JP2011243599A - 光送信器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】HR面21aとAR面21bを有する半導体レーザ素子21と、AR面21bからの出力光を集光する集光レンズ26と、HR面21aとAR面21bからの出力光の強度を一定に維持する光強度維持手段(第1の電圧制御型電流源25等)と、集光レンズ26の出力光を第1の分波光と第2の分波光の二波に分波する光分波器27と、駆動電流端子32aを有し、駆動電流端子32aに入力される駆動電流に応じて前記第1の分波光を増幅又は減衰して出力する半導体光増幅器32と、前記第2の分波光の強度、又は、前記第2の分波光の強度とHR面21aからの出力光の強度に応じて前記駆動電流を出力する駆動電流出力手段(第2の電圧制御型電流源31等)と、を有する構成とする。
【選択図】図1
Description
前者は、制御対象の値を検出し、その検出値を目標値と比較し前記検出値と前記目標値の差分を帰還(フィードバック)する方式である。後者は、事前に外乱に対する適切な制御値を記憶媒体に記憶しておき、外乱検出時に当該検出値に対する制御値を前記記憶媒体から読込んで制御する方式である。
上述の光送信モジュールの構成要素である受光素子は、半導体レーザ素子の送信光強度のフィードバック制御を行うために用いる。
図10中のPaは半導体レーザ素子1のAR面1bからの出力光(送信光)の強度、Poは集光レンズ6により集光された出力光(送信光)の強度、Phは半導体レーザ素子1のHR面1aからの出力光(モニタ光)の強度、Imは受光素子2の受光電流、Vmは電流-電圧変換器3の出力電圧、Vrは基準電圧、Icntは半導体レーザ素子1の駆動電流である。
前記半導体レーザ素子の前記低反射率面からの出力光を集光する集光器と、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面と前記低反射率面からの出力光の強度を一定に維持する光強度維持手段と、
前記集光器の出力光を第1の分波光と第2の分波光の二波に分波する温度無依存型の光分波器と、
駆動電流端子を有し、前記駆動電流端子に入力される駆動電流に応じて前記第1の分波光を増幅又は減衰して出力する光増幅減衰手段と、
前記第2の分波光の強度に応じて前記駆動電流を出力する駆動電流出力手段と、
を有することを特徴とする。
前記半導体レーザ素子の前記低反射率面からの出力光を集光する集光器と、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面と前記低反射率面からの出力光の強度を一定に維持する光強度維持手段と、
前記集光器の光出力を第1の分波光と第2の分波光の二波に分波する温度無依存型の光分波器と、
駆動電流端子を有し、前記駆動電流端子に入力される駆動電流に応じて前記第1の分波光を増幅又は減衰して出力する光増幅減衰手段と、
前記第2の分波光の強度と前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光の強度に応じて前記駆動電流を出力する駆動電流出力手段と、
を有することを特徴とする。
前記光増幅減衰手段は、温度無依存且つ偏波無依存型の半導体光増幅器であることを特徴とする。
前記光増幅減衰手段は、温度無依存且つ偏波無依存型の半導体光増幅器であり、
前記駆動電流出力手段は、前記半導体光増幅器の光入出力の利得が、前記第2の分波光の強度と前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光の強度との強度比に比例するように、前記半導体光増幅器の駆動電流を出力する構成であることを特徴とする。
前記光強度維持手段は、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光を電流に変換する受光素子と、
前記受光素子の受光電流を電圧に変換する電流-電圧変換器と、
前記第1の電流-電圧変換器の出力電圧と基準電圧とを比較し、前記出力電圧と前記基準電圧の差分を増幅して電圧を出力する比較増幅器と、
前記比較増幅器の出力電圧を前記半導体レーザ素子の駆動電流に変換して出力する電圧制御型電流源と、
を有して成る構成であることを特徴とする。
前記駆動電流出力手段は、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光を電流に変換する第1の受光素子と、
前記受光素子の受光電流を電圧に変換する第1の電流-電圧変換器と、
前記第2の分波光を電流に変換する第2の受光素子と、
前記第2の受光素子の受光電流を電圧に変換する第2の電流-電圧変換器と、
前記第1の電流-電圧変換器の出力電圧と前記第2の電流-電圧変換器の出力電圧との電圧比を演算し、その演算結果の電圧比に応じた電圧を出力する演算器と、
前記演算器の出力電圧を前記半導体光増幅器の駆動電流に変換して出力する電圧制御型電流源と、
を有して成る構成であることを特徴とする。
前記半導体光増幅器と前記光分波器の間に光アイソレータを設けて、前記半導体光増幅器の端面から前記半導体レーザ素子の前記低反射率面への戻り光を前記光アイソレータで遮断する構成としたことを特徴とする。
また、半導体光増幅器と光分波器の間に設けた光アイソレータ33によって、半導体光増幅器の端面から半導体レーザ素子の低反射率面への戻り光を遮断することができる。
そして更に本光送信モジュール20は、レンズ系の環境温度依存性を相殺してトラッキングエラー(TE)を解消するために光分波器27と、第2の受光素子28と、第2の電流-電圧変換器29と、演算器30と、第2の電圧制御型電流源31と、光増幅減衰手段としての半導体光増幅器32とを備えている。
また、本光送信モジュール20は、第1の光アイソレータ33と、第2の光アイソレータ34も備えている。
比較増幅器24は、第1の電流-電圧変換器23の出力電圧Vm1と基準電圧Vrとを比較し、前記出力電圧Vm1と前記基準電圧Vrの差分(偏差)を増幅して、電圧Vcnt1を出力する。
電圧制御型電流源25は、比較増幅器24から出力電圧Vcnt1を受け、この出力電圧Vcnt1に応じた半導体レーザ素子21の駆動電流(制御電流)Icnt1を出力する(即ち出力電圧Vcnt1を駆動電流Icnt1に変換して出力する)。
即ち、第1の受光素子22、第1の電流-電圧変換器23、比較増幅器24及び第1の電圧制御型電流源25は、半導体レーザ素子21の出力光強度P4,P3を一定に維持するための光強度維持手段を構成している。
光分波器27から出力される第2の分波光は、第2の受光素子28で受光されて第2の受光電流Im2に変換され、第2の電流-電圧変換器29で第2の出力電圧Vm2に変換される。即ち、第2の受光素子28では第2の分波光の強度(受光素子27への入力光強度)P2_2に応じた受光電流Im2を出力し、第2の電流-電圧変換器29では受光電流Im2を電圧Vm2に変換して出力する。
第2の電圧制御型電流源31は、演算器30から出力電圧Vcnt2を受け、この出力電圧Vcnt2に応じた半導体光増幅器32の駆動電流(制御電流)Icnt2を出力する(即ち出力電圧Vcnt2を駆動電流Icnt2に変換して出力する)。この駆動電流Icnt2は前記電圧比(前記強度比)に応じたものである。
また、半導体光増幅器32の出力側には第2の光アイソレータ34が設けられており、光ファイバ40や光ファイバ40に接続された光学機器(図示せず)などからの半導体光増幅器32への戻り光を、この第2の光アイソレータ34によって遮断する構成となっている。
まず、本発明の効果を説明するために、本実施の形態例の光送信モジュール20(図1)における従来の光送信モジュール(図10)の光出力制御系(フィードバック制御系)と同様の部分について、数値計算をした結果を以下に示す。
環境温度Taは、時間に依って変化し、下記の式1.3で定義する。即ち、環境温度Taの時間変化を図2のように定義する。
半導体レーザ素子21の光出力強度P3(t)は、下記の式1.4のように駆動電流Icnt(t)に比例するものとする。この式1.4における比例定数(半導体レーザ素子21の注入電流-光強度変換利得)Cldは、下記の式1.7のように環境温度Taの一次関数で定義し、この式1.7における定数a0はa0=−0.0067とする。
レンズ系(集光レンズ26)の光結合率Clnz(Ta)は、下記の式1.8のように環境温度Taの2次関数で定義する。本系では、式1.8における定数b0をb0=0.01とする。
集光レンズ26の光出力強度P2(t)は、集光レンズ26の光結合率Clnz(Ta)を用いて、下記の式1.6のように表すことができる。
(式1.2) Vm1(t)=Z1*S1*P4(t)
(式1.3) Ta=25 if (0≦t≦2.5)
Ta=125*(t−2.5)+25 if (2.5<t≦2.7)
Ta=50 if (2.7<t≦5)
Ta=−125*(t−5)+50 if (5<t≦5.2)
Ta=25 if (5.2<t≦7.5)
Ta=−125*(t−7.5)+25 if (7.5<t≦7.7)
Ta=0 if (7.7<t≦10)
(式1.4) P3(t)=Cld(Ta)*Icnt1(t)
(式1.5) P4(t)=R*P3(t)
(式1.6) P2(t)=Clnz(Ta)*P3(t)
(式1.7) Cld(Ta)=a0*(Ta−25)+1
(式1.8) Clnz(Ta)=−b0*(Ta−25)2+1
集光レンズ26の光出力を光分波器27によって第1の分波光と第2の分波光に分波し、これらの分波光の強度をそれぞれ、P2_1(t)、P2_2(t)とすると、これらの分波光強度P2_1(t)、P2_2(t)は下記の式2.1,2.2で表すことができる。これらの式2.1,2.2でCcplは、光分波器27の分光比を示し、ここではCcpl=0.1とする。
第2の受光素子28の受光率(入力光強度-受光電流変換効率)をS2、第2の電流-電圧変換器29の変換利得をZ2、第2の電流-電圧変換器29の出力電圧をVm2(t)とすると、この出力電圧Vm2(t)は下記の式2.3で表すことができる。
第2の電圧制御型電流源31の出力電流(即ち半導体光増幅器32の駆動電流)をIcnt2(t)とすると、この出力電流をIcnt2(t)は、電流-電圧変換率である定数c0を用いて、下記の式2.5で表すことができる。
本系において、Ccpl、c0、c1、Csoaは、温度や偏波に依存しない定数とし、Ccpl=0.1, c0=1.0, c1=1.0, Csoa=1.1とする。
(式2.2) P2_2(t)=Ccpl*P2(t)
(式2.3) Vm2(t)=Z2*S2*P2_2(t)
(式2.4) Vcnt2(t)=c1*Vm1(t)/Vm2(t)
(式2.5) Icnt2(t)=c0*Vcnt2(t)
(式2.6) P1(t)=Csoa*Icnt2(t)*P2_1(t)
21a HR面
21b AR面
22 第1の受光素子
23 第1の電流-電圧変換器
24 比較増幅器
25 第1の電圧制御型電流源
26 集光レンズ
27 光分波器
28 第2の受光素子
29 第2の電流-電圧変換器
30 演算器
31 第2の電圧制御型電流源
32 半導体光増幅器
33 第1の光アイソレータ
34 第2の光アイソレータ
40 光ファイバ
Claims (7)
- 高反射率面と低反射率面を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の前記低反射率面からの出力光を集光する集光器と、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面と前記低反射率面からの出力光の強度を一定に維持する光強度維持手段と、
前記集光器の出力光を第1の分波光と第2の分波光の二波に分波する温度無依存型の光分波器と、
駆動電流端子を有し、前記駆動電流端子に入力される駆動電流に応じて前記第1の分波光を増幅又は減衰して出力する光増幅減衰手段と、
前記第2の分波光の強度に応じて前記駆動電流を出力する駆動電流出力手段と、
を有することを特徴とする光送信器。 - 高反射率面と低反射率面を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の前記低反射率面からの出力光を集光する集光器と、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面と前記低反射率面からの出力光の強度を一定に維持する光強度維持手段と、
前記集光器の光出力を第1の分波光と第2の分波光の二波に分波する温度無依存型の光分波器と、
駆動電流端子を有し、前記駆動電流端子に入力される駆動電流に応じて前記第1の分波光を増幅又は減衰して出力する光増幅減衰手段と、
前記第2の分波光の強度と前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光の強度に応じて前記駆動電流を出力する駆動電流出力手段と、
を有することを特徴とする光送信器。 - 請求項1又は2に記載の光送信器において、
前記光増幅減衰手段は、温度無依存且つ偏波無依存型の半導体光増幅器であることを特徴とする光送信器。 - 請求項2に記載の光送信器において、
前記光増幅減衰手段は、温度無依存且つ偏波無依存型の半導体光増幅器であり、
前記駆動電流出力手段は、前記半導体光増幅器の光入出力の利得が、前記第2の分波光の強度と前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光の強度との強度比に比例するように、前記半導体光増幅器の駆動電流を出力する構成であることを特徴とする光送信器。 - 請求項1又は2に記載の光送信器において、
前記光強度維持手段は、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光を電流に変換する受光素子と、
前記受光素子の受光電流を電圧に変換する電流-電圧変換器と、
前記第1の電流-電圧変換器の出力電圧と基準電圧とを比較し、前記出力電圧と前記基準電圧の差分を増幅して電圧を出力する比較増幅器と、
前記比較増幅器の出力電圧を前記半導体レーザ素子の駆動電流に変換して出力する電圧制御型電流源と、
を有して成る構成であることを特徴とする光送信器。 - 請求項4に記載の光送信器において、
前記駆動電流出力手段は、
前記半導体レーザ素子の前記高反射率面からの出力光を電流に変換する第1の受光素子と、
前記受光素子の受光電流を電圧に変換する第1の電流-電圧変換器と、
前記第2の分波光を電流に変換する第2の受光素子と、
前記第2の受光素子の受光電流を電圧に変換する第2の電流-電圧変換器と、
前記第1の電流-電圧変換器の出力電圧と前記第2の電流-電圧変換器の出力電圧との電圧比を演算し、その演算結果の電圧比に応じた電圧を出力する演算器と、
前記演算器の出力電圧を前記半導体光増幅器の駆動電流に変換して出力する電圧制御型電流源と、
を有して成る構成であることを特徴とする光送信器。 - 請求項3,4又は6の何れか1項に記載の光送信器において、
前記半導体光増幅器と前記光分波器の間に光アイソレータを設けて、前記半導体光増幅器の端面から前記半導体レーザ素子の前記低反射率面への戻り光を前記光アイソレータで遮断する構成としたことを特徴とする光送信器。
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