JP2011228569A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】陽極2及び陰極8の間に、少なくとも発光層5を含む有機電界発光素子10であって、前記発光層5が、ホスト材料、混合配位子を有する第一ドーパント材料、及び第二ドーパント材料を含み、前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの発光が、2つ以上の配位子からの発光を有し、前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの2つ以上の発光ピーク波長と前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長が異なり、前記混合配位子を有する第一ドーパント材料と前記第二ドーパント材料からの複合発光が、白色発光となる有機電界発光素子10である。
【選択図】図4
Description
前記混合配位子錯体は、図2に示すように、青色を発する配位子Aからの発光ピーク波長と、緑色を発する配位子Bからの発光ピーク波長とを有しているが、赤色領域の発光強度が弱いため、白色の演色性が悪いという課題がある。
しかし、特許文献1から3に記載のシクロメタル化遷移金属錯体は、1つの配位子のみで単色に発光するため、該シクロメタル化遷移金属錯体を用いて白色発光を実現するには、他の色で発光する材料を2種類用いなければならない。一方、混合配位子錯体は2つ以上の配位子から発光するため、1つの材料で2色以上の発光が可能であり、混合配位子錯体を用いて白色発光を実現するには、他の色で発光する材料を1種類用いればよく、この点において、特許文献1から3に記載のシクロメタル化遷移金属錯体と、本発明の混合配位子を有する第一ドーパント材料とは明らかに相違する。
<1> 陽極及び陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、
前記発光層が、ホスト材料、混合配位子を有する第一ドーパント材料、及び第二ドーパント材料を含み、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの発光が、2つ以上の配位子からの発光を有し、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの2つ以上の発光ピーク波長と、前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長とが異なり、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料と前記第二ドーパント材料からの複合発光が、白色発光となることを特徴とする有機電界発光素子である。
<2> 発光層が単層構造である前記<1>に記載の有機電界発光素子である。
<3> 混合配位子を有する第一ドーパント材料及び第二ドーパント材料が、いずれも燐光発光材料である前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<4> 混合配位子を有する第一ドーパント材料及び第二ドーパント材料の中心金属が、いずれも白金及びイリジウムのいずれかである前記<1>から<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<5> 混合配位子を有する第一ドーパント材料の中心金属がイリジウムであり、第二ドーパント材料の中心金属が白金及びイリジウムのいずれかである前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<6> 混合配位子を有する第一ドーパント材料の中心金属がイリジウムであり、第二ドーパント材料の中心金属がイリジウムである前記<1>から<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<7> 混合配位子を有する第一ドーパント材料のドープ濃度が、ホスト材料に対して0.01質量%〜50質量%である前記<1>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<8> 第二ドーパント材料のドープ濃度が、ホスト材料に対して0.01質量%〜50質量%である前記<1>から<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<9> 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク強度Aと、長波長側の発光ピーク強度Bとの比(A:B)が、1:0.1〜1:3である前記<1>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<10> 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク強度Aと、第二ドーパント材料からの発光強度Cとの比(A:C)が1:0.1〜1:3である前記<1>から<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<11> 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク波長、及び長波長側の発光ピーク波長の少なくともいずれかと、第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長とが5nm以上離れている前記<1>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極の間に、少なくとも発光層を有してなり、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層を有することが好ましく、更に必要に応じてその他の構成を有していてもよい。
前記発光層は、ホスト材料、混合配位子を有する第一ドーパント材料、及び第二ドーパント材料を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの2つ以上の発光ピーク波長と前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長が異なる。前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの2つ以上の発光ピーク波長と前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長が同じであると、第二ドーパント材料の添加による白色の演色性を改善する効果が得られないことがある。
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク波長、及び長波長側の発光ピーク波長の少なくともいずれかと、第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長とが5nm以上離れていることが好ましく、10nm以上離れていることがより好ましい。前記短波長側の発光ピーク波長、及び長波長側の発光ピーク波長の少なくともいずれかと、前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長との差が5nm未満であると、第二ドーパント材料の添加による白色の演色性を改善する効果が得られないことがある。
前記比(A:B)のBが、0.1未満であると、短波長側の発光が強く観測され、白色から色ずれすることがあり、3を超えると、長波長側の発光が強く観測され、白色から色ずれすることがある。
前記比(A:B)のBが、0.1未満であると、第二ドーパント材料の添加による白色の演色性を改善する効果が得られないことがあり、3を超えると、第二ドーパント材料からの発光が強く観測され、白色から色ずれすることがある。
したがって、本発明においては、前記混合配位子を有する第一ドーパント材料と前記第二ドーパント材料からの複合発光が白色発光となる。
即ち、図2に示すように、混合配位子を有する第一ドーパント材料だけでは、青色を発光する配位子Aからの発光ピーク波長と、緑色を発光する配位子Bからの発光ピーク波長とを有しているが、赤色領域の発光強度が弱いため、白色の演色性が悪いという課題がある。そこで、図3に示すように、混合配位子を有する第一ドーパント材料に赤色(R)の第二ドーパント材料を少量ドープすることで、混合配位子を有する第一ドーパント材料の発光で不足している発光色を補うことができ、発光層単層でより演色性の高い白色を実現することができる。なお、混合配位子を有する第一ドーパント材料により発光で不足する発光色は異なるので、該不足している発光色を補うことができる第二ドーパント材料を適宜選択して用いることができる。
前記ドープ濃度が、0.01質量%未満であると、第一ドーパント材料からの発光が観測されないことがあり、50質量%を超えると、第一ドーパント材料のみからの発光しか観測されないことがある。
前記ドープ濃度が、0.01質量%未満であると、第二ドーパント材料からの発光が観測されないことがあり、50質量%を超えると、第二ドーパント材料のみからの発光しか観測されないことがある。
前記ホスト材料としては、上記特性を満たせば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト材料を用いることができる。
前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を有するものがより好ましく、カルバゾール骨格を有する化合物が特に好ましい。
また、本発明においては、前記ホスト材料の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる(特願2008−126130号明細書、特表2004−515506号公報)。
前記電子輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、オキサール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。
前記金属錯体化合物としては、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
前記金属錯体中の金属イオンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、パラジウムイオンなどが挙げられる。これらの中でも、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンが好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンがより好ましい。
前記配位子としては、例えばアジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる)、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、及び2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、シロキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数3〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、及びトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられる)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜25、特に好ましくは炭素数2〜20であり、例えばピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、ベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、又はシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、又は芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料としては、上記特性を満たせば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、中心金属が白金及びイリジウムのいずれかであり、配位子を2つ以上有する混合配位子錯体などが挙げられる。これらの中でも、中心金属がイリジウムを含む混合配位子錯体が特に好ましい。
前記第二ドーパント材料としては、上記特性を満たせば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば中心金属が白金及びイリジウムのいずれかである錯体などが挙げられる。これらの中でも、中心金属がイリジウムを含む錯体が特に好ましい。
前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。
前記二座のモノアニオン性配位子としては、例えば、ピコリナート(pic)、アセチルアセトナート(acac)、ジピバロイルメタナート(t−ブチルacac)などが挙げられる。
上記以外の配位子としては、例えば、Lamanskyらの国際公開第2002/15645号パンフレットの89頁〜91頁に記載の配位子が挙げられる。
前記R11及びR12は、互いに隣接するものどうしで結合して、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、5員環、6員環などが好適に挙げられる。該環は更に置換基で置換されていてもよい。
前記電子注入層又は電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
前記電子輸送層としては、前記電子輸送性ホスト材料、前記電子供与性ドーパント等の材料を含み形成される。
前記電子輸送層の厚みとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
前記電子注入層の厚みとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
前記電子注入層又は電子輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記正孔注入層又は正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
これらの層に用いられる正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属;五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物;キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜30質量%がより好ましく、0.1質量%〜30質量%が更に好ましい。
前記正孔注入層又は正孔輸送層の厚みは、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜250nmがより好ましく、10nm〜200nmが更に好ましい。
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えばBalq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、などが挙げられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
前記正孔ブロック層又は電子ブロック層の厚みは、1nm〜200nmであることが好ましく、1nm〜50nmであることがより好ましく、3nm〜10nmであることが更に好ましい。また、正孔ブロック層又は電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが特に好ましい。
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点からアルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点からアルミニウムを主体とする材料が特に好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)を意味する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料、などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などを挙げることができる。
前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開2009−152572号公報等に記載の事項を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ(TFT)によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えば国際公開2005/088726号パンフレット、特開2006−165529号公報、米国特許出願公開2008/0237598号明細書等に記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
第2の態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。
前記第1の態様の場合の計算式は、特開平9−180883号公報に記載されている。
前記第2の態様の場合の計算式は、特開2004−127795号公報に記載されている。
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機電界発光ディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、2000年9月号、33〜37ページに記載されているように、色の3原色(青色(B)、緑色(G)、赤色(R))に対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色(R)及び緑色(G)に変換する色変換法、などが知られている。
−有機電界発光素子の作製−
厚み0.5mm、2.5cm角のガラス基板を洗浄容器に入れ、中性洗剤中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、120℃で120分間熱処理を行った。その後、30分間UV−オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下の各層を蒸着した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層の厚みは水晶振動子を用いて測定した。
次に、前記陽極(ITO)上に、下記構造式で表される4,4’,4”−トリス(N,N−(2−ナフチル)−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)に、下記構造式で表されるF4−TCNQを1質量%ドープした正孔注入層を厚みが45nmになるように真空蒸着法にて形成した。
次に、前記正孔輸送層上に、第二正孔輸送層として下記構造式で表される正孔輸送材料1を厚みが3nmとなるように真空蒸着法にて形成した。
次に、前記第二電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを厚みが0.1nmとなるように真空蒸着法にて形成した。
次に、前記電子注入層上に、パターニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを厚みが70nmとなるように真空蒸着し、陰極を形成した。
作製した積層体を、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、比較例1の有機電界発光素子を作製した。
この比較例1の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。( )内は厚みを表す。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例1において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し0.1質量%の燐光発光材料である下記構造式で表されるイリジウム錯体1をドープした以外は、比較例1と同様にして、実施例1の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1+0.1質量%イリジウム錯体1(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例1において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し0.1質量%の燐光発光材料である下記構造式で表されるイリジウム錯体2をドープした以外は、比較例1と同様にして、実施例2の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1+0.1質量%イリジウム錯体2(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例1において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し0.1質量%の燐光発光材料である下記構造式で表されるイリジウム錯体3をドープした以外は、比較例1と同様にして、実施例3の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1+0.1質量%イリジウム錯体3(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例1において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し0.2質量%の燐光発光材料であるIr(ppy)3をドープした以外は、比較例1と同様にして、実施例4の有機電界発光素子を作製した。
この実施例4の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。( )内は厚みを表す。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1+0.2質量%Ir(ppy)3(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例1において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し0.2質量%の燐光発光材料である下記構造式で表されるイリジウム錯体4をドープした以外は、比較例1と同様にして、実施例5の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+10質量%混合配位子錯体1+0.2質量%イリジウム錯体4(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電流を各素子に印加し、発光させた。発光スペクトルと発光波長を、浜松ホトニクス株式会社製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。得られたスペクトルから、CIE昼光を基準としてR1〜R8の演色評価数を平均して、平均演色評価数(Ra)を求めた。
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電流を各有機電界発光素子に印加し、発光させた。発光時の輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス株式会社製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。これらの数値をもとに、外部量子効率を輝度換算法により算出した。
各有機電界発光素子に、0.2mAの一定電流を通電し、輝度が初期輝度の半分になるまでの時間を測定した。
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電流を各有機電界発光素子に印加し、発光させた。発光スペクトルと発光波長を、浜松ホトニクス株式会社製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。得られたスペクトルからCIE表色系を用い、色度座標(CRI)を求めた。
また、外部量子効率が向上した理由は、第二ドーパント材料が正孔トラップとなったためであると考えられる。
また、実施例1〜5は、比較例1と比べて、耐久性が向上した。これは、第二ドーパント材料を添加したことで、混合配位子錯体1に対する負荷が低減したためと考えられる。
また、色度座標(CRI)の結果から、比較例1及び実施例1〜5ともに白色発光が得られていることが分かった。
イオン化ポテンシャル値(Ip)の計算は、米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェア(Gaussian03(Gaussian 03, Revision D.02,M.J.Frisch,etal, Gaussian, Inc., Walling ford CT,2004.)を用いて計算した計算値であり、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した。
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電流を各素子に印加し、発光させた。発光スペクトルと発光波長を、浜松ホトニクス株式会社製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。得られたスペクトルから、発光強度が最大となる発光波長を求めた。
比較例1において、発光層におけるmCPに対して1質量%の燐光発光材料である上記構造式で表される混合配位子錯体1をドープした以外は、比較例1と同様にして、比較例2の有機電界発光素子を作製した。
この比較例2の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。( )内は厚みを表す。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体1(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例2において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料である下記構造式で表される白金錯体1をドープした以外は、比較例2と同様にして、実施例6の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体1+15質量%白金錯体1(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例2において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料である下記構造式で表される白金錯体2をドープした以外は、比較例2と同様にして、実施例7の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体1+15質量%白金錯体2(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例2において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料である下記構造式で表されるイリジウム錯体5をドープした以外は、比較例2と同様にして、実施例8の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体1+15質量%イリジウム錯体5(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
また、比較例2に比べて実施例6〜8の外部量子効率が向上した理由としては、混合配位子錯体1が正孔トラップ材となったためと考えられる。
また、実施例6〜8は比較例2と比べて、耐久性が向上した。これは、第二ドーパント材料を添加したことで、混合配位子錯体1に対する負荷が低減したためであると考えられる。
また、色度座標(CRI)の結果から、比較例2及び実施例6〜8ともに白色発光が得られていることが分かった。
比較例1において、発光層におけるmCPに対して1質量%の燐光発光材料である下記構造式で表される混合配位子錯体2をドープした以外は、比較例1と同様にして、比較例3の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体2(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例3において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料である下記構造式で表される白金錯体3をドープした以外は、比較例3と同様にして、実施例9の有機電界発光素子を作製した。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体2+15質量%白金錯体3(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例3において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料であるIr(ppy)3をドープした以外は、比較例3と同様にして、実施例10の有機電界発光素子を作製した。
この実施例10の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。( )内は厚みを表す。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体2+15質量%Ir(ppy)3(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
比較例3において、発光層における第二ドーパント材料としてmCPに対し15質量%の燐光発光材料である上記構造式で表されるイリジウム錯体4をドープした以外は、比較例3と同様にして、実施例11の有機電界発光素子を作製した。
この実施例11の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。( )内は厚みを表す。
<ITO(100nm)/2−TNATA+1質量%F4−TCNQ(45nm)/NPD(7nm)/正孔輸送材料1(3nm)/mCP+1質量%混合配位子錯体2+15質量%イリジウム錯体4(30nm)/Balq(29nm)/BCP(1nm)/LiF(0.1nm)/Al(70nm)>
また、比較例3に比べて実施例9〜11の外部量子効率が向上した理由としては、混合配位子錯体2が正孔トラップ材となったためであると考えられる。
また、実施例9〜11は比較例3と比べて、耐久性が向上した。これは、第二ドーパント材料を添加したことで、混合配位子錯体2に対する負荷が低減したためと考えられる。
また、色度座標(CRI)の結果から、比較例3及び実施例9〜11ともに白色発光が得られていることが分かった。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 第一電子輸送層
7 第二電子輸送層
8 陰極
10 有機電界発光素子
Claims (11)
- 陽極及び陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、
前記発光層が、ホスト材料、混合配位子を有する第一ドーパント材料、及び第二ドーパント材料を含み、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの発光が、2つ以上の配位子からの発光を有し、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料からの2つ以上の発光ピーク波長と、前記第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長とが異なり、
前記混合配位子を有する第一ドーパント材料と前記第二ドーパント材料からの複合発光が、白色発光となることを特徴とする有機電界発光素子。 - 発光層が単層構造である請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料及び第二ドーパント材料が、いずれも燐光発光材料である請求項1から2のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料及び第二ドーパント材料の中心金属が、いずれも白金及びイリジウムのいずれかである請求項1から3のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料の中心金属がイリジウムであり、第二ドーパント材料の中心金属が白金及びイリジウムのいずれかである請求項1から4のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料の中心金属がイリジウムであり、第二ドーパント材料の中心金属がイリジウムである請求項1から5のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料のドープ濃度が、ホスト材料に対して0.01質量%〜50質量%である請求項1から6のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 第二ドーパント材料のドープ濃度が、ホスト材料に対して0.01質量%〜50質量%である請求項1から7のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク強度Aと、長波長側の発光ピーク強度Bとの比(A:B)が、1:0.1〜1:3である請求項1から8のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク強度Aと、第二ドーパント材料からの発光強度Cとの比(A:C)が1:0.1〜1:3である請求項1から9のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 混合配位子を有する第一ドーパント材料における2つ以上の配位子からの発光のうち、短波長側の発光ピーク波長、及び長波長側の発光ピーク波長の少なくともいずれかと、第二ドーパント材料からの発光強度が最大となる波長とが5nm以上離れている請求項1から10のいずれかに記載の有機電界発光素子。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6011035473; Ji Hyun SEO, In Jun KIM, Young Kwan KIM, and Young Sik KIM: 'Characteristics of White Organic Light-Emitting Diodes Using Heteroleptic Iridium Complexes for Gree' Japanese Journal of Applied Physics Vol.47, No.8, 2008, pp.6987-6990, The Japan Society of Applied Phy * |
JPN6011035474; Gui Youn Park, Youngsik Kim, Yunkyoung Ha: 'Iridium Complexes Containing Three Different Ligands as White OLED Dopants' Molecular Crystals and Liquid Crystals Vol.462, 2007, pp.179-188, Taylor & Francis Group, LLC * |
JPN6011035475; Ji Hyun Seo, In Joon Kim, Young Kwan Kim, Young Sik Kim: 'Single dopant white electerophosphorescent light emitting diodes using heteroleptic tris-cyclometala' Thin Solid Films 516, 20070823, pp.3614-3617, Elsevier * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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