JP2011247767A - インターポーザ基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 測定端子を固定するための基板の変形が少なく、測定端子が半導体チップとなる部分の電気特性を正確に測定することができ、かつアライメントマークを認識しやすくするためのインターポーザ基板を提供する。
【解決手段】 インターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状であることとしたことから、インターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。さらに有底穴の底面のフラットに近い面積が小さくなるため、画像認識のための反射光を減少させることができ、アライメントマークと主面とのコントラストを大きくすることができアライメントマークの認識性を向上できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 インターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状であることとしたことから、インターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。さらに有底穴の底面のフラットに近い面積が小さくなるため、画像認識のための反射光を減少させることができ、アライメントマークと主面とのコントラストを大きくすることができアライメントマークの認識性を向上できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、多数の半導体素子が形成されたウエハの電気特性試験に使用するプローブカード用部品であるインターポーザ基板に関する。
CPU(Central Processing Unit:中央演算処理装置),MPU(Micro Processor Unit:超小型演算処理装置)やフラッシュメモリ等に用いられる半導体ウエハに形成され
た回路の電気特性の検査は、高温に加熱した状態でプローブカードを用いて行なわれる。
た回路の電気特性の検査は、高温に加熱した状態でプローブカードを用いて行なわれる。
図3は、従来のプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
図3で示すプローブカード100は、プローブピンタイプの垂直型プローブカードであっ
て、支持部材104に形成された配線基板103の端子103aに固着されたプローブピン102が、プローブピン102を案内するガイド部材101の貫通穴101aを通して、被検品である多数の
半導体チップ111を載置したウエハ110のリード電極112と接触することにより、多数の半
導体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
て、支持部材104に形成された配線基板103の端子103aに固着されたプローブピン102が、プローブピン102を案内するガイド部材101の貫通穴101aを通して、被検品である多数の
半導体チップ111を載置したウエハ110のリード電極112と接触することにより、多数の半
導体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
しかしながら、プローブカード100には、多数のプローブピン102が、それぞれのリード電極112に確実に接触するように、屈曲部を設けて弾力性を持たせているが、半導体チッ
プ111のさらなる高集積化に伴い、それぞれのリード電極112の間のピッチの狭小化が進んで、屈曲したプローブピン102を用いるとプローブピン102同士が接触し易くなり、電気的な短絡不良を起こすという問題が生じている。
プ111のさらなる高集積化に伴い、それぞれのリード電極112の間のピッチの狭小化が進んで、屈曲したプローブピン102を用いるとプローブピン102同士が接触し易くなり、電気的な短絡不良を起こすという問題が生じている。
このため、従来のプローブピン方式の垂直型プローブカードに替わって、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)と呼ばれる微細加工技術(例えばフォトリソグラフィー法)を用いてプローブピン102を用いない垂直型プローブカードを得る方法が採用され
つつある。
つつある。
図4は、従来のMEMS方式の垂直型プローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
図4のプローブカード200は、ST基板(スペーストランスフォーマ)204と、ST基板204に形成された配線基板203と、貫通穴201bを備えたインターポーザ基板201とを有している。配線基板203には端子203aを形成して、この端子203aと、インターポーザ基板201の主面にMEMSの微細加工技術で形成した測定端子202とが貫通穴201bに通したボンディングワイヤ205で電気的に結んである。そして、測定端子202が、被検品である多数の半導体チップ111を載置したウエハ110のリード電極112と接触することにより、多数の半導
体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
このようなMEMSの加工技術を用いた垂直型プローブカードの組立においては、インターポーザ基板201の測定端子202とST基板204の配線基板203上に形成された端子203a
とが、ボンディングワイヤ205により電気的に結ばれているが、測定端子202は、目視では視認できないような微細なものであり、配線基板203から引き出されたボンディングワイ
ヤ205と測定端子202との正確な位置認識が必要であり、従来はインターポーザ基板201に
備えられた貫通穴201aを位置認識用のアライメントマークとしていた。
とが、ボンディングワイヤ205により電気的に結ばれているが、測定端子202は、目視では視認できないような微細なものであり、配線基板203から引き出されたボンディングワイ
ヤ205と測定端子202との正確な位置認識が必要であり、従来はインターポーザ基板201に
備えられた貫通穴201aを位置認識用のアライメントマークとしていた。
そして、このようなアライメントマークを用いて位置決めするためには、アライメントマークに向けて光源から光を照射して、照射した光が貫通穴201a周囲のインターポーザ
基板201の主面によって反射された反射光をCCDカメラで撮像して、その画像を画像処
理装置で2値化処理を行ない、貫通穴201aの径方向の中心位置を求めることによって、
インターポーザ基板201の正確な位置を認識して行なう。なお、このような位置決めをす
るためのアライメントマークとしては突起物,貫通穴または有底穴などが用いられている。
基板201の主面によって反射された反射光をCCDカメラで撮像して、その画像を画像処
理装置で2値化処理を行ない、貫通穴201aの径方向の中心位置を求めることによって、
インターポーザ基板201の正確な位置を認識して行なう。なお、このような位置決めをす
るためのアライメントマークとしては突起物,貫通穴または有底穴などが用いられている。
特許文献1には、平面上に設けられる位置決め用マークにして、CCDカメラで読み取り、その結果得られたデータに基づいてその基準位置となる一点を定めることが可能な位置決め用マークにおいて、複数のマーク要素から構成されている位置決め用マークが記載され、そのようなマーク要素が底付き穴であることが記載されている。
しかしながら、MEMS方式の垂直型プローブカードで採用されているプローブカード200のST基板204とインターポーザ基板201との組立においては、ボンディングワイヤ205の位置を正確に合わせるためにインターポーザ基板201に位置決め用のアライメントマー
クとしての貫通穴201aを備えてはいるが、半導体チップ111の高集積化により、配線基板203上の配線がさらに複雑化して、アライメントマークに貫通穴201aを用いると、ST基板204の配線に当たった光が貫通穴201aを通って反射し、インターポーザ基板201の主面
と貫通穴201aとの画像の明暗の差が少なくなって、アライメントマークの位置認識に悪
影響を及ぼすという問題が発生していた。
クとしての貫通穴201aを備えてはいるが、半導体チップ111の高集積化により、配線基板203上の配線がさらに複雑化して、アライメントマークに貫通穴201aを用いると、ST基板204の配線に当たった光が貫通穴201aを通って反射し、インターポーザ基板201の主面
と貫通穴201aとの画像の明暗の差が少なくなって、アライメントマークの位置認識に悪
影響を及ぼすという問題が発生していた。
また、特許文献1で提案された位置決め用マークの底付き穴をインターポーザ基板に設けてST基板との位置決めをしようとしても、穴の底から反射する反射光がインターポーザ基板の主面との画像の明暗の差がなくなり、アライメントマークの位置認識に悪影響を及ぼすという課題がなお残り、これに対する解決策の記載はなかった。
本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、垂直型プローブカードの組み立て工程において、正確な位置認識ができるインターポーザ基板を提供することを目的とするものである。
本発明のインターポーザ基板は、インターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、該有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状であることを特徴とするものである。
また、本発明のインターポーザ基板は、上記構成において、前記有底穴の内径をD,深さをLとしたとき、L/Dが1〜4であることを特徴とするものである。
また、本発明のインターポーザ基板は、上記いずれかの構成において、前記インターポーザ基板はセラミックスからなり、該インターポーザ基板の主面の算術平均粗さRaよりも、前記有底穴の底面の算術平均粗さRaが大きいことを特徴とするものである。
本発明のインターポーザ基板は、インターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、この有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状としたので、プローブカードの組み立て工程において、ST基板の配線基板と、インターポーザ基板の測定端子とをボンディングワイヤで電気的に結ぶときに、ST基板の配線からの反射光がCCDカメラに入射することがない。さらに、有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状としたことによって、有底穴の底面からの反射光がCCDカメラへ反射するのを減少させることができ、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になって、有底穴の開口部の輪郭がはっきりするので、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
また、本発明のインターポーザ基板は、有底穴の内径をD,深さをLとしたとき、L/Dが1〜4とした場合には、アライメントマークの内側部に向かう底面の反射による光を乱反射させるので、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になって、有底穴の開口部の輪郭がはっきりするので、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
また、本発明のインターポーザ基板によれば、インターポーザ基板はセラミックスからなり、このインターポーザ基板の主面の算術平均粗さRaよりも、有底穴の底面の算術平均粗さRaを大きくした場合には、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になって、有底穴の開口部の輪郭がはっきりするので、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
以下、本発明のインターポーザ基板の実施の形態の例について説明する。
図1は、本実施形態のインターポーザ基板を有するプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成の一例を示す概略断面図である。
図1のプローブカード10は、ST基板(スペーストランスフォーマ)4と、ST基板4に形成された配線基板3と、貫通穴1bを備えたインターポーザ基板1とを有している。配線基板3には端子3aを形成して、この端子3aと、インターポーザ基板1の主面にMEMSの微細加工技術で形成した測定端子2とが貫通穴1bに通した結線5で電気的に結んである。
この測定端子2は、従来のプローロブカードのプローブピンに代わるもので、プローブカード10から電気信号を被検品である半導体チップ111からウエハ110上に引き出されたリード電極112と接触することにより、多数の半導体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
そして、インターポーザ基板1に形成された測定端子2は、視認できないような微細なものであり、ST基板4の配線基板3からインターポーザ基板1の貫通穴1bを通って引き出されたボンディングワイヤ5を測定端子2に電気的に結ぶときには、インターポーザ基板1の主面に備えられた有底穴1aをアライメントマークとして画像認識することによって、正確なボンディングができるようになっている。
そして、このようなアライメントマークとしての有底穴1aを用いて位置決めするためには、有底穴1aに向けて光源から光を照射して、照射した光が有底穴1a周囲のインターポーザ基板201の主面によって反射された反射光をCCDカメラで撮像して、その画像
を画像処理装置で2値化処理を行ない、有底穴1aの径方向の中心位置を求めることによって、ST基板4に対するインターポーザ基板1の正確な位置を認識して行なうようにしてある。
を画像処理装置で2値化処理を行ない、有底穴1aの径方向の中心位置を求めることによって、ST基板4に対するインターポーザ基板1の正確な位置を認識して行なうようにしてある。
そして、本実施形態のインターポーザ基板1は、インターポーザ基板1の主面に、アライメントマークとしての有底穴1aを有し、この有底穴1aの底面が内側に向かって浅くなっている凸状であることが重要である。
図2に本実施形態のインターポーザ基板の有底穴の一例を示す、(a)〜(c)は底面が内側に向かって浅くなっている凸状の縦断面図であり、(d)〜(f)は、それぞれ(a)〜(c)の有底穴の底面の形状を示す概略上面図である。
図2(a)および(d)に示すように、本実施形態のインターポーザ基板1の有底穴1aは、インターポーザ基板1の主面に、底面が内側に向かって浅くなる凸状である有底穴1aを設けているので、位置決めのために光源から照射された光が有底穴1aの底面に届いたとしても、反射された光は一部が乱反射するので、残りの光が反射光としてCCDカメラに撮像されることになる。このため、インターポーザ基板1の主面によって反射してCCDカメラで撮像される光とは区別し易くなるので、有底穴1aの開口部の輪郭が明瞭になって位置の認識が容易になり、画像処理装置による有底穴1aの位置が認識できなくなるという問題が減少する。さらにインターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。また、本実施形態のインターポーザ基板1の有底穴1aの底面が、円錐状または角錐状であることが好ましい。図2(b)および(e)に示す有底穴1aは円錐状で、また、図2(c)および(f)に示す有底穴1aは角錐状であるが、図2(a)および(d)に示す底面が内側に向かって浅くなっている凸状の有底穴1aに比べて底面の円錐または角錐の頂点に近づくにしたがって、照射された光が有底穴1aの側壁に当たって乱反射し易くなり、そのためにCCDカメラで撮像すると円錐または角錐の頂点にあたる有底穴1aの底面は反射光が少なくなるので、図2(a)および(d)に示す内側に向かって浅くなっている凸状の底面の有底穴1aに比べ、よりインターポーザ基板1の主面によって反射してCCDカメラで撮像される光とは区別し易くなるので好ましい。なお、角錐については錐面の少ない三角錐が反射光が少なくなるのでより好ましい。
また、本実施形態の有底穴1aの内径をD,深さをLとしたとき、L/Dが1〜4であることが好ましい。
このとき、図2(a)〜(f)に示すように、有底穴1aが円錐状の場合には、Dは開口部に形成される形状の直径寸法とし、有底穴1aが角錐状の場合、Dは開口部に形成される形状の外接円の直径寸法とする。また、Lは有底穴1aの開口部から最深部の寸法とする。
MEMSの微細加工技術で測定端子2を形成するインターポーザ基板1では、測定端子
2が高密度に形成されるためアライメントマークである有底穴1aの径Dも自ずと小さいものが要求され、現在0.1mm〜0.3mmの範囲のものが主流であり、0.1mm以下となり
つつある。また、有底穴1aは精度が重要であるので、焼結後のセラミックスに有底穴1aを加工することになる。この場合、生産性の観点からは有底穴1aの深さLは浅いほど良く、L/Dが4以下であることが好ましい。そのとき、深さLはインターポーザ基板1の厚みの3分の1から30分の1が良く、0.1mm〜1.0mmが好ましい。有底穴1aのL/Dは1〜4であることが好ましいが、これは有底穴1aの底面から反射される反射光が少なくなるので、インターポーザ基板1の主面からの反射光とCCDカメラで撮像された画像で区別し易くなり、有底穴1aの位置の認識が容易になるからである。L/Dが1未満であると、CCDカメラへ入射する反射光が多くなるので、インターポーザ基板1の主面からの反射光との差が少なくなり、有底穴1aの位置の認識レベルが低下する傾向となる。また、L/Dが4を超えると、有底穴1aが深くなるので加工コストが高くなる傾向となる。
2が高密度に形成されるためアライメントマークである有底穴1aの径Dも自ずと小さいものが要求され、現在0.1mm〜0.3mmの範囲のものが主流であり、0.1mm以下となり
つつある。また、有底穴1aは精度が重要であるので、焼結後のセラミックスに有底穴1aを加工することになる。この場合、生産性の観点からは有底穴1aの深さLは浅いほど良く、L/Dが4以下であることが好ましい。そのとき、深さLはインターポーザ基板1の厚みの3分の1から30分の1が良く、0.1mm〜1.0mmが好ましい。有底穴1aのL/Dは1〜4であることが好ましいが、これは有底穴1aの底面から反射される反射光が少なくなるので、インターポーザ基板1の主面からの反射光とCCDカメラで撮像された画像で区別し易くなり、有底穴1aの位置の認識が容易になるからである。L/Dが1未満であると、CCDカメラへ入射する反射光が多くなるので、インターポーザ基板1の主面からの反射光との差が少なくなり、有底穴1aの位置の認識レベルが低下する傾向となる。また、L/Dが4を超えると、有底穴1aが深くなるので加工コストが高くなる傾向となる。
また、本実施形態のインターポーザ基板によれば、インターポーザ基板はセラミックスからなり、このインターポーザ基板の主面の算術平均粗さRaよりも、有底穴の底面の算術平均粗さRaを大きくした場合には、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になって、有底穴の開口部の輪郭がはっきりするので、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができるので好ましい。
なお、本実施形態のインターポーザ基板1を形成するための材料は、セラミックスとして、窒化珪素,窒化硼素,ジルコニア,ムライト,マイカ,窒化アルミ,アルミナ,シリカ,コージェライトまたはマグネシアから選ばれる単体もしくはこれらを組み合わせて作製される複合材料や、金属,ガラスおよび樹脂などを使用すれば良い。
次に、本実施形態のインターポーザ基板1のアライメントマークを得るための製造方法の一例について説明する。
まず、アルミナの粉末が8質量%以上95質量%以下であり、残部が酸化珪素(SiO2)の粉末となるように秤量して100質量部とし、さらにムライトと焼結助剤として炭酸カ
ルシウム(CaCO3)および炭酸マグネシウム(MgCO3)の各粉末ならびに着色剤として酸化クロム,酸化コバルト,酸化マンガンおよび酸化鉄の少なくとも1種の粉末をそれぞれ所定量添加して調合粉末とする。そして、この調合粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、アルミナボールで24時間混合粉砕する。なお、混合粉砕後の平均粒径は1μm以上3μm以下にすればよい。なお、焼結助剤である炭酸カルシウム(CaCO3)および炭酸マグネシウム(MgCO3)は、構成成分の一部である二酸化炭素(CO2)が焼成中に焼失して、それぞれ酸化カルシウム(CaO),酸化マグネシウム(MgO)として存在することになる。
ルシウム(CaCO3)および炭酸マグネシウム(MgCO3)の各粉末ならびに着色剤として酸化クロム,酸化コバルト,酸化マンガンおよび酸化鉄の少なくとも1種の粉末をそれぞれ所定量添加して調合粉末とする。そして、この調合粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、アルミナボールで24時間混合粉砕する。なお、混合粉砕後の平均粒径は1μm以上3μm以下にすればよい。なお、焼結助剤である炭酸カルシウム(CaCO3)および炭酸マグネシウム(MgCO3)は、構成成分の一部である二酸化炭素(CO2)が焼成中に焼失して、それぞれ酸化カルシウム(CaO),酸化マグネシウム(MgO)として存在することになる。
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール,ポリエチレングリコールおよびアクリル樹脂を混合粉末100質量%に対して合計6質量%となるように添加した後、混合
してスラリーとする。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によってシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜く、あるいはレーザ加工を施すことにより、成形体とすることができる。
してスラリーとする。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によってシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜く、あるいはレーザ加工を施すことにより、成形体とすることができる。
また、必要に応じて、切削加工またはレーザ加工等によりシートを各種形状、例えば円板状や角板状にすればよい。そして、各種形状に加工された成形体を酸化雰囲気の焼成炉に入れて、1550℃以上1650℃以下で8時間以上12時間以下保持することにより、インターポーザ基板1となる焼結体を得ることができる。
得られた焼結体にドリル加工,超音波加工,レーザ加工またはウォータージェット加工を施すことにより、貫通穴1bを得ることができる。
さらに、得られた焼結体にブラスト研磨,エッチング,マシニングによるドリル加工,超音波ドリル加工,レーザ加工またはウォータージェット加工を施すことにより、有底穴1aを得ることができる。
また、図2(a)および(d)と、図2(b)および(e)と、にそれぞれ示す底面が凸状の有底穴1aの位置精度を精度よく形成するとともに生産性を高めるには、マシニングによるドリル加工で加工すれば良く、図2(c)および(f)に示す角錐状であれば、超音波ドリル加工により形成することができる。
また、厚み加工については、平面研削加工や、WA,GCまたはダイヤモンドによるラップ加工を施すことにより、所定の厚みのインターポーザ基板1を得ることができる。
以下、本実施形態の実施例を具体的に説明するが、本実施形態は以下の実施例に限定されるものではない。
まず、平均粒径が2.0μmの酸化アルミニウムの粉末と、酸化珪素,ムライト,酸化カ
ルシウム,酸化マグネシウム,酸化クロムおよび酸化コバルトの各粉末とを用意した。そして、酸化アルミニウムと酸化珪素との含有量を、それぞれ78.0質量%と14.0質量%とのセラミックスとなるように秤量した混合粉末と、さらに、残部がムライトと、焼結助剤として酸化カルシウムと酸化マグネシウム、および着色剤として酸化クロムと酸化コバルトとからなる粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、純度が99.5%の酸化アルミニウムからなるセラミックボールで3時間混合した。
ルシウム,酸化マグネシウム,酸化クロムおよび酸化コバルトの各粉末とを用意した。そして、酸化アルミニウムと酸化珪素との含有量を、それぞれ78.0質量%と14.0質量%とのセラミックスとなるように秤量した混合粉末と、さらに、残部がムライトと、焼結助剤として酸化カルシウムと酸化マグネシウム、および着色剤として酸化クロムと酸化コバルトとからなる粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、純度が99.5%の酸化アルミニウムからなるセラミックボールで3時間混合した。
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール,ポリエチレングリコールおよびアクリル樹脂を混合粉末100質量%に対して合計10質量%となるように添加した後、混合
してスラリーを得た。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によりシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜くことにより、成形体を得た。
してスラリーを得た。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によりシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜くことにより、成形体を得た。
次に、この成形体を酸化雰囲気の焼成炉に入れた後、1580℃の焼成温度で3時間保持することにより、厚みが3mmで直径が200mmの本実施形態のインターポーザ基板1とな
る焼結体を得た。尚、得られた焼結体は紫色であった。
る焼結体を得た。尚、得られた焼結体は紫色であった。
次に、直径が200mmのインターポーザ基板1となる焼結体に、複数のアライメントマ
ークとなる有底穴1aと、また、ボンディングワイヤ5をST基板4からインターポーザ基板1の主面側に引き出すための貫通孔1bとを作製した。なお、有底穴1aの形状とその寸法は表1に示す通りで、試料数は各々1000枚作製した。
ークとなる有底穴1aと、また、ボンディングワイヤ5をST基板4からインターポーザ基板1の主面側に引き出すための貫通孔1bとを作製した。なお、有底穴1aの形状とその寸法は表1に示す通りで、試料数は各々1000枚作製した。
以下、有底穴1aの加工方法について説明する。
試料No.1の有底穴1aは、底面が凸状で平坦、試料No.2は底面が平坦で底面の角にR状の曲面がある。これらの加工方法は、いずれも、マシニングドリル加工によるもので、(株)ソディックハイテック社製の型名:HS−430のマシニングドリル加工装置
を用い、回転数を10,000rpmとして、切り込み量を5μmとした。また、ドリルの先端は平坦な面の加工ができるものを用い、ツールの材質は超硬材を用いた。そして、有底穴1aの径Dが0.1mm、有底穴1aの最深部の深さLを0.25mmとした。
を用い、回転数を10,000rpmとして、切り込み量を5μmとした。また、ドリルの先端は平坦な面の加工ができるものを用い、ツールの材質は超硬材を用いた。そして、有底穴1aの径Dが0.1mm、有底穴1aの最深部の深さLを0.25mmとした。
次に、試料No.3〜7は、有底穴1aの底面を内側に向かって浅くなっている凸状の円錐状としたもので、その加工方法は比較例と同じ方法とした。ただし、ツールは有底穴の形状に合わせて変更した。有底穴1aの径Dは、全て0.1mmであるが、最深部の深さ
Lを試料No.3が0.08mm、試料No.4が0.10mm、試料No.5−1が0.25mm、試料No.6が0.40mm、試料No.7が0.50mmとした。
Lを試料No.3が0.08mm、試料No.4が0.10mm、試料No.5−1が0.25mm、試料No.6が0.40mm、試料No.7が0.50mmとした。
次に、試料No.8〜12は、有底穴1aの底面が内側に向かって浅くなっている凸状の角錐状のものとしたもので、その加工方法は、いずれも、超音波ドリル加工によるもので、日本電子工業(株)社製の型名:UM−150Cの超音波ドリル加工装置を用い、周波数
が25KHz,振幅数が5μm,送り速度が5mm/分として、砥粒はダイヤモンドパウダーの粒径が4〜8μm程度のものを用いた。超音波ドリル加工は、加工品に対して上下に振動させて有底穴1aを形成するもので、ツールは超硬材からなり先端形状が有底穴1aの底面が内側に向かって浅くなる凸状の角錐状となるように加工してある。有底穴1aの径Dは、全て0.1mmであるが、最深部の深さLを試料No.8が0.08mm、試料No.
9が0.10mm、試料No.10が0.25mm、試料No.11が0.4mm、試料No.12が0.5mmとした。
が25KHz,振幅数が5μm,送り速度が5mm/分として、砥粒はダイヤモンドパウダーの粒径が4〜8μm程度のものを用いた。超音波ドリル加工は、加工品に対して上下に振動させて有底穴1aを形成するもので、ツールは超硬材からなり先端形状が有底穴1aの底面が内側に向かって浅くなる凸状の角錐状となるように加工してある。有底穴1aの径Dは、全て0.1mmであるが、最深部の深さLを試料No.8が0.08mm、試料No.
9が0.10mm、試料No.10が0.25mm、試料No.11が0.4mm、試料No.12が0.5mmとした。
次に、上記のインターポーザ基板1の主面の両面に対して、厚み加工を行なった。厚み加工の目的は、有底穴1aと貫通孔1bの穴の表面のバリを除去するためである。まず、平面研削を行なうが、平面研削装置は(株)三井ハイテック社製の型名:MSG−250H
1を用い、砥粒が200番のレジンダイヤを用い、回転数を3000rpmとして、切り込み量
を0.01mmとした。次に、ラップ研磨を、SPEED FAM CO,LTD社製の型名:DSM 16B−5L/P−Vを用い、砥粒が1000番で回転数が60rpmとして、30分加工
することにより、それぞれの主面を0.02mm研削した。なお、表1に示す有底穴1aの最深部の深さLは、厚み加工後の寸法である。
1を用い、砥粒が200番のレジンダイヤを用い、回転数を3000rpmとして、切り込み量
を0.01mmとした。次に、ラップ研磨を、SPEED FAM CO,LTD社製の型名:DSM 16B−5L/P−Vを用い、砥粒が1000番で回転数が60rpmとして、30分加工
することにより、それぞれの主面を0.02mm研削した。なお、表1に示す有底穴1aの最深部の深さLは、厚み加工後の寸法である。
次に、インターポーザ基板1のアライメントマークである有底穴1aの画像認識の精度についてテストを行なった。
まず、インターポーザ基板1の、有底穴1aは、1枚の基板に41個形成され、各有底穴1aの穴位置はインターポーザ基板1の寸法値の原点が中心位置であり、中心位置からの穴座標になる。そして、テストに用いる有底穴1aは原点位置に形成された有底穴1aによることとした。
そして、インターポーザ基板1の有底穴1aが形成された主面の鉛直方向に、照明とCCDカメラをセットし、各試料の有底穴1aの撮像を行なった。
照明は、(株)キーエンス社製の型名:VH−Z100R/Wのリング照明を用い、CC
Dカメラは、(株)キーエンス社製の型名:VHX−1000 画素数が211万のものを用いた。また、撮像した画像の2値化データによる穴座標の精度を評価する基準穴座標は、レーザ顕微鏡で測定した寸法値を基準にした。レーザ顕微鏡は、(株)キーエンス社製の型名:VK−8700により、658nmの赤色レーザの最大出力0.9mWで行なった。
Dカメラは、(株)キーエンス社製の型名:VHX−1000 画素数が211万のものを用いた。また、撮像した画像の2値化データによる穴座標の精度を評価する基準穴座標は、レーザ顕微鏡で測定した寸法値を基準にした。レーザ顕微鏡は、(株)キーエンス社製の型名:VK−8700により、658nmの赤色レーザの最大出力0.9mWで行なった。
次に、インターポーザ基板1の中心に位置する有底穴1aを撮像した画像を一般的に用いられる閾値50%(127階調)で2値化し、この2値化したデータにより有底穴1aの穴
座標を算出し、レーザ顕微鏡で得られた穴座標との誤差により画像認識による各試料の有底穴1aの位置精度を評価した。
座標を算出し、レーザ顕微鏡で得られた穴座標との誤差により画像認識による各試料の有底穴1aの位置精度を評価した。
作製したそれぞれの試料数1000枚のうち、インターポーザ基板1の中心に形成された有底穴1aの穴位置が、レーザ顕微鏡の測定値に対して2μmを超える(以下、単に2μm
を超えると称す)インターポーザ基板1の比率を求めた。その結果を表1に示す。
を超えると称す)インターポーザ基板1の比率を求めた。その結果を表1に示す。
試料No.3〜12は、2μmを超えるインターポーザ基板1の比率は0.3%以下であっ
た。これは、有底穴1aの内周形状が円形もしくは四角形であるが、底面が内側に向かって浅くなっている凸状なので、照射された光は凸状となっている底面に当たり、乱反射しながら有底穴1aの外部に放射されてCCDカメラへの入射が抑制される。このために、有底穴1aの開口部と主面の反射光の明暗の差が大きくなり、2値化処理された画像データの位置との差が試料No.1および2に比べ小さくなっている。
た。これは、有底穴1aの内周形状が円形もしくは四角形であるが、底面が内側に向かって浅くなっている凸状なので、照射された光は凸状となっている底面に当たり、乱反射しながら有底穴1aの外部に放射されてCCDカメラへの入射が抑制される。このために、有底穴1aの開口部と主面の反射光の明暗の差が大きくなり、2値化処理された画像データの位置との差が試料No.1および2に比べ小さくなっている。
特に、試料No.3と8とは、L/Dの値が0.8であり、最深部の深さLの値が0.08m
mであるために照射された光は凸状となっている底面に当たり、乱反射しながら有底穴1aの外部に放射されてCCDカメラへの入射が抑制されて、有底穴1aの開口部と主面の反射光の明暗の差が大きくなり、2値化処理された画像データの位置との差が試料No.1および2に比べ小さくなっている。また、試料No.3と8とでは、試料No.8の底面が角錐状の方が、2値化処理された画像データの位置との差が小さくなってより好ましい。
mであるために照射された光は凸状となっている底面に当たり、乱反射しながら有底穴1aの外部に放射されてCCDカメラへの入射が抑制されて、有底穴1aの開口部と主面の反射光の明暗の差が大きくなり、2値化処理された画像データの位置との差が試料No.1および2に比べ小さくなっている。また、試料No.3と8とでは、試料No.8の底面が角錐状の方が、2値化処理された画像データの位置との差が小さくなってより好ましい。
さらに、L/Dの値が、1以上の試料No.4〜7と試料No.9〜12は、2μmを超えるインターポーザ基板1の比率がほぼ0%に近いものであったが、Lの値が増えると加
工時間も増加するので、加工時間を減らすには最深部の深さLの値は小さい方がよい。
工時間も増加するので、加工時間を減らすには最深部の深さLの値は小さい方がよい。
また、同様にして有底穴1aの内径Dを0.08mm,0.2mm、最深部の深さLを0.16m
m、0.40mmに変えて、表1に示す試料No.13〜16の有底穴1aの形状および寸法でテストを行なった。その結果、有底穴1aの内周形状が円形、四角形で底面が円錐状、角錐状のいずれの試料も、レーザ顕微鏡の穴座標に比べ、2値化処理された画像データとの位置の差は2μm以内であり、内周形状を変化させても穴位置の認識精度は高い結果が得られた。
m、0.40mmに変えて、表1に示す試料No.13〜16の有底穴1aの形状および寸法でテストを行なった。その結果、有底穴1aの内周形状が円形、四角形で底面が円錐状、角錐状のいずれの試料も、レーザ顕微鏡の穴座標に比べ、2値化処理された画像データとの位置の差は2μm以内であり、内周形状を変化させても穴位置の認識精度は高い結果が得られた。
次に、実施例1で用いた試料No.5−1と同じインターポーザ基板1と、また同じ寸法の有底穴1aを用い、有底穴1aの底面の表面粗さを変化させたときのレーザ顕微鏡で測定した位置のデータに対する2値化処理された画像データの位置との差の確認を実施例1と同様にして行なった。それぞれ、有底穴1aの底面の算術平均粗さRaを表2に示す試料を作製した。
ここで、表面粗さは、測定器を(株)キーエンス製(型名:VK−8700)のレーザ顕微鏡により、JIS B 0601(2001)に準拠して測定した。このときの測定長さをそれぞれ0.1mmに設定して、算術平均粗さ(Ra)を測定した。また、それぞれの試料はマシニ
ングによるドリル加工の砥石の回転数およびスパークアウト(切り込みゼロで砥石を保持して仕上げ加工を行なう状態)の保持時間を変えることにより、表面粗さの異なるものを作製した。以上の結果を表2に示す。
ングによるドリル加工の砥石の回転数およびスパークアウト(切り込みゼロで砥石を保持して仕上げ加工を行なう状態)の保持時間を変えることにより、表面粗さの異なるものを作製した。以上の結果を表2に示す。
これは、有底穴1aの底面の表面粗さがインターポーザ基板1の主面の表面粗さよりも粗であることによって、底面の反射光がより多く乱反射し、CCDカメラへ入射する有底穴1aの反射光と主面の反射光の差が大きくなり、画像を2値化処理したときに明瞭な有底穴1aの画像データが得られるためである。したがって、本実施形態によれば、位置精度の良いアライメントマークを有したインターポーザ基板1を得ることができる。
1:インターポーザ基板
1a:有底穴
1b:貫通穴
2:測定端子
3:配線基板
3a:端子
4:ST基板(スペーストランスフォーマ)
5:ボンディングワイヤ
10:プローブカード
110:ウエハ
111:半導体チップ
112:リード電極
1a:有底穴
1b:貫通穴
2:測定端子
3:配線基板
3a:端子
4:ST基板(スペーストランスフォーマ)
5:ボンディングワイヤ
10:プローブカード
110:ウエハ
111:半導体チップ
112:リード電極
Claims (3)
- インターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、該有底穴の底面が内側に向かって浅くなっている凸状であることを特徴とするインターポーザ基板。
- 前記有底穴の内径をD,深さをLとしたとき,L/Dが1〜4であることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザ基板。
- 前記インターポーザ基板はセラミックスからなり、該インターポーザ基板の主面の算術平均粗さRaよりも,前記有底穴の底面の算術平均粗さRaが大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のインターポーザ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010121709A JP2011247767A (ja) | 2010-05-27 | 2010-05-27 | インターポーザ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010121709A JP2011247767A (ja) | 2010-05-27 | 2010-05-27 | インターポーザ基板 |
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JP2011247767A true JP2011247767A (ja) | 2011-12-08 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113219324A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 深圳市利拓光电有限公司 | 半导体芯片检测装置 |
-
2010
- 2010-05-27 JP JP2010121709A patent/JP2011247767A/ja active Pending
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CN113219324A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 深圳市利拓光电有限公司 | 半导体芯片检测装置 |
CN113219324B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-09-20 | 深圳市利拓光电有限公司 | 半导体芯片检测装置 |
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