス供給穴14aからガスを所定の圧力及び流量で供給しつつ、高周波電力を下部電極14へ供給することによって上部電極12と下部電極14との間隙(ギャップ)にプラズマを発生させる。
図2は、プラズマ処理装置100の下部電極14の上部電極12に対向する面Bの拡大図である。また、図3は、図2におけるラインA−Aに沿った下部電極14の断面図である。
図2及び図3に示すように、下部電極14の上部電極12に対向する面Bには、溝14cが形成される。溝14cは、0.5mm以上5mm以下の深さD、0.3mm以上10mm未満の幅W、及び1mm以上10mm以下で幅Wより広いピッチPで形成することが好適である。溝14cは、下部電極14の面Bをけがく又はエッチングして形成することができる。
また、溝14cは、下部電極14の面Bに設けられたガス供給穴14aを囲むように形成される。溝14cは、下部電極14の面B内において周期的なパターンとして形成することが好適である。特に、隣り合うガス供給穴14aの間に少なくとも複数の溝14cが設けられる周期的なパターンとして形成することが好適である。
周期的なパターンとして、図2に示すように、溝14cは、下部電極14に設けられたガス供給穴14aを取り囲むように賽の目状に形成することが好適である。このような構成とすることにより、例えば、プラズマ処理装置100を成膜に用いた場合にはより多くの成膜種を生成することが可能となり、成膜速度をより大きくすることが可能となる。
例えば、上部電極12と下部電極14との間隙(ギャップ)を8mmに設定し、ガス供給穴14aの径を0.5mm、溝14cの深さDを1mm、幅Wを0.5mm,1.0mm,1.5mm、ピッチPを幅Wの2倍とし、水素(H2)を400sccm及びシラン(SiH4)を4sccmの流量で真空チャンバ10内の圧力を2000Paとなるように供給し、下部電極14に周波数27MHzの高周波電力を電力50Wで導入してプラズマを発生させた場合、基板102(ガラス)面近傍のラジカル(SiH3)のX方向に沿った密度のプロファイルは図4に示すようになる。図4において、横軸はガス供給穴14aの中心からX方向に沿った距離を示し、縦軸はラジカル(SiH3)の空間的密度を示す。また、図5は、溝14cのピッチPに対するラジカル(SiH3)の空間的密度の平均値の関係を示す。
図4及び図5に示すように、成膜に寄与するラジカル(SiH3)の空間密度は、溝14cの幅Wを1.0mmとし、ピッチPを2.0mmとした場合に他の場合に比べて1.5倍〜2倍程度に増加する。すなわち、溝14cの幅W及びピッチPを適切に設定することによって、プラズマ処理装置100におけるプラズマ中の活性種の密度を高めることができる。特に、ラジカル(SiH3)の空間密度を高めたい場合、溝14cの幅Wを0.5mm以上1.5mm以下とすることが好適である。
図6は、ラジカル(SiH3)の密度を最大値で規格化したときのX方向に沿ったプロファイルを示す。また、図7は、溝14cの幅Wを変更した場合におけるラジカル(SiH3)の最大密度に対するガス供給穴14aの直上の領域の密度の割合の関係を示す。一般的に、ガス供給穴14aの直上の領域では、他の領域に比べてラジカル(SiH3)の空間密度は低くなるが、図6及び図7に示すように、溝14cを形成した場合には溝14cを形成しない場合に比べてガス供給穴14aの直上付近のラジカル(SiH3)の密度の低下が抑制される。
なお、溝14cを形成することによる空間密度の増加、空間密度の面内分布の均一化は、他の活性種であるHラジカル、Siラジカル、SiHラジカルについても同様の傾向を示す。さらに、プラズマ処理装置100に供給するガス種を変えた場合であっても、溝14cの幅W及びピッチPを適切に設定することによって、ラジカル等の活性種の空間密度を増加させ、空間密度の面内分布の均一性を高めることができる。
また、図8に示すように、下部電極14の上部電極12に対向する面Bに形成する溝14cは同心円状に形成してもよい。このとき、溝14cは、ガス供給穴14aを中心として同心円状に形成することが好適である。この場合、溝14cは、0.5mm以上5mm以下の深さD、0.3mm以上10mm未満の幅W、及び1mm以上10mm以下で幅Wより広いピッチPで形成することが好適である。また、隣り合うガス供給穴14aの間に少なくとも複数の溝14cが設けられるように同心円状に形成することが好適である。このような、構成においても上記と同様の効果を得ることができる。
すなわち、溝14cを形成することによって、プラズマ処理装置100ではプラズマの空間密度を増加させ、空間密度の面内分布の均一性を高めることができる。これにより、プラズマを用いた成膜やエッチング等の処理において、基板102に対する処理の効率を高めることができ、膜質やエッチングの面内の均一性を高めることができる。
なお、プラズマの空間密度及び空間的分布は、二次元プラズマ発光分光測定装置を用いて測定することができる。二次元プラズマ発光分光測定装置200は、図9に示すように、光学バンドパスフィルタ21、二次元光学センサ22及び制御部24を含んで構成される。
光学バンドパスフィルタ21は、測定対象となるラジカル等の活性種がプラズマ中において発光する際にその活性種が発する光に含まれる特定の波長を透過し、測定対象としない活性種が発する光に含まれる波長は透過しない透過波長帯域を有するフィルタとする。光学バンドパスフィルタ21は、真空チャンバ10に設けられたビューポート10bを介して、上部電極12と下部電極14との間隙(ギャップ)に発生するプラズマからの光を透過するように配置される。光学バンドパスフィルタ21を透過した光は二次元光学センサ22に導入される。
例えば、プラズマ中のHラジカルのHα線は656.3nmの波長を有するので、656.3nmを透過帯域内に含む光学バンドパスフィルタ21を用いることが好適である。また、プラズマ中のSiラジカルに対しては251.6nm、SiHラジカルに対しては412.7nmを透過帯域内に含む光学バンドパスフィルタ21を用いることが好適である。他の活性種の発光線を測定対象とする場合もその発光線の波長を透過帯域に含む光学バンドパスフィルタ21を用いればよい。
二次元光学センサ22は、電荷転送素子(CCD)やCMOSセンサ等の光電変換素子を含んで構成される。二次元光学センサ22は、それぞれ光電変換素子を含む画素を2次元アレイ状に配列して構成される。二次元光学センサ22は、光学バンドパスフィルタ21から測定対象となる領域の光を受けて、各画素に入力される光の強度に応じた電気信号を生成して二次元画像データとして制御部24へ出力する。
制御部24は、二次元光学センサ22から電気信号として出力される二次元画像データを受けて、画像処理や画像分析等の処理を行う。制御部24は、二次元光学センサ22からの信号を受けるインターフェースを備えたコンピュータにおいて、所望の画像処理や画像分析を行うプログラムを実行することによって実現される。制御部24は、例えば、得られた画像に対するエッジ強調処理、平均化処理等の各種処理、所定の領域や所定のラインに沿った発光強度の空間的分布等の分析処理を行う。
図10は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置100で発生させたプラズマを二次元プラズマ発光分光測定装置200を用いて測定した結果を示す画像である。図10は、真空チャンバ10内に水素(H2)を133Paで供給して水素プラズマを発生させ、660nm付近を透過波長帯域とする光学バンドパスフィルタ21を用いてプラズマ中のHラジカルから発せられるHα線の発光強度を測定したものである。
図10において、上部の黒い領域が上部電極12及び基板102、下部の黒い領域が下部電極14の画像領域である。図10に示されるように、上部電極12の近傍と下部電極14の近傍とにHラジカルの密度の高い領域が二分され、上部電極12と下部電極14との中間領域にはHラジカルの密度が相対的に低い領域が形成されていることが分かる。
図11は、図10におけるラインa及びbに沿った発光強度のプロファイルを示す図である。ラインaは、溝14cが形成されていない領域の発光プロファイルであり、ラインbは、溝14cが形成されている領域の発光プロファイルである。図11より明らかなように、溝14cを形成することによって、溝14c内においてHラジカルの密度の高い領域が発生しており、プラズマ全体の密度を高める効果が得られていることがわかる。また、ラインbに沿った下部電極14近傍の発光強度は、ラインaに沿った下部電極14近傍の発光強度より高く、特に溝14c内において他の領域よりもプラズマの密度が高くなっているといえる。これは、微小な凹凸を有する溝14cを形成することによって電界の集中効果が高まり、溝14c近傍においてガスの分解が促進されたためと考えられる。
10 真空チャンバ、10a 排気口、10b ビューポート、12 上部電極、12a 基板保持部、14 下部電極、14a ガス供給穴、14b ガス供給管、14c 溝、16 排気流量調整バルブ、18 真空排気設備、20 ガス供給源、21 光学バンドパスフィルタ、22 二次元光学センサ、24 制御部、100 プラズマ処理装置、102 基板、200 二次元プラズマ発光分光測定装置。
Claims (4)
- 基板を保持することが可能な第1電極と、
前記第1電極と対向するように配置され、前記第1電極と対向する面にプラズマとなるガスを供給するガス供給穴が複数開口された第2電極と、を備え、
前記第2電極の前記第1電極と対向する面には、前記ガス供給穴を取り囲むように溝が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記溝は、前記第2電極の前記第1電極と対向する面に周期的なパターンで設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記溝は、互いに隣り合う前記ガス供給穴の間に少なくとも複数設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置であって、
前記溝は、前記第2電極の前記第1電極と対向する面に周期的に賽の目状又は同心円状に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
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